本發(fā)明構(gòu)思涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。

背景技術(shù)：

為了集成電路應(yīng)用的更高密度，制造工藝已經(jīng)發(fā)展以減小電路元件諸如晶體管的柵電極和源電極/漏電極的最小特征尺寸。由于特征尺寸已經(jīng)減小，所以電路元件之間的距離也減小，因此可能根據(jù)制造工藝的工藝變化在電路元件之間產(chǎn)生電短路。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示范實(shí)施方式，一種制造半導(dǎo)體器件的方法提供如下。有源鰭結(jié)構(gòu)和隔離區(qū)形成在基板上。外延層形成在有源鰭結(jié)構(gòu)上。第一金屬柵電極和第二金屬柵電極形成在有源鰭結(jié)構(gòu)上。在第一金屬柵電極的上表面和第二金屬柵電極的上表面上分別形成第一柵電極蓋和第二柵電極蓋。在第一金屬柵電極的第一側(cè)壁和第二金屬柵電極的第一側(cè)壁上分別形成第一金屬柵間隔物和第二金屬柵間隔物。第一金屬柵電極的第一側(cè)壁和第二金屬柵電極的第一側(cè)壁彼此面對(duì)。外延層插置在第一金屬柵間隔物和第二金屬柵間隔物之間。源電極/漏電極形成在外延層上并且在第一金屬柵間隔物和第二金屬柵間隔物之間。空氣間隔物區(qū)通過(guò)去除第一和第二金屬柵電極蓋以及第一和第二金屬柵間隔物而形成。第一和第二空氣間隔物形成在空氣間隔物區(qū)內(nèi)。第一空氣間隔物插置在源電極/漏電極與第一金屬柵電極之間。第二空氣間隔物插置在源電極/漏電極與第二金屬柵電極之間。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示范實(shí)施方式，一種制造半導(dǎo)體器件的方法提供如下。有源鰭結(jié)構(gòu)和隔離區(qū)形成在基板上。第一虛設(shè)柵電極和第二虛設(shè)柵電極形成在有源鰭結(jié)構(gòu)上。在第一虛設(shè)柵電極的第一側(cè)壁和第二虛設(shè)柵電極的第一側(cè)壁上分別形成第一虛設(shè)柵間隔物和第二虛設(shè)柵間隔物。第一虛設(shè)柵電極的第一側(cè)壁和第二虛設(shè)柵電極的第一側(cè)壁彼此面對(duì)。外延層形成在有源鰭結(jié)構(gòu)上并且在第一虛設(shè)柵間隔物和第二虛設(shè)柵間隔物之間。第一和第二虛設(shè)柵間隔物被去除。第一和第二虛設(shè)柵電極分別用第一和第二金屬柵電極替換。第一金屬柵間隔物和第二金屬柵間隔物分別形成在第一金屬柵電極的第一側(cè)壁和第二金屬柵電極的第一側(cè)壁上。源電極/漏電極形成在第一金屬柵間隔物與第二金屬柵間隔物之間并且在外延層上。第一和第二金屬柵間隔物用空氣間隔物替換。空氣間隔物插置在源電極/漏電極與第一金屬柵間隔物之間以及在源電極/漏電極與第二金屬柵間隔物之間。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示范實(shí)施方式，一種半導(dǎo)體器件提供如下。基板具有有源鰭結(jié)構(gòu)和隔離區(qū)。第一金屬柵電極和第二金屬柵電極設(shè)置在有源鰭結(jié)構(gòu)上。源電極/漏電極插置在第一金屬柵電極和第二金屬柵電極之間。源電極/漏電極包括具有第一寬度的上部分以及具有小于第一寬度的第二寬度的下部分。空氣間隔物圍繞源電極/漏電極的下部分。空氣間隔物設(shè)置在源電極/漏電極的上部分的下方，其中空氣間隔物插置在第一金屬柵電極與源電極/漏電極的下部分之間以及在第二金屬柵電極與源電極/漏電極的下部分之間。

附圖說(shuō)明

通過(guò)參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明構(gòu)思的示范實(shí)施方式，本發(fā)明構(gòu)思的這些及其它特征將變得更明顯，在附圖中：

圖1是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示范實(shí)施方式的制造半導(dǎo)體器件的流程圖；

圖2a至17a示出根據(jù)圖1的流程圖形成的半導(dǎo)體器件的平面圖；

圖2b至17b示出沿圖2a至17a的x-x'截取的截面圖；

圖18是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示范實(shí)施方式的制造半導(dǎo)體器件的流程圖；

圖19至21示出在圖18的步驟500'中形成的半導(dǎo)體器件的截面圖；

圖22是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示范實(shí)施方式的制造半導(dǎo)體器件的流程圖；

圖23至25示出在圖22的步驟500"至800中形成的半導(dǎo)體器件的截面圖；

圖26是具有根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示范實(shí)施方式制造的半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體模塊；

圖27是示出具有根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示范實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的電子系統(tǒng)的框圖；以及

圖28是示出具有根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示范實(shí)施方式制造的半導(dǎo)體器件的電子系統(tǒng)的框圖。

將理解，為了圖示的簡(jiǎn)單和清楚起見(jiàn)，在附圖中示出的元件不一定按比例繪制。例如，為了清楚，一些元件的尺寸相對(duì)于其它元件被夸大了。此外，當(dāng)認(rèn)為適當(dāng)時(shí)，附圖標(biāo)記在附圖之間被重復(fù)以表示相應(yīng)的元件或者相似的元件。

雖然一些截面圖的相應(yīng)的平面圖和/或透視圖可以不被示出，但是這里示出的器件結(jié)構(gòu)的截面圖對(duì)于如將在平面圖中示出的沿著兩個(gè)不同方向延伸和/或如將在透視圖中示出的在三個(gè)不同方向延伸的多個(gè)器件結(jié)構(gòu)提供支持。該兩個(gè)不同方向可以彼此正交或者可以不彼此正交。該三個(gè)不同方向可以包括第三方向，該第三方向可以正交于該兩個(gè)不同方向。該多個(gè)器件結(jié)構(gòu)可以被集成在同一電子器件中。例如，當(dāng)器件結(jié)構(gòu)(例如，存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)或者晶體管結(jié)構(gòu))在截面圖中被示出時(shí)，電子器件可以包括多個(gè)器件結(jié)構(gòu)(例如，存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)或者晶體管結(jié)構(gòu))，如將通過(guò)電子器件的平面圖示出的。該多個(gè)器件結(jié)構(gòu)可以布置為陣列和/或布置為二維圖案。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明構(gòu)思的示范實(shí)施方式將在下文參照附圖具體地描述。然而，本發(fā)明構(gòu)思可以以許多不同的形式實(shí)施，而不應(yīng)該理解為限于在此闡述的實(shí)施方式。還將理解，當(dāng)一元件被稱(chēng)為“在”另一元件或者基板“上”時(shí)，它可以直接在另一元件或者基板上，或者也可以存在居間層。還將理解，當(dāng)一元件被稱(chēng)為“聯(lián)接到”或者“連接到”另一元件時(shí)，它可以直接聯(lián)接到或者連接到另一元件，或者也可以存在居間元件。

在下文，將參照?qǐng)D1、圖2a至17a以及圖2b至17b描述制造半導(dǎo)體器件的方法。圖1是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示范實(shí)施方式的制造半導(dǎo)體器件的流程圖。圖2a至17a示出根據(jù)圖1的流程圖形成的半導(dǎo)體器件的平面圖。圖2b至17b示出沿圖2a至17a的x-x'截取的截面圖。例如，半導(dǎo)體器件可以包括具有在柵電極與源電極/漏電極之間的空氣間隔物的晶體管?？諝忾g隔物可以用作柵電極與源電極/漏電極之間的電絕緣。

圖2a是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范實(shí)施方式在進(jìn)行圖1的步驟100之后形成在基板上的多個(gè)虛設(shè)柵圖案的平面圖。圖2b是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范實(shí)施方式的沿線(xiàn)x-x'截取的圖2a的截面圖。

參照?qǐng)D2a和2b，基板100可以由包括硅或者硅鍺合金的半導(dǎo)體材料形成。在一示范實(shí)施方式中，基板100包括有源鰭結(jié)構(gòu)110和隔離區(qū)120。有源鰭結(jié)構(gòu)110從隔離區(qū)120突出。有源鰭結(jié)構(gòu)110在第一方向(x軸)上延伸并且被隔離區(qū)120圍繞。有源鰭結(jié)構(gòu)110的上表面高于隔離區(qū)120的上表面。

有源鰭結(jié)構(gòu)110是晶體管的一部分并且用于提供溝道區(qū)，電流響應(yīng)于施加到晶體管的柵極電壓而流過(guò)溝道區(qū)。

多個(gè)虛設(shè)柵結(jié)構(gòu)200形成在基板100上。虛設(shè)柵結(jié)構(gòu)200包括第一虛設(shè)柵結(jié)構(gòu)200a。第一虛設(shè)柵結(jié)構(gòu)200a在第二方向(y軸)上延伸并且跨過(guò)有源鰭結(jié)構(gòu)110。通過(guò)利用離子注入工藝或者擴(kuò)散工藝摻雜雜質(zhì)原子到接觸區(qū)400中，一對(duì)源極/漏極(這里未示出)形成在第一虛設(shè)柵結(jié)構(gòu)200a的兩側(cè)。源極/漏極形成在有源鰭結(jié)構(gòu)110的接觸區(qū)400中。在一示范實(shí)施方式中，源極/漏極接觸和源電極/漏電極將形成在源極/漏極上。在進(jìn)行根據(jù)一示范實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法之后，第一虛設(shè)柵結(jié)構(gòu)200a將變成晶體管。

虛設(shè)柵結(jié)構(gòu)200還包括在隔離區(qū)120上的第二虛設(shè)柵結(jié)構(gòu)200b1和200b2。第二虛設(shè)柵結(jié)構(gòu)200b1和200b2不作為晶體管。為了說(shuō)明的方便起見(jiàn)，在附圖中示出半導(dǎo)體器件的有限區(qū)域。第二虛設(shè)柵結(jié)構(gòu)200b1和200b2可以進(jìn)一步延伸并跨過(guò)另一有源鰭結(jié)構(gòu)(這里未示出)。在這種情況下，第二虛設(shè)柵結(jié)構(gòu)200b1和200b2與另一有源鰭結(jié)構(gòu)的交疊區(qū)可以形成晶體管。

虛設(shè)柵結(jié)構(gòu)200還包括在有源鰭結(jié)構(gòu)110的端部分上的第三虛設(shè)柵結(jié)構(gòu)200c1和200c2。第三虛設(shè)柵結(jié)構(gòu)200c1和200c2形成在有源鰭結(jié)構(gòu)110和隔離區(qū)120之間的邊界上。例如，虛設(shè)柵結(jié)構(gòu)200設(shè)置在有源鰭結(jié)構(gòu)110和隔離區(qū)120兩者上。

第三虛設(shè)柵結(jié)構(gòu)200c1和200c2不作為晶體管。為了說(shuō)明的方便起見(jiàn)，在附圖中示出半導(dǎo)體器件的有限區(qū)域。第三虛設(shè)柵結(jié)構(gòu)200c1和200c2可以進(jìn)一步延伸并且跨過(guò)另一有源鰭結(jié)構(gòu)(這里未示出)以形成晶體管。

為了說(shuō)明的方便起見(jiàn)，有源鰭結(jié)構(gòu)110與三個(gè)虛設(shè)柵結(jié)構(gòu)200a、200c1和200c2交疊。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此，四個(gè)或更多虛設(shè)柵結(jié)構(gòu)可以交疊有源鰭結(jié)構(gòu)110。

在一示范實(shí)施方式中，每個(gè)虛設(shè)柵結(jié)構(gòu)200包括虛設(shè)柵圖案210、掩模圖案220和虛設(shè)柵間隔物230。

多個(gè)溝槽300形成在虛設(shè)柵結(jié)構(gòu)200之間。例如，溝槽300形成在兩個(gè)相鄰的虛設(shè)柵間隔物230之間。

例如，虛設(shè)柵結(jié)構(gòu)200沿著平行于x軸的第一方向重復(fù)地布置，并且在第一方向上以第一節(jié)距w1彼此間隔開(kāi)。在一示范實(shí)施方式中，第一節(jié)距w1是溝槽300的寬度。例如，每個(gè)虛設(shè)柵結(jié)構(gòu)200在平行于y軸的第二方向上延伸。每個(gè)虛設(shè)柵結(jié)構(gòu)200在平行于z軸的第三方向上以第一高度h1豎立在有源鰭結(jié)構(gòu)110的上表面上。第一高度h1是在有源鰭結(jié)構(gòu)110的上表面與虛設(shè)柵間隔物230的上表面之間測(cè)量的長(zhǎng)度。

每個(gè)溝槽300形成在兩個(gè)相鄰的虛設(shè)柵結(jié)構(gòu)200之間，使得每個(gè)溝槽300在第二方向上延伸。在這種情況下，形成在有源鰭結(jié)構(gòu)110上的每個(gè)溝槽300具有第一高度h1/第一節(jié)距w1的高寬比。高寬比越大，越難以通過(guò)溝槽300在有源鰭結(jié)構(gòu)110上形成源電極/漏電極。

虛設(shè)柵圖案210形成在基板100上。在一示范實(shí)施方式中，虛設(shè)柵圖案210可以由非晶硅或者多晶硅形成。虛設(shè)柵圖案210將在隨后的工藝中利用置換金屬柵(rmg)工藝用金屬柵電極替換。

掩模圖案220形成在虛設(shè)柵圖案210的上表面上。每個(gè)掩模圖案220包括第一掩模圖案220a和第二掩模圖案220b。第一掩模圖案220a形成在虛設(shè)柵圖案210的上表面上。第二掩模圖案220b形成在第一掩模圖案220a的上表面上。

在一示范實(shí)施方式中，掩模圖案220被用作蝕刻掩模以由虛設(shè)柵極層(這里未示出)形成虛設(shè)柵圖案210。在形成虛設(shè)柵圖案210之前，虛設(shè)柵極層形成在基板100上，覆蓋基板100。在利用掩模圖案220作為蝕刻掩模的蝕刻工藝中，虛設(shè)柵極層被圖案化為虛設(shè)柵圖案210。在一示范實(shí)施方式中，蝕刻工藝可以包括包含反應(yīng)離子刻蝕(rie)工藝的定向蝕刻工藝。

在一示范實(shí)施方式中，第一掩模圖案220a可以由硅氮化物形成；第二掩模圖案220b可以由硅氧化物形成。本發(fā)明構(gòu)思不限于此，各種材料可以用作蝕刻掩模以將虛設(shè)柵圖案層圖案化為虛設(shè)柵圖案210。

虛設(shè)柵間隔物230形成在虛設(shè)柵圖案210的側(cè)壁上。每個(gè)虛設(shè)柵間隔物230完全覆蓋每個(gè)虛設(shè)柵圖案210的側(cè)壁和每個(gè)第一掩模圖案220a的側(cè)壁，并且部分地覆蓋每個(gè)第二掩模圖案220b的側(cè)壁。在一示范實(shí)施方式中，初始柵間隔物層(這里未示出)可以利用沉積工藝共形地形成在虛設(shè)柵圖案210和掩模圖案220上。初始柵間隔物層可以完全地覆蓋虛設(shè)柵圖案210、掩模圖案220和基板100。沉積工藝可以包括化學(xué)氣相沉積(cvd)工藝?？梢栽诔跏紪砰g隔物層上進(jìn)行包括例如rie工藝的定向蝕刻工藝以形成虛設(shè)柵間隔物230。由于rie工藝中的蝕刻氣體的方向性，在rie工藝完成之后，虛設(shè)柵間隔物230保留在虛設(shè)柵圖案210的側(cè)壁上。

在一示范實(shí)施方式中，虛設(shè)柵間隔物230可以由sibcn或者sin形成。

虛設(shè)柵間隔物230具有厚度t以限定有源鰭結(jié)構(gòu)110的接觸區(qū)400。在隨后的工藝中，源電極/漏電極形成在接觸區(qū)400上。在一示范實(shí)施方式中，虛設(shè)柵間隔物230可以用空氣間隔物替換。在這種情況下，空氣間隔物的寬度可以基本上等于虛設(shè)柵間隔物230的厚度t或者小于厚度t。

每個(gè)虛設(shè)柵間隔物230的厚度t也可以被設(shè)置為使得在隨后的工藝中空氣間隔物形成在金屬柵電極與源電極/漏電極之間。在一示范實(shí)施方式中，虛設(shè)柵間隔物230可以用空氣間隔物替換；虛設(shè)柵圖案210可以用金屬柵電極替換；并且源電極/漏電極形成在接觸區(qū)400上。空氣間隔物的形成將在后面描述。金屬柵電極可以在后面將被描述的rmg工藝中形成。

圖2a和2b的方向適用于其它附圖，除非另作說(shuō)明，因此軸x、y和z的注釋在其它附圖上被省略。

圖3a和3b示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示范實(shí)施方式的在進(jìn)行圖1的步驟200之后形成在接觸區(qū)400上的外延層410。在一示范實(shí)施方式中，外延層410可以利用有源鰭110的上表面作為籽晶層外延生長(zhǎng)；外延層不形成在隔離區(qū)120上。在一示范實(shí)施方式中，隔離區(qū)120可以由硅氧化物形成。在一示范實(shí)施方式中，可以通過(guò)使雜質(zhì)原子與反應(yīng)性氣體一起流動(dòng)而在外延層410中摻雜雜質(zhì)原子。例如，反應(yīng)性氣體可以包括sih4或者h(yuǎn)2/sih4的混合物。

在一示范實(shí)施方式中，外延層410可以由硅或者硅鍺(sige)合金形成。在外延層410上進(jìn)行硅化工藝之后，外延層410可以變成由金屬硅化物形成的源極/漏極接觸。在硅化工藝中，外延層410可以與源電極/漏電極反應(yīng)從而形成源極/漏極接觸。源電極/漏電極可以形成在外延層410上并且可以由金屬形成。源極/漏極接觸可以減小有源鰭結(jié)構(gòu)110和源電極/漏電極之間的接觸電阻。

圖4a和4b示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示范實(shí)施方式的在圖1的步驟300中形成在圖3a和3b的所得結(jié)構(gòu)上的第一掩模m1。在一示范實(shí)施方式中，第一掩模m1包括暴露形成在有源鰭結(jié)構(gòu)110上的虛設(shè)柵間隔物230和外延層410的掩模開(kāi)口m1-o。掩模開(kāi)口m1-o還暴露形成在有源鰭結(jié)構(gòu)110上的第二掩模圖案220b。形成在有源鰭結(jié)構(gòu)110的端部分上的第二掩模圖案220b通過(guò)掩模開(kāi)口m1-o被部分地暴露。

在一示范實(shí)施方式中，第一掩模m1填充形成在隔離區(qū)120上的溝槽300。

在一示范實(shí)施方式中，第一掩模m1可以由包括無(wú)定形碳、具有反射控制性能的有機(jī)硅氧烷基材料的有機(jī)型掩模材料形成。第一掩模m1可以通過(guò)cvd工藝或者旋涂工藝被沉積。

圖5a和5b示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示范實(shí)施方式的在圖1的步驟300之后形成的第一接觸區(qū)ca1。第一接觸區(qū)ca1通過(guò)去除形成在有源鰭結(jié)構(gòu)110上并且通過(guò)掩模開(kāi)口m1-o暴露的虛設(shè)柵間隔物230而形成。

在一示范實(shí)施方式中，在圖4a和4b的所得結(jié)構(gòu)上進(jìn)行包括濕蝕刻工藝或者干蝕刻工藝的各向同性蝕刻工藝。第一掩模m1用作蝕刻掩模。形成在有源鰭結(jié)構(gòu)110上的虛設(shè)柵間隔物230通過(guò)掩模開(kāi)口m1-o被去除。各向同性蝕刻工藝的蝕刻劑可以到達(dá)通過(guò)第一掩模m1的掩模開(kāi)口m1-o暴露的虛設(shè)柵間隔物230。隨著虛設(shè)柵間隔物230在各向同性蝕刻工藝中沿著第二方向(y軸)后退，蝕刻劑也可以到達(dá)第一掩模m1下方的虛設(shè)柵間隔物230。

在一示范實(shí)施方式中，虛設(shè)柵間隔物230可以由sin或者sibcn形成。

在一示范實(shí)施方式中，第一接觸區(qū)ca1圍繞外延層410。第一接觸區(qū)ca1包括通過(guò)經(jīng)由第一掩模m1的開(kāi)口m1-o去除虛設(shè)柵間隔物230而造成的空間。第一接觸區(qū)ca1的拐角ca1-c1、ca1-c2、ca1-c3和ca1-c4由虛設(shè)柵圖案210與完成各向同性蝕刻工藝之后剩余的虛設(shè)柵間隔物230a的交叉而限定。

在一示范實(shí)施方式中，空氣間隔物(這里未示出)將形成在第一接觸區(qū)ca1內(nèi)。由于各向同性蝕刻工藝，虛設(shè)柵間隔物230的在第一掩模m1下方的部分也被去除，使得第二接觸區(qū)ca1沿著第二方向(y軸)擴(kuò)大。通過(guò)第一掩模m1的開(kāi)口m1-o，蝕刻劑可以到達(dá)被第一掩模m1覆蓋的虛設(shè)柵間隔物230，并且圖4a和4b的虛設(shè)柵間隔物230被各向同性地蝕刻。被第一掩模m1完全地覆蓋并且設(shè)置在隔離區(qū)120上的虛設(shè)柵間隔物230在各向同性蝕刻工藝完成之后保留。

圖6a至6b示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示范實(shí)施方式的在圖1的步驟350中形成在圖5a和5b的所得結(jié)構(gòu)上的初始襯墊層500'。在一示范實(shí)施方式中，初始襯墊層500'覆蓋虛設(shè)柵圖案210。在形成初始襯墊層500'之前，虛設(shè)柵圖案210的側(cè)壁通過(guò)去除形成在有源鰭結(jié)構(gòu)110上的虛設(shè)柵間隔物230而被暴露，如圖5b中所示。

初始襯墊層500'還形成在圖5a和5b的所述剩余的虛設(shè)柵間隔物230a的側(cè)壁上。

初始襯墊層500'可以具有厚度t2，以達(dá)到初始襯墊層500'不填充溝槽30的程度并且達(dá)到初始襯墊層500'可以在rmg工藝中保護(hù)第一層間電介質(zhì)(ild)圖案的程度。在進(jìn)行rmg工藝之前，第一ild圖案(這里未示出)可以完全地填充溝槽300。

在一示范實(shí)施方式中，初始襯墊層500'可以由sibcn或者sin形成。

圖7a至7b示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示范實(shí)施方式的在進(jìn)行圖1的步驟350之后的第一ild圖案600。在一示范實(shí)施方式中，ild層(這里未示出)形成在圖6a和6b的襯墊500和第二掩模圖案220b上。ild層可以完全地填充圖6a和6b的溝槽300，完全地覆蓋第一和第二掩模圖案220a和220b。ild層可以利用平坦化工藝被平坦化以形成第一ild圖案600和襯墊500。例如，平坦化工藝可以包括回蝕工藝或者化學(xué)機(jī)械拋光(cmp)工藝。

在一示范實(shí)施方式中，在平坦化工藝完成之后，第二掩模圖案220b被去除并且第一掩模圖案220a保留。第一掩模圖案220a的上表面可以與第一ild圖案600的上表面共面。

在一示范實(shí)施方式中，初始襯墊層500'在平坦化工藝之后變成襯墊500。襯墊500覆蓋虛設(shè)柵電極210的側(cè)壁和所述剩余的虛設(shè)柵間隔物230a的側(cè)壁。襯墊500還覆蓋外延層410。

圖8a和8b示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示范實(shí)施方式的在進(jìn)行圖1的步驟400之后形成的多個(gè)金屬柵電極700。在圖7a和7b的所得結(jié)構(gòu)上進(jìn)行rmg工藝。在rmg工藝中，第一掩模圖案220a和虛設(shè)柵圖案210可以被去除，然后金屬柵電極700形成在基板100上代替圖7b的虛設(shè)柵圖案210。

在一示范實(shí)施方式中，金屬柵電極700由al、w或者cu形成。

多個(gè)柵電極蓋710形成在金屬柵電極700的上表面上。在一示范實(shí)施方式中，柵電極蓋710可以由sibcn或者sin形成。

在rmg工藝中，襯墊500可以保護(hù)第一ild圖案600而第一掩模圖案220a和虛設(shè)柵圖案210被去除。第一掩模圖案220a和虛設(shè)柵圖案210被插置在虛設(shè)柵間隔物230和襯墊500之間，如圖7b中所示。在rmg工藝之后可以接著是包括回蝕工藝或者cmp工藝的平坦化工藝。在這種情況下，金屬柵電極蓋710的上表面、第一ild圖案600的上表面以及襯墊500的上表面彼此共面。

接觸孔的形成將參照?qǐng)D9a至13a以及圖9b至13b描述。

圖9a和9b示出在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示范實(shí)施方式的在步驟500中形成的第二掩模m2。在一示范實(shí)施方式中，第二掩模m2包括掩模開(kāi)口m2-o1和m2-o2以分別暴露外延層410a和410b。第二掩模m2的掩模開(kāi)口m2-o1的寬度在第一方向和第二方向上小于外延層410的寬度。在圖9a中，外延層410利用虛線(xiàn)表示。例如，在如圖9a所示的平面圖中，掩模開(kāi)口m2-o1完全地交疊外延層410a；在如圖9a所示的平面圖中，掩模開(kāi)口m2-o2完全地交疊外延層410b。外延層410a的邊界設(shè)置在掩模開(kāi)口m2-o1內(nèi)，并且外延層410b的邊界設(shè)置在掩模開(kāi)口m2-o2內(nèi)。

在一示范實(shí)施方式中，在第二掩模m2被形成之前，氧化物層610可以形成在圖8a和8b的所得結(jié)構(gòu)上。氧化物層610和第一ild圖案600可以由相同的材料形成。第二掩模m2形成在氧化物層610上。在一示范實(shí)施方式中，第一ild圖案600可以由硅氧化物形成。

在一示范實(shí)施方式中，第二掩模m2可以具有單個(gè)開(kāi)口以暴露外延層410a和410b以及設(shè)置在外延層410a和410b之間的柵電極蓋710。

在一示范實(shí)施方式中，第二掩模m2包括光致抗蝕劑層m2-1、無(wú)定形碳層m2-2以及硅抗反射涂覆(si-arc)層m2-3。光致抗蝕劑層m2-1可以被圖案化以具有第一開(kāi)口寬度ow1，然后利用至少一個(gè)蝕刻工藝，無(wú)定形碳層m2-2和si-arc層m2-3被蝕刻以在掩模開(kāi)口m2-o1和m2-o2的底部具有第二開(kāi)口寬度ow2。利用這個(gè)方法，掩模開(kāi)口m2-o1和m2-o2可以具有小于利用光刻設(shè)備可以獲得的第一開(kāi)口寬度ow1的第二開(kāi)口寬度ow2。例如，如果光刻設(shè)備使用超紫外(euv)波長(zhǎng)，則第一開(kāi)口寬度ow1可以是大約20nm，第二開(kāi)口寬度ow2可以是大約12nm。本發(fā)明構(gòu)思不限于此，根據(jù)光刻設(shè)備，寬度ow1和ow2可以具有不同尺寸。在下文，第一ild圖案600和氧化物層610可以被總稱(chēng)為第一ild圖案600。

圖10a和10b示出形成在接觸區(qū)400上的第一初始接觸孔pch1和pch2。在一示范實(shí)施方式中，形成在外延層410上的第一ild圖案600利用定向蝕刻工藝被蝕刻。在定向蝕刻工藝中，第二掩模m2可以被用作蝕刻掩模以形成設(shè)置在有源鰭結(jié)構(gòu)110上的第一初始接觸孔pch1和pch2。

在一示范實(shí)施方式中，第一初始接觸孔pch1和pch2穿過(guò)第一ild圖案600，使得形成在有源鰭結(jié)構(gòu)110上的襯墊500通過(guò)第一初始接觸孔pch1和pch2被暴露。襯墊500可以用作對(duì)于第一ild圖案600的定向蝕刻工藝中的蝕刻阻擋物。在對(duì)于第一ild圖案600的定向蝕刻工藝中，外延層410可以被襯墊500保護(hù)。

在一示范實(shí)施方式中，第一初始接觸孔pch1和pch2在寬度上向下減小，并且第一ild圖案600的被暴露的側(cè)壁通過(guò)第二掩模m2的掩模開(kāi)口m2-o1和m2-o2在圖10a的平面圖中被看到。

在圖11a和11b中，初始金屬柵間隔物240利用在圖1的步驟510中進(jìn)行的回蝕工藝形成在有源鰭結(jié)構(gòu)110上。在一示范實(shí)施方式中，在進(jìn)行步驟510的回蝕工藝之前，可以在圖10a和10b的所得結(jié)構(gòu)上進(jìn)行各向同性蝕刻工藝以通過(guò)圖10b的第一初始接觸孔pch1和pch2去除第一ild圖案600和襯墊500。在一示范實(shí)施方式中，第二掩模m2可以用作該各向同性蝕刻工藝的蝕刻掩模。

圖10b的形成在有源鰭結(jié)構(gòu)110上的第一ild圖案600可以在利用cor(chemicaloxideremoval，化學(xué)氧化物去除)或者稀釋的hf作為蝕刻劑的濕蝕刻中被去除。在這種情況下，襯墊500可以用作蝕刻阻擋物。襯墊500可以利用關(guān)于金屬柵電極700、柵電極蓋710和外延層410具有蝕刻選擇性的蝕刻劑在濕蝕刻工藝或者干蝕刻工藝中被去除。

設(shè)置在隔離區(qū)120上的第一ild圖案600在進(jìn)行各向同性蝕刻工藝之后保留。

在用于去除形成在有源鰭結(jié)構(gòu)110上的第一ild圖案600和襯墊500的各向同性蝕刻工藝之后，初始金屬柵間隔物(這里未示出)可以共形地形成在各向同性蝕刻工藝的所得結(jié)構(gòu)上。在各向同性蝕刻工藝中，第一ild圖案600和襯墊500通過(guò)圖10b的第一初始接觸孔pch1和pch2被去除。

在一示范實(shí)施方式中，初始金屬柵間隔物層被共形地形成而沒(méi)有完全地填充圖10b的第一初始接觸孔pch1和pch2，然后可以在初始金屬柵間隔物層上進(jìn)行包括rie工藝的定向蝕刻工藝以形成圖11b的初始金屬柵間隔物240。這個(gè)定向蝕刻工藝可以被稱(chēng)為回蝕工藝。在回蝕工藝中，初始金屬柵間隔物240形成在金屬柵電極700和外延層410之間。初始金屬柵間隔物240形成在通過(guò)各向同性蝕刻工藝暴露的金屬柵電極700和柵電極蓋710的側(cè)壁上。

第二初始接觸孔pch1'和pch2'由初始金屬柵間隔物240和外延層410限定。例如，第二初始接觸孔pch1'和pch2'被初始金屬柵間隔物240圍繞。

參照?qǐng)D12a-13a和12b-13b描述利用圖1的步驟500形成接觸孔ch1和ch2。

圖12a和12b示出的在初始金屬柵間隔物240上的有機(jī)平坦化層(opl)620。在一示范實(shí)施方式中，opl620可以利用旋涂工藝形成。opl620完全地填充第二初始接觸孔pch1'和pch2'，如圖11b所示。

在一示范實(shí)施方式中，圖1中的步驟520的倒角工藝被應(yīng)用到opl620上。在倒角工藝中，opl620可以在第二初始接觸孔pch1'和pch2'中被凹進(jìn)至預(yù)定深度，如虛線(xiàn)所指示的。倒角工藝可以利用各向同性蝕刻工藝進(jìn)行以去除opl620和初始金屬柵間隔物240。各向同性蝕刻工藝的蝕刻劑可以使opl620和初始金屬柵間隔物240關(guān)于idl圖案600具有蝕刻選擇性。例如，各向同性蝕刻工藝可以使用氧等離子體去除opl620。

在倒角工藝中，僅金屬柵間隔物240'和剩余的opl600'保留在第二初始接觸孔pch1'和pch2'。然后，剩余的opl600'被去除以形成如圖13a和13b所示的接觸孔ch1和ch2。

圖13a和13b示出在進(jìn)行圖1的步驟500之后形成的接觸孔ch1和ch2。接觸孔ch1和ch2具有在接觸孔ch1和ch2的上部分處的第一寬度w11以及在接觸孔ch1和ch2的下部分處的第二寬度w12。接觸孔ch1和ch2被成形為t形以減小第一接觸孔ch1和ch2的高寬比。如圖13a中所示，外延層410a和410b插置在金屬柵間隔物240'之間；金屬柵間隔物240'覆蓋金屬柵電極700的側(cè)壁。金屬柵間隔物240'接觸所述剩余的虛設(shè)柵間隔物230a和插置在所述剩余的虛設(shè)柵間隔物230a之間的ild圖案600。

圖14a和14b示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示范實(shí)施方式的在進(jìn)行圖1的步驟600之后形成在接觸孔ch1和ch2中的源電極/漏電極420。在一示范實(shí)施方式中，金屬層(這里未示出)可以形成在圖13a和13b的所得結(jié)構(gòu)上。金屬層完全地填充接觸孔ch1和ch2?？梢赃M(jìn)行包括回蝕工藝或者cmp工藝的平坦化工藝以形成源電極/漏電極420。填充在接觸孔ch1和ch2中的平坦化金屬層變成源電極/漏電極420。源電極/漏電極420可以由包括al、w或者cu的金屬形成。在一示范實(shí)施方式中，源電極/漏電極420可以由層疊在彼此上的兩個(gè)或更多金屬層形成。例如，源電極/漏電極420可以進(jìn)一步包括ti、mo或者ta。

源電極/漏電極420包括下部分和上部分。例如，下部分接觸外延層410；上部分包括形成在金屬柵間隔物240'上的懸垂部420-op。在一示范實(shí)施方式中，可以在形成源電極/漏電極420之后進(jìn)行硅化工藝。例如，源電極/漏電極420可以與外延層410反應(yīng)以在源電極/漏電極420和有源鰭結(jié)構(gòu)110之間的邊界處形成硅化物層(這里未示出)。硅化物層可以減小源電極/漏電極420與有源鰭結(jié)構(gòu)110之間的接觸電阻。硅化物層可以被稱(chēng)為源極/漏極接觸。

在一示范實(shí)施方式中，外延層410可以被完全地消耗以形成該硅化物層。在一示范實(shí)施方式中，外延層410可以被部分地消耗以形成該硅化物層。在這種情況下，部分的外延層410可以在硅化工藝完成之后保留。

空氣間隔物區(qū)的形成將參照?qǐng)D15a至16a以及圖15b至16b描述。

圖15a和15b示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示范實(shí)施方式的用于在圖1的步驟700中的在圖14a和14b的所得結(jié)構(gòu)中限定空氣間隔物區(qū)的第三掩模m3。第三掩模m3包括暴露圖16b的空氣間隔物區(qū)asr的掩模開(kāi)口m3-o。掩模開(kāi)口m3-o暴露源電極/漏電極420。掩模開(kāi)口m3-o完全地暴露圖14b的插置在形成于有源鰭結(jié)構(gòu)110上的源電極/漏電極420之間的第一柵電極蓋710a。掩模開(kāi)口m3-o部分地暴露圖14b的第二柵電極蓋710b1和710b2。掩模開(kāi)口m3-o完全地覆蓋圖14b的設(shè)置在隔離區(qū)120上的第三電極蓋710c1和710c2。

可以利用第三掩模m3作為蝕刻掩模在所得結(jié)構(gòu)上進(jìn)行各向異性蝕刻工藝。第一柵電極蓋710a被完全地去除。第二柵電極蓋710b1和710b2被部分地去除以使得剩余的第二柵電極蓋710b1'和710b2'形成在有源鰭結(jié)構(gòu)110上。形成在有源鰭結(jié)構(gòu)110上的金屬柵電極700通過(guò)掩模開(kāi)口m3-o暴露。金屬柵間隔物240'也通過(guò)掩模開(kāi)口m3-o被暴露。

在進(jìn)行各向異性蝕刻工藝之后，進(jìn)行各向同性蝕刻工藝以完全地去除剩余的第二柵電極蓋710b1'和710b2'以及設(shè)置在第三掩模開(kāi)口m3-o內(nèi)的金屬柵間隔物240'。

圖16a和16b示出在利用兩步蝕刻工藝進(jìn)行的圖1的步驟700之后的空氣間隔物區(qū)asr，該兩步蝕刻工藝包括以上參照?qǐng)D15a和15b描述的各向異性蝕刻工藝和各向同性蝕刻工藝?？諝忾g隔物區(qū)asr圍繞源電極/漏電極420的側(cè)壁。

圖17a和17b示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示范實(shí)施方式的在進(jìn)行圖1的步驟800之后形成的空氣間隔物250。第二ild圖案630利用沉積工藝形成在圖16a和16b的空氣間隔物區(qū)asr中。用于沉積第二ild圖案630的沉積工藝可以被控制以使得第二ild圖案630具有空隙。當(dāng)如圖17a中所示地從上方觀(guān)看時(shí)，第二ild圖案630完全地填充空氣間隔物區(qū)asr。然而，第二ild圖案630中具有空隙，并且該空隙相應(yīng)于空氣間隔物250。每個(gè)空氣間隔物250包括形成在每個(gè)源電極/漏電極420的四個(gè)側(cè)壁上的空氣間隔物250a、250b、250c和250d。在一示范實(shí)施方式中，空氣間隔物250a至250d可以連接到彼此。在一示范實(shí)施方式中，空氣間隔物250a至250d可以彼此間隔開(kāi)。

空氣間隔物250a至250d設(shè)置在t形源電極/漏電極420的懸垂部420-op下方。

在一示范實(shí)施方式中，第二ild圖案630形成在有源鰭結(jié)構(gòu)110上，并且第一ild圖案600形成在隔離區(qū)120上。在一示范實(shí)施方式中，第二ild圖案630可以由其介電常數(shù)小于第一ild圖案600的介電常數(shù)的低kild材料形成。例如，第二ild圖案630由包括有機(jī)石英玻璃(osg)的低kild材料形成，并且第一ild圖案600由硅氧化物形成。第二ild圖案630可以被稱(chēng)為低kild圖案。

在一示范實(shí)施方式中，柵電極蓋710形成在隔離區(qū)120上，并且第二ild圖案630形成在有源鰭結(jié)構(gòu)110上。例如，形成在有源鰭結(jié)構(gòu)110上的金屬柵電極700被第二ild圖案630覆蓋。

在下文，將參照?qǐng)D18至圖21描述制造半導(dǎo)體器件的方法。圖18是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示范實(shí)施方式的制造半導(dǎo)體器件的流程圖。圖19至21示出在圖18的步驟500'中形成的半導(dǎo)體器件的截面圖。

圖18的流程圖基本上與圖1的流程圖相同，除了形成接觸孔的步驟500'之外。在一示范實(shí)施方式中，接觸孔可以通過(guò)進(jìn)行倒角工藝520'然后進(jìn)行回蝕工藝510'而形成。用于形成圖18中的接觸孔的步驟500'將參照?qǐng)D19至21描述。

圖19示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示范實(shí)施方式的在圖18的步驟520'中形成的初始金屬柵間隔物層240p和opl620。在形成初始金屬柵間隔物層240p和opl620之前，設(shè)置在有源鰭結(jié)構(gòu)110上的第一ild圖案600和襯墊500可以利用各向同性蝕刻工藝從圖10a和10b的所得結(jié)構(gòu)去除。然后，初始金屬柵間隔物層240p和opl620形成在暴露外延層410的第一初始接觸孔pch1和pch2中。在一示范實(shí)施方式中，初始金屬柵間隔物層240p形成在由第一初始接觸孔pch1和pch2暴露的金屬柵電極700的側(cè)壁上。opl620完全地填充第一初始接觸孔pch1和pch2。

第一ild圖案600設(shè)置在隔離區(qū)120上，第一初始接觸孔pch1和pch2形成在有源鰭結(jié)構(gòu)110上。

圖20示出在進(jìn)行圖18的步驟520'之后的初始金屬柵間隔物240p'和凹進(jìn)的opl620'。在可以被稱(chēng)為倒角工藝的步驟520'中，圖21的接觸孔ch1和ch2的上部分形成在兩個(gè)相鄰的柵電極蓋710之間。

圖21示出在進(jìn)行圖18的步驟510'之后形成的接觸孔ch1和ch2。凹進(jìn)的opl620'被完全地去除，然后在凹進(jìn)的間隔物層240p'上進(jìn)行回蝕工藝直到外延區(qū)410通過(guò)接觸孔ch1和ch2被暴露。在這種情況下，凹進(jìn)的間隔物層240p'的上表面可以被凹進(jìn)。凹進(jìn)的間隔物層240p'的拐角被圓化，使得接觸孔ch1和ch2被成形為y形并且凹進(jìn)的間隔物層240p'變成金屬柵間隔物240'。圖21的金屬柵間隔物240'可以用作圖13a和13b的金屬柵間隔物240'。

可以在圖21的所得結(jié)構(gòu)上進(jìn)行步驟600至800以形成在金屬柵電極與源電極/漏電極之間具有空氣間隔物的晶體管。

在下文，將參照?qǐng)D22至圖25描述制造半導(dǎo)體器件的方法。圖22是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示范實(shí)施方式的制造半導(dǎo)體器件的流程圖。圖23至25示出在圖22的步驟500"至800中形成的半導(dǎo)體器件的截面圖。

圖22的流程圖基本上與圖1的流程圖相同，除了形成接觸孔的步驟500"之外。在一示范實(shí)施方式中，形成接觸孔可以通過(guò)圖11a和11b的回蝕工藝進(jìn)行，而不進(jìn)行圖12a和12b的倒角工藝。在這種情況下，在圖11a和11b的所得結(jié)構(gòu)上進(jìn)行步驟600至800。

圖23示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示范實(shí)施方式的在圖11a和11b的所得結(jié)構(gòu)上進(jìn)行步驟500"和600之后形成的金屬柵電極420。

圖22的步驟500"包括在圖11a和11b的所得結(jié)構(gòu)上進(jìn)行的平坦化工藝。平坦化工藝可以包括回蝕工藝或者cmp工藝。在這種情況下，可以進(jìn)行平坦化工藝直到柵電極蓋710的上表面被暴露。金屬柵間隔物240'在平坦化工藝中被凹進(jìn)。

在步驟600中，金屬層形成在由圖11b的初始金屬柵間隔物240限定的初始第二接觸孔pch1'和pch2'中。在進(jìn)行步驟500"的平坦化工藝之后，圖11b的初始金屬柵間隔物240變成金屬柵間隔物240'。

圖24示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示范實(shí)施方式的在進(jìn)行圖22的步驟700之后形成的空氣間隔物區(qū)asr。在這個(gè)步驟中，首先進(jìn)行rie工藝以去除金屬柵間隔物240'的上部分，然后進(jìn)行各向同性蝕刻工藝以完全地去除金屬柵間隔物240'。在兩步蝕刻中，除了設(shè)置在隔離區(qū)120上的柵電極蓋710c1和710c2之外，設(shè)置在有源鰭結(jié)構(gòu)110上的圖23的柵電極蓋710a、710b1和710b2被完全地去除，與圖16a和16b類(lèi)似。

圖25示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示范實(shí)施方式的在進(jìn)行圖22的步驟800之后形成的空氣間隔物250。在這種情況下，空氣間隔物250沒(méi)有被金屬柵電極420完全地覆蓋。在一示范實(shí)施方式中，當(dāng)在平面圖中觀(guān)看時(shí)，金屬柵電極700和空氣間隔物250不需要交疊。

圖26是具有根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示范實(shí)施方式制造的半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體模塊。

參照?qǐng)D26，半導(dǎo)體模塊500包括半導(dǎo)體器件530。半導(dǎo)體器件530可以根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示范實(shí)施方式形成。半導(dǎo)體器件530安裝在半導(dǎo)體模塊基板510上。半導(dǎo)體模塊500還包括安裝在半導(dǎo)體模塊基板510上的微處理器520。輸入/輸出端子540設(shè)置在半導(dǎo)體模塊基板510的至少一側(cè)上。半導(dǎo)體模塊500可以被包括在存儲(chǔ)卡或者固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(ssd)中。

圖27是示出具有根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示范實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的電子系統(tǒng)的框圖。

參照?qǐng)D27，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示范實(shí)施方式制造的半導(dǎo)體器件可以被包括在電子系統(tǒng)600中。電子系統(tǒng)600包括主體610、微處理器單元620、電源630、功能單元640和顯示控制器單元650。主體610可以包括具有印刷電路板(pcb)等等的系統(tǒng)板或者母板。微處理器單元620、電源630、功能單元640和顯示控制器單元650被安裝或者設(shè)置在主體610上。顯示單元660可以被層疊在主體610的上表面上。例如，顯示單元660設(shè)置在主體610的表面上，顯示被顯示控制器單元650處理的圖像。電源630從外部電源接收恒定電壓，產(chǎn)生各種電壓電平以將該電壓供給到微處理器單元620、功能單元640、顯示控制器單元650等。微處理器單元620從電源630接收電壓以控制功能單元640和顯示單元660。功能單元640可以執(zhí)行電子系統(tǒng)600的各種功能。例如，當(dāng)電子系統(tǒng)600是移動(dòng)式電子產(chǎn)品諸如便攜式電話(huà)等時(shí)，功能單元640可以包括各種部件以通過(guò)與外部裝置670的通信而執(zhí)行無(wú)線(xiàn)通信功能諸如撥號(hào)、視頻輸出到顯示單元660或者聲音輸出到揚(yáng)聲器，并且當(dāng)包括照相機(jī)時(shí)，它可以用作圖像處理器。在一示范實(shí)施方式中，如果電子系統(tǒng)600連接到存儲(chǔ)卡以擴(kuò)展存儲(chǔ)容量，功能單元640可以用作存儲(chǔ)卡控制器。功能單元640可以通過(guò)有線(xiàn)或者無(wú)線(xiàn)通信單元680與外部裝置670交換信號(hào)。此外，當(dāng)電子系統(tǒng)600需要通用串行總線(xiàn)(usb)擴(kuò)展功能時(shí)，功能單元640可以用作接口控制器。功能單元640可以包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示范實(shí)施方式制造的半導(dǎo)體器件。

圖28是具有根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示范實(shí)施方式制造的半導(dǎo)體器件的電子系統(tǒng)的框圖。

參照?qǐng)D28，電子系統(tǒng)700可以被包括在移動(dòng)裝置或者計(jì)算機(jī)中。例如，電子系統(tǒng)700包括配置為利用總線(xiàn)720執(zhí)行數(shù)據(jù)通信的存儲(chǔ)器712、微處理器714、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ram)716以及用戶(hù)接口718。微處理器714可以編程和控制該電子系統(tǒng)700。ram716可以被用作微處理器714的操作存儲(chǔ)器。例如，微處理器714或者ram716可以包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示范實(shí)施方式制造的半導(dǎo)體器件。

微處理器714、ram716和/或其它部件可以被裝配在單個(gè)封裝內(nèi)。用戶(hù)接口718可以用于輸入數(shù)據(jù)到電子系統(tǒng)700或者從電子系統(tǒng)700輸出數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器712可以存儲(chǔ)微處理器714的操作代碼、被微處理器714處理的數(shù)據(jù)、或者從外部接收的數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器712可以包括控制器和存儲(chǔ)器。

雖然已經(jīng)參照本發(fā)明構(gòu)思的示范實(shí)施方式示出和描述了本發(fā)明構(gòu)思，但對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將明顯的是，可以在其中進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)方面的各種改變而不背離由權(quán)利要求所限定的本發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍。

本申請(qǐng)要求在美國(guó)專(zhuān)利商標(biāo)局于2015年12月28日提交的美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)第62/271,674號(hào)以及于2016年6月22日提交的美國(guó)非臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)第15/189,660號(hào)的優(yōu)先權(quán)，其公開(kāi)通過(guò)引用整體合并在此。