本發(fā)明涉及半導體技術領域，尤其是涉及一種發(fā)光層材料為以二苯并環(huán)庚烯為核心化合物的有機電致發(fā)光器件及其應用。
背景技術：
有機電致發(fā)光(OLED:Organic Light Emission Diodes)器件技術既可以用來制造新型顯示產(chǎn)品，也可以用于制作新型照明產(chǎn)品，有望替代現(xiàn)有的液晶顯示和熒光燈照明，應用前景十分廣泛。
OLED發(fā)光器件猶如三明治的結構，包括電極材料膜層，以及夾在不同電極膜層之間的有機功能材料，各種不同功能材料根據(jù)用途相互疊加在一起共同組成OLED發(fā)光器件。作為電流器件，當對OLED發(fā)光器件的兩端電極施加電壓，并通過電場作用有機層功能材料膜層中的正負電荷，正負電荷進一步在發(fā)光層中復合，即產(chǎn)生OLED電致發(fā)光。
當前，OLED顯示技術已經(jīng)在智能手機，平板電腦等領域獲得應用，進一步還將向電視等大尺寸應用領域擴展，但是，和實際的產(chǎn)品應用要求相比，OLED器件的發(fā)光效率，使用壽命等性能還需要進一步提升。
對于OLED發(fā)光器件提高性能的研究包括：降低器件的驅動電壓，提高器件的發(fā)光效率，提高器件的使用壽命等。為了實現(xiàn)OLED器件的性能的不斷提升，不但需要從OLED器件結構和制作工藝的創(chuàng)新，更需要OLED光電功能材料不斷研究和創(chuàng)新，創(chuàng)制出更高性能OLED的功能材料。
應用于OLED器件的OLED光電功能材料從用途上可劃分為兩大類，即電荷注入傳輸材料和發(fā)光材料，進一步，還可將電荷注入傳輸材料分為電子注入傳輸材料、電子阻擋材料、空穴注入傳輸材料和空穴阻擋材料，還可以將發(fā)光材料分為主體發(fā)光材料和摻雜材料。
為了制作高性能的OLED發(fā)光器件，要求各種有機功能材料具備良好的光電特性，譬如，作為電荷傳輸材料，要求具有良好的載流子遷移率，高玻璃化轉化溫度等，作為發(fā)光層的主體材料要求材料具有良好雙極性，適當?shù)腍OMO/LUMO能階等。
構成OLED器件的OLED光電功能材料膜層至少包括兩層以上結構，產(chǎn)業(yè)上應用的OLED器件結構，則包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層等多種膜層，也就是說應用于OLED器件的光電功能材料至少包含空穴注入材料，空穴傳輸材料，發(fā)光材料，電子傳輸材料等，材料類型和搭配形式具有豐富性和多樣性的特點。另外，對于不同結構的OLED器件搭配而言，所使用的光電功能材料具有較強的選擇性，相同的材料在不同結構器件中的性能表現(xiàn)，也可能完全迥異。
因此，針對當前OLED器件的產(chǎn)業(yè)應用要求，以及OLED器件的不同功能膜層，器件的光電特性需求，必須選擇更適合，具有高性能的OLED功能材料或材料組合，才能實現(xiàn)器件的高效率、長壽命和低電壓的綜合特性。就當前OLED顯示照明產(chǎn)業(yè)的實際需求而言，目前OLED材料的發(fā)展還遠遠不夠，落后于面板制造企業(yè)的要求，作為材料企業(yè)開發(fā)更高性能的有機功能材料顯得尤為重要。
技術實現(xiàn)要素：
針對現(xiàn)有技術存在的上述問題，本發(fā)明提供了一種以二苯并環(huán)庚烯為核心化合物作為發(fā)光層材料的有機電致發(fā)光器件及其應用。本發(fā)明化合物含有二苯并環(huán)庚烯結構，具有較高的玻璃化溫度和分子熱穩(wěn)定性，合適的HOMO能級，可作為發(fā)光層摻雜材料應用于有機發(fā)光二極管上，并篩選已知材料進行各功能層搭配和組合，新組合搭配器件具有良好的光電性能，能夠滿足OLED器件企業(yè)，特別是OLED顯示面板和OLED照明企業(yè)的需求。
本發(fā)明的技術方案如下：
一種含有以二苯并環(huán)庚烯為核心的化合物的有機電致發(fā)光器件，該器件包括空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層，該器件發(fā)光層材料包括含有二苯并環(huán)庚烯為核心的化合物，所述化合物結構式如通式(1)所示：
通式(1)中，R1、R2分別獨立的表示為取代或未取代的C6-40芳基、取代或未取代的3元環(huán)至40元環(huán)雜芳基的一種；R1與R2之間的虛線表示R1與R2可以連接成環(huán)或不成環(huán)；R1、R2相同或者不同；
R3、R4分別獨立的表示為通式(2)、通式(3)或通式(4)所示結構；
通式(2)中，R5、R6分別獨立地表示為取代或未取代的C6-40芳基、取代或未取代的3元環(huán)至40元環(huán)雜芳基中的一種；R5、R6相同或者不同；
通式(4)中，X1表示為氧原子、硫原子、C1-10直鏈烷基取代的亞烷基、C1-10支鏈烷基取代的亞烷基、芳基取代的亞烷基、烷基取代的叔胺基或芳基取代的叔胺基中的一種；
通式(3)和通式(4)中，R7、R8分別獨立的表示為氫原子或通式(5)所示結構；
其中，a選自X2、X3分別獨立的表示為氧原子、硫原子、C1-10直鏈烷基取代的亞烷基、C1-10支鏈烷基取代的亞烷基、芳基取代的亞烷基、烷基取代的叔胺基或芳基取代的叔胺基中的一種；通式(5)所示結構通過CL1-CL2鍵、CL2-CL3鍵、CL3-CL4鍵、CL4-CL5鍵、CL‘1-CL’2鍵、CL‘2-CL’3鍵、CL‘3-CL’4鍵或CL‘4-CL’5鍵和通式(3)或通式(4)連接。
優(yōu)選的，所述通式(1)中R1、R2和通式(2)中R5、R6的結構分別獨立的表示為：
中的任意一種。
優(yōu)選的，所述通式(3)的結構表示為：
中的任意一種。
優(yōu)選的，所述通式(4)的結構表示為：
任意一種。
優(yōu)選的，其特征在于所述化合物的具體結構式為：
中的任意一種。
本申請人還提供了所述以二苯并環(huán)庚烯為核心化合物制備方法：
當R3和R4相同時，具有如下反應式：
具體包括以下步驟：1)將中間體I和R3-H用甲苯溶解，其中，所述中間體I與R3-H的摩爾比為1:(2.0～3.0)；
2)向上述反應體系中加入Pd2(dba)3、三叔丁基膦、叔丁醇鈉；所述Pd2(dba)3與中間體I的摩爾比為(0.006～0.02):1，所述三叔丁基膦與中間體I的摩爾比為(0.006～0.02):1，所述叔丁醇鈉與中間體I的摩爾比為(3.0～5.0):1；
3)在惰性氣體的保護下，將上述混合溶液于95～110℃的溫度條件下反應10～24h，自然冷卻至室溫，過濾反應溶液，濾液旋蒸至無溶劑，過中性硅膠柱，得到目標產(chǎn)物；
當R3和R4不相同時，具有如下反應式：
具體包括以下步驟：1)將中間體I和R3-H用甲苯溶解，其中，所述中間體I與R3-H的摩爾比為1:(1.2～2.0)；
2)向1)中的反應體系中加入Pd2(dba)3、三叔丁基膦、叔丁醇鈉；；所述Pd2(dba)3與中間體I的摩爾比為(0.006～0.02):1，所述三叔丁基膦與中間體I的摩爾比為(0.006～0.02):1，所述叔丁醇鈉與中間體I的摩爾比為(2.0～3.0):1；
3)在惰性氣體的保護下，將上述混合溶液于95～110℃的溫度條件下反應10～24h，自然冷卻至室溫，并過濾反應溶液，濾液旋蒸至無溶劑，過中性硅膠柱，得到中間產(chǎn)物；
4)將中間產(chǎn)物和R4-H用甲苯溶解，其中，所述中間產(chǎn)物與R4-H的摩爾比為1:(1.2～2.0)；
5)向4)中的反應體系中加入Pd2(dba)3、三叔丁基膦、叔丁醇鈉；所述Pd2(dba)3與中間產(chǎn)物的摩爾比為(0.006～0.02):1，所述三叔丁基膦與中間產(chǎn)物的摩爾比為(0.006～0.02):1，所述叔丁醇鈉與中間產(chǎn)物的摩爾比為(2.0～3.0):1；
6)在惰性氣體的保護下，將上述混合溶液于95～110℃的溫度條件下反應10～24h，自然冷卻至室溫，并過濾反應溶液，濾液旋蒸至無溶劑，過中性硅膠柱，得到目標產(chǎn)物。
本申請人提供的有機電致發(fā)光器件還包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子傳輸層，該有機電致發(fā)光器件的發(fā)光層材料包括以二苯并環(huán)庚烯為核心的化合物。
優(yōu)選的，所述以二苯并環(huán)庚烯為核心化合物作為發(fā)光層的摻雜材料；所述發(fā)光層的主體材料為含有蒽基的化合物，所述含有蒽基的化合物的結構如通式(6)所示：
通式(6)中，B1-B8分別獨立的表示為氫原子、C1-30直鏈或支鏈烷基取代的烷基或烷氧基、取代或未取代的C6-30芳基、取代或未取代的3元環(huán)至30元環(huán)雜芳基；B9、B10分別獨立表示為取代或未取代的C6-30芳基、取代或未取代的3元至30元雜芳基。通式(6)優(yōu)選結構式為：中的任意一種。
優(yōu)選的，所述空穴傳輸層的材料為含有三芳基胺基團的化合物，所述含有三芳基胺基團的化合物的結構如通式(7)所示：
通式(7)中，D1-D3分別獨立的表示取代或未取代的C6-30芳基、取代或未取代的3元環(huán)至50元環(huán)雜芳基；D1-D3相同或者不同。通式(7)優(yōu)選結構式為：
中的任意一種。
優(yōu)選的，所述電子傳輸層的材料為下列通式(8)、(9)、(10)、(11)、(12)所示材料中的一種：
通式(8)、通式(9)、通式(10)、通式(11)、通式(12)中E1-E10分別獨立選自氫、C1-30直鏈或支鏈烷基取代的烷基或烷氧基、取代或未取代的C6-40芳基、取代或未取代的3元環(huán)至30元環(huán)雜芳基，且E1-E10不同時為氫。
其中，通式(8)的優(yōu)選結構式為：
所述通式(9)優(yōu)選結構式為：
所述通式(10)優(yōu)選結構式為：
所述通式(11)優(yōu)選結構式為：
所述通式(12)優(yōu)選結構式為：
優(yōu)選的，所述空穴注入層材料為下列結構通式(13)、(14)、(15)所示材料中的一種：
通式(13)中，F(xiàn)1-F3分別獨立的表示取代或未取代的C6-30芳基、取代或未取代的3元至30元雜芳基；F1-F3相同或者不同。
通式(14)、通式(15)中，G1-G6分別獨立的表示氫、腈基、鹵素、酰胺基、烷氧基、酯基、硝基、C1-30直鏈或支鏈烷基取代的碳原子、取代或未取代的C6-30芳基、3元環(huán)至30元環(huán)雜芳基且G1-G6不同時為氫。
其中，通式(13)優(yōu)選結構式為：
所述通式(14)優(yōu)選結構式為：
所述通式(15)優(yōu)選結構式為：
優(yōu)選的，該電子注入層材料為鋰、鋰鹽或銫鹽中的一種。其中所述鋰鹽為8-羥基喹啉鋰、氟化鋰、碳酸鋰或疊氮化鋰中的一種；所述銫鹽為氟化銫、碳酸銫或疊氮化銫中的一種。
本申請人還提供了一種所述有機電致發(fā)光器件的應用，其用于制備OLED照明或顯示面板。本發(fā)明有益的技術效果在于：
傳統(tǒng)二苯乙烯芳基藍色發(fā)光材料在固態(tài)時，存在濃度淬滅等問題，導致發(fā)光峰變寬、光譜紅移、熒光量子效率下降。所以，一般將它們以低濃度的方式摻雜在具有某種載流子性質(zhì)的主體中，即使低濃度摻雜，所制得的器件外量子效率只有2-3％，本發(fā)明材料二苯并環(huán)庚烯將雙鍵成環(huán)，減少了化合物結晶的可能性，又提高了化合物的玻璃化轉變溫度，避免分子間的聚集作用，易于實現(xiàn)主客體材料之間能量傳遞，并且在高摻雜濃度時，不易產(chǎn)生效率下降，易于獲得器件的高效率。母核結構中雙鍵的存在也是本發(fā)明材料在器件應用時產(chǎn)生長壽命的主要因素。本發(fā)明材料在支鏈引入具有空穴傳輸性能的二芳胺基電子給體，通常連有N,N-二芳胺基電子給體的π共軛體系都是具有高熒光量子效率的藍光材料。
所述以二苯并環(huán)庚烯為核心的化合物作為OLED發(fā)光器件的摻雜材料時，器件的電流效率，功率效率和外量子效率均得到很大改善；同時，對于器件壽命提升非常明顯。進一步的，在OLED器件層結構搭配上，引入空穴和電子注入層后，使透明陽極、金屬陰極和有機材料接觸界面更穩(wěn)定，空穴、電子注入效果提升；空穴傳輸層又可疊層為兩層或多層，鄰接發(fā)光層一側的空穴傳輸層又可以命名為電子阻擋層(EBL)，提供電子阻擋作用，使發(fā)光層內(nèi)激子復合效率提升，鄰接空穴注入層一側的空穴傳輸層則起到空穴傳輸及降低激子傳遞壁壘的作用；電子傳輸層又可疊層為兩層或多層，鄰接發(fā)光層一側的電子傳輸層又可以命名為空穴阻擋層(HBL)，提供空穴阻擋作用，使發(fā)光層內(nèi)激子復合效率提升，鄰接電子注入層一側的電子傳輸層則起到電子傳輸及降低激子傳遞壁壘的作用。然而，應當指出，這些層中的每個都并非必須存在。
本發(fā)明所述OLED器件化合物的組合效果：使得器件的驅動電壓降低，電流效率、功率效率、外量子效率得到進一步提高，器件壽命提升效果明顯。在OLED發(fā)光器件中具有良好的應用效果，具有良好的產(chǎn)業(yè)化前景。令人預料不到地，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在下文中更詳細描述的化合物組合實現(xiàn)了這個目的，并且導致有機電致發(fā)光器件的改進，特別是電壓、效率和壽命的改進。這特別適用于藍色熒光的電致發(fā)光器件，尤其是在使用本發(fā)明的器件結構及材料組合時，情況如此。
附圖說明
圖1為本發(fā)明所列舉的材料應用于OLED器件的結構示意圖；
其中，1、透明襯底、2、ITO陽極層、3、空穴注入層(HIL)、4、空穴傳輸層(HTL)、5、電子阻擋層(EBL)、6、發(fā)光層(EML)、7、空穴阻擋層(HBL)、8、電子傳輸層(ETL)、9、電子注入層(EIL)、10、陰極反射電極層。
具體實施方式
實施例1：基于母核結構的中間體I和基于通式(2)中的支鏈結構中間體II的合成
a.基于母核結構的中間體I的合成：當R1與R2未連接成環(huán)時，中間體I的合成為:
上述制備方法具體地包括以下步驟：
1)R1-Br和鎂粉為原料，所述R1-Br和鎂粉摩爾比例為1:1，加入四氫呋喃，氮氣氛圍下，加熱至70℃，回流反應3-5小時，無鎂粉剩余，反應完全，生成格式試劑；上述的所述四氫呋喃的用量優(yōu)選為1gR1-Br加入3-6ml四氫呋喃，
2)稱取原料U溶于四氫呋喃中，所述原料U和所述R1-Br摩爾比為1:1，然后滴加步驟1)制備的格式試劑，滴加結束后，加熱至60-70℃，回流反應10-25小時，生成大量白色的格式鹽沉淀，反應結束，然后滴加飽和NHCl4溶液，將所述格式鹽轉化為叔醇；再用乙醚萃取獲得萃取液，所述萃取液用無水硫酸鈉干燥，然后旋蒸脫溶劑至無餾分，獲得叔醇粗產(chǎn)物，所得叔醇粗產(chǎn)物用石油醚：二氯甲烷混合溶劑過中性硅膠柱，得到固體叔醇化合物；優(yōu)選地上述的石油醚：二氯甲烷的體積比3:2；步驟2)中的所述四氫呋喃的用量優(yōu)選為每1g原料U溶于4-8ml四氫呋喃；所述乙醚的用量為1g叔醇化合物加入5-10ml乙醚中。
3)按1:2當量稱取固體叔醇化合物和R2-H，溶于二氯甲烷中，所述二氯甲烷的用量為1g固體叔醇純化合物溶于5-8ml二氯甲烷中，室溫條件下再滴加三氟化硼·乙醚絡合物，所述固體叔醇化合物與三氟化硼·乙醚絡合物摩爾比例為1:1.5，反應30-60分鐘，然后加入乙醇和水淬滅反應，然后用二氯甲烷萃取，無水硫酸鈉干燥，旋蒸脫溶劑至無餾分，石油醚過中性硅膠柱，乙醇：二氯甲烷混合溶劑重結晶，得到中間體I優(yōu)選地，所述乙醇：二氯甲烷混合溶劑中乙醇和二氯甲烷體積比1:1。
當R1與R2連接成環(huán)時，中間體I的合成為：
稱取一溴代物Br-R1-R2溶于四氫呋喃中，冷卻至-78℃，，然后逐滴加入2.5mol/L正丁基鋰的正己烷溶液，滴加結束后，在-78℃的溫度下反應30分鐘，然后向反應體系中滴加原料U的四氫呋喃溶液，滴加結束后，升至室溫，反應10-15h，反應結束后，滴加飽和碳酸氫鈉溶液；再用二氯甲烷萃取獲得萃取液，所述萃取液用無水硫酸鎂干燥，然后旋蒸脫溶劑至無餾分，獲得叔醇產(chǎn)物，所述四氫呋喃的用量優(yōu)選為1g Br-R1-R2加入10-15ml四氫呋喃，每1g原料U溶于4-8ml四氫呋喃；所述正丁基鋰和所述Br-R1-R2摩爾比為1:1，所述原料U和所述Br-R1-R2摩爾比為1:1，所述二氯甲烷的用量為1g叔醇化合物加入5-10ml乙醚中。
將固體叔醇產(chǎn)物溶于乙酸中，加入12mol/L的鹽酸溶液，加熱至90-110℃，反應30分鐘，冷卻至室溫，用二氯甲烷萃取獲得萃取液，所述萃取液用無水硫酸鎂干燥，然后旋蒸脫溶劑至無餾分，獲得中間體I粗產(chǎn)物，中間體I粗產(chǎn)物過中性硅膠柱，乙醇：二氯甲烷混合溶劑重結晶，得中間體I優(yōu)選地，所述乙醇：二氯甲烷混合溶劑中乙醇和二氯甲烷體積比1:1。所述乙酸的用量優(yōu)選為1g固體叔醇產(chǎn)物加入5-8ml乙酸；所述12mol/L的鹽酸溶液和叔醇產(chǎn)物摩爾比為(0.04-0.06):1。
當R1與R2不連接成環(huán)時，以中間體A1的合成為例：
1)250ml的三口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.05mol溴苯和0.05mol Mg粉，60ml四氫呋喃，加熱至70℃，回流反應4小時，無鎂粉剩余，反應完全，生成格式試劑；250ml的三口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.05mol3，7-二溴-5-二苯并環(huán)庚烯酮，50ml四氫呋喃攪拌溶解，滴加上述格式試劑，60℃反應24小時，生成大量白色沉淀，最后加入飽和NHCl4將格式鹽轉化為醇；反應完畢后，乙醚萃取，干燥旋蒸，石油醚：二氯甲烷混合溶劑(3:2)硅膠柱純化，得到略帶黃色的固體叔醇，HPLC純度99.2％，收率為83.2％；
元素分析結構(分子式C21H14Br2O)：理論值C,69.44；H,4.16；Br,22.00；O,4.40；測試值：C,69.42；H,4.15；Br,22.01；O,4.42。HPLC-MS：材料分子量為362.03，實測分子量362.33。
2)按1:2當量取0.04mol上述叔醇和0.08mol苯，100ml二氯甲烷攪拌混合，在室溫條件下滴加8ml三氟化硼·乙醚絡合物，反應30分鐘，加入20ml乙醇和20ml水淬滅反應，用二氯甲烷(20ml*3)萃取，干燥旋蒸，石油醚硅膠柱純化，用乙醇：二氯甲烷(體積比1:1)重結晶，得到中間體A1，HPLC純度99.5％，收率為75.5％；元素分析結構(分子式C27H18Br2)：理論值C,64.57；H,3.61；Br,31.82；測試值：C,64.56；H,3.63；Br,31.81。
HPLC-MS：材料分子量為499.98，實測分子量500.15。
當R1與R2連接成環(huán)時，以中間體B1的合成為例：
250ml的三口瓶，在通入氮氣的氣氛下，加入0.05mol4-溴-1,1’-聯(lián)苯，50ml四氫呋喃溶解完全，冷卻至-78℃，逐滴加入0.05mol2.5mol/L正丁基鋰的正己烷溶液，在-78℃下反應30分鐘，然后向反應體系中滴加0.05mol3，7-二溴-5-二苯并環(huán)庚烯酮的四氫呋喃溶液(30ml)，升至室溫反應12h，最后加入飽和碳酸氫鈉溶液淬滅；二氯甲烷萃取，干燥旋蒸至無餾分得到中間產(chǎn)物叔醇。然后稱取0.02mol中間產(chǎn)物叔醇，加入到8ml乙酸中，加熱至100℃，反應30分鐘，將體系降至室溫，二氯甲烷萃取，干燥旋蒸至無餾分，粗產(chǎn)物用石油醚硅膠柱純化，用乙醇：二氯甲烷(體積比1:1)重結晶，得到中體間B1，HPLC純度99.6％，收率為71.5％；
元素分析結構(分子式C27H16Br2)：理論值C,64.83；H,3.22；Br,31.95；測試值：C,64.84；H,3.20；Br,31.96。HPLC-MS：材料分子量為497.96，實測分子量498.18。
b.基于通式(2)中支鏈結構的中間體II的合成：合成：
1)將R5-Br和R6-NH2用甲苯溶解，其中，所述R5-Br與R6-NH2的摩爾比為1:(1.2～2.0)；
2)向上述反應體系中加入Pd2(dba)3、三叔丁基膦、叔丁醇鈉；所述Pd2(dba)3與R5-Br的摩爾比為(0.006～0.02):1，所述三叔丁基膦與R5-Br的摩爾比為(0.006～0.02):1，所述叔丁醇鈉與R5-Br的摩爾比為(2.0～3.0):1；
3)在惰性氣體的保護下，將上述混合溶液于95～110℃的溫度條件下反應10～24h，自然冷卻至室溫，并過濾反應溶液，濾液旋蒸至無溶劑，過中性硅膠柱，得到目標產(chǎn)物；
選取中間體C1的合成為例：
在250ml的三口瓶中，通氮氣保護下，加入0.05mol溴苯，0.06mol苯胺，150ml甲苯攪拌混合，然后加入0.15mol叔丁醇鈉，5×10-4molPd2(dba)3，5×10-4mol三叔丁基膦，加熱至105℃，回流反應24小時，取樣點板，顯示無溴代物剩余，反應完全；自然冷卻至室溫，過濾，濾液進行減壓旋蒸(-0.09MPa，85℃)，過中性硅膠柱，得到二苯胺，HPLC純度99.3％，收率66.8％；
元素分析結構(分子式C12H11N)：理論值C,85.17；H,6.55；N,8.28；測試值：C,85.16；H,6.57；N,8.27。HPLC-MS：材料分子量為169.09，實測分子量169.31。
以中間體A1的合成方法制備中間體I，合成中所需原料及中間體I的具體結構如表1所示；以中間體B1的合成方法制備中間體I，合成中所需原料及中間體I的具體結構如表2所示；以中間體C1的合成方法制備支鏈結構中間體II，合成中所需原料及中間體II的具體結構如表3所示。
表1
表2
表3
實施例2：化合物1的合成：
在250ml的三口瓶中，通氮氣保護下，加入0.01mol中間體A1，0.024mol中間體C1，150ml甲苯攪拌混合，然后加入0.04mol叔丁醇鈉，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，加熱至105℃，回流反應24小時，取樣點板，顯示無溴代物剩余，反應完全；自然冷卻至室溫，過濾，濾液進行減壓旋蒸(-0.09MPa，85℃)，過中性硅膠柱，得到目標產(chǎn)物，HPLC純度99.5％，收率66.8％；
元素分析結構(分子式C51H38N2)：理論值C,90.23；H,5.64；N,4.13；測試值：C,90.24；H,5.65；N,4.11。HPLC-MS：材料分子量為678.30，實測分子量678.57。
實施例3：化合物3的合成：
在250ml的三口瓶中，通氮氣保護下，加入0.01mol中間體A1，0.024mol中間體C2，150ml甲苯攪拌混合，然后加入0.04mol叔丁醇鈉，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，加熱至105℃，回流反應24小時，取樣點板，顯示無溴代物剩余，反應完全；自然冷卻至室溫，過濾，濾液進行減壓旋蒸(-0.09MPa，85℃)，過中性硅膠柱，得到目標產(chǎn)物，HPLC純度99.7％，收率64.4％；
元素分析結構(分子式C69H54N2O2)：理論值C,87.87；H,5.77；N,2.97；O,3.39；測試值：C,87.86；H,5.76；N,2.98；O,3.40。HPLC-MS：材料分子量為942.42，實測分子量942.71。
實施例4：化合物4的合成：
按實施例2中化合物1的合成方法制備，不同點在于用中間體C3代替中間體C1；
元素分析結構(分子式C59H54N2)：理論值C,89.58；H,6.88；N,3.54；測試值：C,89.57；H,6.87；N,3.56。HPLC-MS：材料分子量為790.43，實測分子量790.68。
實施例5：化合物13的合成：
按實施例2中化合物1的合成方法制備，不同點在于用中間體C4代替中間體C1；
元素分析結構(分子式C67H50N2O2)：理論值C,87.94；H,5.51；N,3.06；O,3.50；測試值：C,87.95；H,5.50；N,3.04；O,3.51。HPLC-MS：材料分子量為914.39，實測分子量914.66。
實施例6：化合物18的合成：
在250ml的三口瓶中，通氮氣保護下，加入0.01mol中間體B1，0.024mol中間體C1，150ml甲苯攪拌混合，然后加入0.04mol叔丁醇鈉，1×10-4molPd2(dba)3，1×10-4mol三叔丁基膦，加熱至105℃，回流反應24小時，取樣點板，顯示無溴代物剩余，反應完全；自然冷卻至室溫，過濾，濾液進行減壓旋蒸(-0.09MPa，85℃)，過中性硅膠柱，得到目標產(chǎn)物，HPLC純度99.2％，收率64.1％；
元素分析結構(分子式C51H36N2)：理論值C,90.50；H,5.36；N,4.14；測試值：C,90.52；H,5.35；N,4.13。HPLC-MS：材料分子量為676.29，實測分子量676.55。
實施例7：化合物20的合成：
按實施例6中化合物18的合成方法制備，不同點在于用中間體C3代替中間體C1；
元素分析結構(分子式C59H52N2)：理論值C,89.81；H,6.64；N,3.55；測試值：C,89.82；H,6.64；N,3.54。HPLC-MS：材料分子量為788.41，實測分子量788.73。
實施例8：化合物23的合成：
按實施例6中化合物18的合成方法制備，不同點在于用中間體C5代替中間體C1；
元素分析結構(分子式C63H60N2)：理論值C,89.53；H,7.16；N,3.31；測試值：C,89.52；H,7.15；N,3.33；HPLC-MS：材料分子量為844.48，實測分子量844.74。
實施例9：化合物26的合成：
按實施例2中化合物1的合成方法制備，不同點在于用中間體C6代替中間體C1；
元素分析結構(分子式C75H66N2)：理論值C,90.50；H,6.68；N,2.81；測試值：C,90.51；H,6.67；N,2.82；HPLC-MS：材料分子量為994.52，實測分子量994.83。
實施例10：化合物35的合成：
按實施例6中化合物18的合成方法制備，不同點在于用中間體C2代替中間體C1；
元素分析結構(分子式C69H52N2O2)：理論值C,88.05；H,5.57；N,2.98；O,3.40；測試值：C,88.06；H,5.56；N,2.97；O,3.41。HPLC-MS：材料分子量為940.40，實測分子量940.68。
實施例11：化合物36的合成：
按實施例6中化合物18的合成方法制備，不同點在于用中間體C4代替中間體C1；
元素分析結構(分子式C67H48N2O2)：理論值C,88.13；H,5.30；N,3.07；O,3.50；測試值：C,88.12；H,5.31；N,3.06；O,3.51；HPLC-MS：材料分子量為912.37，實測分子量912.61。
實施例12：化合物37的合成：
按實施例6中化合物18的合成方法制備，不同點在于用中間體C7代替中間體C1；
元素分析結構(分子式C67H48N2O2)：理論值C,88.13；H,5.30；N,3.07；O,3.50；測試值：C,88.11；H,5.31；N,3.06；O,3.52。HPLC-MS：材料分子量為912.37，實測分子量912.65。
實施例13：化合物39的合成：
按實施例6中化合物18的合成方法制備，不同點在于用中間體C8代替中間體C1；
元素分析結構(分子式C71H56N2O2)：理論值C,87.98；H,5.82；N,2.89；O,3.30；測試值：C,87.97；H,5.81；N,2.90；O,3.32。HPLC-MS：材料分子量為968.43，實測分子量968.74。
實施例14：化合物44的合成：
按實施例2中化合物1的合成方法制備，不同點在于用中間體A2代替中間體A1；
元素分析結構(分子式C50H37N3)：理論值C,88.33；H,5.49；N,6.18；測試值：C,88.34；H,5.47；N,6.19。HPLC-MS：材料分子量為679.30，實測分子量679.67。
實施例15：化合物49的合成：
按實施例6中化合物18的合成方法制備，不同點在于用中間體C9代替中間體C1；
元素分析結構(分子式C75H48N2O2)：理論值C,89.26；H,4.79；N,2.78；O,3.17；測試值：C,89.25；H,4.80；N,2.79；O,3.16。HPLC-MS：材料分子量為1008.37，實測分子量1008.77。
實施例16：化合物51的合成：
按實施例7中化合物20的合成方法制備，不同點在于用中間體B2代替中間體B1；
元素分析結構(分子式C65H64N2)：理論值C,89.40；H,7.39；N,3.21；測試值：C,89.41；H,7.37；N,3.22。HPLC-MS：材料分子量為872.51，實測分子量872.83。
實施例17：化合物59的合成：
按實施例6中化合物18的合成方法制備，不同點在于用中間體C10代替中間體C1；
元素分析結構(分子式C73H64N2)：理論值C,90.45；H,6.66；N,2.89；測試值：C,90.44；H,6.68；N,2.88。HPLC-MS：材料分子量為968.51，實測分子量968.86。
實施例18：化合物71的合成：
按實施例6中化合物18的合成方法制備，不同點在于用中間體D1代替中間體C1；
元素分析結構(分子式C63H36N2O2)：理論值C,88.71；H,4.25；N,3.28；O,3.75；測試值：C,88.70；H,4.24；N,3.30；O,3.76。HPLC-MS：材料分子量為852.28，實測分子量852.55。
實施例19：化合物81的合成：
按實施例2中化合物1的合成方法制備，不同點在于用中間體A3代替中間體A1，中間體D2代替中間體C1；
元素分析結構(分子式C77H54N2O2)：理論值C,88.99；H,5.24；N,2.70；O,3.08；測試值：C,88.98；H,5.25；N,2.72；O,3.05。HPLC-MS：材料分子量為1038.42，實測分子量1038.69。
實施例20：化合物104的合成：
按實施例2中化合物1的合成方法制備，不同點在于用中間體A4代替中間體A1，中間體E1代替中間體C1；
元素分析結構(分子式C85H76N2)：理論值C,90.71；H,6.81；N,2.49；測試值：C,90.72；H,6.80；N,2.48。HPLC-MS：材料分子量為1124.60，實測分子量1124.97。
實施例21：化合物112的合成：
按實施例6中化合物18的合成方法制備，不同點在于用中間體C11代替中間體C1；
元素分析結構(分子式C67H68N2)：理論值C,89.29；H,7.60；N,3.11；測試值：C,89.30；H,7.60；N,3.10。HPLC-MS：材料分子量為900.54，實測分子量900.54。
實施例22：化合物124的合成：
按實施例6中化合物18的合成方法制備，不同點在于用中間體C12代替中間體C1；
元素分析結構(分子式C69H56N2)：理論值C,90.75；H,6.18；N,3.07；測試值：C,90.74；H,6.20；N,3.06。HPLC-MS：材料分子量為912.44，實測分子量912.73。
實施例23：化合物129的合成：
按實施例6中化合物18的合成方法制備，不同點在于用中間體C13代替中間體C1；
元素分析結構(分子式C71H48N6)：理論值C,86.56；H,4.91；N,8.53；測試值：C,86.54；H,4.92；N,8.54。HPLC-MS：材料分子量為984.39，實測分子量984.76。
實施例24：化合物137的合成：
按實施例7中化合物20的合成方法制備，不同點在于用中間體B3代替中間體B1；
元素分析結構(分子式C59H52N2)：理論值C,89.81；H,6.64；N,3.55；測試值：C,89.80；H,6.63；N,3.57。HPLC-MS：材料分子量為788.41，實測分子量788.78。
實施例25：化合物143的合成：
按實施例6中化合物18的合成方法制備，不同點在于用中間體E2代替中間體C1；
元素分析結構(分子式C57H44N2)：理論值C,90.44；H,5.86；N,3.70；測試值：C,90.45；H,5.84；N,3.71。HPLC-MS：材料分子量為756.35，實測分子量756.66。
實施例26：化合物167的合成：
1)在250ml的三口瓶中，通氮氣保護下，加入0.01mol中間體B1，0.012mol中間體C3，150ml甲苯攪拌混合，然后加入0.03mol叔丁醇鈉，5×10-5molPd2(dba)3，5×10-5mol三叔丁基膦，加熱至105℃，回流反應24小時，取樣點板，顯示無溴代物剩余，反應完全；自然冷卻至室溫，過濾，濾液進行減壓旋蒸至無餾分(-0.09MPa，85℃)，過中性硅膠柱，得到中間產(chǎn)物，HPLC純度99.8％，收率65.3％；
元素分析結構(分子式C43H34BrN)：理論值C,80.12；H,5.32；Br,12.40；N,2.17；測試值：C,80.11；H,5.31；Br,12.40；N,2.18。HPLC-MS：材料分子量為643.19，實測分子量643.52。
2)在250ml的三口瓶中，通氮氣保護下，加入0.005mol中間產(chǎn)物，0.006mol中間體E3，150ml甲苯攪拌混合，然后加入0.015mol叔丁醇鈉，2.5×10-5molPd2(dba)3，2.5×10-5mol三叔丁基膦，加熱至105℃，回流反應24小時，取樣點板，顯示無溴代物剩余，反應完全；自然冷卻至室溫，過濾，濾液進行減壓旋蒸(-0.09MPa，85℃)，過中性硅膠柱，得到目標產(chǎn)物，HPLC純度99.6％，收率68.8％；
元素分析結構(分子式C64H50N2O2)：理論值C,87.44；H,5.73；N,3.19；O,3.64；測試值：C,87.43；H,5.72；N,3.20；O,3.65。HPLC-MS：材料分子量為878.39，實測分子量878.77。
實施例27：化合物172的合成：
按實施例6中化合物18的合成方法制備，不同點在于用中間體C14代替中間體C1；
元素分析結構(分子式C59H52N2)：理論值C,89.81；H,6.64；N,3.55；測試值：C,89.82；H,6.62；N,3.56。HPLC-MS：材料分子量為788.41，實測分子量788.88。
本發(fā)明化合物可以作為發(fā)光層摻雜材料使用,對本發(fā)明化合物1、3、4、13、18、20、23、35、36、37、39、49、51、59、112、124、143、172和對比化合物BDI進行熱性能、發(fā)光光譜及HOMO能級的測試，測試結果如表4所示。
表4
注：玻璃化溫度Tg由示差掃描量熱法(DSC，德國耐馳公司DSC204F1示差掃描量熱儀)測定，升溫速率10℃/min；熱失重溫度Td是在氮氣氣氛中失重1％的溫度，在日本島津公司的TGA-50H熱重分析儀上進行測定，氮氣流量為20mL/min；λPL是樣品溶液熒光發(fā)射波長，利用日本拓普康SR-3分光輻射度計測定；最高占據(jù)分子軌道HOMO能級是電離能測試系統(tǒng)(IPS-3)測試，測試為大氣環(huán)境。
由上表數(shù)據(jù)可知，本發(fā)明化合物具有較高的熱穩(wěn)定性，適當?shù)腍OMO能級，適合作為發(fā)光層的摻雜材料；同時，本發(fā)明化合物具有合適的發(fā)光光譜，使得應用本發(fā)明化合物作為發(fā)光層材料的OLED器件效率和壽命得到提升。
以下通過器件實施例1～23和器件比較例1～2詳細說明本發(fā)明化合物組合在器件中的應用效果。本發(fā)明所述器件實施例2～23、器件比較例1～2與器件實施例1相比所述器件的制作工藝完全相同，并且所采用了相同的基板材料和電極材料，所不同的是，器件的層疊結構、搭配材料及膜層厚度有所不同。器件疊層結構如表5所示，所用關鍵原料的結構式如表6所示，各器件的性能測試結果見表7。
器件實施例1：器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：
該器件從下至上依次包括ITO陽極層2(厚度：150nm)、空穴注入層3(厚度：10nm，材料：HI1)、空穴傳輸層4(厚度：70nm，材料：HT6)、發(fā)光層6(厚度：25nm，材料：BH1和化合物1按重量比95：5混摻構成)、電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：ET2和EI1，質(zhì)量比1:1)及Al(厚度：80nm)。
具體制備過程如下：
1、對ITO陽極層2(膜厚為150nm)洗滌；所述洗滌具體優(yōu)選地是依次進行堿洗滌、純水洗滌、干燥后進行紫外線-臭氧洗滌以清除透明ITO表面的有機殘留物；
2、在所述洗滌后的ITO陽極層2上，利用真空蒸鍍裝置，蒸鍍空穴注入層，空穴注入層材料使用HI1；所述空穴注入層優(yōu)選的膜厚為10nm；此層作為器件結構中的空穴注入層3；
3、在空穴注入層3上，通過真空蒸鍍方式，蒸鍍空穴傳輸層，空穴傳輸層材料使用HT6；所述空穴傳輸層優(yōu)選的膜厚為70nm，此層作為器件結構中的空穴傳輸層4；
4、在空穴傳輸層4上，通過真空蒸鍍方式，蒸鍍發(fā)光層6，發(fā)光層材料使用BH1作為主體材料，化合物1作為摻雜材料，摻雜質(zhì)量比例為95：5；所述發(fā)光層優(yōu)選的膜厚為25nm，此層作為器件結構中的發(fā)光層6；
5、在發(fā)光層6上，通過真空蒸鍍方式，蒸鍍電子傳輸層8，電子傳輸層材料使用ET2和EI1混合摻雜，摻雜質(zhì)量比為1:1；所述電子傳輸層優(yōu)選的膜厚為35nm，此層作為器件結構中的電子傳輸層8；
6、在電子傳輸層8上，通過真空蒸鍍方式，蒸鍍陰極鋁(Al)層；所述陰極鋁(Al)層優(yōu)選的膜厚為80nm，此層為陰極反射電極層10使用；
如上所述，完成OLED發(fā)光器件制作后，用公知的驅動電路將陽極和陰極連接起來，測量器件的壽命，發(fā)光光譜以及器件的電流-電壓特性。測試結果見表7。
器件實施例2：器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：
該器件依次從下至上依次包括ITO陽極層2(厚度：150nm)、空穴注入層3(厚度：10nm，材料：HI1)、空穴傳輸層4(厚度：70nm，材料：HT5)、發(fā)光層6(厚度：25nm，材料：BH3和化合物3按重量比93：7混摻構成)、電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：ET2和EI1，質(zhì)量比1:1)及Al(厚度：80nm)。
器件實施例3：器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：
該器件依次從下至上依次包括ITO陽極層2(厚度：150nm)、空穴注入層3(厚度：10nm，材料：HI2)、空穴傳輸層4(厚度：70nm，材料：HT4)、發(fā)光層6(厚度：25nm，材料：BH2和化合物4按重量比92：8混摻構成)、電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：ET3和EI1，質(zhì)量比1:1)、電子注入層9(厚度：1nm，材料：LiN3)及Al(厚度：80nm)。
器件實施例4：該器件依次從下至上依次包括器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：
ITO陽極層2(厚度：150nm)、空穴注入層3(厚度：10nm，材料：HI1)、空穴傳輸層4(厚度：50nm，材料：HT3)、電子阻擋層5(厚度：20nm，材料：EB2)、發(fā)光層6(厚度：25nm，材料：BH3和化合物13按重量比94：6混摻構成)、電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：ET3和EI1，質(zhì)量比1:1)及Al(厚度：80nm)。
器件實施例5：該器件依次從下至上依次包括器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：
ITO陽極層2(厚度：150nm)、空穴注入層3(厚度：10nm，材料：HI1)、空穴傳輸層4(厚度：50nm，材料：HT5)、電子阻擋層5(厚度：20nm，材料：HT6)、發(fā)光層6(厚度：25nm，材料：BH1和化合物18按重量比93：7混摻構成)、電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：ET2和EI1，質(zhì)量比1:1)及Al(厚度：80nm)。
器件實施例6：該器件依次從下至上依次包括器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：
ITO陽極層2(厚度：150nm)、空穴注入層3(厚度：10nm，材料：HI1)、空穴傳輸層4(厚度：50nm，材料：HT5)、電子阻擋層5(厚度：20nm，材料：HT6)、發(fā)光層6(厚度：25nm，材料：BH1和化合物20按重量比93：7混摻構成)、電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：ET2和EI1，質(zhì)量比1:1)及Al(厚度：80nm)。
器件實施例7：器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：
該器件依次從下至上依次包括ITO陽極層2(厚度：150nm)、空穴注入層3(厚度：60nm，材料：HI3和HT3，按質(zhì)量比5:95混摻構成)、空穴傳輸層4(厚度：20nm，材料：HT3)、發(fā)光層6(厚度：25nm，材料：BH4和化合物23按重量比90：10混摻構成)、電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：ET3)、電子注入層9(厚度：1nm，材料：Li)及Al(厚度：80nm)。
器件實施例8：該器件依次從下至上依次包括器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：
ITO陽極層2(厚度：150nm)、空穴注入層3(厚度：10nm，材料：HI1)、空穴傳輸層4(厚度：50nm，材料：HT5)、電子阻擋層5(厚度：20nm，材料：HT6)、發(fā)光層6(厚度：25nm，材料：BH1和化合物35按重量比88：12混摻構成)、電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：ET2和EI1，質(zhì)量比1:1)及Al(厚度：80nm)。
器件實施例9：器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：
該器件依次從下至上依次包括ITO陽極層2(厚度：150nm)、空穴注入層3(厚度：60nm，材料：HI3和HT2，按質(zhì)量比2:98混摻構成)、空穴傳輸層4(厚度：20nm，材料：HT6)、發(fā)光層6(厚度：25nm，材料：BH1和化合物36按重量比95：5混摻構成)、電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：ET2和EI1，質(zhì)量比1:1)及Al(厚度：80nm)。
器件實施例10：器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：
該器件依次從下至上依次包括ITO陽極層2(厚度：150nm)、空穴注入層3(厚度：60nm，材料：HI4和HT3，按質(zhì)量比5:95混摻構成)、空穴傳輸層4(厚度：20nm，材料：HT6)、發(fā)光層6(厚度：25nm，材料：BH2和化合物37按重量比93：7混摻構成)、電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：ET4和EI1，質(zhì)量比1:1)、電子注入層9(厚度：1nm，材料：LiF)及Al(厚度：80nm)。
器件實施例11：器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：
該器件依次從下至上依次包括ITO陽極層2(厚度：150nm)、空穴注入層3(厚度：10nm，材料：HI1)、空穴傳輸層4(厚度：50nm，材料：HT6)、電子阻擋層5(厚度：20nm，材料：EB1)、發(fā)光層6(厚度：25nm，材料：BH3和化合物39按重量比92：8混摻構成)、空穴阻擋層7(厚度：20nm，材料：HB1)、電子傳輸層8(厚度：15nm，材料：ET2和EI1，質(zhì)量比1:1)及Al(厚度：80nm)。
器件實施例12：器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：
該器件依次從下至上依次包括ITO陽極層2(厚度：150nm)、空穴注入層3(厚度：50nm，材料：HI5和HT3，按質(zhì)量比5:95混摻構成)、空穴傳輸層4(厚度：20nm，材料：HT5)、電子阻擋層5(厚度：10nm，材料：EB3)、發(fā)光層6(厚度：25nm，材料：BH3和化合物49按重量比90：10混摻構成)/電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：ET2和EI1，質(zhì)量比1：1)、電子注入層9(厚度：1nm，材料：Cs2CO3)及Al(厚度：80nm)。
器件實施例13：器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：
該器件依次從下至上依次包括ITO陽極層2(厚度：150nm)、空穴注入層3(厚度：50nm，材料：HI6和HT4，按質(zhì)量比5:95混摻構成)、空穴傳輸層4(厚度：20nm，材料：HT6)、電子阻擋層5(厚度：10nm，材料：EB2)、發(fā)光層6(厚度：25nm，材料：BH3和化合物51按重量比90：10混摻構成)、電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：ET2和EI1，質(zhì)量比1：1)、電子注入層9(厚度：1nm，材料：EI1)及Al(厚度：80nm)。
器件實施例14：器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：
該器件依次從下至上依次包括ITO陽極層2(厚度：150nm)、空穴注入層3(厚度：10nm，材料：HI1)、空穴傳輸層4(厚度：50nm，材料：HT3)、電子阻擋層5(厚度：20nm，材料：EB1)、發(fā)光層6(厚度：25nm，材料：BH3和化合物59按重量比94：6混摻構成)、空穴阻擋層7(厚度：25nm，材料：HB1)、電子傳輸層8(厚度：10nm，材料：ET5)、電子注入層9(厚度：1nm，材料：EI1)及Al(厚度：80nm)。
器件實施例15：器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：
該器件依次從下至上依次包括ITO陽極層2(厚度：150nm)、空穴注入層3(厚度：60nm，材料：HI3和HT4，按質(zhì)量比2:98混摻構成)、空穴傳輸層4(厚度：20nm，材料：HT6)、發(fā)光層6(厚度：25nm，材料：BH4和化合物112按重量比93：7混摻構成)、空穴阻擋層7(厚度：15nm，材料：HB1)、電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：ET2和EI1，質(zhì)量比1：1)及Al(厚度：80nm)。
器件實施例16：器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：
該器件依次從下至上依次包括ITO陽極層2(厚度：150nm)、空穴注入層3(厚度：50nm，材料：HI5和HT6，按質(zhì)量比5:95混摻構成)、空穴傳輸層4(厚度：20nm，材料：HT6)、電子阻擋層5(厚度：10nm，材料：EB2)、發(fā)光層6(厚度：25nm，材料：BH5和化合物124按重量比95：5混摻構成)、空穴阻擋層7(厚度：15nm，材料：HB1)、電子傳輸層8(厚度：20nm，材料：ET2和EI1，質(zhì)量比1：1)、電子注入層9(厚度：1nm，材料：Li2CO3)及Al(厚度：80nm)。
器件實施例17：器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：
該器件依次從下至上依次包括ITO陽極層2(厚度：150nm)、空穴注入層3(厚度：60nm，材料：HI5和HT3，按質(zhì)量比5:95混摻構成)、空穴傳輸層4(厚度：20nm，材料：HT6)、發(fā)光層6(厚度：25nm，材料：BH5和化合物143按重量比95：5混摻構成)、空穴阻擋層7(厚度：15nm，材料：HB1)、電子傳輸層8(厚度：20nm，材料：ET6)、電子注入層9(厚度：1nm，材料：CsF)及Al(厚度：80nm)。
器件實施例18：器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：
該器件依次從下至上依次包括ITO陽極層2(厚度：150nm)、空穴注入層3(厚度：50nm，材料：HI5和HT3，按質(zhì)量比5:95混摻構成)、空穴傳輸層4(厚度：20nm，材料：HT6)、電子阻擋層5(厚度：10nm，材料：EB2)、發(fā)光層6(厚度：25nm，材料：BH5和化合物172按重量比94：6混摻構成)、電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：ET2和EI1，質(zhì)量比1：1)、電子注入層9(厚度：1nm，材料：CsN3)及Al(厚度：80nm)。
器件實施例19：器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：
該器件依次從下至上依次包括ITO陽極層2(厚度：150nm)、空穴注入層3(厚度：10nm，材料：HI1)、空穴傳輸層4(厚度：50nm，材料：HT5)、電子阻擋層5(厚度：20nm，材料：HT6)、發(fā)光層6(厚度：25nm，材料：BH4和化合物18按重量比93：7混摻構成)、電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：ET2和EI1，質(zhì)量比1：1)及Al(厚度：80nm)。
器件實施例20：器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：
該器件依次從下至上依次包括ITO陽極層2(厚度：150nm)、空穴注入層3(厚度：60nm，材料：HI4和HT3，按質(zhì)量比5:95混摻構成)、空穴傳輸層4(厚度：20nm，材料：HT6)、發(fā)光層6(厚度：25nm，材料：BH4和化合物20按重量比88：12混摻構成)、電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：ET7和EI1，質(zhì)量比1:1)、電子注入層9(厚度：1nm，材料：LiF)及Al(厚度：80nm)。
器件實施例21：器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：
該器件依次從下至上依次包括ITO陽極層2(厚度：150nm)、空穴注入層3(厚度：10nm，材料：HI1)、空穴傳輸層4(厚度：50nm，材料：HT5)、電子阻擋層5(厚度：20nm，材料：HT6)、發(fā)光層6(厚度：25nm，材料：BH4和化合物35按重量比85：15混摻構成)、電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：ET3和EI1，質(zhì)量比1:1)及Al(厚度：80nm)。
器件實施例22：器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：
該器件依次從下至上依次包括ITO陽極層2(厚度：150nm)、空穴注入層3(厚度：60nm，材料：HI5和HT3，按質(zhì)量比5:95混摻構成)、空穴傳輸層4(厚度：20nm，材料：HT6)、發(fā)光層6(厚度：25nm，材料：BH5和化合物172按重量比95：5混摻構成)、空穴阻擋層7(厚度：15nm，材料：HB1)、電子傳輸層8(厚度：20nm，材料：ET6)、電子注入層9(厚度：1nm，材料：CsF)及Al(厚度：80nm)。
器件比較例23：器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：
該器件依次從下至上依次包括ITO陽極層2(厚度：150nm)、空穴注入層3(厚度：10nm，材料：HT1)、空穴傳輸層4(厚度：50nm，材料：HT5)、電子阻擋層5(厚度：20nm，材料：HT6)、發(fā)光層6(厚度：25nm，材料：CBP和化合物51按重量比95：5混摻構成)、電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：ET2和EI1，質(zhì)量比1:1)、及Al(厚度：80nm)。
器件比較例1：器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：
該器件依次從下至上依次包括ITO陽極層2(厚度：150nm)、空穴注入層3(厚度：10nm，材料：MoO3)、空穴傳輸層4(厚度：40nm，材料：TAPC)、發(fā)光層6(厚度：30nm，材料：CBP和化合物BDI按重量比97：3混摻構成)、電子傳輸層8(厚度：40nm，材料：TPBI)、電子注入層9(厚度：1nm，材料：LiF)及Al(厚度：80nm)。
器件比較例2：器件疊層結構如器件結構示意圖1所示：
該器件依次從下至上依次包括ITO陽極層2(厚度：150nm)、空穴注入層3(厚度：10nm，材料：HT1)、空穴傳輸層4(厚度：50nm，材料：HT5)、電子阻擋層5(厚度：20nm，材料：HT6)、發(fā)光層6(厚度：25nm，材料：BH1和化合物BDI按重量比97：3混摻構成)、電子傳輸層8(厚度：35nm，材料：ET2和EI1，質(zhì)量比1:1)、及Al(厚度：80nm)。
通過標準方法表征所述OLED，從呈現(xiàn)朗伯發(fā)射特性的電流/電壓/發(fā)光密度特性線計算，和測量壽命。器件測試數(shù)據(jù)如表7所示。
表5
表6
表7
表7總結了所述OLED器件在1000cd/m2亮度所需的電壓、達到的外量子效率；以及在1000cd/m2亮度下LT90衰減壽命。
器件比較例2對比器件比較例1，更換了本發(fā)明的材料搭配，器件實現(xiàn)了低電壓、高效率及長壽命效果；器件實施例1-23對比器件比較例2，更換本發(fā)明的發(fā)光層摻雜材料，并按本發(fā)明的材料組合成疊層器件后，器件電壓降低，外量子效率及壽命得到較大提升。
進一步的本發(fā)明材料可實現(xiàn)高濃度摻雜時無濃度淬滅效果，保持高效率使用。表8為不同濃度的實施例器件結構：
表8
器件測試數(shù)據(jù)如表9所示：
表9
器件實施例24～26為本發(fā)明材料和篩選材料搭配的器件結構，和器件比較例相比，高濃度摻雜下，器件效率沒有降低，沒有濃度淬滅效果。
進一步的本發(fā)明材料制備的的OLED器件在高溫下能夠保持長壽命，將器件實施例1～26和器件比較例1～4在85℃進行高溫驅動壽命測試，所得結果如表10所示。
表10
從表10的數(shù)據(jù)可知，器件實施例1～26為本發(fā)明材料和篩選材料搭配的器件結構，和器件比較例相比，高溫下，本發(fā)明提供的OLED器件具有很好的驅動壽命。
綜上，以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。