技術(shù)總結(jié)
在本申請說明書中公開的技術(shù)涉及一種離子注入裝置，該離子注入裝置能夠以容易的方法抑制半導(dǎo)體襯底的由放電導(dǎo)致的損壞。本技術(shù)涉及的離子注入裝置具有：離子照射部(8)，其向半導(dǎo)體襯底(1)的表面照射離子；以及至少一個電極部(針電極(5)、針電極(6)、環(huán)狀的電極(7)、環(huán)狀的電極(7a))，其在半導(dǎo)體襯底(1)的端部的背面及側(cè)面中的至少一者的附近處的能夠與半導(dǎo)體襯底(1)之間放電的位置，與半導(dǎo)體襯底(1)分離地配置。

技術(shù)研發(fā)人員：久我正一
受保護的技術(shù)使用者：三菱電機株式會社
文檔號碼：201611199372
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.22
技術(shù)公布日：2017.06.30