本發(fā)明涉及金屬化薄膜電容器技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種金屬化薄膜電容器制造方法。

背景技術(shù)：

在傳統(tǒng)的的金屬化薄膜電容器的制造方法中，通常的做法是將兩片金屬化薄膜相對并卷繞，用卷芯部使薄膜卷繞后，抽出卷芯部，然后熱壓，接著對素子兩個(gè)端面用鋅等粒子進(jìn)行噴金，再形成電極引出部，從而制造出薄膜電容器素子。特別是，當(dāng)卷繞非常薄的薄膜時(shí)(如聚丙烯薄膜)，抽出卷芯時(shí)卷芯和薄膜間會(huì)有摩擦力，導(dǎo)致卷首部分的薄膜被拉扯，從而從端面突出，或者是抽出卷芯時(shí)，被卷成圓形的素子的空心部分會(huì)由于薄膜張力而發(fā)生不確定性的變形。同時(shí)，抽出卷芯并接著熱壓時(shí)，素子很容易發(fā)生短路等不良的問題。為了解決這些問題，采用在開始卷繞金屬化薄膜之前，使用較厚的薄膜作為預(yù)先卷繞的薄膜來卷繞數(shù)圈，然后再用金屬化薄膜來繼續(xù)卷繞的方法。但是，為了抑制抽出卷芯時(shí)變形的問題而使用較厚的薄膜來預(yù)先卷繞，該較厚薄膜在熱壓素子時(shí)卷芯薄膜的邊緣部產(chǎn)生了熱壓不充分的部位，噴金的金屬入侵到這個(gè)部位，導(dǎo)致兩極間導(dǎo)通。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本發(fā)明的目的是提供的一種防止噴金粒子進(jìn)入電容器內(nèi)部的電容器制造方法。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下：

一種防止噴金粒子進(jìn)入電容器內(nèi)部的電容器制造方法，步驟如下：

(1)卷芯先用金屬化薄膜1進(jìn)行預(yù)先卷繞；

(2)用金屬化薄膜2繼續(xù)進(jìn)行卷繞，形成電容器素子；

(3)固定電容器素子，將卷芯的位置調(diào)整至卷芯平面在平行于熱壓的方向，抽出卷芯后，對卷繞好的金屬化薄膜的素子進(jìn)行熱壓定型；

(4)對素子兩端面進(jìn)行噴鍍金屬，形成電極引出部；

(5)外包封，得到薄膜電容器成品。

優(yōu)選地，金屬化薄膜1比金屬化薄膜2厚。

進(jìn)一步優(yōu)選地，金屬化薄膜1的厚度為10-20μm。

進(jìn)一步優(yōu)選地，金屬化薄膜2的厚度為5-10μm。

優(yōu)選地，金屬化薄膜1卷繞的圈數(shù)為5-10圈。

優(yōu)選地，金屬化薄膜2卷繞的圈數(shù)為3000-3200圈。

優(yōu)選地，金屬化薄膜1和金屬化薄膜2選自金屬化的聚乙酯薄膜，聚丙烯薄膜，聚苯乙烯薄膜和聚碳酸酯薄膜中的一種。

優(yōu)選地，噴鍍金屬為金、銀、銅、鋅或鋁。

通過本發(fā)明，即使在預(yù)先卷繞時(shí)使用較厚的薄膜，也可以使預(yù)先卷繞薄膜更好地被熱壓，使噴金金屬更難進(jìn)入預(yù)先卷繞部，降低素子導(dǎo)通的不良率。

此外，現(xiàn)有技術(shù)中，卷芯的位置沒有特殊限定，通常在卷繞式電容器的卷芯平面垂直于熱壓方向時(shí)抽出卷芯，熱壓后卷首的薄膜容易形成較大的縫隙，導(dǎo)致后續(xù)噴金時(shí)噴金粒子進(jìn)入電容器內(nèi)部。而本發(fā)明通過規(guī)定抽出卷芯時(shí)卷芯的方向，使得卷繞端部的縫隙消除，有效的防止了噴金粒子的進(jìn)入，使得制造出薄膜電容器不良率很低。

現(xiàn)有技術(shù)與本發(fā)明對于卷芯抽出方向的差異對熱壓后縫隙的影響見圖2。未規(guī)定卷芯抽出時(shí)的方向的情況下，如圖2a，熱壓后的空隙部會(huì)很容易集中到邊緣，空隙大小很容易變得很大，因此容易發(fā)生金屬混入。卷芯抽出時(shí)的方向規(guī)定為卷芯平面平行于熱壓的方向，如圖2b，熱壓后的空隙部會(huì)集中到中央部，可以使空隙大小變小，因此不易發(fā)生金屬混入。

熱壓后對素子兩個(gè)端面進(jìn)行噴金，形成電極引出部，制造出薄膜電容器素子。若熱壓后兩個(gè)端面處有縫隙，在噴金時(shí)會(huì)有金屬混入薄膜電容器素子內(nèi)部。金屬混入薄膜電容器素子內(nèi)部的距離如圖3所示。

本發(fā)明的有益效果：

由于采用了上述的技術(shù)方案，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下的優(yōu)點(diǎn)和積極效果：對卷繞式電容器的開始卷繞部的卷芯的抽出方向進(jìn)行規(guī)定，其卷芯抽出時(shí)卷繞端部的壓型部位于卷繞中央部，消除了卷繞端部的縫隙，防止了噴金粒子進(jìn)入，降低了電容器短路的不良率。該工藝過程簡單，極大地降低了不良率，節(jié)省了生產(chǎn)成本，提高了產(chǎn)品質(zhì)量。

附圖說明

圖1：薄膜電容器素子示意圖；

圖2a：對比例1中熱壓方向及縫隙的示意圖；

圖2b：實(shí)施例1中熱壓方向及縫隙的示意圖；

圖3a：金屬混入薄膜電容器素子內(nèi)部的距離的主體示意圖；

圖3b：金屬混入薄膜電容器素子內(nèi)部的距離的展開示意圖；

圖4：實(shí)施例1和對比例1的電容器短路不良率折線圖；

圖5：實(shí)施例1和對比例1金屬混入薄膜電容器素子內(nèi)部的距離的數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)圖。

具體實(shí)施方式

為了更好的解釋本發(fā)明，現(xiàn)結(jié)合以下具體實(shí)施例做進(jìn)一步說明。

實(shí)施例1

一種的防止噴金粒子進(jìn)入電容器內(nèi)部的電容器制造方法，步驟如下：

(1)卷芯先用10μm厚度的金屬化的聚丙烯蒸鍍薄膜作為預(yù)先卷繞的薄膜進(jìn)行卷繞5圈；

(2)然后再用5μm厚度的金屬化的聚丙烯蒸鍍薄膜繼續(xù)卷繞3000圈；

(3)形成電容器素子后，接著卷繞機(jī)上附加的熱壓裝置，調(diào)整卷芯的位置為平行于熱壓的方向，夾住素子，并在固定的狀態(tài)下抽出卷芯，對卷繞好的金屬化薄膜的素子進(jìn)行熱壓定型；

(4)熱壓后對素子兩個(gè)端面進(jìn)行噴金，形成電極引出部，制造出450V、100μF的薄膜電容器素子，素子的薄膜寬30mm；

(5)外包封，得到薄膜電容器成品；

(6)隨機(jī)各選取1000個(gè)制造的450V、100μF的薄膜電容器成品，分別在施加電壓0V、100V、600V、700V、800V、900V、1000V下，測試其短路不良率，結(jié)果見表1和圖4。

實(shí)施例2

一種的防止噴金粒子進(jìn)入電容器內(nèi)部的電容器制造方法，步驟如下：

(1)卷芯先用20μm厚度的金屬化的聚碳酸酯薄膜作為預(yù)先卷繞的薄膜進(jìn)行卷繞10圈；

(2)然后再用10μm厚度的金屬化的聚碳酸酯薄膜繼續(xù)卷繞3200圈；

(3)形成電容器素子后，接著卷繞機(jī)上附加的熱壓裝置，調(diào)整卷芯的位置為平行于熱壓的方向，夾住素子，并在固定的狀態(tài)下抽出卷芯，對卷繞好的金屬化薄膜的素子進(jìn)行熱壓定型；

(4)熱壓后對素子兩個(gè)端面進(jìn)行噴金，形成電極引出部，制造出450V、100μF的薄膜電容器素子，素子的薄膜寬50mm；

(5)外包封，得到薄膜電容器成品。

實(shí)施例3

一種的防止噴金粒子進(jìn)入電容器內(nèi)部的電容器制造方法，步驟如下：

(1)卷芯先用15μm厚度的金屬化的聚碳酸酯蒸鍍薄膜作為預(yù)先卷繞的薄膜進(jìn)行卷繞2圈；

(2)然后再用8μm厚度的金屬化的聚碳酸酯蒸鍍薄膜繼續(xù)卷繞3000圈；

(3)形成電容器素子后，接著卷繞機(jī)上附加的熱壓裝置，調(diào)整卷芯的位置為平行于熱壓的方向，夾住素子，并在固定的狀態(tài)下抽出卷芯，對卷繞好的金屬化薄膜的素子進(jìn)行熱壓定型；

(4)熱壓后對素子兩個(gè)端面進(jìn)行噴金，形成電極引出部，制造出450V、100μF的薄膜電容器素子，素子的薄膜寬30mm；

(5)外包封，得到薄膜電容器成品。

對比例1

一種的防止噴金粒子進(jìn)入電容器內(nèi)部的電容器制造方法，步驟如下：

(1)卷芯先用10μm厚度的金屬化的聚丙烯蒸鍍薄膜作為預(yù)先卷繞的薄膜進(jìn)行卷繞5圈；

(2)然后再用5μm厚度的金屬化的聚丙烯蒸鍍薄膜繼續(xù)卷繞3000圈；

(3)形成電容器素子后，接著卷繞機(jī)上附加的熱壓裝置，調(diào)整卷芯的位置為垂直于熱壓的方向，夾住素子，并在固定的狀態(tài)下抽出卷芯，對卷繞好的金屬化薄膜的素子進(jìn)行熱壓定型；

(4)熱壓后對素子兩個(gè)端面進(jìn)行噴金，形成電極引出部，制造出450V、100μF的薄膜電容器素子，素子的薄膜寬30mm；

(5)外包封，得到薄膜電容器成品；

(6)隨機(jī)各選取1000個(gè)制造的450V、100μF的薄膜電容器成品，分別在施加電壓0V、100V、600V、700V、800V、900V、1000V下，測試其短路不良率，結(jié)果見表1和圖4。

表1：實(shí)施例1與對比例1的電容器的短路不良率。

由表1和圖4可知按照實(shí)施例1制造的450V、100μF的薄膜電容器素子在施加電壓0V、100V、600V、700V、800V、900V、1000V下的短路不良率皆為零，與對比例1相比短路不良率有了實(shí)質(zhì)性的降低。

測量薄膜寬度為30mm的素子金屬混入距離，結(jié)果見表2和圖5，圖5為實(shí)施例1和對比例1金屬混入薄膜電容器素子內(nèi)部的距離的數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)圖。

表2：實(shí)施例1和對比例1金屬混入薄膜的距離(mm)。

由表2和圖5可知按照實(shí)施例1制造的薄膜電容器素子金屬混入距離與對比例1相比更多地集中在5mm和10mm，金屬混入距離明顯縮短，有效地防止了電容器短路，降低了電容器不良率。