技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供半導(dǎo)體器件及其制造方法。制造半導(dǎo)體器件的方法提供如下。外延層被形成在襯底的有源鰭結(jié)構(gòu)上。第一金屬柵電極被形成在有源鰭結(jié)構(gòu)上。每個第一金屬柵電極和每個外延層在有源鰭結(jié)構(gòu)上在第一方向上被交替布置。層間電介質(zhì)(ILD)圖案被形成在外延層上，在交叉第一方向的第二方向上延伸。犧牲間隔物圖案被形成在第一金屬柵電極上。多個犧牲間隔物圖案的每個覆蓋第一金屬柵電極中的相應(yīng)第一金屬柵電極。自對準(zhǔn)接觸孔和犧牲間隔物通過去除ILD圖案被形成。每個自對準(zhǔn)接觸孔暴露布置在每個ILD圖案下方的相應(yīng)外延層。源/漏電極被形成在自對準(zhǔn)接觸孔中。犧牲間隔物由空氣間隔物替換。

技術(shù)研發(fā)人員：金東權(quán);車知勛
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.27
技術(shù)公布日：2017.07.04