技術總結
本發(fā)明公開一種頂發(fā)射顯示發(fā)光器件及其制備方法，包括基板、位于基板上的像素電極、位于基板上的輔助電極、以及位于基板上用于分隔像素電極和輔助電極的像素bank，所述像素bank覆蓋像素電極邊緣區(qū)域以及輔助電極邊緣區(qū)域，所述輔助電極邊緣區(qū)域的像素bank形成倒角狀的tape角，所述輔助電極上方依次設置有功能層和頂電極，且倒角狀的tape角下端的輔助電極與其上方的頂電極相連。本發(fā)明由于將輔助電極邊緣區(qū)域的像素bank的tape角設置成倒角狀，從而在蒸鍍功能層時形成裸露的輔助電極區(qū)，隨后在沉積的頂電極會覆蓋暴露出來的輔助電極，從而形成頂電極與輔助電極的相連結構，本發(fā)明的結構大大簡化的制作工藝，提高了制作效率。

技術研發(fā)人員：陳亞文
受保護的技術使用者：TCL集團股份有限公司
文檔號碼：201611225243
技術研發(fā)日：2016.12.27
技術公布日：2017.06.16