本發(fā)明涉及對(duì)半導(dǎo)體元件進(jìn)行鍍敷布線的半導(dǎo)體封裝件的制造方法及半導(dǎo)體封裝件。

背景技術(shù)：

在內(nèi)置有諸如集成電路(integratedcircuit，ic)或大規(guī)模集成電路(largescaleintegration，lsi)的有源器件(activedevice)的基板的制造工藝中，通常利用激光加工來(lái)形成通孔(via)。在這種情況下，為了防止對(duì)器件的損傷，而在器件上的鋁焊盤(pad)上形成下阻擋金屬(underbarriermetal，ubm)(例如銅制)，并對(duì)在該下阻擋金屬之上形成的絕緣材料層進(jìn)行通孔加工。在作為有關(guān)如此形成通孔的文獻(xiàn)的專利文獻(xiàn)1中記載了該發(fā)明。

在日本特開(kāi)2013-30593號(hào)公報(bào)(美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)第2013/0026650號(hào)說(shuō)明書(shū))(例如參照?qǐng)D7)中公開(kāi)了如下結(jié)構(gòu)，包括：半導(dǎo)體元件；電極焊盤(相當(dāng)于所述下阻擋金屬)，與半導(dǎo)體元件的下方相鄰；以及有機(jī)基板(相當(dāng)于所述絕緣材料層)，形成有與電極焊盤的下方相鄰的通孔。

在試圖在這種結(jié)構(gòu)中利用激光在有機(jī)基板中形成通孔的情況下，需要從有機(jī)基板的下方朝向半導(dǎo)體元件照射激光，但是為了使半導(dǎo)體元件不受到激光的照射，需要預(yù)先在半導(dǎo)體元件之下的位置處配置下阻擋金屬(在日本專利文獻(xiàn)1中為銅(cu)電極焊盤)。

然而，在所述的專利文獻(xiàn)1中記載的發(fā)明中存在材料成本高的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于上述實(shí)際情況，本發(fā)明的目的在于提供一種與現(xiàn)有的制造方法相比，能夠減少用于形成通孔的材料來(lái)形成通孔的半導(dǎo)體封裝件的制造方法。

本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件的制造方法包括以下步驟：在支承板之上形成絕緣材料層；在所述絕緣材料層中形成通孔；在所述絕緣材料層之上配置半導(dǎo)體元件，使得所述半導(dǎo)體元件的電極位于所述通孔之上；去除所述支承板；在所述絕緣材料層的與所述半導(dǎo)體元件的一側(cè)相反的面、所述通孔及所述半導(dǎo)體元件的所述電極的面上形成種子層；以及在所述通孔中形成金屬層。

本發(fā)明的另一實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件包括：半導(dǎo)體元件，在一個(gè)表面上露出有電極；粘接材料層，配置在所述半導(dǎo)體元件的一個(gè)表面上；絕緣材料層，配置在所述粘接材料層之上；通孔，貫通所述粘接材料層和所述絕緣材料層并露出所述電極；種子層，從所述絕緣材料層的表面沿著所述通孔的內(nèi)壁面設(shè)置，并與所述電極相接觸；金屬層，與所述種子層相接觸，并掩埋所述通孔；以及焊料球，與所述金屬層相接觸。

附圖說(shuō)明

圖1a為支承板和第一粘接材料層的截面圖。圖1b為支承板、第一粘接材料層、絕緣材料層及第二粘接材料層的截面圖。圖1c為在圖1b的結(jié)構(gòu)中形成了通孔的截面圖。

圖2a部分為對(duì)圖1c部分的結(jié)構(gòu)，從上方配置半導(dǎo)體元件而形成了樹(shù)脂密封材料層的截面圖。圖2b為從圖2a的結(jié)構(gòu)中去除了支承板和第一粘接材料層的截面圖。

圖3a為以上下顛倒的方式配置圖2b的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖3b為對(duì)圖3a的結(jié)構(gòu)形成了種子(seed)層的截面圖。

圖4a為對(duì)圖3b的結(jié)構(gòu)形成了金屬層的截面圖。圖4b為施加了阻焊劑并搭載了焊料球的半導(dǎo)體封裝件的截面圖。

圖5a為圖4a的立體圖。圖5b為通過(guò)照射激光而在絕緣材料層上形成了通孔的通孔盤(via-land)連接結(jié)構(gòu)的截面圖。

圖6a為示出為了引線連接而利用激光照射在絕緣材料層上形成了通孔的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖6b為圖6a的立體圖。

圖7a為示出半導(dǎo)體封裝件的變形例1的截面圖。圖7b為示出半導(dǎo)體封裝件的變形例5的截面圖。

圖8為示出半導(dǎo)體封裝件的變形例2的截面圖。

圖9為示出半導(dǎo)體封裝件的變形例3的截面圖。

圖10為示出半導(dǎo)體封裝件的變形例4的截面圖。

(附圖標(biāo)記的說(shuō)明)

10：半導(dǎo)體封裝件；11：支承板13：絕緣材料層；13x：第一面；13y：第二面；

15：通孔；16：半導(dǎo)體元件；18：種子層；21：金屬層；22：焊料球

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖等對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。但是，本發(fā)明能夠以多種不同形式來(lái)實(shí)施，不限于以下示例的實(shí)施方式所記載內(nèi)容來(lái)解釋。另外，為了更加明確地說(shuō)明，與實(shí)際的實(shí)施方式相比，附圖存在示意性地示出各部分的寬度、厚度、形狀等的情況，但歸根究底只是一個(gè)示例，并不用于限定本發(fā)明的解釋。另外，在本發(fā)明的說(shuō)明書(shū)和各附圖中，對(duì)與關(guān)于已有的附圖所敘述的結(jié)構(gòu)要素同樣的要素標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，并適當(dāng)省略詳細(xì)的說(shuō)明。

本發(fā)明的說(shuō)明書(shū)中，在某個(gè)部件或區(qū)域位于其他部件或區(qū)域“之上(或之下)”的情況下，只要無(wú)特別的限定，則不僅包括位于其他部件或區(qū)域的正上(或正下)的情況，而且包括位于其他部件或區(qū)域的上方(或下方)的情況，即，也包括在其他部件或區(qū)域的上方(或下方)之間包括其他結(jié)構(gòu)要素的情況。

利用圖1a至圖4b，對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝件10的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。圖1a為支承板和第一粘接材料層12的截面圖。如圖1a所示，在支承板11上形成有第一粘接材料層12。

第一粘接材料層12能夠?qū)⒅С邪?1與絕緣材料層13(后述)粘接，并且該第一粘接材料層是可熱剝離或利用紫外線(uv)來(lái)進(jìn)行剝離的層。作為第一粘接材料層12的材質(zhì)，例如，可使用能夠熱剝離的發(fā)泡粘合材料。例如，在由玻璃來(lái)形成支承板11的情況下，可以使uv穿透支承板11而照射第一粘接材料層12，從而能夠?qū)χС邪?1的進(jìn)行uv剝離。

圖1b為支承板11、第一粘接材料層12、絕緣材料層13及第二粘接材料層14的截面圖。如圖1b所示，進(jìn)一步地在第一粘接材料層12之上還形成絕緣材料層13，在絕緣材料層13之上還形成第二粘接材料層14。由此，可以看作在支承板11上形成絕緣材料層13。例如，絕緣材料層13可以采用包含填料的樹(shù)脂，或者也可以使用包含這種填料的聚酰亞胺樹(shù)脂或環(huán)氧樹(shù)脂(但不限于此)。

第二粘接材料層14是這樣的層：能夠?qū)⑿纬捎泻笫龅目?3a(參照?qǐng)D1c)的絕緣材料層13與半導(dǎo)體元件16(參照?qǐng)D2a)粘接，并在加熱固化之前的b階段狀態(tài)(反應(yīng)的中間階段，指材料經(jīng)過(guò)加熱而軟化并膨脹，但即使與某種液體相接觸，也不完全熔融或溶解的階段的狀態(tài))下，與構(gòu)成半導(dǎo)體元件16的硅(si)或si化合物具有緊密附著性，在加熱固化工序中能夠保持通孔15的形狀。

作為第二粘接材料層14的材質(zhì)，例如可使用聚酰亞胺的粘接材料。在如上所述在絕緣材料層13中包含填料的情況下，為了緩和應(yīng)力，并且為了抑制由從填料中射出的α射線而造成的比特誤碼，第二粘接材料層14需要為聚酰亞胺等的可以取代晶片涂敷材料的材料。在b階段的狀態(tài)下，若溫度上升，則第二粘接材料層14會(huì)流入通孔15的內(nèi)部。為了抑制這種情況，需要直至某個(gè)溫度都可保持通孔15的形狀的材質(zhì)。

圖1c為在圖1b的結(jié)構(gòu)中形成了通孔15的截面圖。如圖1c所示，在絕緣材料層13和第二粘接材料層14中形成通孔15。通孔15(貫通孔、開(kāi)口部)具有形成在絕緣材料層13中的孔13a和形成在第二粘接材料層14中的孔14a。此外，通孔15可以作為孔12a而也形成在第一粘接材料層12中，但是，由于最終與支承板11一起被去除，因此在半導(dǎo)體封裝件10的產(chǎn)品中不是必需的。

通孔15可以至少利用激光加工(利用激光r的加工)或鉆頭加工、沖壓脫模等的機(jī)械加工中的任一種來(lái)形成。在此，作為激光r，例如可以使用利用熱來(lái)進(jìn)行加工的激光、co2激光或紫外-釔鋁石榴石激光(uv-yag激光)(固體激光的uv類型)。此外，在形成通孔15時(shí)，可能會(huì)在支承板11中也形成通孔，但是由于支承板11最終要被去除，因此在支承板11形成通孔15也無(wú)妨。

此外，可以采用針對(duì)緣材料層13使用感光性樹(shù)脂并利用曝光和顯影來(lái)形成通孔15的結(jié)構(gòu)。可以是使用掩模來(lái)進(jìn)行等離子體灰化的方法，也可以是形成銅的抗蝕層之后進(jìn)行掩模，利用等離子體灰化而僅對(duì)被加工部進(jìn)行加工的方法。

圖2a為對(duì)圖1c的結(jié)構(gòu)從上方配置半導(dǎo)體元件16而形成樹(shù)脂密封材料層17的截面圖。在此，將絕緣材料層13的第一粘接材料層12的一側(cè)的面作為第一面13x，將絕緣材料層13的第二粘接材料層14的一側(cè)的面作為第二面13y。如圖2a所示，將半導(dǎo)體元件16配置在絕緣材料層13的第二面13y之上的第二粘接材料層14之上，使得在成為圖1c的狀態(tài)之后，半導(dǎo)體元件16的電極16k位于通孔15之上。像這樣，將半導(dǎo)體元件16以直接對(duì)準(zhǔn)的方式搭載并粘接在具有通孔15的絕緣材料層13上之后，用樹(shù)脂密封材料層17進(jìn)行密封。

像這樣，通過(guò)用樹(shù)脂密封材料層17進(jìn)行密封，將通孔15與電極16k之間的位置精度進(jìn)一步提高。此外，電極16k采用例如由鋁形成的鋁焊盤。

圖2b為從圖2a的結(jié)構(gòu)中去除了支承板11和第一粘接材料層12的截面圖。在變?yōu)閳D2a的狀態(tài)之后，去除支承板11。例如，支承板11可由玻璃形成，若uv向支承板11照射，則支承板11從第一粘接材料層12的部位剝離。

像這樣，為了形成通孔15而要接受激光照射的是對(duì)半導(dǎo)體封裝件10的結(jié)構(gòu)而言不需要的支承板11，因此不再需要現(xiàn)有的為了形成通孔而要接受激光照射的下阻擋金屬。

圖3a為以上下顛倒的方式配置圖2b的結(jié)構(gòu)的截面圖。在圖3a的狀態(tài)下，第二粘接材料層14和絕緣材料層13的總計(jì)厚度形成為例如15μm左右。

圖3b為對(duì)圖3a的結(jié)構(gòu)形成了種子層18的截面圖。如圖3b所示，從通孔15開(kāi)放的一側(cè)開(kāi)始，在絕緣材料層13的第一面13x(絕緣材料層13中的與半導(dǎo)體元件16的一側(cè)相反的面)、通孔15及半導(dǎo)體元件16的電極16k上形成種子層18。

圖4a為在圖3b的結(jié)構(gòu)中形成了金屬層21的截面圖。如圖4a所示，在通孔15中形成金屬層21。

在本實(shí)施例中，種子層18可通過(guò)濺射鈦(ti)及cu而形成。此外，可利用例如電解鍍敷法來(lái)形成金屬層21。在這種情況下，無(wú)需對(duì)半導(dǎo)體元件16的電極16k進(jìn)行特別的表面處理(形成像以往那樣的下阻擋金屬(ubm)等)即可形成金屬層21。此外，在形成種子層18時(shí)，可以用鉭(ta)來(lái)代替ti，或者也可以用鎢化鈦(tiw)、氮化鈦(tin)等的阻擋金屬來(lái)代替鈦，可以適宜地更換材質(zhì)。

此外，如上述的現(xiàn)有技術(shù)，當(dāng)要形成阻擋金屬時(shí)，例如在半導(dǎo)體元件16之上涂敷聚酰亞胺，并在電極16k的部位形成開(kāi)口。另外，在其上形成ti/cu種子層，進(jìn)行鍍銅并進(jìn)行種子層蝕刻，從而完成下阻擋金屬。像這樣，在形成下阻擋金屬時(shí)頗費(fèi)工夫，但是若根據(jù)本實(shí)施例的制備方法，則可以減少所花費(fèi)的工夫。

另外，替代電解鍍敷法地，可以在對(duì)半導(dǎo)體元件16所具有的電極16k進(jìn)行浸鋅處理之后，利用無(wú)電解鍍法形成種子層18。在這種情況下，可以利用更廉價(jià)的無(wú)電解鍍法形成種子層18。

如上所述，該種子層18可利用濺射法或無(wú)電解鍍法來(lái)形成，并且可用于之后的利用電解鍍敷法或無(wú)電解鍍法來(lái)形成金屬層21，但是對(duì)于不用于布線的部分，可在之后利用蝕刻去除。

圖4b為形成了阻焊層并設(shè)置了焊料球22的半導(dǎo)體封裝件10的截面圖。如圖4b所示，通過(guò)從金屬層21之上施加阻焊劑來(lái)形成阻焊層23。此外，可以以與金屬層21相接觸的方式搭載焊料球22。由此完成半導(dǎo)體封裝件10。

由此完成如下結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體封裝件10，該半導(dǎo)體封裝件10從半導(dǎo)體元件16的一側(cè)起依次具備：半導(dǎo)體元件16；第二粘接材料層14，形成在半導(dǎo)體元件16之上；絕緣材料層13，形成在第二粘接材料層14之上；通孔15，從半導(dǎo)體元件16的電極16k的上端的位置至第二粘接材料層14及絕緣材料層13的上端的位置筆直貫通而成；種子層18，形成在通孔15的內(nèi)部；金屬層21，形成在種子層18的內(nèi)部；以及焊料球22，配置為與金屬層21相接觸。此外，雖然舉出了利用鍍敷法形成所述金屬層21的例子，但是也可以利用除鍍敷以外的方法來(lái)形成。

以換一種方式來(lái)表現(xiàn)，也可以是，從半導(dǎo)體元件16的一側(cè)起依次具備：半導(dǎo)體元件16，在一個(gè)表面上露出電極16k；第二粘接材料層14(粘接材料層)，配置在半導(dǎo)體元件16的一個(gè)表面上；絕緣材料層13，配置在第二粘接材料層14之上；通孔15，貫通第二粘接材料層14及絕緣材料層13并露出電極16k；種子層18，從絕緣材料層13的表面沿著通孔15的內(nèi)壁面設(shè)置并與電極16k相接觸；金屬層21，與種子層18相接觸，并掩埋通孔15；以及焊料球22，與金屬層21相接觸。此外，可以將所述種子層18和與種子層18相接觸的金屬層21總稱為掩埋電極。

如上所述，通孔15是在半導(dǎo)體元件16的膜厚方向上，從半導(dǎo)體元件16的電極16k的上端的位置至第二粘接材料層14及絕緣材料層13的上端的位置筆直貫通而成。另外，半導(dǎo)體元件16的電極16k與種子層18相接觸。此外，在本實(shí)施方式的方法中，由于無(wú)需阻擋金屬，因此可以采用通孔15寬于電極16k的結(jié)構(gòu)。

對(duì)此，在以往的結(jié)構(gòu)中，由于在半導(dǎo)體元件16之上形成阻擋金屬，因此可以說(shuō)能夠從阻擋金屬的上端至絕緣材料層13的上端的位置筆直貫通而成。但是，從阻擋金屬的上端至下方，阻擋金屬的寬度大于通孔的寬度，需要確保與通孔的寬度不同的尺寸寬度。因此，無(wú)法形成從半導(dǎo)體元件16的電極16k的上端的位置至絕緣材料層13的上端的位置筆直貫通而成的結(jié)構(gòu)。另外，由于在半導(dǎo)體元件的電極與種子層之間配置阻擋金屬，因此無(wú)法形成半導(dǎo)體元件的電極與種子層相接觸的結(jié)構(gòu)。此外，關(guān)于上述所謂的直線貫通，除了如圖4b所示沿著導(dǎo)體元件16的膜厚方向的情況之外，還可以包括如圖5b所示從半導(dǎo)體元件16的膜厚方向傾斜的情況。

另外，以往需要考慮到半導(dǎo)體元件16的配置或尺寸的偏差、在半導(dǎo)體元件16之上形成阻擋金屬時(shí)的阻擋金屬的配置或尺寸的偏差以及在配置于阻擋金屬之上的絕緣材料層上形成的通孔的配置或尺寸的偏差，來(lái)確保對(duì)準(zhǔn)余量。對(duì)此，根據(jù)所述半導(dǎo)體封裝件10的制造方法，由于無(wú)需考慮阻擋金屬的配置或尺寸的偏差，因此可以相應(yīng)地將通孔形成得更大，設(shè)計(jì)自由度提高。

另外，以往需要利用激光來(lái)形成通孔，使得半導(dǎo)體元件的電極的大小大于通孔的大小。對(duì)此，根據(jù)所述半導(dǎo)體封裝件10的制造方法，激光r不照射半導(dǎo)體元件16的樹(shù)脂16的部分(電極16k的周圍)，因此能夠以半導(dǎo)體元件16的電極16k的大小小于通孔15的大小的方式形成通孔15。其結(jié)果是，可以選擇小的電極16k，而無(wú)需考慮通孔15的大小，可以實(shí)現(xiàn)電極16k的窄間距化。

此外，以往在加工通孔時(shí)，在激光r偏離阻擋金屬的情況下，存在破壞導(dǎo)體元件16的風(fēng)險(xiǎn)，但根據(jù)本實(shí)施方式，消除了這種風(fēng)險(xiǎn)。

此外，基于該結(jié)構(gòu)，以往與半導(dǎo)體封裝件10中的半導(dǎo)體元件16相比更靠上的結(jié)構(gòu)的高度(種子層18與金屬層21的總計(jì)高度)為80μm，但是可將其降低至50μm，而原理上認(rèn)為可以降低至40μm。

圖5a為圖4a的立體圖。如圖5a所示，在絕緣材料層13的第一面13x的表面所包圍的區(qū)域內(nèi)形成金屬層21。通孔15掩蔽于該金屬層21的內(nèi)側(cè)。

圖5b為照射激光而在絕緣材料層13上形成了通孔15的通孔盤連接結(jié)構(gòu)的截面圖。在利用激光形成通孔15的情況下，通孔15呈隨著從半導(dǎo)體元件16的一側(cè)朝向絕緣材料層13的一側(cè)變窄的錐形。即，絕緣材料層13和第二粘接材料層14越靠近激光照射的一側(cè)，則孔面積就越大。被激光照射的一側(cè)相當(dāng)于配置有所述半導(dǎo)體元件16的一側(cè)。如圖5b所示，絕緣材料層13和第二粘接材料層14形成為，通孔15的靠近半導(dǎo)體元件16的一側(cè)的寬度x1大于通孔15的遠(yuǎn)離半導(dǎo)體元件16的一側(cè)的寬度x2。

圖6a為示出為了引線連接而利用激光照射在絕緣材料層13上形了通孔15的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖6b為圖6a的立體圖。在引線連接的情況下，形成在絕緣材料層13中的通孔15的大小增大，因而成為并不是通孔15的內(nèi)部的全體都鍍敷了金屬層21的結(jié)構(gòu)。即，并不是金屬層21填充通孔15的內(nèi)部，而是金屬層21沿著通孔15的形狀按照規(guī)定的厚度形成層。即使是這種結(jié)構(gòu)，也可獲得與在所述圖1a～圖5b中說(shuō)明的效果相同的效果。

由于能夠以半導(dǎo)體元件16的電極16k的大小小于通孔15的大小的方式形成通孔15，因而在內(nèi)部形成的種子層可以分別覆蓋電極16k，由此電極16k能夠形成為如圖6b所示的整個(gè)開(kāi)口(長(zhǎng)孔)的通孔15，而不是一部分被掩蔽的小的開(kāi)口。

圖7a為示出半導(dǎo)體封裝件10的變形例1的截面圖。此外，半導(dǎo)體封裝件10實(shí)質(zhì)上與圖4b的例子具有相同的結(jié)構(gòu)，相當(dāng)于將圖4b的結(jié)構(gòu)上下顛倒的結(jié)構(gòu)?？膳渲糜杏蓸?shù)脂密封材料層17覆蓋的半導(dǎo)體元件16。此外，在半導(dǎo)體元件16的下方隔著未圖示的第二粘接材料層14可配置絕緣材料層13，在該絕緣材料層13之下部可配置阻焊層23。在半導(dǎo)體元件16的電極16k的下方，在絕緣材料層13中可形成通孔15。在所述通孔15的內(nèi)部和絕緣材料層13之下可形成金屬層21。此外，可形成阻焊層23，并在金屬層21之下搭載焊料球22。

此外，此處，在通過(guò)激光形成通孔15的情況下，也呈隨著從半導(dǎo)體元件16一側(cè)朝向絕緣材料層13一側(cè)變窄的錐形。

圖8為示出半導(dǎo)體封裝件10的變形例2的截面圖。在該示例中，半導(dǎo)體元件16在上下方向上排有兩個(gè)。在各個(gè)半導(dǎo)體元件16之下，隔著未圖示的第二粘接材料層14可形成絕緣材料層13。此外，對(duì)上下各個(gè)絕緣材料層13形成通孔15，在所述通孔15之中和絕緣材料層13之下可形成金屬層21。在下側(cè)的金屬層21之下可形成阻焊層23，并搭載多個(gè)焊料球22。此外，在下側(cè)的絕緣材料層13與阻焊層23之間也配置有絕緣材料層50。

此外，在此，在樹(shù)脂密封材料層17上也形成有通孔15，該通孔15形成為，隨著在從下側(cè)的絕緣材料層13一側(cè)朝向下側(cè)的半導(dǎo)體元件16一側(cè)的方向上前進(jìn)而變窄，這一點(diǎn)與圖7a的結(jié)構(gòu)不同。

圖9為示出半導(dǎo)體封裝件10的變形例3的截面圖。該示例是在稱作“封裝體上封裝體”(package-on-package)的、在半導(dǎo)體封裝件10之上放置半導(dǎo)體封裝件10的結(jié)構(gòu)中的下層部分的結(jié)構(gòu)，如圖9所示，在半導(dǎo)體封裝件10的上部，為了能夠搭載其他的半導(dǎo)體封裝件，而在半導(dǎo)體元件16之上配置有連接用端子部21z1。

另外，在該示例中，在半導(dǎo)體元件16之下也可形成絕緣材料層13。在絕緣材料層13中可形成多個(gè)通孔15，在這些通孔15之中和絕緣材料層13之下可形成金屬層21。在此，金屬層21是分支的，在金屬層21的分支之間形成有絕緣材料層50。在金屬層21之下可形成阻焊層23，并搭載多個(gè)焊料球22。

此外，在此，在樹(shù)脂密封材料層17上也形成有通孔15這一方面與圖8的結(jié)構(gòu)相同，但是該通孔15構(gòu)成為，隨著在從半導(dǎo)體元件16的一側(cè)朝向絕緣材料層13的一側(cè)的方向上前進(jìn)(隨著朝向下方)而變窄，這與圖8的結(jié)構(gòu)不同。另外，阻焊層23不僅形成在半導(dǎo)體元件16之下，而且形成在半導(dǎo)體元件16之上，這與圖8的結(jié)構(gòu)不同。另外，阻焊層23也填充于樹(shù)脂密封材料層17的通孔15之中。在這種結(jié)構(gòu)的情況下，可以在除了配置通孔15的區(qū)域之外的部位且在配置于該半導(dǎo)體元件16之上的連接用端子21z1之上，配置搭載在該半導(dǎo)體元件16之上的另一個(gè)封裝了的半導(dǎo)體元件的端子。

圖10為示出半導(dǎo)體封裝件10的變形例4的截面圖。在該示例中，在半導(dǎo)體元件16之上配置有連接用端子部21z1(布線層)，更在這之上還配置有連接用的端子部21z2。因此能夠在包括形成在樹(shù)脂密封材料層17上的通孔15的正上方的上部面配置連接用的端子。

在該示例中，也在半導(dǎo)體元件16之下可形成絕緣材料層13。在絕緣材料層13中可形成多個(gè)通孔15。在這些通孔15之中和絕緣材料層13之下可形成金屬層21。另外，在此，金屬層21是分支的，在金屬層21的分支之間形成有緣材料層50。在金屬層21之下可形成阻焊層23，并配置多個(gè)焊料球22。

此外，在此，在樹(shù)脂密封材料層17中也形成有通孔15，這一方面與圖8的結(jié)構(gòu)相同，但是該通孔15形成為隨著在從半導(dǎo)體元件16的一側(cè)朝向絕緣材料層13的一側(cè)的方向上前進(jìn)(隨著朝向下方)而變窄，這一點(diǎn)與圖8的結(jié)構(gòu)不同。另外，絕緣材料層50不僅形成在半導(dǎo)體元件16之下，而且形成在半導(dǎo)體元件16之上，這一點(diǎn)與圖9的結(jié)構(gòu)不同。

圖7b為示出半導(dǎo)體封裝件10的變形例5的截面圖。如圖7b所示，也可以在半導(dǎo)體元件16的橫方向的端部一側(cè)的應(yīng)該配置電極16k的位置上配置無(wú)源部件30。該無(wú)源部件30可以使用例如電容器、電感器、電阻器等。

根據(jù)如上所述的實(shí)施例1至實(shí)施例5中的任意一個(gè)的結(jié)構(gòu)，在半導(dǎo)體元件16上形成絕緣材料層13的工序中，無(wú)需在阻擋金屬配置于半導(dǎo)體元件16的跟前(與電極16k相鄰)的狀態(tài)下照射激光，即可在絕緣材料層13上形成通孔15。其結(jié)果是，無(wú)需為了形成通孔15而設(shè)置阻擋金屬，因此能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體封裝件10的制造成本的相應(yīng)程度的下降。由此，能夠提供與以往相比，可減少用于形成通孔的部件而形成通孔的半導(dǎo)體封裝件的制造方法。

另外，消除了在加工通孔15時(shí)對(duì)于半導(dǎo)體元件16的損傷的風(fēng)險(xiǎn)，并且提高了設(shè)計(jì)的自由度，能夠通過(guò)與引線連接的結(jié)構(gòu)的組合，來(lái)實(shí)現(xiàn)可應(yīng)對(duì)狹窄的焊盤間距的結(jié)構(gòu)。例如，在以往的方法中也存在如下的情況，即，在晶片級(jí)封裝中，利用光刻技術(shù)且使用感光性絕緣材料來(lái)形成通孔。在通過(guò)該光刻技術(shù)形成通孔的情況下，除了材料成本高的問(wèn)題之外，還存在絕緣材料層的厚度限制而造成的設(shè)計(jì)制約等的問(wèn)題。例如，由于顯影工序中的分辨率或殘余應(yīng)力引起的翹曲的發(fā)生，而存在厚度制約。根據(jù)本實(shí)施方式的方法，具有能夠減少這些設(shè)計(jì)制約的優(yōu)點(diǎn)。

除了能夠以從電氣特性的觀點(diǎn)出發(fā)的優(yōu)選厚度來(lái)形成絕緣層之外，還可以自由地選擇地材料并可以應(yīng)對(duì)翹曲。其結(jié)果是，可以使厚度比為了減少層之間的電容而預(yù)設(shè)的15μm左右更厚。

另外，由于減少了形成半導(dǎo)體封裝件10的材料的種類，因此能夠抑制半導(dǎo)體封裝件10的翹曲。此外，由于在加工了通孔15或?qū)Π雽?dǎo)體元件16進(jìn)行了芯片粘接之后進(jìn)行樹(shù)脂密封，因此緩和了通孔15與半導(dǎo)體元件16之間的偏差。

此外，在以往的使用阻擋金屬的情況下，通孔15形成為有底的孔狀，因此在照射了激光之后，難以去除在通孔的底部殘留的樹(shù)脂。若用于將這些通孔的底部的樹(shù)脂去除的稱作除膠渣的工序進(jìn)行得不夠徹底，則與金屬層21的接合面之間會(huì)夾有異物，因此會(huì)無(wú)法確?？煽啃?。與此相對(duì)，根據(jù)實(shí)施例及變形例1至5中的任意一個(gè)結(jié)構(gòu)，當(dāng)去除被激光照射的通孔15的底部的支承板11和第一粘接材料層12時(shí)，都不易殘留樹(shù)脂。其結(jié)果是，易于確保半導(dǎo)體封裝件的可靠性。