本發(fā)明涉及發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種量子點(diǎn)交聯(lián)發(fā)光層與QLED器件及制備方法、發(fā)光模組與顯示裝置。

背景技術(shù)：

量子點(diǎn)（Quantum dot, QD）也被稱為半導(dǎo)體納米晶（Semiconductor nanocrystal），是一種顆粒半徑小于或接近于激子波爾半徑的半導(dǎo)體納米粒子，其具有各種獨(dú)特的光學(xué)特性，如禁帶寬度易調(diào)諧、吸光光譜范圍寬、光譜純度高、光/化學(xué)性能穩(wěn)定等?；诹孔狱c(diǎn)的發(fā)光二極管被稱為量子點(diǎn)發(fā)光二極管（Quantum dot light-emitting diode, QLED），是一種新興的顯示器件，其結(jié)構(gòu)與有機(jī)發(fā)光二極管（Organic light-emitting diode, OLED）相似，但與傳統(tǒng)發(fā)光二極管以及OLED相比，QLED具有色純度高、穩(wěn)定性好、壽命長、色溫佳、制備工藝簡單等突出優(yōu)點(diǎn)，有望替代傳統(tǒng)的無機(jī)和有機(jī)LED成為經(jīng)濟(jì)的、穩(wěn)定的和高效能的下一代顯示面板。

目前大多數(shù)研究的QLED器件均采用溶液法加工制備，如旋涂法、印刷法等，溶液法與蒸發(fā)鍍膜法相比，不僅方法簡單、工藝快速，而且成本低廉，利于QLED器件的大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化制備。雖然如此，溶液法較難得到非常均勻致密的膜層，所制備的薄膜往往會(huì)出現(xiàn)厚度不均勻、覆蓋不全、膜層結(jié)晶性不好、界面缺陷大、膜層之間相互溶解滲透等不利現(xiàn)象，而與之相比，蒸發(fā)鍍膜法通過精確控制沉積速度和氣氛容易得到膜厚均一、結(jié)晶性優(yōu)良的高質(zhì)量薄膜。溶液法的成膜不均勻，最終會(huì)導(dǎo)致所制備的QLED器件重復(fù)性不好、器件之間性能差異大，且發(fā)光面積不均勻和性能不穩(wěn)定。特別地，量子點(diǎn)發(fā)光層作為QLED器件的核心組成層，其成膜均勻性對(duì)后續(xù)加工的其他膜層以及器件的性能起到至關(guān)重要的作用。

對(duì)于量子點(diǎn)發(fā)光層的沉積方法，目前大多數(shù)成膜工藝是將表面配體功能化的量子點(diǎn)溶于有機(jī)溶劑中，配置成量子點(diǎn)溶液或量子點(diǎn)墨水，接著通過旋涂或印刷方式沉積于襯底或功能層上，然后采用同樣的成膜方法在量子點(diǎn)發(fā)光層上依次沉積其他功能層，最后蒸鍍電極，得到QLED器件。但是，因?yàn)榱孔狱c(diǎn)主要依靠配體分散在溶液或墨水中，其仍保持顆粒狀態(tài)，顆粒尺寸與普通離子或有機(jī)小分子相比較大，成膜時(shí)量子點(diǎn)顆粒較難均勻鋪展在襯底上，且隨著溶劑的進(jìn)一步揮發(fā)，量子點(diǎn)顆粒之間的間距會(huì)逐漸拉大或收縮，會(huì)加劇量子點(diǎn)發(fā)光層的不均勻性。此外，由于量子點(diǎn)表面含有豐富的有機(jī)配體，沉積后的量子點(diǎn)仍有很大機(jī)會(huì)在后續(xù)其他功能層的溶液法成膜過程中重新溶解帶走或直接沖走，導(dǎo)致量子點(diǎn)膜層不均勻，以及器件發(fā)光不均勻和性能較低。即使采用難溶解量子點(diǎn)的溶劑，也難以避免該過程的發(fā)生，而且也因?yàn)檫@樣，后續(xù)功能層材料的選擇也會(huì)受到其可選溶劑的限制。

因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種量子點(diǎn)交聯(lián)發(fā)光層與QLED器件及制備方法、發(fā)光模組與顯示裝置，旨在解決現(xiàn)有量子點(diǎn)膜層覆蓋不均勻、厚度不均勻，以及器件發(fā)光不均勻和性能較低的問題。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

一種量子點(diǎn)交聯(lián)發(fā)光層的制備方法，其中，包括步驟：

首先將表面包覆有配體的量子點(diǎn)溶解在溶劑中，得到量子點(diǎn)溶液；

然后將量子點(diǎn)溶液采用溶液法沉積在襯底或功能層上，得到量子點(diǎn)發(fā)光層；

接著將所得的量子點(diǎn)發(fā)光層置于真空腔體中，通入有機(jī)金屬配合物，處理0.5~30 min，其中腔體內(nèi)部的壓力為0.01~1 mbar，有機(jī)金屬配合物經(jīng)氣化后的分壓為0.001~0.1 mbar，腔體內(nèi)部的溫度為10~25 °C；

將上述處理完成后的量子點(diǎn)發(fā)光層取出，得到量子點(diǎn)交聯(lián)發(fā)光層。

所述的量子點(diǎn)交聯(lián)發(fā)光層的制備方法，其中，所述配體為有機(jī)配體或無機(jī)配體，所述有機(jī)配體為長鏈有機(jī)配體和/或短鏈有機(jī)配體；所述有機(jī)配體為巰基乙酸、巰基丙酸、巰基丁酸、巰基油酸、巰基甘油、谷胱甘肽、巰基乙胺、巰基油胺、三辛基膦、三辛基氧化膦、油酸、氨基酸、烷基酸、烷基胺、磺酸、硫醇中的一種或多種；所述無機(jī)配體為Cl^-、Br^-、S^2-、HS^-、SnS₄^4-、Sn₂S₆^4-、ZnCl₄^2?、Zn(OH)₄^2?中的一種或多種。

所述的量子點(diǎn)交聯(lián)發(fā)光層的制備方法，其中，所述量子點(diǎn)為II-V族化合物半導(dǎo)體、III-V族化合物半導(dǎo)體、IV-VI 族化合物半導(dǎo)體及其核殼結(jié)構(gòu)中的一種或多種。

所述的量子點(diǎn)交聯(lián)發(fā)光層的制備方法，其中，所述溶劑為正辛烷、異辛烷、甲苯、苯、氯苯、二甲苯、氯仿、丙酮、環(huán)己烷、正己烷、正戊烷、異戊烷、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亞砜、六甲基磷酰胺、正丁醚、苯甲醚、苯乙醚、苯乙酮、苯胺、二苯醚中的一種或多種。

所述的量子點(diǎn)交聯(lián)發(fā)光層的制備方法，其中，所述有機(jī)金屬配合物為烷基鋁、烷基鋰、烷基銦、烷基鎵、烷基鎘、烷基碲、烷基鎂、烷基鋅、胺基鋰、芳基鋰中的一種或多種。

一種量子點(diǎn)交聯(lián)發(fā)光層，其中，所述量子點(diǎn)交聯(lián)發(fā)光層采用如上任一所述的量子點(diǎn)交聯(lián)發(fā)光層的制備方法制備而成。

一種QLED器件的制備方法，其中，包括：

步驟A、在含有陽極的襯底上依次制備空穴注入層和空穴傳輸層；

步驟B、在空穴傳輸層上制備如上所述的量子點(diǎn)交聯(lián)發(fā)光層；

步驟C、在量子點(diǎn)交聯(lián)發(fā)光層上依次制備電子傳輸層以及陰極，得到QLED器件。

一種QLED器件，其中，自下而上依次包括：含有陽極的襯底、空穴注入層、空穴傳輸層、如上所述的量子點(diǎn)交聯(lián)發(fā)光層、電子傳輸層及陰極。

一種發(fā)光模組，其中，包括如上所述的QLED器件。

一種顯示裝置，其中，包括如上所述的發(fā)光模組。

有益效果：本發(fā)明把溶液法制備的量子點(diǎn)發(fā)光層置于易揮發(fā)有機(jī)金屬配合物氣氛中，活潑且極易水解的有機(jī)金屬配合物經(jīng)氣化后與量子點(diǎn)表面豐富的配體發(fā)生反應(yīng)，使分別獨(dú)立的量子點(diǎn)交聯(lián)在一起，形成氣相膠結(jié)后的量子點(diǎn)交聯(lián)發(fā)光層。本發(fā)明量子點(diǎn)薄膜不僅均勻平整，而且膜層穩(wěn)定，難以被后續(xù)其他功能層沉積時(shí)的溶劑重新溶解帶走或沖走，有效地提高QLED器件的發(fā)光均勻性和穩(wěn)定性，另外，有機(jī)金屬配合物的引入能夠有效地鈍化量子點(diǎn)表面缺陷，提高QLED器件的發(fā)光效率和發(fā)光壽命。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一種QLED器件的制備方法較佳實(shí)施例的流程圖。

圖2為本發(fā)明實(shí)施例1中QLED器件的交聯(lián)過程示意圖。

圖3為本發(fā)明實(shí)施例1中QLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明提供一種量子點(diǎn)交聯(lián)發(fā)光層與QLED器件及制備方法、發(fā)光模組與顯示裝置，為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及效果更加清楚、明確，以下對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

本發(fā)明的一種量子點(diǎn)交聯(lián)發(fā)光層的制備方法較佳實(shí)施例，其中，包括步驟：

首先將表面包覆有配體的量子點(diǎn)溶解在溶劑中，得到量子點(diǎn)溶液；

然后將量子點(diǎn)溶液采用溶液法沉積在襯底或功能層上，得到量子點(diǎn)發(fā)光層；

接著將所得的量子點(diǎn)發(fā)光層置于真空腔體中，通入有機(jī)金屬配合物，處理0.5~30 min，其中腔體內(nèi)部的壓力為0.01~1 mbar，有機(jī)金屬配合物經(jīng)氣化后的分壓為0.001~0.1 mbar，腔體內(nèi)部的溫度為10~25 °C；

將上述處理完成后的量子點(diǎn)發(fā)光層取出，得到量子點(diǎn)交聯(lián)發(fā)光層。

本發(fā)明把溶液法制備的量子點(diǎn)發(fā)光層置于易揮發(fā)有機(jī)金屬配合物氣氛中，活潑且極易水解的有機(jī)金屬配合物經(jīng)氣化后與量子點(diǎn)表面豐富的配體發(fā)生反應(yīng)，使分別獨(dú)立的量子點(diǎn)交聯(lián)在一起，形成氣相膠結(jié)后的量子點(diǎn)交聯(lián)發(fā)光層。在本發(fā)明中，有機(jī)金屬配合物的作用一方面是使帶配體的量子點(diǎn)交聯(lián)一起，提高成膜質(zhì)量，使所成量子點(diǎn)薄膜不僅均勻平整，而且膜層穩(wěn)定，難以被后續(xù)其他功能層沉積時(shí)的溶劑重新溶解帶走或沖走，有效地提高QLED器件的發(fā)光均勻性和穩(wěn)定性，另一方面，有機(jī)金屬配合物的引入能夠有效地鈍化量子點(diǎn)表面缺陷，提高QLED器件的發(fā)光效率和發(fā)光壽命。

具體地，將表面包覆有配體的量子點(diǎn)干燥稱重后溶解于甲苯或氯仿等溶劑中，配制成量子點(diǎn)溶液，其中量子點(diǎn)溶液的濃度為1~50 mg/mL。優(yōu)選地，所述配體為有機(jī)配體或無機(jī)配體，所述有機(jī)配體為長鏈有機(jī)配體和/或短鏈有機(jī)配體；所述有機(jī)配體可以為但不限于巰基乙酸、巰基丙酸、巰基丁酸、巰基油酸、巰基甘油、谷胱甘肽、巰基乙胺、巰基油胺、三辛基膦、三辛基氧化膦、油酸、氨基酸、烷基酸、烷基胺、磺酸、硫醇等中的一種或多種；所述無機(jī)配體可以為但不限于Cl^-、Br^-、S^2-、HS^-、SnS₄^4-、Sn₂S₆^4-、ZnCl₄^2?、Zn(OH)₄^2?中的一種或多種。其中，所述有機(jī)配體含有-OH、-COOH、-NH₂、-NH-、-SH、-CN、-SO₃H、-SOOH、-NO₂、-CONH₂、-CONH-、-COCl、-CO-、-CHO、-Cl、-Br等中的一個(gè)或多個(gè)配位基團(tuán)。更優(yōu)選地，所述配體為短鏈有機(jī)配體或無機(jī)配體。

具體地，本發(fā)明所述量子點(diǎn)可以為摻雜或非摻雜的II-V族化合物半導(dǎo)體、III-V族化合物半導(dǎo)體、IV-VI 族化合物半導(dǎo)體及其核殼結(jié)構(gòu)中的一種或多種。

具體地，本發(fā)明所述溶劑可以為但不限于正辛烷、異辛烷、甲苯、苯、氯苯、二甲苯、氯仿、丙酮、環(huán)己烷、正己烷、正戊烷、異戊烷、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亞砜、六甲基磷酰胺、正丁醚、苯甲醚、苯乙醚、苯乙酮、苯胺、二苯醚等中的一種或多種。

具體地，本發(fā)明上述溶液法可以為但不限于旋涂法、浸漬提拉法、打印法、印刷法、噴墨法、噴涂法、滾涂法、刮涂法、澆鑄法、電解沉積法、狹縫式涂布法、條狀涂布法中的一種或多種。

具體地，本發(fā)明所述襯底可以為剛性襯底或柔性襯底，其中所述剛性襯底可以為但不限于玻璃、金屬箔片中的一種或多種；所述柔性襯底可以為但不限于聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯（PET）、對(duì)苯二甲酸乙二醇酯（PEN）、聚醚醚酮（PEEK）、聚苯乙烯（PS）、聚醚砜（PES）、聚碳酸酯（PC）、聚芳基酸酯（PAT）、聚芳酯（PAR）、聚酰亞胺（PI）、聚氯乙烯（PVC）、聚乙烯（PE）、聚乙烯吡咯烷酮（PVP）、紡織纖維中的一種或多種。

具體地，本發(fā)明所述功能層可以為導(dǎo)電玻璃層、金屬電極層、空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、電子阻擋層、電極修飾層、隔離保護(hù)層中的一種或多種；其中，所述導(dǎo)電玻璃層可以為但不限于銦摻雜氧化錫（ITO）、氟摻雜氧化錫（FTO）、銻摻雜氧化錫（ATO）、鋁摻雜氧化鋅（AZO）中的一種或多種。

具體地，本發(fā)明所述有機(jī)金屬配合物為活潑且易揮發(fā)的有機(jī)金屬配合物，可以為但不限于烷基鋁、烷基鋰、烷基銦、烷基鎵、烷基鎘、烷基碲、烷基鎂、烷基鋅、胺基鋰、芳基鋰中的一種或多種；更具體地，所述有機(jī)金屬配合物可以為但不限于三甲基鋁、三乙基鋁、三異丁基鋁、二乙基鋅、甲基鋰、乙基鋰、丁基鋰、三氯甲鋰、乙烯基鋰、環(huán)丙基鋰、苯基鋰、二甲基鋅、二乙基鋅、二甲基鎘、二乙基鎘、二乙基碲、二異丙基碲、三甲基鎵、三乙基鎵、三甲基銦、二甲基乙基銦、三乙基銻、二戊鎂、二甲基二戊鎂、二甲基乙基胺配鋁烷中的一種或多種。本發(fā)明上述有機(jī)金屬配合物均能與如上所述配體發(fā)生反應(yīng)。

本發(fā)明的一種量子點(diǎn)交聯(lián)發(fā)光層，其中，所述量子點(diǎn)交聯(lián)發(fā)光層采用如上任一所述的量子點(diǎn)交聯(lián)發(fā)光層的制備方法制備而成。本發(fā)明制備所得的量子點(diǎn)交聯(lián)發(fā)光層覆蓋均勻、厚度均勻，成膜質(zhì)量高；其用于QLED器件中，能夠有效提高QLED器件的發(fā)光均勻性、發(fā)光效率以及穩(wěn)定性。

圖1為本發(fā)明的一種QLED器件的制備方法較佳實(shí)施例的流程圖，如圖所示，其包括：

步驟S100、在含有陽極的襯底上依次制備空穴注入層和空穴傳輸層；

步驟S200、在空穴傳輸層上制備如上所述的量子點(diǎn)交聯(lián)發(fā)光層；

步驟S300、在量子點(diǎn)交聯(lián)發(fā)光層上依次制備電子傳輸層以及陰極，得到QLED器件。

本發(fā)明的一種QLED器件較佳實(shí)施例，其自下而上依次包括：含有陽極的襯底、空穴注入層、空穴傳輸層、如上所述的量子點(diǎn)交聯(lián)發(fā)光層、電子傳輸層及陰極。本發(fā)明如上所述的量子點(diǎn)交聯(lián)發(fā)光層用于QLED器件中，制成的QLED器件不僅具有較高的發(fā)光均勻性及穩(wěn)定性，還具有高的發(fā)光效率和發(fā)光壽命。

具體地，本發(fā)明所述襯底可以為剛性襯底或柔性襯底，其中所述剛性襯底可以為但不限于玻璃、金屬箔片中的一種或多種；所述柔性襯底可以為但不限于聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯（PET）、對(duì)苯二甲酸乙二醇酯（PEN）、聚醚醚酮（PEEK）、聚苯乙烯（PS）、聚醚砜（PES）、聚碳酸酯（PC）、聚芳基酸酯（PAT）、聚芳酯（PAR）、聚酰亞胺（PI）、聚氯乙烯（PVC）、聚乙烯（PE）、聚乙烯吡咯烷酮（PVP）、紡織纖維中的一種或多種。

具體地，本發(fā)明所述陽極可選自銦摻雜氧化錫（ITO）、氟摻雜氧化錫（FTO）、銻摻雜氧化錫（ATO）、鋁摻雜氧化鋅（AZO）等中的一種或多種。

具體地，本發(fā)明所述空穴注入層可以為聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸（PEDOT:PSS）、酞菁銅（CuPc）、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰醌-二甲烷（F4-TCNQ）、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮雜苯并菲（HATCN）、摻雜或非摻雜過渡金屬氧化物、摻雜或非摻雜金屬硫系化合物中的一種或多種；其中，所述過渡金屬氧化物可以為但不限于MoO₃、VO₂、WO₃、CrO₃、CuO或它們的混合物中的一種或多種；所述金屬硫系化合物可以為但不限于MoS₂、MoSe₂、WS₂、WSe₂、CuS或它們的混合物中的一種或多種。

具體地，本發(fā)明所述空穴傳輸層的材料可選自具有空穴傳輸能力的有機(jī)材料，可以為但不限于聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)（TFB）、聚乙烯咔唑（PVK）、聚(N, N'雙(4-丁基苯基)-N,N'-雙(苯基)聯(lián)苯胺)（poly-TPD）、聚(9,9-二辛基芴-共-雙-N,N-苯基-1,4-苯二胺)（PFB）、4,4’,4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）、4,4'-二(9-咔唑)聯(lián)苯（CBP）、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-聯(lián)苯-4,4’-二胺（TPD）、N,N’-二苯基-N,N’-（1-萘基）-1,1’-聯(lián)苯-4,4’-二胺（NPB）、摻雜石墨烯、非摻雜石墨烯、C60或它們的混合物中的一種或多種。所述空穴傳輸層材料還可選自具有空穴傳輸能力的無機(jī)材料，可以為但不限于NiO、MoO₃、VO₂、WO₃、CrO₃、CuO、MoS₂、MoSe₂、WS₂、WSe₂、CuS或它們的混合物中的一種或多種。

具體地，本發(fā)明所述電子傳輸層的材料可以為但不限于n型ZnO、TiO₂、SnO₂、Ta₂O₃、AlZnO、Zn₂SnO₄、InSnO₂、Alq3、Ca、Ba、CsF、LiF、CsCO₃中的一種或多種；優(yōu)選地，所述電子傳輸層為n型ZnO、n型TiO₂。

具體地，本發(fā)明所述陰極可以為但不限于各種導(dǎo)電碳材料、導(dǎo)電金屬氧化物材料、金屬材料中的一種或多種；其中導(dǎo)電碳材料可以為但不限于摻雜或非摻雜碳納米管、摻雜或非摻雜石墨烯、摻雜或非摻雜氧化石墨烯、C₆₀、石墨、碳纖維、多空碳、或它們的混合物中的一種或多種；導(dǎo)電金屬氧化物材料可以為但不限于ITO、FTO、ATO、AZO、或它們的混合物中的一種或多種；金屬材料可以為但不限于Al、Ag、Cu、Mo、Au、或它們的合金中的一種或多種；其中所述金屬材料中，其形態(tài)可以為但不限于致密薄膜、納米線、納米球、納米棒、納米錐、納米空心球、或它們的混合物中的一種或多種；優(yōu)選地，所述陰極為Ag或Al。

具體地，本發(fā)明QLED器件可以部分封裝、全封裝或不封裝。

具體地，本發(fā)明上述各層的制備方法可以是化學(xué)法或物理法，其中化學(xué)法可以為但不限于溶膠-凝膠法、化學(xué)浴沉積法、化學(xué)氣相沉積法、水熱法、共沉淀法、電化學(xué)沉積法中的一種或多種；物理法可以為但不限于熱蒸發(fā)鍍膜法、電子束蒸發(fā)鍍膜法、磁控濺射法、多弧離子鍍膜法、電解法、靜電紡絲法中的一種或多種。

需說明的是，本發(fā)明不限于上述結(jié)構(gòu)的QLED器件，還可進(jìn)一步包括界面功能層或界面修飾層，包括但不限于電子阻擋層、空穴阻擋層、電極修飾層、隔離保護(hù)層中的一種或多種。

需說明的是，本發(fā)明不限于制備上述正型結(jié)構(gòu)的QLED器件，還可以制備反型結(jié)構(gòu)的QLED器件。且反型結(jié)構(gòu)的QLED器件還可進(jìn)一步包括界面功能層或界面修飾層，包括但不限于電子阻擋層、空穴阻擋層、電極修飾層、隔離保護(hù)層中的一種或多種。

本發(fā)明的一種發(fā)光模組，其中，包括如上所述的QLED器件。

本發(fā)明的一種顯示裝置，其中，包括如上所述的發(fā)光模組。

下面通過實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。

實(shí)施例1

QLED器件的制備步驟如下：

在ITO襯底上旋涂一層PEDOT:PSS薄膜作為空穴注入層；

在PEDOT:PSS層上旋涂一層PVK作為空穴傳輸層；

在PVK層上旋涂一層表面包覆巰基丙酸（MPA）配體的CdSe@ZnS作為量子點(diǎn)發(fā)光層；

接著，將上述制備的表面包覆巰基丙酸（MPA）配體的CdSe@ZnS層置于真空腔體中，通入三甲基鋁（(CH₃)₃Al）氣體，其中腔體內(nèi)部壓力為0.05 mbar，三甲基鋁氣體的分壓為0.01 mbar，腔體內(nèi)部溫度為16 °C，處理時(shí)間為5 min，處理結(jié)束后取出，得到量子點(diǎn)交聯(lián)發(fā)光層；

然后，在上述制備的量子點(diǎn)交聯(lián)發(fā)光層上旋涂一層ZnO作為電子傳輸層；

最后，在ZnO層上蒸鍍一層Al，得到QLED器件。其中，本實(shí)施例的交聯(lián)過程示意圖見圖2，其QLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖見圖3，圖3中1為ITO襯底、2為PEDOT:PSS層、3為PVK層、4為量子點(diǎn)交聯(lián)發(fā)光層、5為ZnO層、6為Al層。

實(shí)施例2

QLED器件的制備步驟如下：

在ITO襯底上旋涂一層PEDOT:PSS薄膜作為空穴注入層；

在PEDOT:PSS層上旋涂一層TFB層作為空穴傳輸層；

在TFB層上旋涂一層表面包覆巰基丙酸（MPA）配體的CdSe@ZnS作為量子點(diǎn)發(fā)光層；

接著，將上述制備的表面包覆巰基丙酸（MPA）配體的CdSe@ZnS層置于真空腔體中，通入三甲基鋁（(CH₃)₃Al）氣體，其中腔體內(nèi)部壓力為0.05 mbar，三甲基鋁氣體的分壓為0.02 mbar，腔體內(nèi)部溫度為18 °C，處理時(shí)間為10 min，處理結(jié)束后取出，得到量子點(diǎn)交聯(lián)發(fā)光層；

然后，在上述制備的量子點(diǎn)交聯(lián)發(fā)光層上旋涂一層ZnO作為電子傳輸層；

最后，在ZnO層上蒸鍍一層Al，得到QLED器件。

實(shí)施例3

QLED器件的制備步驟如下：

在ITO襯底上旋涂一層PEDOT:PSS薄膜作為空穴注入層；

在PEDOT:PSS層上旋涂一層TFB作為空穴傳輸層；

在TFB層上旋涂一層表面包覆油酸（OA）配體的CdSe@ZnS作為量子點(diǎn)發(fā)光層；

接著，將上述制備的表面包覆油酸（OA）配體的CdSe@ZnS層置于真空腔體中，通入三乙基鋁（(CH₃CH₂)₃Al）氣體，其中腔體內(nèi)部壓力為0.05 mbar，三乙基鋁氣體的分壓為0.01 mbar，腔體內(nèi)部溫度為18 °C，處理時(shí)間為20 min，處理結(jié)束后取出，得到量子點(diǎn)交聯(lián)發(fā)光層；

然后，在上述制備的量子點(diǎn)交聯(lián)發(fā)光層上旋涂一層ZnO作為電子傳輸層；

最后，在ZnO層上蒸鍍一層Al，得到QLED器件。

實(shí)施例4

QLED器件的制備步驟如下：

在ITO襯底上旋涂一層PEDOT:PSS薄膜作為空穴注入層；

在PEDOT:PSS層上旋涂一層PVK作為空穴傳輸層；

在PVK層上打印一層表面包覆巰基乙酸（TGA）配體的CdSe@CdS作為量子點(diǎn)發(fā)光層；

接著，將上述制備的表面包覆巰基乙酸（TGA）配體的CdSe@CdS層置于真空腔體中，通入三乙基鋁（(CH₃CH₂)₃Al）氣體，其中腔體內(nèi)部壓力為0.05 mbar，三乙基鋁氣體的分壓為0.01 mbar，腔體內(nèi)部溫度為18 °C，處理時(shí)間為20 min，處理結(jié)束后取出，得到量子點(diǎn)交聯(lián)發(fā)光層；

然后，在上述制備的量子點(diǎn)交聯(lián)發(fā)光層上旋涂一層ZnO作為電子傳輸層；

最后，在ZnO層上蒸鍍一層Al，得到QLED器件。

實(shí)施例5

QLED器件的制備步驟如下：

在ITO襯底上旋涂一層PEDOT:PSS薄膜作為空穴注入層；

在PEDOT:PSS層上旋涂一層PVK層作為空穴傳輸層；

在PVK層上打印一層表面包覆二氫硫辛酸（DHLA）配體的CdSe@CdS作為量子點(diǎn)發(fā)光層；

接著，將上述制備的表面包覆二氫硫辛酸（DHLA）配體的CdSe@CdS層置于真空腔體中，通入三乙基鋁（(CH₃CH₂)₃Al）氣體，其中腔體內(nèi)部壓力為0.1 mbar，三乙基鋁氣體的分壓為0.02 mbar，腔體內(nèi)部溫度為18 °C，處理時(shí)間為30 min，處理結(jié)束后取出，得到量子點(diǎn)交聯(lián)發(fā)光層；

然后，在上述制備的量子點(diǎn)交聯(lián)發(fā)光層上旋涂一層ZnO作為電子傳輸層；

最后，在ZnO層上蒸鍍一層Al，得到QLED器件。

綜上所述，本發(fā)明提供的一種量子點(diǎn)交聯(lián)發(fā)光層與QLED器件及制備方法、發(fā)光模組與顯示裝置。本發(fā)明把溶液法制備的量子點(diǎn)發(fā)光層置于易揮發(fā)有機(jī)金屬化合物氣氛中，活潑且極易水解的有機(jī)金屬化合物經(jīng)氣化后與量子點(diǎn)表面豐富的有機(jī)配體發(fā)生反應(yīng)，使分別獨(dú)立的量子點(diǎn)交聯(lián)在一起，形成氣相膠結(jié)后的量子點(diǎn)交聯(lián)發(fā)光層。在本發(fā)明中，有機(jī)金屬化合物的作用一方面是使帶配體的量子點(diǎn)交聯(lián)一起，提高成膜質(zhì)量，使所成量子點(diǎn)薄膜不僅均勻平整，而且膜層穩(wěn)定，難以被后續(xù)其他功能層沉積時(shí)的溶劑重新溶解帶走或沖走，有效地提高QLED器件的發(fā)光均勻性和穩(wěn)定性，另一方面，有機(jī)金屬化合物的引入能夠有效地鈍化量子點(diǎn)表面缺陷，提高量子點(diǎn)器件的發(fā)光效率和發(fā)光壽命。

應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明的應(yīng)用不限于上述的舉例，對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)上述說明加以改進(jìn)或變換，所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。