技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種防止劃片造成短路的CMOS圖像傳感器結(jié)構(gòu)及制作方法，通過在感光芯片和邏輯芯片的內(nèi)部電路區(qū)域外側(cè)設(shè)置復(fù)合隔離結(jié)構(gòu)，包括形成于感光芯片n型襯底中的深P阱貫通注入?yún)^(qū)及形成于其內(nèi)部的P+注入?yún)^(qū)、形成于介質(zhì)層中的金屬互連層、形成于邏輯芯片p型襯底中的P+注入?yún)^(qū)，實現(xiàn)了邏輯芯片p型襯底和感光芯片n型襯底中深p阱之間的電學連接，并隔絕了處于n型襯底中用于感光的像素單元陣列區(qū)域和外圍的懸浮n型襯底區(qū)；當劃片形成的硅殘渣燒結(jié)物在堆疊芯片的側(cè)壁上形成殘留時，其僅連接了懸浮n型襯底區(qū)和p型襯底，不會造成電源到地的短路或靜態(tài)電流的增大。

技術(shù)研發(fā)人員：顧學強;趙宇航;周偉
受保護的技術(shù)使用者：上海集成電路研發(fā)中心有限公司;成都微光集電科技有限公司
文檔號碼：201611233793
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.28
技術(shù)公布日：2017.05.31