本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體的說是一種基板封裝工藝。

背景技術(shù)：

目前相關(guān)基板產(chǎn)品上的銅厚度大約為8μm左右，因此使用2μm厚度的銅箔，需要進(jìn)行鍍銅工藝，鍍銅容易受電流影響，使得銅表面粗糙直接影響后面鍍鎳鍍金工藝，直接影響鍵合手指表面粗糙度；而開發(fā)使用12μm厚度銅箔不需要進(jìn)行鍍銅，進(jìn)行減銅工藝即可，即可以減少工序，又可以提高品質(zhì)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于克服上述不足之處，從而提供一種基板封裝工藝。本發(fā)明是通過下述技術(shù)方案解決上述技術(shù)問題的：一種基板的封裝工藝，其特征在于，包括以下步驟：第一步：熱壓疊合，準(zhǔn)備浸有樹脂的玻璃纖維織布，將12μm的銅箔與玻璃纖維織布進(jìn)行熱壓疊合；

第二步：材料烘焙，將熱壓疊合好的基板進(jìn)行烘焙，使得預(yù)浸材料中的樹脂熔融，得到硬化成型的基板；

第三步：鉆孔，在烘焙好的基板上進(jìn)行鉆孔；

第四步：表面預(yù)處理，在基板的表面進(jìn)行表面預(yù)處理，使其表面光滑，增進(jìn)未來電路蝕刻的精確度；

第五步：電路預(yù)處理，在表面預(yù)處理好后的基板上布置線路；

第六步：蝕刻，對基板表面上的玻璃纖維的突出物以氯化亞銅溶液去除；

第七步：清洗，對基板表面上殘留的一些雜質(zhì)進(jìn)行清洗；

第八步：涂布保護(hù)層，在表面處理好后的基板上涂布一層環(huán)氧樹脂保護(hù)層；

第九步：測試包裝。

優(yōu)選的，所述銅箔與玻璃纖維織布之間采用高分子樹脂黏結(jié)。

優(yōu)選的，所述環(huán)氧樹脂的厚度為60μm。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明通過改變銅箔的厚度，銅箔的厚度由原來的2μm變?yōu)楝F(xiàn)在的12μm，減少二次鍍銅所帶來的工序，可以減少17%的基板制作工序，極大地縮短封裝周期，從而可以生產(chǎn)降低成本；同時(shí)，可以防止鍍銅時(shí)發(fā)生低電流現(xiàn)象而直接導(dǎo)致鍵合手指表面金層不均勻的問題。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一種基板的封裝工藝的原理圖；

圖2為本發(fā)明一種基板的封裝工藝的原理示意圖。

具體實(shí)施方式

以下是本發(fā)明的具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對本發(fā)明的技術(shù)方案作進(jìn)一步的描述，但本發(fā)明并不限于這些實(shí)例。

如圖1和圖2所示，一種基板的封裝工藝，其特征在于，包括以下步驟：第一步：熱壓疊合，準(zhǔn)備浸有樹脂的玻璃纖維織布，將12μm的銅箔與玻璃纖維織布進(jìn)行熱壓疊合；

第二步：材料烘焙，將熱壓疊合好的基板進(jìn)行烘焙，使得預(yù)浸材料中的樹脂熔融，得到硬化成型的基板；

第三步：鉆孔，在烘焙好的基板上進(jìn)行鉆孔；

第四步：表面預(yù)處理，在基板的表面進(jìn)行表面預(yù)處理，使其表面光滑，增進(jìn)未來電路蝕刻的精確度；

第五步：電路預(yù)處理，在表面預(yù)處理好后的基板上布置線路；

第六步：蝕刻，對基板表面上的玻璃纖維的突出物以氯化亞銅溶液去除；

第七步：清洗，對基板表面上殘留的一些雜質(zhì)進(jìn)行清洗；

第八步：涂布保護(hù)層，在表面處理好后的基板上涂布一層環(huán)氧樹脂保護(hù)層；

第九步：測試包裝。

在本實(shí)施例中，優(yōu)選的，所述銅箔與玻璃纖維織布之間采用高分子樹脂黏結(jié)。

在本實(shí)施例中，優(yōu)選的，所述環(huán)氧樹脂的厚度為60μm。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例方式，不能以此來限定本發(fā)明保護(hù)的范圍，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明的基礎(chǔ)上所做的任何非實(shí)質(zhì)性的變化及替換均屬于本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍。