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低重稀土高矯頑力釹鐵硼磁體的制備方法與流程

文檔序號(hào):12477059閱讀:360來源:國(guó)知局

本發(fā)明涉及一種稀土永磁材料制備技術(shù),具體說,涉及一種低重稀土高矯頑力釹鐵硼磁體的制備方法。



背景技術(shù):

釹鐵硼永磁材料是我國(guó)稀土行業(yè)最為關(guān)注的稀土應(yīng)用產(chǎn)業(yè),隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展和技術(shù)的進(jìn)步對(duì)高性能釹鐵硼永磁材料的需求日益廣泛。眾所周知,為了提高釹鐵硼的矯頑力和高溫使用性,通常采用的方法是加入少量重稀土元素(如Dy、Tb等)或優(yōu)化工藝細(xì)化磁體晶粒。

目前使用的降低重稀土使用量的方法主要包括雙合金工藝和晶間擴(kuò)散重稀土元素工藝。雙合金工藝是分別熔煉主合金和包含重稀土元素的輔合金,破碎制粉,將主合金磁粉和輔合金粉按配比混合,取向壓制,燒結(jié),該工藝中重稀土元素使用量仍較高。晶間擴(kuò)散重稀土元素工藝是通過涂抹、噴灑、浸漬和鍍膜等方式在釹鐵硼表面形成重稀土元素覆蓋層,經(jīng)高溫晶間擴(kuò)散將重稀土元素?cái)U(kuò)散至磁體內(nèi)部以達(dá)到提高磁體矯頑力,減少使用重稀土的目的;但是該工藝僅限于制作較薄的磁件(厚度一般不超過5mm),在制備大塊磁體時(shí)矯頑力提升不明顯。

目前通常采用的細(xì)化磁體晶粒的方法主要是在磁體成分中加入微量的W、Mo、V、Ti、Ta、Zr、Nb、Co、Cr、Ga等元素抑制磁體晶粒的長(zhǎng)大,但此類元素在磁體中會(huì)發(fā)生偏析等不均勻分布,對(duì)晶粒長(zhǎng)大的抑制效果有限,加入量過高則會(huì)對(duì)磁體性能產(chǎn)生嚴(yán)重的影響。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明解決的技術(shù)問題是提供一種低重稀土高矯頑力釹鐵硼磁體的制備方法,可使釹鐵硼磁體矯頑力顯著提高,磁體晶粒細(xì)小,并大幅降低重稀土元素使用量。

技術(shù)方案如下:

一種低重稀土高矯頑力釹鐵硼磁體的制備方法,制取釹鐵硼磁粉,采用物理氣相沉積方法將重稀土粒子或者高熔質(zhì)粒子沉積在釹鐵硼磁粉上;取向成型、燒結(jié)制備釹鐵硼磁體。

進(jìn)一步:還包括配料、熔煉、速凝鑄片、破碎制粉;在惰性氣氛中進(jìn)行物理氣相沉積,溫度為300~500℃,沉積速率為0.01~50μm/min。

進(jìn)一步:惰性氣氛采用氬氣、氬氣或氦氣或真空方式。

進(jìn)一步:物理氣相沉積包括磁控濺射沉積、離子鍍沉積或者蒸發(fā)源沉積。

進(jìn)一步,物理氣相沉積微量重稀土粒子時(shí),包括:

配料、熔煉、速凝鑄片、破碎制粉,制備1~20μm的釹鐵硼磁粉;

選擇所需重稀土靶材,將釹鐵硼合金磁粉和重稀土靶材分別置于物理氣相沉積裝置內(nèi);

對(duì)釹鐵硼磁粉物理氣相沉積重稀土元素粒子;抽真空至真空度高于2.0×10-2Pa,充入惰性氣體至0.2~1.0Pa;調(diào)節(jié)參數(shù),使釹鐵硼磁粉均勻分散,同時(shí)對(duì)磁粉加熱,加熱溫度300~500℃;將靶材粒子沉積在分散的釹鐵硼磁粉上,粒子沉積速率為0.01~50μm/min;

停止物理氣相沉積,待釹鐵硼磁粉溫度降至室溫后,取出磁粉;將所得的磁粉取向壓制成型、真空燒結(jié)、回火處理,獲得最終釹鐵硼磁體。

進(jìn)一步:重稀土靶材為Dy或者Tb中至少一種元素的純金屬、合金或氧化物。

進(jìn)一步,采用物理氣相沉積方法將高熔質(zhì)粒子沉積在釹鐵硼磁粉上時(shí),包括:

配料、熔煉、速凝鑄片、破碎制粉,制備1~20μm的釹鐵硼磁粉;

選擇所需高熔質(zhì)靶材,將釹鐵硼合金磁粉和高熔質(zhì)靶材分別置于物理氣相沉積裝置內(nèi);

在惰性氣氛中用高熔質(zhì)元素粒子對(duì)釹鐵硼磁粉沉積;沉積過程中,抽真空至真空度高于2.0×10-2Pa,充入惰性氣體至0.2~1.0Pa;使釹鐵硼磁粉均勻分散,同時(shí)對(duì)磁粉加熱,加熱溫度300~500℃;將靶材粒子沉積在分散的釹鐵硼磁粉上,粒子沉積速率為0.01~50μm/min;

停止物理氣相沉積,待釹鐵硼磁粉溫度降至室溫后,取出磁粉;將所得的磁粉取向壓制成型、真空燒結(jié)、回火處理,獲得最終釹鐵硼磁體。

進(jìn)一步:高熔質(zhì)靶材為W、Mo、V、Ti、Ta、Zr、Nb、Co、Cr或者Ga中至少一種元素的純金屬、合金或氧化物。

與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明技術(shù)效果包括:

1、采用本發(fā)明物理氣相沉積法包覆釹鐵硼磁粉,制備釹鐵硼磁體,可使釹鐵硼磁體矯頑力顯著提高,磁體晶粒細(xì)小,并大幅降低重稀土元素使用量,降低釹鐵硼磁體制造成本。

2、經(jīng)濟(jì)效益顯著。釹鐵硼磁體生產(chǎn)企業(yè)都在力爭(zhēng)用降低Dy/Tb等重稀土元素的使用量,在降低Dy/Tb用量的同時(shí)提高性能,使釹鐵硼磁體的生產(chǎn)成本降下來。目前,在高性能釹鐵硼磁體中,平均重量高于2%,特別是矯頑力大于30Koe的產(chǎn)品,Dy/Tb高達(dá)4%以上,按目前Dy/Tb價(jià)計(jì)算價(jià)格高達(dá)80元/Kg,影響成本達(dá)40-80元/Kg,每公斤釹鐵硼Dy/Tb等重稀土元素的使用量一般在20g以上,成本影響大約在每公斤40元,按3萬噸釹鐵硼毛坯計(jì)算,成本影響達(dá)12-24億元。

具體實(shí)施方式

參考示例實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。然而,示例實(shí)施方式能夠以多種形式實(shí)施,且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的實(shí)施方式;相反,提供這些實(shí)施方式使得本發(fā)明更全面和完整,并將示例實(shí)施方式的構(gòu)思全面地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。

低重稀土高矯頑力釹鐵硼磁體的制備方法,具體步驟如下:

步驟1:制取釹鐵硼磁粉,采用物理氣相沉積方法將微量重稀土粒子或者高熔質(zhì)粒子沉積在釹鐵硼磁粉上;

配料,熔煉,速凝鑄片,破碎制粉,物理氣相沉積重稀土粒子包覆釹鐵硼磁粉,取向成型;在惰性氣氛中進(jìn)行物理氣相沉積,溫度為300~500℃,沉積速率為0.01~50μm/min。

步驟2:燒結(jié)制備釹鐵硼磁體。

可使重稀土粒子、高熔質(zhì)粒子在磁體中均勻分散在晶界處,提高磁體矯頑力,細(xì)化磁體晶粒,減少重稀土使用量,剩磁和磁能積優(yōu)異。

方案1:

步驟11:配料、熔煉、速凝鑄片、破碎制粉,制備1~20μm的釹鐵硼磁粉;

步驟12:選擇所需重稀土靶材,將釹鐵硼合金磁粉和重稀土靶材分別置于物理氣相沉積裝置內(nèi);

重稀土靶材為Dy、Tb或Dy-Tb的至少一種純金屬、合金或氧化物。

步驟23:在惰性氣氛(氬氣、氬氣或氦氣或真空)中對(duì)釹鐵硼磁粉物理氣相沉積重稀土元素(Dy或者Tb)粒子;

抽真空至真空度高于2.0×10-2Pa,充入惰性氣體(氬氣、氬氣或氦氣)至0.2~1.0Pa;調(diào)節(jié)參數(shù),使釹鐵硼磁粉均勻分散,同時(shí)對(duì)磁粉加熱,加熱溫度300~500℃;將靶材粒子沉積在分散的釹鐵硼磁粉上,粒子沉積速率為0.01~50μm/min。

物理氣相沉積包括磁控濺射沉積、離子鍍沉積和蒸發(fā)源沉積。

步驟14:停止物理氣相沉積,待釹鐵硼磁粉溫度降至室溫后,取出磁粉。

步驟15:將所得的磁粉取向壓制成型、真空燒結(jié)、回火處理,獲得最終釹鐵硼磁體。

方案2:

步驟21:配料、熔煉、速凝鑄片、破碎制粉,制備1~20μm的釹鐵硼磁粉;

步驟22:選擇所需高熔質(zhì)靶材,將釹鐵硼合金磁粉和高熔質(zhì)靶材分別置于物理氣相沉積裝置內(nèi);

高熔質(zhì)靶材為W、Mo、V、Ti、Ta、Zr、Nb、Co、Cr、Ga等元素的至少一種純金屬、合金或氧化物。

步驟23:在惰性氣氛中用高熔質(zhì)元素(W、Mo、V、Ti、Ta、Zr、Nb、Co、Cr或者Ga)粒子對(duì)釹鐵硼磁粉沉積;

抽真空至真空度高于2.0×10-2Pa,充入惰性氣體(氬氣、氬氣或氦氣或真空)至0.2~1.0Pa;使釹鐵硼磁粉均勻分散,同時(shí)對(duì)磁粉加熱,加熱溫度300~500℃;將靶材粒子沉積在分散的釹鐵硼磁粉上,粒子沉積速率為0.01~50μm/min。

物理氣相沉積包括磁控濺射沉積,離子鍍沉積和蒸發(fā)源沉積。

步驟24:停止物理氣相沉積,待釹鐵硼磁粉溫度降至室溫后,取出磁粉;

步驟25:將所得的磁粉取向壓制成型、真空燒結(jié)、回火處理,獲得最終釹鐵硼磁體。

實(shí)施例1:

一種低重稀土高矯頑力釹鐵硼磁體的制備方法,具體包括如下步驟:

(1)配料、熔煉、速凝鑄片、盤磨破碎、球磨制粉,獲得平均粒度為3.5μm的釹鐵硼合金磁粉;

(2)將步驟(1)所得磁粉進(jìn)行物理氣相沉積;

選擇Dy金屬靶材,抽真空至2.0×10-2Pa,充入氬氣至0.2Pa,將磁粉加熱到380℃,采用磁控濺射,調(diào)整濺射功率,使Dy粒子沉積速率為0.01μm/min,待釹鐵硼磁粉溫度降至室溫后,取出磁粉;

(3)將步驟(2)所得的磁粉取向成型、燒結(jié)、熱處理,獲得最終磁體。

采用磁性能測(cè)量?jī)x測(cè)試本實(shí)施例制備的磁體磁能積和矯頑力,與傳統(tǒng)方法制備的磁體進(jìn)行對(duì)比,結(jié)果如表1所示。

表1

實(shí)施例2:

一種低重稀土高矯頑力釹鐵硼磁體的制備方法,具體包括如下步驟:

(1)配料、熔煉、速凝鑄片、氫破碎、氣流磨制粉,獲得平均粒度為4.1μm的釹鐵硼合金磁粉;

(2)將步驟(1)所得磁粉進(jìn)行物理氣相沉積;

選擇Tb金屬靶材,抽真空至5.0×10-3Pa,充入氦氣至0.5Pa,將磁粉加熱到420℃,采用離子鍍(靶材上分離出的原子多數(shù)呈現(xiàn)離子狀態(tài),能量更高,釹鐵硼磁粉表面結(jié)合更好),調(diào)整氬氣發(fā)射源電流,使Tb粒子沉積速率為50μm/min,待釹鐵硼磁粉溫度降至室溫后,取出磁粉;

(3)將步驟(2)所得的磁粉取向成型、燒結(jié)、熱處理,獲得最終釹鐵硼磁體。

采用磁性能測(cè)量?jī)x測(cè)試本實(shí)施例制備的磁體磁能積和矯頑力,與傳統(tǒng)方法制備的磁體進(jìn)行對(duì)比,結(jié)果如表2所示。

表2

實(shí)施例3:

一種低重稀土高矯頑力釹鐵硼磁體的制備方法,具體包括如下步驟:

(1)配料、熔煉、速凝鑄片、氫破碎、氣流磨制粉,獲得平均粒度為3.7μm的釹鐵硼合金磁粉;

(2)將步驟(1)所得磁粉進(jìn)行物理氣相沉積;

選擇CoZr金屬靶材,抽真空至9.0×10-4Pa,將磁粉加熱到300℃,采用蒸發(fā)沉積,調(diào)整蒸發(fā)舟加熱源功率,使CoZr原子氣化蒸發(fā),沉積速率為3μm/min,待釹鐵磁粉溫度降至室溫后,取出磁粉;

(3)將步驟(2)所得的磁粉取向成型、燒結(jié)、熱處理,獲得最終釹鐵硼磁體。

采用磁性能測(cè)量?jī)x測(cè)試本實(shí)施例制備的磁體磁能積和矯頑力,與傳統(tǒng)方法制備的磁體進(jìn)行對(duì)比,結(jié)果如表3所示。

表3

實(shí)施例4:

一種低重稀土高矯頑力釹鐵硼磁體的制備方法,具體包括如下步驟:

(1)配料、熔煉、速凝鑄片、氫破碎、氣流磨制粉,獲得平均粒度為4.3μm的釹鐵硼合金磁粉;

(2)將步驟(1)所得磁粉進(jìn)行物理氣相沉積;

選擇Dy2O3靶材和Mo靶材,抽真空至3.0×10-2Pa,充入氬氣至0.3Pa,將磁粉加熱到500℃,采用磁控濺射,同時(shí)對(duì)兩種靶材進(jìn)行濺射,調(diào)整濺射功率,使粒子沉積速率為0.2μm/min,待釹鐵硼磁粉溫度降至室溫后,取出磁粉;

(3)將步驟(2)所得的磁粉取向成型、燒結(jié)、熱處理,獲得最終釹鐵硼磁體。

采用磁性能測(cè)量?jī)x測(cè)試本實(shí)施例制備的磁體磁能積和矯頑力,與傳統(tǒng)方法制備的磁體進(jìn)行對(duì)比,結(jié)果如表4所示。

表4

本發(fā)明所用的術(shù)語是說明和示例性、而非限制性的術(shù)語。由于本發(fā)明能夠以多種形式具體實(shí)施而不脫離發(fā)明的精神或?qū)嵸|(zhì),所以應(yīng)當(dāng)理解,上述實(shí)施例不限于任何前述的細(xì)節(jié),而應(yīng)在隨附權(quán)利要求所限定的精神和范圍內(nèi)廣泛地解釋,因此落入權(quán)利要求或其等效范圍內(nèi)的全部變化和改型都應(yīng)為隨附權(quán)利要求所涵蓋。

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