本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其工藝方法，屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的球焊方式，是利用高純度的金線（Au） 、銅線（Cu）、鋁線（Al）或合金線把芯片壓區(qū)和引線通過(guò)焊接的方法連接起來(lái)。壓區(qū)是芯片上電路的外接點(diǎn)，引線是引線框架上的連接點(diǎn)。其中，焊線與壓區(qū)的結(jié)合點(diǎn)是在打線接合制程中、后續(xù)制程或產(chǎn)品后續(xù)使用時(shí)出現(xiàn)異常較多的地方，其受限于壓區(qū)大小、壓區(qū)金屬層的厚度等因素，可能產(chǎn)生以下這些缺陷：第一，如果壓區(qū)金屬層太薄的話，打線接合難度會(huì)很大，打線壓力過(guò)重容易使壓區(qū)下電路受損，導(dǎo)致產(chǎn)品失效；第二，打線壓力過(guò)輕的話，焊球與壓區(qū)會(huì)壓不上，從而導(dǎo)致產(chǎn)品虛焊或開(kāi)路，或者在后期的使用過(guò)程中因出現(xiàn)焊球脫落而造成產(chǎn)品失效。

為解決此問(wèn)題，業(yè)界通常的做法都是加嚴(yán)流程控制、優(yōu)化焊線參數(shù)等手法，但很少?gòu)漠a(chǎn)品設(shè)計(jì)和工藝變更的角度去改善。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其工藝方法，通過(guò)采用芯片上植錫球，在錫球上打線后使錫球融化將焊線牢牢包裹住的方式增加焊線與芯片的結(jié)合強(qiáng)度，從而解決了可能出現(xiàn)的球脫及產(chǎn)品失效問(wèn)題。

本發(fā)明解決上述問(wèn)題所采用的技術(shù)方案為：一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，它包括引線框架，所述引線框架包括基島和引腳，所述基島上通過(guò)粘結(jié)物質(zhì)正裝有芯片，所述芯片的焊線區(qū)位置設(shè)置有錫球，所述錫球與引腳之間通過(guò)焊線電性連接，所述焊線兩端的第一焊點(diǎn)和第二焊點(diǎn)分別與錫球和引腳相結(jié)合，所述錫球包裹焊線的第一焊點(diǎn)，所述基島、引腳、芯片、錫球和焊線外圍包封有塑封料。

一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的工藝方法，所述方法包括以下步驟：

步驟一、取一引線框架；

步驟二，在步驟一引線框架的基島正面涂覆導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)，然后在粘結(jié)物質(zhì)上植入芯片，芯片的焊線壓區(qū)位置植有錫球；

步驟三，在芯片焊線壓區(qū)位置的錫球與引腳正面之間進(jìn)行打線作業(yè)；

步驟四，將步驟三完成打線作業(yè)的引線框架進(jìn)行回流焊，使錫球融化包裹焊線；

步驟五，將步驟四中的引線框架采用塑封料進(jìn)行塑封；

步驟六、將步驟五完成塑封的半成品進(jìn)行切割或是沖切作業(yè)，使原本陣列式塑封體切割或是沖切獨(dú)立開(kāi)來(lái)，制得單顆的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。

所述焊線的材料采用金、銀、銅、鋁或是合金材料。

所述塑封方式采用模具灌膠方式、噴涂方式或是貼膜方式。

所述塑封料采用有填料物質(zhì)或是無(wú)填料物質(zhì)的環(huán)氧樹(shù)脂。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：

1、在錫球上進(jìn)行打線，錫球?qū)Υ蚓€壓力起到緩沖作用，從而降低了芯片壓區(qū)下電路因打線壓力過(guò)大而產(chǎn)生裂紋的風(fēng)險(xiǎn)，提高了產(chǎn)品的良率。另外，也不必增加鋁墊厚度或重新設(shè)計(jì)芯片結(jié)構(gòu)來(lái)改善第一焊點(diǎn)的結(jié)合效果，能夠降低制造成本。

2、在錫球上打線，并經(jīng)回流焊以后，焊線的第一焊點(diǎn)已被錫球包裹在里面，焊線與錫球的結(jié)合點(diǎn)由錫球表面轉(zhuǎn)移至錫球內(nèi)部，使結(jié)合更加充分，產(chǎn)品可靠性更高。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。

圖2~圖9為本發(fā)明一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的工藝方法的各工序流程圖。

圖7為圖6圓圈部位的放大圖。

其中：

引線框架1

芯片2

錫球3

焊線4

塑封料5

基島6

引腳7

粘結(jié)物質(zhì)8

第一焊點(diǎn)9

第二焊點(diǎn)10。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。

如圖1所示，本實(shí)施例中的一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，它包括引線框架1，所述引線框架1包括基島6和引腳7，所述基島6上通過(guò)粘結(jié)物質(zhì)8正裝有芯片2，所述芯片2的焊線區(qū)位置設(shè)置有錫球3，所述錫球3與引腳7之間通過(guò)焊線4電性連接，所述焊線4兩端的第一焊點(diǎn)9和第二焊點(diǎn)10分別與錫球3和引腳7相結(jié)合，所述錫球3包裹焊線4的第一焊點(diǎn)9，所述基島6、引腳7、芯片2、錫球3和焊線4外圍包封有塑封料5。

其工藝方法如下：

步驟一、參見(jiàn)圖2，取一引線框架；

步驟二，參見(jiàn)圖3、4，在步驟一引線框架的基島正面涂覆導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)，然后在粘結(jié)物質(zhì)上植入芯片，芯片的焊線壓區(qū)位置植有錫球；

步驟三，參見(jiàn)圖5，在芯片焊線壓區(qū)位置的錫球與引腳正面之間進(jìn)行打線作業(yè)，焊線的第一焊點(diǎn)與錫球結(jié)合，焊線的第二焊點(diǎn)與引腳正面結(jié)合，所述焊線的材料采用金、銀、銅、鋁或是合金的材料；

步驟四，參見(jiàn)圖6，將步驟三完成打線作業(yè)的引線框架進(jìn)行回流焊，使錫球融化包裹焊線的第一焊點(diǎn)。參見(jiàn)圖7，為圖6圓圈部位的放大圖，回流焊以后，焊線的第一焊點(diǎn)已被錫球包裹在里面，焊線與錫球的結(jié)合點(diǎn)由錫球表面轉(zhuǎn)移至錫球內(nèi)部。

步驟五，參見(jiàn)圖8，將步驟四中的引線框架采用塑封料進(jìn)行塑封，塑封方式可以采用模具灌膠方式、噴涂方式或是用貼膜方式，所述可以采用有填料物質(zhì)或是無(wú)填料物質(zhì)的環(huán)氧樹(shù)脂；

步驟六、參見(jiàn)圖9，將步驟五完成塑封的半成品進(jìn)行切割或是沖切作業(yè)，使原本陣列式塑封體切割或是沖切獨(dú)立開(kāi)來(lái)，制得單顆的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。

除上述實(shí)施例外，本發(fā)明還包括有其他實(shí)施方式，凡采用等同變換或者等效替換方式形成的技術(shù)方案，均應(yīng)落入本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。