1.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟1、提供一有源層(100)，在所述有源層(100)上沉積絕緣材料，形成柵極絕緣層(200)，在所述柵極絕緣層(200)上涂布光阻材料，形成光阻層(300)；
步驟2、提供一半色調(diào)掩膜板(900)，所述半色調(diào)掩膜板(900)包括對(duì)應(yīng)有源層(100)兩端設(shè)置的第一曝光區(qū)(910)、位于第一曝光區(qū)(910)內(nèi)側(cè)且與第一曝光區(qū)(910)相鄰的第二曝光區(qū)(920)、及位于第二曝光區(qū)(920)內(nèi)側(cè)且與第二曝光區(qū)(920)相鄰的第三曝光區(qū)(930)；
所述第一曝光區(qū)(910)、第二曝光區(qū)(920)、及第三曝光區(qū)(930)的透光率依次增大或依次減?。?/p>
步驟3、利用所述半色調(diào)掩膜板(900)對(duì)光阻層(300)進(jìn)行曝光顯影，在光阻層(300)上形成對(duì)應(yīng)第一曝光區(qū)(910)的第一光阻區(qū)(310)、對(duì)應(yīng)第二曝光區(qū)(920)的第二光阻區(qū)(320)、及對(duì)應(yīng)第三曝光區(qū)(930)的第三光阻區(qū)(330)；
所述光阻層(300)在第一光阻區(qū)(310)的厚度小于在第二光阻區(qū)(320)的厚度，所述光阻層(300)在第二光阻區(qū)(320)的厚度小于在第三光阻區(qū)(330)的厚度；
步驟4、去除第一光阻區(qū)(310)的光阻層(300)并薄化第二光阻區(qū)(320)、及第三光阻區(qū)(330)的光阻層(300)，以第二光阻區(qū)(320)及第三光阻區(qū)(330)剩余的光阻層(300)為遮擋對(duì)柵極絕緣層(200)進(jìn)行蝕刻，減薄對(duì)應(yīng)第一光阻區(qū)(310)的柵極絕緣層(200)的厚度；
步驟5、去除第二光阻區(qū)(320)的光阻層(300)并薄化第三光阻區(qū)(330)的光阻層(300)，以第三光阻區(qū)(330)剩余的光阻層(300)為遮擋對(duì)柵極絕緣層(200)進(jìn)行蝕刻，減薄對(duì)應(yīng)第一光阻區(qū)(310)及第二光阻區(qū)(320)的柵極絕緣層(200)的厚度，在所述柵極絕緣層(200)上形成對(duì)應(yīng)第一光阻區(qū)(310)的第一絕緣層區(qū)(210)、對(duì)應(yīng)第二光阻區(qū)(320)的第二絕緣層區(qū)(220)、及對(duì)應(yīng)第三光阻區(qū)(320)的第三光絕緣層區(qū)(230)，所述柵極絕緣層(200)在第一絕緣層區(qū)(210)的厚度小于在第二絕緣層區(qū)(220)的厚度，所述柵極絕緣層(200)在第二絕緣層區(qū)(220)的厚度小于在第三絕緣層區(qū)(230)的厚度，去除第三光阻區(qū)(330)剩余的光阻層(300)；
步驟6、從柵極絕緣層(200)的一側(cè)對(duì)有源層(100)進(jìn)行離子摻雜，形成對(duì)應(yīng)第一絕緣層區(qū)(210)的源漏極接觸區(qū)(110)、及對(duì)應(yīng)第二絕緣層區(qū)(220)的輕摻雜漏極區(qū)(120)；
所述源漏極接觸區(qū)(110)的離子摻雜濃度大于輕摻雜漏極區(qū)(120)的離子摻雜濃度。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述光阻材料為正性光阻材料；
所述第一曝光區(qū)(910)的透光率大于第二曝光區(qū)(920)的透光率，所述第二曝光區(qū)(920)的透光率大于第三曝光區(qū)(930)的透光率。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述光阻材料為負(fù)性光阻材料；
所述第一曝光區(qū)(910)的透光率小于第二曝光區(qū)(920)的透光率，所述第二曝光區(qū)(920)的透光率小于第三曝光區(qū)(930)的透光率。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述第二曝光區(qū)(920)中各個(gè)位置的透光率均相同；
所述光阻層(300)在第二光阻區(qū)(320)中的厚度均勻；
所述柵極絕緣層(200)在第二絕緣層區(qū)(220)中的厚度均勻；
所述輕摻雜漏極區(qū)(120)的離子摻雜濃度均勻。
5.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述第二曝光區(qū)(920)包括多個(gè)依次排列的子曝光區(qū)，所述多個(gè)子曝光區(qū)的透光率依次增大或依次減小；
所述第二光阻區(qū)(320)包括對(duì)應(yīng)多個(gè)子曝光區(qū)的子光阻區(qū)，所述光阻層(300)在多個(gè)子光阻區(qū)的厚度向著遠(yuǎn)離第一光阻區(qū)(310)的方向依次增大；
所述步驟5具體包括：
步驟51、去除第二光阻區(qū)(320)中最靠近第一光阻區(qū)(310)的子光阻區(qū)的光阻層(300)并薄化除該子光阻區(qū)以外的子光阻區(qū)及第三光阻區(qū)(330)的光阻層(300)，以第二光阻區(qū)(320)及第三光阻區(qū)(330)剩余的光阻層(300)為遮擋對(duì)柵極絕緣層(200)進(jìn)行蝕刻，減薄對(duì)應(yīng)第一光阻區(qū)(310)及第二光阻區(qū)(320)中光阻層(300)被去除部分的柵極絕緣層(200)的厚度；
步驟52、去除其余子光阻區(qū)中最靠近第一光阻區(qū)(310)的子光阻區(qū)的光阻層(300)并薄化除該子光阻區(qū)以外的子光阻區(qū)及第三光阻區(qū)(330)的光阻層(300)，以第二光阻區(qū)(320)及第三光阻區(qū)(330)剩余的光阻層(300)為遮擋對(duì)柵極絕緣層(200)進(jìn)行蝕刻，減薄對(duì)應(yīng)第一光阻區(qū)(310)及第二光阻區(qū)(320)中光阻層(300)被去除部分的柵極絕緣層(200)的厚度；
步驟53、重復(fù)步驟52，直至第二光阻區(qū)(320)的光阻層(300)被完全去除；
所述柵極絕緣層(200)在第二絕緣層區(qū)(220)中形成對(duì)應(yīng)多個(gè)子光阻區(qū)的多個(gè)子絕緣層區(qū)，所述柵極絕緣層(200)在多個(gè)子絕緣層區(qū)的厚度向著遠(yuǎn)離第一絕緣層區(qū)(210)的方向依次增大；
所述輕摻雜漏極區(qū)(120)包括對(duì)應(yīng)多個(gè)子絕緣層區(qū)的多個(gè)子輕摻雜漏極區(qū)，所述多個(gè)子輕摻雜漏極區(qū)的離子摻雜濃度向著遠(yuǎn)離源漏極接觸區(qū)(110)方向逐漸減小。
6.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述步驟1提供的有源層(100)設(shè)于一基板上，所述有源層(100)與基板之間還設(shè)有分別與所述有源層(100)兩端相連接的源極和漏極。
7.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，還包括步驟7、在所述柵極絕緣層(200)上沉積金屬材料并進(jìn)行圖案化，形成柵極。
8.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述步驟4中通過(guò)灰化的方法去除第一光阻區(qū)(310)的光阻層(300)并薄化第二光阻區(qū)(320)及第三光阻區(qū)(330)的光阻層(300)；
所述步驟5中通過(guò)灰化的方法去除第二光阻區(qū)(320)的光阻層(300)并薄化第三光阻區(qū)(330)的光阻層(300)。