本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領域，尤其涉及一種OLED顯示面板及其制作方法。

背景技術(shù)：

有機發(fā)光二極管顯示裝置(Organic Light Emitting Display，OLED)具有自發(fā)光、驅(qū)動電壓低、發(fā)光效率高、響應時間短、清晰度與對比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬，可實現(xiàn)柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優(yōu)點，被業(yè)界公認為是最有發(fā)展?jié)摿Φ娘@示裝置。

OLED按照驅(qū)動方式可以分為無源矩陣型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩陣型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)兩大類，即直接尋址和薄膜晶體管矩陣尋址兩類。其中，AMOLED具有呈陣列式排布的像素，屬于主動顯示類型，發(fā)光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。

OLED器件通常包括：基板、設于基板上的陽極、設于陽極上的空穴注入層、設于空穴注入層上的空穴傳輸層、設于空穴傳輸層上的發(fā)光層、設于發(fā)光層上的電子傳輸層、設于電子傳輸層上的電子注入層、及設于電子注入層上的陰極。OLED器件的發(fā)光原理為半導體材料和有機發(fā)光材料在電場驅(qū)動下，通過載流子注入和復合導致發(fā)光。具體的，OLED器件通常采用氧化銦錫(ITO)電極和金屬電極分別作為器件的陽極和陰極，在一定電壓驅(qū)動下，電子和空穴分別從陰極和陽極注入到電子傳輸層和空穴傳輸層，電子和空穴分別經(jīng)過電子傳輸層和空穴傳輸層遷移到發(fā)光層，并在發(fā)光層中相遇，形成激子并使發(fā)光分子激發(fā)，后者經(jīng)過輻射弛豫而發(fā)出可見光。

如圖1所示，現(xiàn)有的OLED顯示面板中，為防止室外光線的反射造成對比度下降，一般會在OLED顯示面板的出光側(cè)貼附圓偏光片100，外界光線經(jīng)過圓偏光片100后會變成線偏光，到薄膜晶體管200的反射電極反射后再射出至圓偏光片100時，會變成與圓偏光片100的偏振方向垂直的線偏光，故無法透過圓偏光片100進入人眼，從而確保OLED顯示面板在室外的對比度，提高顯示效果。其中，所述薄膜晶體管200的反射電極包括：柵極、源極和漏極、與柵極相連的掃描線、以及與源極相連的數(shù)據(jù)線。然而，圓偏光片100并不能阻止OLED器件300自身發(fā)出的光降低OLED顯示面板的對比度，如圖1所示，現(xiàn)有的OLED顯示面板中，OLED器件300發(fā)出的光線并不是全部垂直于襯底基板400出射的，部分光線會從OLED器件300的側(cè)面射出，經(jīng)過薄膜晶體管200的反射電極反射后，從像素定義層500的非開口區(qū)510(對應OLED顯示面板的非像素區(qū))射入圓偏光片100，透過圓偏光片100被人眼接收，如此會降低OLED顯示面板的對比度，影響顯示效果。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種OLED顯示面板的制作方法，能夠有效提高OLED顯示面板的對比度，提高顯示效果，同時可提升陰極的導電性能，減少OLED顯示面板的功耗。

本發(fā)明的目的還在于提供一種OLED顯示面板，具有高對比度，顯示效果好，同時其陰極的導電性能好，功耗低。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種OLED顯示面板的制作方法，包括如下步驟：

步驟1、提供襯底基板，在所述襯底基板上形成薄膜晶體管層，所述薄膜晶體管層包括間隔設置的數(shù)個薄膜晶體管；

步驟2、在所述薄膜晶體管層上形成平坦層，在所述平坦層上形成分別對應于數(shù)個薄膜晶體管上方的數(shù)個通孔；

步驟3、在所述平坦層上形成間隔設置的數(shù)個陽極，所述數(shù)個陽極分別通過數(shù)個通孔與數(shù)個薄膜晶體管相連接；

步驟4、在所述平坦層上形成像素定義層，所述像素定義層包括分別對應于所述數(shù)個陽極的數(shù)個開口區(qū)以及位于所述數(shù)個開口區(qū)之間的非開口區(qū)；

步驟5、在所述像素定義層的數(shù)個開口區(qū)中分別形成設于數(shù)個陽極上的數(shù)個OLED發(fā)光層；

步驟6、在所述數(shù)個OLED發(fā)光層與像素定義層上形成整面覆蓋所述數(shù)個OLED發(fā)光層與像素定義層的第一金屬層，在所述第一金屬層上形成對應于所述像素定義層的非開口區(qū)的第二金屬層，所述第一金屬層與所述第二金屬層共同構(gòu)成陰極，并且，所述第一金屬層呈半透明狀，所述第一金屬層與所述第二金屬層的重疊區(qū)域呈不透明狀。

所述步驟6中，采用蒸鍍制程形成所述第一金屬層與第二金屬層；所述第一金屬層的材料為鎂銀合金；所述第二金屬層的材料包括鎂、銀與鋁中的至少一種。

所述第一金屬層的厚度為100μm-200μm；所述第二金屬層的厚度為100μm以上。

進一步的，本發(fā)明的OLED顯示面板的制作方法還包括：

步驟7、在所述陰極上形成封裝層；

步驟8、在所述封裝層上貼附圓偏光片。

所述封裝層為薄膜封裝層，所述薄膜封裝層包括層疊且交替設置的多個無機物層與有機物層。

本發(fā)明還提供一種OLED顯示面板，包括：

襯底基板；

設于所述襯底基板上的薄膜晶體管層，所述薄膜晶體管層包括間隔設置的數(shù)個薄膜晶體管；

設于所述薄膜晶體管層上的平坦層，所述平坦層上設有分別對應于數(shù)個薄膜晶體管上方的數(shù)個通孔；

設于所述平坦層上且間隔設置的數(shù)個陽極，所述數(shù)個陽極分別通過數(shù)個通孔與數(shù)個薄膜晶體管相連接；

設于所述平坦層上的像素定義層，所述像素定義層包括分別對應于所述數(shù)個陽極的數(shù)個開口區(qū)以及位于所述數(shù)個開口區(qū)之間的非開口區(qū)；

設于所述像素定義層的數(shù)個開口區(qū)中且分別設于所述數(shù)個陽極上的數(shù)個OLED發(fā)光層；

設于所述數(shù)個OLED發(fā)光層與像素定義層上的陰極，所述陰極包括整面覆蓋所述數(shù)個OLED發(fā)光層與像素定義層的第一金屬層以及設于所述第一金屬層上且對應于所述像素定義層的非開口區(qū)的第二金屬層，并且，所述第一金屬層呈半透明狀，所述第一金屬層與所述第二金屬層的重疊區(qū)域呈不透明狀。

所述第一金屬層的材料為鎂銀合金；所述第二金屬層的材料包括鎂、銀與鋁中的至少一種。

所述第一金屬層的厚度為100μm-200μm；所述第二金屬層的厚度為100μm以上。

進一步的，本發(fā)明的OLED顯示面板還包括：設于所述陰極上的封裝層、以及設于所述封裝層上的圓偏光片。

所述封裝層為薄膜封裝層，所述薄膜封裝層包括層疊且交替設置的多個無機物層與有機物層。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供的一種OLED顯示面板的制作方法，制得的OLED顯示面板的陰極具有雙層結(jié)構(gòu)，所述陰極包括整面的第一金屬層以及設于所述第一金屬層上且對應于OLED顯示面板的非像素區(qū)的第二金屬層，從而在OLED顯示面板的像素區(qū)，陰極由第一金屬層構(gòu)成且呈半透明狀，在OLED顯示面板的非像素區(qū)，陰極由疊層設置的第一金屬層與第二金屬層構(gòu)成且呈不透明狀，這樣一方面，OLED顯示面板的像素區(qū)的透光率不受到影響，同時OLED顯示面板的非像素區(qū)沒有光線射出，可有效提高OLED顯示面板的對比度，提高顯示效果；另一方面，通過將陰極設置為雙層結(jié)構(gòu)，可提升陰極的導電性能，減少OLED顯示面板的功耗。本發(fā)明提供的一種OLED顯示面板，通過將陰極設置為雙層結(jié)構(gòu)，一方面能夠有效提高OLED顯示面板的對比度，提高顯示效果；另一方面可提升陰極的導電性能，減少OLED顯示面板的功耗。

為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關本發(fā)明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。

附圖說明

下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的具體實施方式詳細描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。

附圖中，

圖1為現(xiàn)有的OLED顯示面板中OLED器件發(fā)出的光經(jīng)過薄膜晶體管的反射電極反射后從OLED顯示面板的非像素區(qū)射出的示意圖；

圖2為本發(fā)明的OLED顯示面板的制作方法的流程圖；

圖3為本發(fā)明的OLED顯示面板的制作方法的步驟1的示意圖；

圖4為本發(fā)明的OLED顯示面板的制作方法的步驟2的示意圖；

圖5為本發(fā)明的OLED顯示面板的制作方法的步驟3的示意圖；

圖6為本發(fā)明的OLED顯示面板的制作方法的步驟4的示意圖；

圖7為本發(fā)明的OLED顯示面板的制作方法的步驟5的示意圖；

圖8為本發(fā)明的OLED顯示面板的制作方法的步驟6的示意圖；

圖9為本發(fā)明的OLED顯示面板的制作方法的步驟7的示意圖；

圖10為本發(fā)明的OLED顯示面板的制作方法的步驟8的示意圖暨本發(fā)明的OLED顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細描述。

請參閱圖2，本發(fā)明提供一種OLED顯示面板的制作方法，包括如下步驟：

步驟1、如圖3所示，提供襯底基板10，在所述襯底基板10上形成薄膜晶體管層20，所述薄膜晶體管層20包括間隔設置的數(shù)個薄膜晶體管30。

具體的，所述襯底基板10可以為剛性基板或者柔性基板，所述剛性基板優(yōu)選為玻璃基板，所述柔性基板優(yōu)選為聚酰亞胺膜。

所述襯底基板10為剛性基板時，本發(fā)明后續(xù)制得的OLED顯示面板為剛性OLED顯示面板，所述襯底基板10為柔性基板時，本發(fā)明后續(xù)制得的OLED顯示面板為柔性OLED顯示面板。

具體的，如圖3所示，所述薄膜晶體管30包括設于所述襯底基板10上的柵極31、設于所述柵極31上的柵極絕緣層32、設于所述柵極絕緣層32上的半導體層33、設于所述半導體層33上的源極34與漏極35、以及設于所述源極34、漏極35與半導體層33上的鈍化層37；所述鈍化層37上設有對應于所述漏極35上方的過孔371。

所述薄膜晶體管30中的反射電極包括柵極31、源極34與漏極35等由金屬材料制備的結(jié)構(gòu)層。

步驟2、如圖4所示，在所述薄膜晶體管層20上形成平坦層40，在所述平坦層40上形成分別對應于數(shù)個薄膜晶體管30上方的數(shù)個通孔41。

具體的，所述平坦層40為有機材料。

具體的，如圖4所示，所述平坦層40上的通孔41與所述鈍化層37上的過孔371相對應。

步驟3、如圖5所示，在所述平坦層40上形成間隔設置的數(shù)個陽極45，所述數(shù)個陽極45分別通過數(shù)個通孔41與數(shù)個薄膜晶體管30相連接。

具體的，所述陽極45為反射電極，使得本發(fā)明的OLED顯示面板構(gòu)成頂發(fā)光OLED顯示面板。

優(yōu)選的，所述陽極45包括兩氧化銦錫(ITO)層與夾設于兩氧化銦錫層之間的銀(Ag)層。

具體的，如圖5所示，所述數(shù)個陽極45分別通過所述平坦層40上的數(shù)個通孔41以及所述鈍化層上的數(shù)個過孔371與所述數(shù)個薄膜晶體管30的漏極35相連接。

步驟4、如圖6所示，在所述平坦層40上形成像素定義層50，所述像素定義層50包括分別對應于所述數(shù)個陽極45的數(shù)個開口區(qū)51以及位于所述數(shù)個開口區(qū)51之間的非開口區(qū)52。

具體的，所述像素定義層50的開口區(qū)51與非開口區(qū)52分別對應OLED顯示面板的像素區(qū)與非像素區(qū)。

具體的，所述像素定義層50為透明有機材料。

步驟5、如圖7所示，在所述像素定義層50的數(shù)個開口區(qū)51中分別形成設于數(shù)個陽極45上的數(shù)個OLED發(fā)光層60。

具體的，所述步驟5中，采用蒸鍍的方法形成所述數(shù)個OLED發(fā)光層60。

具體的，所述OLED發(fā)光層60包括在所述陽極45上從下到上依次層疊設置的空穴注入層(未圖示)、空穴傳輸層(未圖示)、發(fā)光層(未圖示)、電子傳輸層(未圖示)、及電子注入層(未圖示)。

步驟6、如圖8所示，在所述數(shù)個OLED發(fā)光層60與像素定義層50上形成整面覆蓋所述數(shù)個OLED發(fā)光層60與像素定義層50的第一金屬層71，在所述第一金屬層71上形成對應于所述像素定義層50的非開口區(qū)52的第二金屬層72，所述第一金屬層71與所述第二金屬層72共同構(gòu)成陰極70，并且，所述第一金屬層71呈半透明狀，所述第一金屬層71與所述第二金屬層72的重疊區(qū)域呈不透明狀。

具體的，所述第一金屬層71的材料為鎂銀合金。

具體的，所述第二金屬層72的材料包括鎂、銀與鋁等導電性能較好的金屬材料中的至少一種。

具體的，所述步驟6中，采用蒸鍍制程形成所述第一金屬層71與第二金屬層72。

具體的，所述第一金屬層71的蒸鍍制程使用普通金屬掩膜板，所述第二金屬層72的蒸鍍制程使用精密金屬掩膜板(FMM，fine metal mask)。

具體的，所述第一金屬層71的厚度為100μm-200μm，該厚度范圍可以保證第一金屬層71呈半透明狀。

具體的，所述第二金屬層72的厚度為100μm以上，所述第二金屬層72的厚度越大，所述陰極70的導電性能越好。

現(xiàn)有的OLED顯示面板中，頂發(fā)光OLED器件的陰極通常僅由呈半透明狀的第一金屬層構(gòu)成，本發(fā)明通過在第一金屬層71上增設第二金屬層72，一方面可以保證所述陰極70上對應于OLED發(fā)光層60上方的部分僅由呈半透明狀的第一金屬層71構(gòu)成，保證OLED發(fā)光層60的出光不受影響，同時防止OLED發(fā)光層60發(fā)出的光線經(jīng)由薄膜晶體管30的反射電極反射后從像素定義層50的非開口區(qū)52(非像素區(qū))透過進入人眼，提高了OLED顯示面板的對比度；另一方面，通過在第一金屬層71上增設第二金屬層72，還能夠增加陰極70的厚度，從而降低陰極70的電阻，提高陰極70的導電性能，進而減少OLED顯示面板的功耗。

以上步驟1至步驟6完成了OLED顯示面板的主要制作步驟，通常情況下，為提高OLED器件的使用壽命和顯示效果，還需要對OLED器件進行封裝，并在封裝層上貼附圓偏光片，因此，本發(fā)明的OLED顯示面板的制作方法還包括：

步驟7、如圖9所示，在所述陰極70上形成封裝層80，以阻擋外界水氧對OLED器件的侵蝕，提高OLED器件的使用壽命。

具體的，所述封裝層80可以為玻璃封裝層或者薄膜封裝(TFE，Thin Film Encapsulation)層，優(yōu)選為薄膜封裝層。

具體的，所述薄膜封裝層包括層疊且交替設置的多個無機物層與有機物層；所述無機物層的材料包括氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)、及氮氧化硅(SiO_xN_x)中的至少一種；所述有機物層的材料包括丙烯酸脂(Acrylic)、六甲基二甲硅醚(HMDSO)、聚丙烯酸酯、聚碳酸脂、及聚苯乙烯中的一種或多種。

步驟8、如圖10所示，在所述封裝層80上貼附圓偏光片90，以避免外界光線對OLED顯示面板的對比度造成影響，提高OLED顯示面板的顯示效果。

上述OLED顯示面板的制作方法，制得的陰極70具有雙層結(jié)構(gòu)，所述陰極70包括整面的第一金屬層71以及設于所述第一金屬層71上且對應于OLED顯示面板的非像素區(qū)的第二金屬層72，從而在OLED顯示面板的像素區(qū)，陰極70由第一金屬層71構(gòu)成且呈半透明狀，在OLED顯示面板的非像素區(qū)，陰極70由疊層設置的第一金屬層71與第二金屬層72構(gòu)成且呈不透明狀，這樣一方面，OLED顯示面板的像素區(qū)的透光率不受到影響，同時OLED顯示面板的非像素區(qū)沒有光線射出，可有效提高OLED顯示面板的對比度，提高顯示效果；另一方面，通過將陰極70設置為雙層結(jié)構(gòu)，可提升陰極70的導電性能，減少OLED顯示面板的功耗。

請參閱圖10，基于上述OLED顯示面板的制作方法，本發(fā)明還提供一種OLED顯示面板，包括：

襯底基板10；

設于所述襯底基板10上的薄膜晶體管層20，所述薄膜晶體管層20包括間隔設置的數(shù)個薄膜晶體管30；

設于所述薄膜晶體管層20上的平坦層40，所述平坦層40上設有分別對應于數(shù)個薄膜晶體管30上方的數(shù)個通孔41；

設于所述平坦層40上且間隔設置的數(shù)個陽極45，所述數(shù)個陽極45分別通過數(shù)個通孔41與數(shù)個薄膜晶體管30相連接；

設于所述平坦層40上的像素定義層50，所述像素定義層50包括分別對應于所述數(shù)個陽極45的數(shù)個開口區(qū)51以及位于所述數(shù)個開口區(qū)51之間的非開口區(qū)52；

設于所述像素定義層50的數(shù)個開口區(qū)51中且分別設于所述數(shù)個陽極45上的數(shù)個OLED發(fā)光層60；

設于所述數(shù)個OLED發(fā)光層60與像素定義層50上的陰極70，所述陰極70包括整面覆蓋所述數(shù)個OLED發(fā)光層60與像素定義層50的第一金屬層71以及設于所述第一金屬層71上且對應于所述像素定義層50的非開口區(qū)52的第二金屬層72，并且，所述第一金屬層71呈半透明狀，所述第一金屬層71與所述第二金屬層72的重疊區(qū)域呈不透明狀。

具體的，所述襯底基板10可以為剛性基板或者柔性基板，所述剛性基板優(yōu)選為玻璃基板，所述柔性基板優(yōu)選為聚酰亞胺膜。

具體的，所述薄膜晶體管30包括設于所述襯底基板10上的柵極31、設于所述柵極31上的柵極絕緣層32、設于所述柵極絕緣層32上的半導體層33、設于所述半導體層33上的源極34與漏極35、以及設于所述源極34、漏極35與半導體層33上的鈍化層37；所述鈍化層37上設有對應于所述漏極35上方且與通孔41對應的過孔371，所述陽極45分別通過數(shù)個通孔41及過孔371與數(shù)個薄膜晶體管30的漏極35相連接。

具體的，所述平坦層40為有機材料。

具體的，所述陽極45為反射電極，使得本發(fā)明的OLED顯示面板構(gòu)成頂發(fā)光OLED顯示面板。

優(yōu)選的，所述陽極45包括兩氧化銦錫(ITO)層與夾設于兩氧化銦錫層之間的銀(Ag)層。

具體的，所述像素定義層50為透明有機材料。

具體的，所述OLED發(fā)光層60包括在所述陽極45上從下到上依次層疊設置的空穴注入層(未圖示)、空穴傳輸層(未圖示)、發(fā)光層(未圖示)、電子傳輸層(未圖示)、及電子注入層(未圖示)。

具體的，所述第一金屬層71的材料為鎂銀合金。

具體的，所述第二金屬層72的材料包括鎂、銀與鋁等導電性能較好的金屬材料中的至少一種。

具體的，所述第一金屬層71的厚度為100μm-200μm，所述第二金屬層72的厚度為100μm以上。

進一步的，本發(fā)明的OLED顯示面板還包括：設于所述陰極70上的封裝層80、以及設于所述封裝層80上的圓偏光片90。

具體的，所述封裝層80可以為玻璃封裝層或者薄膜封裝層，優(yōu)選為薄膜封裝層。

具體的，所述薄膜封裝層包括層疊且交替設置的多個無機物層與有機物層；所述無機物層的材料包括氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)、及氮氧化硅(SiO_xN_x)中的至少一種；所述有機物層的材料包括丙烯酸脂(Acrylic)、六甲基二甲硅醚(HMDSO)、聚丙烯酸酯、聚碳酸脂、及聚苯乙烯中的一種或多種。

上述OLED顯示面板，通過將陰極70設置為雙層結(jié)構(gòu)，一方面能夠有效提高OLED顯示面板的對比度，提高顯示效果；另一方面可提升陰極70的導電性能，減少OLED顯示面板的功耗。

綜上所述，本發(fā)明提供一種OLED顯示面板及其制作方法。本發(fā)明的OLED顯示面板的制作方法，制得的OLED顯示面板的陰極具有雙層結(jié)構(gòu)，所述陰極包括整面的第一金屬層以及設于所述第一金屬層上且對應于OLED顯示面板的非像素區(qū)的第二金屬層，從而在OLED顯示面板的像素區(qū)，陰極由第一金屬層構(gòu)成且呈半透明狀，在OLED顯示面板的非像素區(qū)，陰極由疊層設置的第一金屬層與第二金屬層構(gòu)成且呈不透明狀，這樣一方面，OLED顯示面板的像素區(qū)的透光率不受到影響，同時OLED顯示面板的非像素區(qū)沒有光線射出，可有效提高OLED顯示面板的對比度，提高顯示效果；另一方面，通過將陰極設置為雙層結(jié)構(gòu)，可提升陰極的導電性能，減少OLED顯示面板的功耗。本發(fā)明的OLED顯示面板，通過將陰極設置為雙層結(jié)構(gòu)，一方面能夠有效提高OLED顯示面板的對比度，提高顯示效果；另一方面可提升陰極的導電性能，減少OLED顯示面板的功耗。

以上所述，對于本領域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應的改變和變形，而所有這些改變和變形都應屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護范圍。