本發(fā)明涉及紫外探測技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種紫外探測器及其制備方法。

背景技術(shù)：

紫外探測技術(shù)在導(dǎo)彈預(yù)警、高溫火焰檢測、紫外通訊、生化物質(zhì)檢測以及空間探測等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。紫外探測技術(shù)的核心是紫外探測器。紫外探測器是將一種形式的電磁輻射信號轉(zhuǎn)換成另一種易被接收處理信號形式的傳感器，利用光電效應(yīng)把光學(xué)輻射轉(zhuǎn)化成電學(xué)信號。

目前，紫外探測器的研究主要集中在提高探測器性能方面。如申請?zhí)枮镃N201110279092.8的中國專利公開了一種高靈敏度紫外探測器的制備方法，包括：在藍(lán)寶石襯底上通過Si的原位摻雜生長制備n型GaN摻雜層，并在n型GaN摻雜層上生長寬禁帶半導(dǎo)體層；在寬禁帶半導(dǎo)體層上利用掩膜法進(jìn)行臺階刻蝕，刻蝕臺面外側(cè)的歐姆電極區(qū)域至n型GaN摻雜層；在歐姆電極區(qū)沉積Ti/Al/Ni/Au復(fù)合金屬，并退火形成歐姆接觸；在刻蝕所得的寬禁帶半導(dǎo)體層臺面上制備刻蝕掩膜，并利用感應(yīng)耦合等離子體刻蝕法刻蝕出表面柱陣列，刻蝕深度300～500nm；利用光刻套準(zhǔn)和磁控濺射法在表面柱陣列區(qū)域沉積紫外透光導(dǎo)電層，并退火形成肖特基接觸；利用光刻套準(zhǔn)和磁控濺射法分別在歐姆接觸和肖特基接觸表面制備加厚電極，并通過鈍化、引線及封裝后制成紫外探測器。

上述方法制造的紫外探測器，極大地增大了探測器的比表面積，從而顯著提高了紫外探測器的探測靈敏度，進(jìn)而促進(jìn)紫外探測器系統(tǒng)向小型化、便攜式和高靈敏兼具的目標(biāo)發(fā)展。但是這種紫外探測器在探測帶、響應(yīng)度以及背景噪音方面仍需要進(jìn)一步提高，以使其具有更好的波長選擇性。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種紫外探測器及其制備方法，本發(fā)明提供的紫外探測器具有更好的波長選擇性。

本發(fā)明提供了一種紫外探測器，包括：

襯底；

設(shè)置在所述襯底表面的ZnO薄膜，所述ZnO薄膜表面分布有Ag顆粒；

設(shè)置在所述ZnO薄膜表面的兩個電極。

優(yōu)選的，所述ZnO薄膜的厚度為500～800nm。

優(yōu)選的，所述Ag顆粒的粒徑為200～300nm。

優(yōu)選的，所述兩個電極獨立地選自Au電極、Ag電極或Al電極。

優(yōu)選的，所述兩個電極為條形電極。

優(yōu)選的，所述兩個電極之間的距離≥1mm。

本發(fā)明提供了一種上述技術(shù)方案所述的紫外探測器的制備方法，包括以下步驟：

(1)在襯底表面制備ZnO薄膜；

(2)在所述ZnO薄膜表面制備Ag層；

(3)將所述Ag層進(jìn)行退火處理，得到表面分布有Ag顆粒的ZnO薄膜；

(4)在所述表面分布有Ag顆粒的ZnO薄膜表面制備電極，得到紫外探測器。

優(yōu)選的，所述步驟(1)中制備ZnO薄膜的方法為等離子體增強分子束外延技術(shù)。

優(yōu)選的，所述步驟(2)中制備Ag層的方法為離子濺射法。

優(yōu)選的，所述步驟(3)中退火的溫度為420～480℃。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的紫外光電探測器含有Ag顆粒修飾的ZnO薄膜，利用Ag顆粒進(jìn)行修飾，能夠使得到的探測器探測帶窄、響應(yīng)度高；同時Ag的引入帶來的局域肖特基勢壘和表面鈍化作用降低了探測器件的暗電流和噪聲區(qū)域的響應(yīng)度。因此，本發(fā)明提供的紫外光探測器探測峰窄、響應(yīng)度峰值高、背景噪音低；具有高度的波長選擇性。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實施例提供的紫外探測器的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例1和比較例1制備得到的紫外探測器在暗態(tài)下的電流-電壓(I-V)特性曲線(暗電流)；

圖3為本發(fā)明實施例1～3和比較例1制備得到的探測器的光響應(yīng)特性曲線。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明提供了一種紫外探測器，包括：

襯底；

設(shè)置在所述襯底表面的ZnO薄膜，所述ZnO薄膜表面分布有Ag顆粒；

設(shè)置在所述ZnO薄膜表面的兩個電極。

本發(fā)明提供的紫外探測器包括襯底。本發(fā)明對所述襯底沒有特殊的限制，采用本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的制備紫外探測器所用的襯底即可。在本發(fā)明中，所述襯底優(yōu)選為藍(lán)寶石襯底、石英襯底、氧化鋅襯底或氧化鎂襯底，更優(yōu)選為藍(lán)寶石襯底，最優(yōu)選為C面寶石藍(lán)襯底。本發(fā)明對所述襯底的厚度沒有特殊的限制，采用本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的紫外探測器中的襯底厚度即可。在本發(fā)明中，所述襯底的厚度優(yōu)選為400～450μm，更優(yōu)選為420～440μm，最優(yōu)選為430μm。

本發(fā)明提供的紫外探測器包括設(shè)置在所述襯底表面的ZnO薄膜，所述ZnO薄膜表面分布有Ag顆粒。在本發(fā)明中，所述ZnO薄膜的厚度優(yōu)選為500～800nm，更優(yōu)選為550～750nm，更優(yōu)選為600～700nm，更優(yōu)選為630～670nm，最優(yōu)選為650nm。

在本發(fā)明中，所述Ag顆粒的粒徑優(yōu)選為200～300nm，更優(yōu)選為220～280nm，最優(yōu)選為240～260nm。在本發(fā)明中，相鄰的銀顆粒之間的距離優(yōu)選為400～600nm，更優(yōu)選為450～550nm，最優(yōu)選為500nm。

金屬表面離子體由于具有空間局域性和局域場增強性，當(dāng)發(fā)生表面等離子體共振耦合時，金屬納米結(jié)構(gòu)附近的場增強倍數(shù)可達(dá)10²～10⁴倍。但是金屬表面等離子體主要應(yīng)用于可見和紅外波段，由于大部分金屬的偶極子位于可見和紅外波段，而能量匹配是金屬表面等離子體局域場增強的必備條件，使其很少應(yīng)用于紫外光段。雖然在理論上可以通過減小粒子尺寸使金屬納米材料的偶極子峰藍(lán)移，但由于減小粒子尺寸會增加金屬的吸收損耗，很難通過減小尺寸來實現(xiàn)其在紫外波段的應(yīng)用。本發(fā)明通過采用Ag顆粒修飾ZnO薄膜，利用四極子高級共振可在短波長激發(fā)，偶極子和四極子Fano干涉形成的雜化四極子使局域電磁場增強，通過Ag粒子的吸收和共振增強作用，制備得到了具有高度波長選擇性的紫外增強型氧化鋅光電探測器。

本發(fā)明提供紫外探測器包括設(shè)置在所述ZnO薄膜表面的兩個電極。本發(fā)明對兩個電極沒有特殊的限制，采用本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的紫外探測器用電極即可。在本發(fā)明中，兩個電極可以為Au電極、Ag電極或Al電極。在本發(fā)明中，所述電極的厚度優(yōu)選為30～50nm，更優(yōu)選為35～45nm，最優(yōu)選為40nm。在本發(fā)明中，所述兩個電極優(yōu)選為條形電極。在本發(fā)明中，所述條形電極的長度優(yōu)選為4～6mm，更優(yōu)選為4.5～5.5mm，最優(yōu)選為5mm。在本發(fā)明中，所述條形電極的寬度優(yōu)選為0.5～1.5mm，更優(yōu)選為0.8～1.2mm，最優(yōu)選為1mm。在本發(fā)明中，所述兩個電極之間的距離優(yōu)選≥1mm，更優(yōu)選為1～5mm，最優(yōu)選為2mm。本發(fā)明優(yōu)選采用條狀電極并控制兩電極之間的距離使其具有足夠的電極間距，這樣可以避免銀顆粒導(dǎo)通帶來的器件暗電流增強，進(jìn)一步提高本發(fā)明提供的紫外探測器的高波長選擇性。

本發(fā)明提供了一種上述技術(shù)方案所述的紫外探測器的制備方法，包括以下步驟：

(1)在襯底表面制備ZnO薄膜；

(2)在所述ZnO薄膜表面制備Ag層；

(3)將所述Ag層進(jìn)行退火處理，得到表面分布有Ag顆粒的ZnO薄膜；

(4)在所述表面分布有Ag顆粒的ZnO薄膜表面制備電極，得到紫外探測器。

在本發(fā)明中，所述襯底與上述技術(shù)方案所述的襯底一致，在此不再贅述。本發(fā)明優(yōu)選采用等離子體增強分子束外延技術(shù)(P-MBE)在C面藍(lán)寶石襯底表面制備ZnO薄膜。本發(fā)明對所述等離子體增強分子束外延技術(shù)的具體方法沒有特殊的限制，按照本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的等離子體增強分子束外延技術(shù)制備ZnO薄膜的技術(shù)方案制備即可(如Chen,Y.F.；Bagnall,D.M.；Koh,H.J.；Park,K.T.；Hiraga,K.；Zhu,Z.Q.；Yao,T.Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy of ZnO on c-plane Sapphire:Growth and Characterization.J.Appl.Phys.1998,84,3912-3918文獻(xiàn)報道的方法)。在本發(fā)明中，所述等離子體增強分子束外延技術(shù)制備ZnO薄膜過程中的鋅源溫度優(yōu)選為480～520℃，更優(yōu)選為490～510℃，最優(yōu)選為500℃。在本發(fā)明中，所述等離子體增強分子束外延技術(shù)制備ZnO薄膜過程中的射頻功率優(yōu)選為220～280W，更優(yōu)選為240～260W，最優(yōu)選為250W。在本發(fā)明中，所述等離子體增強分子束外延技術(shù)制備ZnO薄膜過程中的襯底溫度優(yōu)選為920～980℃，更優(yōu)選為940～960℃，最優(yōu)選為950℃。在本發(fā)明中，所述ZnO薄膜的厚度與上述技術(shù)方案所述ZnO薄膜的厚度一致，在此不再贅述。

得到ZnO薄膜后，本發(fā)明優(yōu)選采用離子濺射法在所述ZnO薄膜表面制備Ag層。本發(fā)明對所述離子濺射法制備Ag層的具體方法沒有特殊的限制，采用本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的離子濺射法利用離子濺射設(shè)備進(jìn)行鍍膜即可。在本發(fā)明中，所述離子濺射法制備Ag層過程中的濺射電流優(yōu)選為1～3mA，更優(yōu)選為1.5～2.5m A，最優(yōu)選為2mA。在本發(fā)明中，所述離子濺射法制備Ag層過程中的濺射時間優(yōu)選為5～11min，更優(yōu)選為6～10min，最優(yōu)選為7～8min。在本發(fā)明中，所述Ag層的厚度優(yōu)選為15～30nm，更優(yōu)選為20～25nm。

本發(fā)明對所述Ag層進(jìn)行退火處理，能夠使Ag層中的銀收縮成球狀，使銀顆粒分布在ZnO薄膜表面，得到Ag顆粒修飾的ZnO薄膜。在本發(fā)明中，所述退火處理優(yōu)選在保護(hù)性氣氛下進(jìn)行，如氮氣氣氛下。在本發(fā)明中，所述退火處理的溫度優(yōu)選為420～480℃，更優(yōu)選為440～460℃，最優(yōu)選為450℃。在本發(fā)明中，所述退火處理的時間優(yōu)選為20～40min，更優(yōu)選為25～35min，最優(yōu)選為30min。在本發(fā)明中，所述表面分布有Ag顆粒的ZnO薄膜的厚度、銀顆粒的粒徑以及分布與上述技術(shù)方案所述表面分布有Ag顆粒的ZnO薄膜的厚度、銀顆粒的粒徑以及分布一致，在此不再贅述。

得到表面分布有Ag顆粒的ZnO薄膜后，本發(fā)明在所述表面分布有Ag顆粒的ZnO薄膜表面制備電極，得到紫外探測器。本發(fā)明對在分布有Ag顆粒的ZnO薄膜表面制備電極的方法沒有特殊的限制，采用本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的紫外檢測器制備電極的技術(shù)方案制備得到電極即可。本發(fā)明優(yōu)選按照下述方法在表面分布有Ag顆粒的ZnO薄膜表面制備電極：

在表面分布有Ag顆粒的ZnO薄膜表面進(jìn)行光刻，形成電極區(qū)域；

在所述電極區(qū)域濺射電極層，形成電極；

將非電極區(qū)域進(jìn)行剝離處理，去除光刻過程中覆蓋的光刻膠。

本發(fā)明對所述光刻的方法沒有特殊的限制，采用本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的光刻技術(shù)方案即可，即依次進(jìn)行勻膠、前烘、曝光、中烘、顯影、清洗、干燥、堅膜等過程。在本發(fā)明中，所述勻膠過程中采用的光刻膠優(yōu)選為KMPE3130光刻膠。在本發(fā)明中，所述前烘的溫度優(yōu)選為85～95℃，更優(yōu)選為90℃。在本發(fā)明中，所述前烘的時間優(yōu)選為2～4min，更優(yōu)選為3min。在本發(fā)明中，所述中烘的溫度優(yōu)選為85～95℃，更優(yōu)選為90℃。在本發(fā)明中，所述中烘的時間優(yōu)選為4～6min，更優(yōu)選為5min。在本發(fā)明中，所述干燥的方法優(yōu)選為氮氣吹干。在本發(fā)明中，所述堅膜的溫度優(yōu)選為110～130℃，更優(yōu)選為120℃。在本發(fā)明中，所述堅膜的時間優(yōu)選為2～4min，更優(yōu)選為3min。

在本發(fā)明中，所述濺射電極層的濺射電流優(yōu)選為3～5mA，更優(yōu)選為4mA。在本發(fā)明中，所述濺射電極層的時間優(yōu)選為8～12min，更優(yōu)選為10min。

在本發(fā)明中，所述剝離處理的剝離液優(yōu)選為丙酮。在本發(fā)明中，所述剝離處理的方法優(yōu)選為超聲剝離。在本發(fā)明中，所述超聲剝離的時間優(yōu)選為10～20分鐘，更優(yōu)選為15分鐘。

在本發(fā)明中，所述方法制備得到的電極形狀、厚度、材質(zhì)以及分布與上述技術(shù)方案所述電極的形狀、厚度、材質(zhì)以及分布一致，在此不再贅述。

本發(fā)明提供的紫外探測器的制備方法利用等離子體增強分子束外延技術(shù)(P-MBE)，在c面藍(lán)寶石襯底上制備ZnO薄膜，然后利用離子濺射設(shè)備和高溫快速熱退火技術(shù)制備隨機(jī)分布的Ag納米顆粒團(tuán)簇，金屬蒸鍍設(shè)備蒸鍍金屬(Au)接觸電極，并利用光刻和剝離工藝將Au接觸電極制備成平面條狀電極結(jié)構(gòu)，得到具有高度波長選擇性的納米銀顆粒修飾的氧化鋅紫外光電探測器件。本發(fā)明制備的高度波長選擇性紫外光電探測器件具有窄的響應(yīng)區(qū)域(375～385nm)，高的峰值響應(yīng)度(～3A/W)，低的背景噪音。本發(fā)明提供的方法所采用的外延手段和工藝手段可控性好，穩(wěn)定性高且可重復(fù)性高，制備得到的紫外探測器在紫外通訊，臭氧空洞監(jiān)測，高溫火焰探測和導(dǎo)彈預(yù)警等多個需要特定波段的紫外光電探測領(lǐng)域里具有非常廣闊的應(yīng)用前景。

本發(fā)明以下實施例所用到的原料均為市售商品。

實施例1

利用等離子體增強分子束外延(P-MBE)技術(shù)，采用c面藍(lán)寶石襯底，控制襯底溫度為950℃，鋅源溫度為500℃，氧氣流量為1sccm，射頻功率為250W，獲得厚度為600nm的ZnO薄膜。

利用離子濺射設(shè)備，通過控制濺射電流為2mA和濺射時間為7min制備Ag納米薄膜，然后在氮氣氣氛下退火30min，退火溫度為450℃，得到表面分布有Ag顆粒的ZnO薄膜。

將上述表面分布有Ag顆粒的ZnO薄膜通過勻膠(KMP E3130光刻膠)、前烘(90℃，3分鐘)、曝光、中烘(90℃，5分鐘)、顯影、去離子水反復(fù)清洗、氮氣吹干、堅膜(120℃，3分鐘)，形成電極區(qū)域；在電極區(qū)域濺射Au電極層，濺射電流為4mA，濺射時間10min，形成厚度為40nm、長度為5mm、寬度為1mm、距離為2mm的兩個條形Au電極；采用丙酮作為剝離液超聲剝離15min，然后去離子水沖洗，氮氣吹干，制備得到紫外探測器，具有圖1所示的結(jié)構(gòu)，圖1為本發(fā)明實施例提供的紫外探測器的結(jié)構(gòu)示意圖。

實施例2

利用等離子體增強分子束外延(P-MBE)技術(shù)，采用c面藍(lán)寶石襯底，控制襯底溫度為950℃，鋅源溫度為500℃，氧氣流量為1sccm，射頻功率為250W，獲得厚度為600nm的ZnO薄膜。

利用離子濺射設(shè)備，通過控制濺射電流為2mA和濺射時間為9min制備Ag納米薄膜，然后在氮氣氣氛下退火30min，退火溫度為450℃，得到表面分布有Ag顆粒的ZnO薄膜。

將上述表面分布有Ag顆粒的ZnO薄膜通過勻膠(KMP E3130光刻膠)、前烘(90℃，3分鐘)、曝光、中烘(90℃，5分鐘)、顯影、去離子水反復(fù)清洗、氮氣吹干、堅膜(120℃，3分鐘)，形成電極區(qū)域；在電極區(qū)域濺射Au電極層，濺射電流為4mA，濺射時間10min，形成厚度為40nm、長度為5mm、寬度為1mm、距離為2mm的兩個條形Au電極；采用丙酮作為剝離液超聲剝離15min，然后去離子水沖洗，氮氣吹干，制備得到紫外探測器。

實施例3

利用等離子體增強分子束外延(P-MBE)技術(shù)，采用c面藍(lán)寶石襯底，控制襯底溫度為950℃，鋅源溫度為500℃，氧氣流量為1sccm，射頻功率為250W，獲得厚度為600nm的ZnO薄膜。

利用離子濺射設(shè)備，通過控制濺射電流為2mA和濺射時間為11min制備Ag納米薄膜，然后在氮氣氣氛下退火30min，退火溫度為450℃，得到表面分布有Ag顆粒的ZnO薄膜。

將上述表面分布有Ag顆粒的ZnO薄膜通過勻膠(KMP E3130光刻膠)、前烘(90℃，3分鐘)、曝光、中烘(90℃，5分鐘)、顯影、去離子水反復(fù)清洗、氮氣吹干、堅膜(120℃，3分鐘)，形成電極區(qū)域；在電極區(qū)域濺射Au電極層，濺射電流為4mA，濺射時間10min，形成厚度為40nm、長度為5mm、寬度為1mm、距離為2mm的兩個條形Au電極；采用丙酮作為剝離液超聲剝離15min，然后去離子水沖洗，氮氣吹干，制備得到紫外探測器。

比較例1

利用等離子體增強分子束外延(P-MBE)技術(shù)，采用c面藍(lán)寶石襯底，控制襯底溫度為950℃，鋅源溫度為500℃，氧氣流量為1sccm，射頻功率為250W，獲得厚度為600nm的ZnO薄膜。

將得到的氧化鋅薄膜通過勻膠(KMP E3130光刻膠)、前烘(90℃，3分鐘)、曝光、中烘(90℃，5分鐘)、顯影、去離子水反復(fù)清洗、氮氣吹干、堅膜(120℃，3分鐘)，形成電極區(qū)域；在電極區(qū)域濺射Au電極層，濺射電流為6mA，濺射時間10min，形成厚度為40nm、長度為5mm、寬度為1mm、距離為2mm的兩個條形Au電極；采用丙酮作為剝離液超聲剝離15min，然后去離子水沖洗，氮氣吹干，制備得到紫外探測器。

實施例4

對本發(fā)明實施例1～3和比較例1制備得到的紫外探測器進(jìn)行暗態(tài)下的I-V特性曲線測試，具體測試方法為：

利用Agilent B1500型半導(dǎo)體分析儀設(shè)備分別對實施例和比較例進(jìn)行暗態(tài)下的電壓-電流性能測試。首先，用探針臺將待測器件兩電極與半導(dǎo)體分析儀連接，儀器與器件連接完畢后，將器件與整套系統(tǒng)暗態(tài)靜置30分鐘，然后進(jìn)行測試。電壓輸出設(shè)定為-10V至+10V，取樣間隔為200mV，得到數(shù)據(jù)即為器件暗態(tài)下I-V特性圖。

檢測結(jié)果如圖2所示，圖2為發(fā)明實施例1和比較例1制備得到的紫外光電探測器在暗態(tài)下的I-V特性曲線。實施例2和實施例3的檢測結(jié)果與實施例1相同。由圖2可以看出，本發(fā)明制備的紫外探測器具有較好的線性I-V關(guān)系，并且納米銀顆粒修飾的氧化鋅紫外光電探測器的暗電流明顯低于氧化鋅探測器；說明本發(fā)明實施例制備的納米銀顆粒修飾的氧化鋅紫外光電探測器具有相對較低的暗電流。

實施例5

對本發(fā)明實施例1～3和比較例1制備得到的紫外探測器進(jìn)行光響應(yīng)測試，具體的測試方法為：

利用卓立漢光DSR100系列探測器光譜響應(yīng)度標(biāo)定系統(tǒng)進(jìn)行實施例1～3和比較例1的響應(yīng)度測試。系統(tǒng)使用光源為紫外增強型氙燈，功率為200W，Omni-A型單色儀分辨率為0.4nm，斬波器頻率為120Hz，外加偏壓由AgilentB2900A系列精密型電源提供。測試時，將待測器件電極與測試樣品架連接，放入上述響應(yīng)度標(biāo)定系統(tǒng)，調(diào)節(jié)合適光斑位置及大小使光照區(qū)域位于器件兩電極之間的銀納米顆粒覆蓋范圍內(nèi)，然后進(jìn)行響應(yīng)度測試，外加偏壓為15V，積分時間為200ms，掃描間隔為2nm。得到數(shù)據(jù)即為器件響應(yīng)度特性圖。

檢測結(jié)果如圖3所示，圖3為發(fā)明實施例1～3和比較例1制備得到的紫外探測器的光響應(yīng)特性曲線。從圖3中可以看出，相比于比較例探測器，本發(fā)明實施例制備得到的探測器具有窄的探測帶，高的響應(yīng)峰，低的背景噪音。在15V下，比較例探測器的峰值響應(yīng)度大約為2.16A/W，實施例探測器的峰值響應(yīng)度大約為2.86A/W；說明本發(fā)明實施例制備的納米銀顆粒修飾的氧化鋅紫外光電探測器實現(xiàn)了高度的波長選擇性。

由以上實施例可知，單純的無納米銀顆粒修飾的氧化鋅探測器具有較寬且平緩的探測區(qū)域，不適宜需要針對特定波段選擇探測的應(yīng)用，利用納米銀顆粒修飾，可以得到具有窄探測帶，高響應(yīng)度的探測器件，同時引入Ag薄膜層帶來的局域肖特基勢壘和表面鈍化作用降低了器件的暗電流和噪聲區(qū)域的響應(yīng)度。條狀電極結(jié)構(gòu)保證了足夠的電極間距，避免納米銀顆粒導(dǎo)通帶來的器件暗電流增強。本發(fā)明實現(xiàn)了制備得到高波長選擇性的氧化鋅紫外光電探測器件。

以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想。應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以對本發(fā)明進(jìn)行若干改進(jìn)和修飾，這些改進(jìn)和修飾也落入本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。

對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。