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具有抗靜電結(jié)構(gòu)的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號:12599000閱讀:235來源:國知局
具有抗靜電結(jié)構(gòu)的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法與工藝

本發(fā)明涉及一種封裝結(jié)構(gòu)的靜電防護設(shè)計,特別是關(guān)于一種將抗靜電結(jié)構(gòu)與封裝基板整合為一體的具有抗靜電結(jié)構(gòu)的封裝結(jié)構(gòu)。



背景技術(shù):

在集成電路中,由于靜電放電(Electrostatic discharge,ESD)會引起靜電擊穿,進而導(dǎo)致集成電路內(nèi)部電子元件發(fā)生故障,尤其是對電子元件小型化與密集化后的影響更是日趨明顯,所以對于靜電保護要求也日益嚴苛,也只有選擇正確的靜電保護元件,才能于集成電路中發(fā)揮出應(yīng)有的靜電防護功能。

為達到靜電防護作用,一般在集成電路的封裝結(jié)構(gòu)上會直接增設(shè)有抗靜電結(jié)構(gòu),例如,現(xiàn)有技術(shù)揭示一種晶片上靜電放電的指紋辨識器封裝構(gòu)造,如圖1所示,此封裝結(jié)構(gòu)包括一基板10,其上表面安裝有一指紋辨識晶片12,并有復(fù)數(shù)焊線14電性連接基板10及指紋辨識晶片12,一靜電放電條16系安裝于指紋辨識晶片12的主動面121上,一封膠體18位于基板10上且圍繞指紋辨識晶片12,以覆蓋住焊線14及部份覆蓋住指紋辨識晶片12的主動面121且連接至靜電放電條16。由于靜電放電條16部份顯露于封膠體18的開口邊緣,以達到晶片上靜電放電。

然而,將靜電放電條直接安裝于晶片的制程較為復(fù)雜,且過程中容易危害的晶片本身的功能,再者,因為封裝結(jié)構(gòu)一直向上堆迭,也難以達到封裝輕薄程度的功效,效果有限。有鑒于此,本發(fā)明遂提出一種具有抗靜電結(jié)構(gòu)的封裝結(jié)構(gòu),以解決存在于背景技術(shù)中的該些缺失。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

本發(fā)明的主要目的系在提供一種具有抗靜電結(jié)構(gòu)的封裝結(jié)構(gòu),其是將抗靜電線路整合至基板中而為一體成形者,且抗靜電線路經(jīng)由基板中的導(dǎo)電柱電性連接至連接墊,以利用此抗靜電線路達到抗靜電的功能,且因抗靜電線路直接與基板一體成形,更可達到輕薄化封裝結(jié)構(gòu)并可簡化封裝制程。

本發(fā)明的另一目的是在提供一種具有抗靜電結(jié)構(gòu)的封裝結(jié)構(gòu),其是將抗靜電線路整合至基板的同時,于該基板內(nèi)設(shè)置有一體成形的導(dǎo)電柱,且導(dǎo)電柱的形狀可依據(jù)不同元件的電性考量而有不同形狀的結(jié)構(gòu)設(shè)計。

為達到上述目的,本發(fā)明提出的具有抗靜電結(jié)構(gòu)的封裝結(jié)構(gòu)主要包括有一基板,基板上具有一體成形的至少一凹槽,且在凹槽周圍的基板上穿設(shè)有至少一導(dǎo)電柱,于基板下表面且對應(yīng)導(dǎo)電柱的位置設(shè)有至少一連接墊;另有至少一抗靜電線路位于凹槽周圍的基板上,此抗靜電線路經(jīng)由導(dǎo)電柱電性連接至連接墊。本發(fā)明可利用至少一抗靜電線路與安裝于凹槽內(nèi)的晶片表面接觸,以將不必要的靜電引導(dǎo)接地,達到抗靜電的功效。

其中,所述的基板是絕緣基板,較佳者為陶瓷基板。

其中,所述至少一抗靜電線路是一封閉線路或是具有至少一開口。

其中,所述至少一抗靜電線路更有突出基板表面,以便與晶片表面接觸。

其中,所述的導(dǎo)電柱是梯形體、倒梯形體、圓柱體、長方體或錐形體等形狀。

本發(fā)明提出的具有抗靜電結(jié)構(gòu)的封裝結(jié)構(gòu),其是將抗靜電線路、導(dǎo)電柱整合至基板中而為一體成形,中間利用導(dǎo)電柱作為抗靜電線路與連接墊電性連接的通道,抗靜電線路可以將導(dǎo)電材料利用電鍍、化學(xué)鍍或濺鍍等方式形成于基板中,且抗靜電線路可以與晶片接觸,將不必要的靜電經(jīng)由連接墊引導(dǎo)至接地,以利用此抗靜電線路達到靜電放電防護的功能,且因抗靜電線路、導(dǎo)電柱直接與基板一體成形而整合于制程中,更可達到輕薄化封裝結(jié)構(gòu)并可簡化封裝制程,應(yīng)用甚廣。

底下憑借具體實施例配合所附的圖式詳加說明,當(dāng)更容易了解本發(fā)明的目的、技術(shù)內(nèi)容及其所達成的功效。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有具有靜電放電條的封裝結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本發(fā)明具有一凹槽的封裝結(jié)構(gòu)立體示意圖。

圖3為本發(fā)明具有一凹槽的封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)剖視圖。

圖4為本發(fā)明具有二凹槽的封裝結(jié)構(gòu)立體示意圖。

圖5為本發(fā)明于基板上具有一開口的抗靜電結(jié)構(gòu)的實施例示意圖。

圖6為本發(fā)明于基板上具有二開口的抗靜電結(jié)構(gòu)的實施例示意圖。

圖7A為本發(fā)明具有梯形體導(dǎo)電柱的封裝結(jié)構(gòu)剖視圖。

圖7B為本發(fā)明具有倒梯形體導(dǎo)電柱的封裝結(jié)構(gòu)剖視圖。

附圖標(biāo)記說明:10-基板;12-指紋辨識晶片;121主動面;14-焊線;16-靜電放電條;18-封膠體;20-封裝結(jié)構(gòu);22-基板;24-凹槽;26-導(dǎo)電柱;28-連接墊;30-抗靜電線路;32-凹槽;34、36-開口。

具體實施方式

本發(fā)明系在基板的制作過程中同時將抗靜電線路以及導(dǎo)電柱等結(jié)構(gòu)設(shè)計整合在一起,以形成一體成形的具有抗靜電結(jié)構(gòu)的封裝結(jié)構(gòu)。

請參閱圖2及圖3所示,其是本發(fā)明具有一凹槽的封裝結(jié)構(gòu)立體示意圖以及其結(jié)構(gòu)剖視圖,一具有抗靜電結(jié)構(gòu)的封裝結(jié)構(gòu)20包括有一基板22及其上環(huán)設(shè)的至少一抗靜電線路30,基板22上表面具有一體成形的至少一凹槽24,在此系以一個凹槽24為例,凹槽24內(nèi)底面更可設(shè)有復(fù)數(shù)導(dǎo)電墊(圖中未示),使凹槽24內(nèi)可供安裝至少一晶片(圖中未示)并通過這些導(dǎo)電墊與基板22形成電性連接;在基板22上且位于凹槽24外圍位置設(shè)有至少一導(dǎo)電柱26,在基板22下表面設(shè)有至少一連接墊,此對外的連接墊在此系以復(fù)數(shù)連接墊28為例,導(dǎo)電柱26可選擇性的電性連接至基板22下表面的連接墊28,以作為對外接地;另,抗靜電線路30是一封閉線路且為金屬線路,抗靜電線路30位于凹槽24周圍的基板22上且外露于基板22,此抗靜電線路30經(jīng)由導(dǎo)電柱26電性連接至連接墊28,以通過導(dǎo)電柱26配合晶片的導(dǎo)電墊(圖中未示)而結(jié)合在一起,利用抗靜電線路30接觸到晶片而將靜電經(jīng)導(dǎo)電柱26引導(dǎo)至作為接地的連接墊28,進而達到靜電防護功能。其中圖中所繪制的抗靜電路線路30位于基板22上而未突出基板22表面,當(dāng)然,若有不同設(shè)計考量,抗靜電線路也可突出于基板,以可以接觸到晶片表面為訴求,當(dāng)不能以此為限。

承上,本發(fā)明使用的基板22系使用絕緣基板,較佳者可以使用陶瓷基板,例如高溫共燒陶瓷(High-Temperature Co-fired Creamics,HTCC)基板或是低溫共燒陶瓷基板(Low-Temperature Co-fired Creamics,LTCC)。因此,本發(fā)明使用的一體成形陶瓷基板時,在制作過程中就能將抗靜電電路30、導(dǎo)電柱26等結(jié)構(gòu)一同壓合并燒結(jié)在一起,并形成具有一體成形凹槽24的基板22。

本發(fā)明于基板上除了可以具有一體成形的一凹槽外,更可因不同的電路設(shè)計而具有二個以上的凹槽設(shè)計。請參閱圖4所示,本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)20更可于基板22上直接設(shè)有一體成形的二凹槽24、32,以分別提供安裝二種不同的晶片,例如,當(dāng)本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)20系作為指紋感測辨識封裝結(jié)構(gòu)時,于凹槽24內(nèi)系供安裝一感測晶片,而于凹槽32內(nèi)則供安裝一發(fā)光晶片;其余結(jié)構(gòu)則與第二圖所示的實施例相同,故于此不再贅述。

再者,本發(fā)明于基板上環(huán)設(shè)的抗靜電線路除了前述的連續(xù)狀封閉線路設(shè)計之外,尚具有不同的實施態(tài)樣,也即此抗靜電線路30具有至少一開口,例如,圖5所示,抗靜電線路30具有一開口34,抑或是如圖6所示,抗靜電線路30具有二開口34、36,此種抗靜電線路30則為不連續(xù)狀線路設(shè)計,以提供封裝設(shè)計不同的選擇。

此外,本發(fā)明的導(dǎo)電柱結(jié)構(gòu)設(shè)計可以依據(jù)需要抗靜電的程度,進行結(jié)構(gòu)上的調(diào)整,包含形狀、數(shù)量、相對位置等關(guān)系,例如圖7A所示,復(fù)數(shù)個具有上窄下寬的梯形體的導(dǎo)電柱26;如圖7B所示,復(fù)數(shù)個具有上寬下窄的倒梯形體的導(dǎo)電柱26;抑或是其他未繪制出來的圓柱體、長方體或錐形體等的形狀設(shè)計。

本發(fā)明提出的具有抗靜電結(jié)構(gòu)的封裝結(jié)構(gòu),其是將抗靜電線路、導(dǎo)電柱整合至基板中而為一體成形者,中間利用導(dǎo)電柱作為抗靜電線路與連接墊電性連接的通道,抗靜電線路可以將導(dǎo)電材料利用電鍍、化學(xué)鍍或濺鍍等方式形成于基板中,且抗靜電線路可以與晶片接觸,將不必要的靜電經(jīng)由連接墊引導(dǎo)至接地,以利用此抗靜電線路達到靜電放電防護的功能,且因抗靜電線路、導(dǎo)電柱直接與基板一體成形而整合于制程中,更可達到輕薄化封裝結(jié)構(gòu)并可簡化封裝制程,應(yīng)用甚廣。

以上所述的實施例僅是說明本發(fā)明的技術(shù)思想及特點,其目的在使熟悉此項技術(shù)者能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實施,當(dāng)不能以的限定本發(fā)明的專利范圍,即大凡依本發(fā)明所揭示的精神所作的均等變化或修飾,仍應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。

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