技術(shù)特征：

1.一種長波長垂直腔面發(fā)射激光器，該長波長垂直腔面發(fā)射激光器由下至上依次包括襯底(8)、n型DBR(6)、n型空間層(5)、有源區(qū)(4)、p型空間層(3)、出光孔(9)和p面電極(2)，其中p面電極(2)蒸鍍于p型空間層(3)上，并包圍出光孔(9)，n型DBR(6)中間設(shè)有電流限制層(10)，電流限制層(10)上形成有圓形電流限制孔(11)，其特征在于，

所述襯底(8)和n型DBR(6)為等直徑的圓臺型結(jié)構(gòu)，其直徑大于所述出光孔(9)的直徑，小于長波長垂直腔面發(fā)射激光器最終解離芯片橫向尺寸。

2.如權(quán)利要求1所述的長波長垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，該長波長垂直腔面發(fā)射激光器還包括：n面電極(7)，其蒸鍍于所述襯底(8)和n型DBR(6)形成的等直徑的圓臺型結(jié)構(gòu)的底面和側(cè)面。

3.如權(quán)利要求1所述的長波長垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，所述襯底(8)為InP材料。

4.如權(quán)利要求1所述的長波長垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，所述n型DBR(6)為半導(dǎo)體材料或者介電材料。

5.如權(quán)利要求4所述的長波長垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，所述半導(dǎo)體材料為Al_xIn_yGa_(1-x-y)As/InP或者In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)/InP，所述介電材料為α-Si/Al₂O₃、MgO/α-Si、CaF₂/α-Si或者CaF₂/ZnS。

6.如權(quán)利要求1所述的長波長垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，所述n型空間層(5)材料為InP或者與InP匹配的三元或四元半導(dǎo)體材料。

7.如權(quán)利要求1所述的長波長垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，所述有源區(qū)(4)是單個量子阱或多對量子阱結(jié)構(gòu)。

8.如權(quán)利要求7所述的長波長垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，所述單個量子阱或多對量子阱結(jié)構(gòu)，其量子阱材料組分為Al_xIn_yGa_(1-x-y)As/Al_xIn_yGa_(1-x-y)As或In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)/In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)，所述量子阱個數(shù)為3-7個。

9.如權(quán)利要求1所述的長波長垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，所述p型空間層(3)材料為InP或者與InP匹配的三元或四元半導(dǎo)體材料。

10.如權(quán)利要求1所述的長波長垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，所述p面電極(2)材料為Cr/Au金屬。

11.如權(quán)利要求1所述的長波長垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，所述P型DBR(1)為半導(dǎo)體材料或者介電材料。

12.如權(quán)利要求11所述的長波長垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，所述半導(dǎo)體材料為Al_xIn_yGa_(1-x-y)As/InP或In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)/InP，所述介電材料為α-Si/Al₂O₃、MgO/α-Si、CaF₂/α-Si或者CaF₂/ZnS。

13.如權(quán)利要求1所述的長波長垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，所述n面電極(7)為包圍所述n型DBR(6)和襯底(8)的圓臺型結(jié)構(gòu)的環(huán)包型結(jié)構(gòu)，所述n面電極(7)材料為Au/Ge/Ni金屬。

14.如權(quán)利要求1所述的長波長垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，所述電流限制孔(11)直徑小于所述n型DBR(6)和襯底(8)圓臺型結(jié)構(gòu)的直徑和所述出光孔(9)的直徑。