1.一種耐高溫的微腔OLED屏體，包括基板(1)及其上依次連接設(shè)置的陽極(3)、發(fā)光層(4)、陰極(5)和封裝蓋(2)，其特征在于：
還包括金屬層(6)，所述金屬層(6)夾設(shè)于所述陽極(3)與所述基板(1)之間，所述金屬層(6)具有延伸出所述封裝蓋(2)的部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐高溫的微腔OLED屏體，其特征在于，所述金屬層(6)的導(dǎo)熱系數(shù)不小于100W/(m·K)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的耐高溫的微腔OLED屏體，其特征在于，所述金屬層(6)的反射率在85％以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的耐高溫的微腔OLED屏體，其特征在于，所述金屬層(6)延伸出所述封裝蓋(2)的部分環(huán)繞于所述封裝蓋(2)的四周。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的耐高溫的微腔OLED屏體，其特征在于，所述金屬層(6)的厚度為1nm-100nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的耐高溫的微腔OLED屏體，其特征在于，所述金屬層(6)的材質(zhì)為金、銀、銅或鋁。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項所述的耐高溫的微腔OLED屏體，其特征在于，所述金屬層(6)延伸出所述封裝蓋(2)的部分具有非平面結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的耐高溫的微腔OLED屏體，其特征在于，所述非平面結(jié)構(gòu)包括若干凸起部和/或凹陷部。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的耐高溫的微腔OLED屏體，其特征在于，所述非平面結(jié)構(gòu)為波浪形曲面。
10.一種權(quán)利要求7-9任一項所述的耐高溫的微腔OLED屏體的生產(chǎn)工藝，包括如下步驟：
S1、提供一基板(1)，在所述基板(1)上依次成型金屬層(6)、陽極(3)、發(fā)光層(4)和陰極(5)，所述陽極(3)、發(fā)光層(4)和陰極(5)的面積均小于所述金屬層(6)的面積；
S2、真空條件下將封裝蓋(2)與所述基板(1)壓合，使得所述陽極(3)、發(fā)光層(4)和陰極(5)均完全位于所述封裝蓋(2)的內(nèi)部而所述金屬層(6)不全位于所述封裝蓋(2)內(nèi)；
S3、對位于所述封裝蓋(2)外的所述金屬層(6)進行表面處理以形成非平面結(jié)構(gòu)。