本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤指一種有機電致發(fā)光顯示面板、其制作方法及顯示裝置。

背景技術(shù)：

目前有機電致發(fā)光顯示器件(Organic Electroluminesecent Display，簡稱OLED)憑借其低功耗、高色飽和度、廣視角、薄厚度、能實現(xiàn)柔性化等優(yōu)異性能，已經(jīng)逐漸成為顯示領(lǐng)域的主流。

OLED技術(shù)比較成熟的應用是手機用AMOLED屏，如圖1a所示，采用頂發(fā)射(TE)模式像素結(jié)構(gòu)，但由于頂發(fā)射模式中陰極01厚度較薄，一般為10-30nm，導致電阻較大，其方阻值一般為30-50Ω/□，當手機屏幕尺寸較大時，電壓降(IR drop)問題凸顯，IR drop會造成不同區(qū)域的電流差異，進而在顯示時出現(xiàn)不均的現(xiàn)象。需要說明的是，02為襯底基板，03為像素驅(qū)動電路(陣列)結(jié)構(gòu)層，04為陽極，05為像素界定層，06為有機功能層。

另外，在AMOLED頂發(fā)射模式中，RGB像素向兩側(cè)發(fā)光，會造成無功損耗，進而影響OLED的顯示品質(zhì)，以圖1b為例，紅光的發(fā)射區(qū)域散射到藍光或綠光的發(fā)射區(qū)域時，造成RGB像素發(fā)光的串擾現(xiàn)象，也會影響OLED的顯示品質(zhì)。

同時，由于OLED需要一層發(fā)射電極作為光的反射層，由于反射層的存在(陽極或者陰極)反射外界光和OLED自身發(fā)出的光，因此會造成OLED在強光下對比度下降。一般OLED顯示采用貼偏光片的方式減小外界光對OLED的干擾，但由于偏光片的透過率較低，大大減小了OLED原本的亮度，使得功耗等都進一步提高。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實施例提供一種有機電致發(fā)光顯示面板、其制作方法及顯示裝置，可以改善IR drop，以及改善像素發(fā)光時，對相鄰像素發(fā)光的串擾，進而提高的OLED的顯示效果。

因此，本發(fā)明實施例提供了一種有機電致發(fā)光顯示面板，包括：襯底基板，位于所述襯底基板上的像素界定層，所述像素界定層具有多個與所述有機電致發(fā)光顯示面板的亞像素對應的開口區(qū)域，以及圍設所述開口區(qū)域的像素分隔體，還包括：

設置在所述像素分隔體上的金屬層；所述金屬層與所述有機電致發(fā)光顯示面板的陰極層電性連接。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述有機電致發(fā)光顯示面板中，所述金屬層位于所述陰極層的上方且直接接觸。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述有機電致發(fā)光顯示面板中，還包括：設置在所述金屬層上的吸光層。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述有機電致發(fā)光顯示面板中，在每相鄰兩個所述亞像素之間均設置有所述金屬層。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述有機電致發(fā)光顯示面板中，所述金屬層的厚度為

在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述有機電致發(fā)光顯示面板中，所述金屬層為連續(xù)條狀結(jié)構(gòu)或分段條狀結(jié)構(gòu)。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述有機電致發(fā)光顯示面板中，所述金屬層的寬度為2μm～20μm。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述有機電致發(fā)光顯示面板中，所述金屬層的材料為銀、鋁、銅、金、鉑其中之一或組合。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述有機電致發(fā)光顯示面板中，所述吸光層的厚度為

在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述有機電致發(fā)光顯示面板中，所述吸光層的材料為硅基氮化物材料。

本發(fā)明實施例還提供了一種本發(fā)明實施例提供的上述有機電致發(fā)光顯示面板的制作方法，包括：

在襯底基板上形成像素界定層的圖形；所述像素界定層具有多個與所述有機電致發(fā)光顯示面板的亞像素對應的開口區(qū)域，以及圍設所述開口區(qū)域的像素分隔體；

在形成有所述像素界定層圖形的襯底基板上形成所述有機電致發(fā)光顯示面板的陰極層的圖形；

在所述像素分隔體上形成金屬層的圖形；所述金屬層與所述陰極層電性連接。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，本發(fā)明實施例提供的上述有機電致發(fā)光顯示面板的制作方法中，在形成有所述像素界定層圖形的襯底基板上形成陰極層的圖形，具體包括：

采用金屬掩膜版通過蒸鍍工藝在形成有像素界定層圖形的襯底基板上形成陰極層的圖形。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，本發(fā)明實施例提供的上述有機電致發(fā)光顯示面板的制作方法中，在所述像素分隔體上形成金屬層的圖形，具體包括：

通過濺射工藝或鍍膜工藝在所述像素分隔體上形成金屬層的圖形。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，本發(fā)明實施例提供的上述有機電致發(fā)光顯示面板的制作方法中，在所述像素分隔體上形成金屬層的圖形之后，還包括：

在所述金屬層上形成吸光層的圖形。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，本發(fā)明實施例提供的上述有機電致發(fā)光顯示面板的制作方法中，在所述金屬層上形成吸光層的圖形，具體包括：

通過濺射工藝或化學氣相沉積工藝在所述金屬層上形成吸光層的圖形。

本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的上述有機電致發(fā)光顯示面板。

本發(fā)明實施例的有益效果包括：

本發(fā)明實施例提供的一種有機電致發(fā)光顯示面板、其制作方法及顯示裝置，包括：襯底基板，位于襯底基板上的像素界定層，像素界定層具有多個與有機電致發(fā)光顯示面板的亞像素對應的開口區(qū)域，以及圍設開口區(qū)域的像素分隔體，還包括：設置在所述像素分隔體上的金屬層；所述金屬層與所述有機電致發(fā)光顯示面板的陰極層電性連接。由于本發(fā)明實施例提供的上述有機電致發(fā)光顯示面板在像素分隔體上設置有金屬層，該金屬層與陰極層電性連接，能夠降低陰極層的電阻，從而改善IR drop，同時由于金屬層的反射作用，能夠改善像素發(fā)光時，對相鄰像素發(fā)光的串擾，進而提高的OLED的顯示效果。

附圖說明

圖1a為現(xiàn)有技術(shù)中有機電致發(fā)光顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1b為現(xiàn)有技術(shù)中有機電致發(fā)光顯示面板出現(xiàn)串擾現(xiàn)象的示意圖；

圖2a為本發(fā)明實施例提供的有機電致發(fā)光顯示面板的俯視圖之一；

圖2b為圖2a沿A-A’方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的有機電致發(fā)光顯示面板的俯視圖之二；

圖4為本發(fā)明實施例提供的金屬層對光線進行反射的示意圖；

圖5為本發(fā)明實施例提供的另一種有機電致發(fā)光顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明實施例提供的吸光層對光線進行吸收的示意圖；

圖7為本發(fā)明實施例提供的有機電致發(fā)光顯示面板的俯視圖之三；

圖8為本發(fā)明實施例提供的有機電致發(fā)光顯示面板的制作方法流程圖之一；

圖9為本發(fā)明實施例提供的有機電致發(fā)光顯示面板的制作方法流程圖之二；

圖10a至圖10d分別為本發(fā)明實施例提供的有機電致發(fā)光顯示面板的制作方法在各步驟執(zhí)行后的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明實施例提供的有機電致發(fā)光顯示面板、其制作方法及顯示裝置的具體實施方式進行詳細地說明。

其中，附圖中各膜層的厚度和形狀不反映有機電致發(fā)光顯示面板的真實比例，目的只是示意說明本發(fā)明內(nèi)容。

本發(fā)明實施例提供了一種有機電致發(fā)光顯示面板，如圖2a和圖2b所示，包括：襯底基板1，位于襯底基板1上的像素界定層2，像素界定層2具有多個與有機電致發(fā)光顯示面板的亞像素對應的開口區(qū)域21，以及圍設開口區(qū)域的像素分隔體22，還包括：

設置在像素分隔體22上的金屬層3；金屬層3與有機電致發(fā)光顯示面板的陰極層4電性連接。

需要說明的是，5是像素驅(qū)動電路(陣列)結(jié)構(gòu)層，6是有機電致發(fā)光顯示面板的陽極層，7是有機電致發(fā)光顯示面板的有機功能層(如空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和/或電子阻擋層等)。

在本發(fā)明實施例提供的上述有機電致發(fā)光顯示面板中，如圖3所示，以單個像素為例，由于在像素分隔體上設置有金屬層3，且該金屬層3與陰極層4電性連接，假設金屬層3的電阻為R₁，陰極層的電阻為R₂，相當于R₁和R₂并聯(lián)，得到現(xiàn)有電阻R₃，即R₃＝1/(1/R₁+1/R₂)<R₁，因此得到現(xiàn)有電阻R₃降低，從而對IR drop有所改善，同時，如圖4所示，由于金屬層3具有高反射性，亞像素發(fā)出的光通過金屬層的側(cè)邊反射到外界，使得混光區(qū)減小，能夠改善亞像素發(fā)光時對相鄰亞像素發(fā)光的串擾，減小了無功損耗，進而提高的OLED的顯示效果。

進一步地，在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述有機電致發(fā)光顯示面板中，為了能夠使金屬層與陰極層電性連接，如圖2b所示，該金屬層位于陰極層的上方且直接接觸，這樣可以確保得到的整體電阻減小，改善IR drop問題，不會造成由于IR drop而在顯示時出現(xiàn)不均的問題。

更進一步地，在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述有機電致發(fā)光顯示面板中，如圖5所示，該有機電致發(fā)光顯示面板還可以包括：設置在金屬層3上的吸光層8，這樣由于吸光層的作用，如圖6所示，外界入射的部分光到電致發(fā)光結(jié)構(gòu)內(nèi)部的光會被吸光層8吸收，無法再出射到電致發(fā)光結(jié)構(gòu)表面，因此可以進一步提高OLED的顯示效果。

在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述有機電致發(fā)光顯示面板中，為了進一步有效減少RGB像素發(fā)光向兩側(cè)的無功損耗，防止RGB像素發(fā)光的串擾現(xiàn)象，如圖7所示，在每相鄰兩個亞像素之間均可以設置有金屬層3；此時，在各金屬層3上均可以設置有吸光層8(圖中未示出)。

在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述有機電致發(fā)光顯示面板中，為了使金屬層的側(cè)邊可以有效反射相鄰兩個亞像素之間發(fā)射的光線，金屬層的厚度可以設置為對于金屬層的厚度可以根據(jù)實際情況而定，在此不做限定。

在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述有機電致發(fā)光顯示面板中，為了簡化制作工藝，金屬層可以設置為連續(xù)條狀結(jié)構(gòu)或分段條狀結(jié)構(gòu)。對于金屬層的具體結(jié)構(gòu)可以根據(jù)實際情況而定，在此不做限定。

在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述有機電致發(fā)光顯示面板中，當金屬層為條狀結(jié)構(gòu)時，金屬層的寬度可以設置為2μm～20μm。以5.0inch高清顯示屏(1280*720)為例，像素大小為81um*81um，像素發(fā)光區(qū)域之間的pitch值為30um，此時金屬層的寬度可以設置為7μm。對于金屬層的寬度可以根據(jù)實際情況而定，在此不做限定。

在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述有機電致發(fā)光顯示面板中，金屬層的材料可以選擇為銀、鋁、銅、金、鉑其中之一或組合。對于金屬層的材料選擇，具體選擇高反射率且電阻較低的金屬材料即可，在此不做限定。

在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述有機電致發(fā)光顯示面板中，為了使吸光層可以有效吸收外界入射的部分光線，吸光層的厚度可以設置為對于吸光層的厚度可以根據(jù)實際情況而定，在此不做限定。

在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述有機電致發(fā)光顯示面板中，吸光層的材料為硅基氮化物材料。對于吸光層的材料選擇，具體選擇消光系數(shù)較大的材料即可，在此不做限定。

在具體實施時，本發(fā)明實施例提供的有機電致發(fā)光顯示面板中一般還會具有諸如空穴阻擋層、陰極保護層等其他膜層結(jié)構(gòu)，以及在襯底基板上還一般形成有像素驅(qū)動電路中的薄膜晶體管、柵線、數(shù)據(jù)線等結(jié)構(gòu)，這些具體結(jié)構(gòu)可以有多種實現(xiàn)方式，在此不做限定。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實施例還提供了一種本發(fā)明實施例提供的上述有機電致發(fā)光顯示面板的制作方法，由于該方法解決問題的原理與前述一種有機電致發(fā)光顯示面板相似，因此該方法的實施可以參見有機電致發(fā)光顯示面板的實施，重復之處不再贅述。

在具體實施時，本發(fā)明實施例提供的有機電致發(fā)光顯示面板的制作方法，如圖8所示，具體包括以下步驟：

S801、在襯底基板上形成像素界定層的圖形；像素界定層具有多個與有機電致發(fā)光顯示面板的亞像素對應的開口區(qū)域，以及圍設開口區(qū)域的像素分隔體；

S802、在形成有像素界定層圖形的襯底基板上形成有機電致發(fā)光顯示面板的陰極層的圖形；

S803、在像素分隔體上形成金屬層的圖形；金屬層與陰極層電性連接。

在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述有機電致發(fā)光顯示面板的制作方法中，步驟S802在形成有像素界定層圖形的襯底基板上形成陰極層的圖形，具體可以采用如下方式實現(xiàn)：

采用金屬掩膜版通過蒸鍍工藝在形成有像素界定層圖形的襯底基板上形成陰極層的圖形。

需要說明的是，有機電致發(fā)光顯示面板的所有有機功能層(如空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和/或電子阻擋層等)的圖形采用精細掩膜版(Fine Metal Mask，F(xiàn)MM)或金屬掩膜版(open mask)通過蒸鍍工藝形成。而陰極層的圖形采用金屬掩膜版(open mask)通過蒸鍍工藝形成，是為了確保陰極層與待形成的金屬層相連接。

在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述有機電致發(fā)光顯示面板的制作方法中，步驟S803在像素分隔體上形成金屬層的圖形，具體可以采用如下方式：

通過濺射工藝或鍍膜工藝在像素分隔體上形成金屬層的圖形。

在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述有機電致發(fā)光顯示面板的制作方法中，如圖9所示，執(zhí)行步驟S803在像素分隔體上形成金屬層的圖形之后，具體還可以包括以下步驟：

S804、在金屬層上形成吸光層的圖形。

在具體實施時，在本發(fā)明實施例提供的上述有機電致發(fā)光顯示面板的制作方法中，步驟S804在金屬層上形成吸光層的圖形，具體可以采用如下方式：

通過濺射工藝或化學氣相沉積工藝在金屬層上形成吸光層的圖形。

下面以一個具體的實例詳細的說明本發(fā)明實施例提供的有機電致發(fā)光顯示面板的制作方法，制作有機電致發(fā)光顯示面板的具體步驟如下：

步驟一、在襯底基板上形成像素界定層的圖形；像素界定層具有多個與有機電致發(fā)光顯示面板的亞像素對應的開口區(qū)域，以及圍設開口區(qū)域的像素分隔體；

在具體實施時，如圖10a所示，首先在襯底基板10上形成像素驅(qū)動電路(陣列)結(jié)構(gòu)層20，然后在像素驅(qū)動電路(陣列)結(jié)構(gòu)層20上形成陽極層30的圖形；之后在形成有陽極層30的襯底基板10上形成像素界定層40的圖形；該像素界定層40具有多個與有機電致發(fā)光顯示面板的亞像素對應的開口區(qū)域401，以及圍設開口區(qū)域401的像素分隔體402；

步驟二、在形成有像素界定層圖形的襯底基板上形成有機電致發(fā)光顯示面板的陰極層的圖形；

在具體實施時，如圖10b所示，首先采用FMM通過蒸鍍工藝在像素界定層40圖形的開口區(qū)域401內(nèi)形成有機功能層50；然后采用open mask通過蒸鍍工藝在形成有有機功能層50的襯底基板10上形成陰極層60的圖形，該陰極層60覆蓋整個像素界定層40的圖形；

步驟三、在像素分隔體上形成金屬層的圖形；金屬層與陰極層電性連接；

在具體實施時，如圖10c所示，通過濺射工藝或鍍膜工藝在像素分隔體402上形成金屬層薄膜，然后通過刻蝕工藝形成金屬層70的圖形；金屬層70與陰極層60電性連接，此時，金屬層70的圖形為條狀結(jié)構(gòu)，位于陰極層60的上方且直接接觸；

步驟四、在金屬層上形成吸光層的圖形；

在具體實施時，如圖10d所示，通過濺射工藝或化學氣相沉積工藝在金屬層70上形成吸光層80的圖形。

至此，經(jīng)過具體實例提供的上述步驟一至步驟四制作出了本發(fā)明實施例提供的上述有機電致發(fā)光顯示面板。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的上述有機電致發(fā)光顯示面板，該顯示裝置可以為：手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。對于該顯示裝置的其它必不可少的組成部分均為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應該理解具有的，在此不做贅述，也不應作為對本發(fā)明的限制。該顯示裝置的實施可以參見上述有機電致發(fā)光顯示面板的實施例，重復之處不再贅述。

本發(fā)明實施例提供的一種有機電致發(fā)光顯示面板、其制作方法及顯示裝置，包括：襯底基板，位于襯底基板上的像素界定層，像素界定層具有多個與有機電致發(fā)光顯示面板的亞像素對應的開口區(qū)域，以及圍設開口區(qū)域的像素分隔體，還包括：設置在像素分隔體上的金屬層；金屬層與有機電致發(fā)光顯示面板的陰極層電性連接。由于本發(fā)明實施例提供的上述有機電致發(fā)光顯示面板在像素分隔體上設置有金屬層，該金屬層與陰極層電性連接，能夠降低陰極層的電阻，從而改善IR drop，同時由于金屬層的反射作用，能夠改善像素發(fā)光時，對相鄰像素發(fā)光的串擾，進而提高的OLED的顯示效果。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。