本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體涉及一種扇出型晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。

背景技術(shù)：

扇出型晶圓級(jí)封裝(FOWLP)技術(shù)區(qū)別于傳統(tǒng)的有機(jī)基板封裝，可以兼容晶圓級(jí)尺寸工藝，節(jié)省基板體積，從而使得封裝體的尺寸更小，可以兼容傳統(tǒng)有機(jī)基板封裝中高引腳分布高密度高性能的器件，在成本上也更為低廉。

一般傳統(tǒng)的系統(tǒng)級(jí)封裝主要以平面的二維器件分布多層封裝堆疊(Package On Package，POP)、特殊功能芯片例如存儲(chǔ)芯片的高三維堆疊、低功耗的三維堆疊為主。二維平面器件分布的系統(tǒng)級(jí)封裝布線難度大，所需面積大，信號(hào)的損耗大；特殊功能芯片針對(duì)的封裝器件應(yīng)用范圍較少，對(duì)于高堆疊封裝頂層的供電會(huì)有越來(lái)越高的壓力；低功耗封裝內(nèi)部三維堆疊集成的封裝器件受限于自身的微組裝、熱耗散以及可測(cè)試難度，應(yīng)用范圍窄，堆疊頂層的供電壓力較大。

扇出型晶圓級(jí)封裝以自身塑封芯片體為基板，可以通過(guò)以塑封體為基板的精密加工使得產(chǎn)品擁有相對(duì)于傳統(tǒng)系統(tǒng)級(jí)封裝更為優(yōu)越的電學(xué)性能?，F(xiàn)有的傳統(tǒng)二維平面器件分布的多層三維PoP封裝受限于基板體積與上層供電壓力，無(wú)法使得體積更小、堆疊更高；閃存等特殊芯片的三維高密度堆疊應(yīng)用面較窄，頂端器件的供電壓力同樣亟待解決。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種扇出型晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中半導(dǎo)裝置的高堆疊系統(tǒng)級(jí)封裝中堆疊頂層供電壓力過(guò)大、互連間距過(guò)長(zhǎng)的問(wèn)題。

一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種扇出型晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，包括：

封裝體模塊，該封裝體模塊包括自下而上依次堆疊的至少兩個(gè)封裝單元，封裝單元包括至少一個(gè)封裝芯片以及與該封裝芯片電連接的重布線層，上下相鄰的兩個(gè)封裝單元的重布線層通過(guò)模塊內(nèi)連接件電連接，且至少一個(gè)封裝單元的重布線層延伸至封裝體模塊的至少一個(gè)側(cè)面的邊緣；

信號(hào)互連模塊，設(shè)置在封裝體模塊的至少一個(gè)側(cè)面，信號(hào)互連模塊與延伸至邊緣的重布線層電連接；

電源模塊，設(shè)置在封裝體模塊的至少一個(gè)側(cè)面，電源模塊與延伸至邊緣的重布線層電連接。

另一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種扇出型晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，包括：

制作封裝體模塊，封裝體模塊包括自下而上依次堆疊的至少兩個(gè)封裝單元，封裝單元包括至少一個(gè)封裝芯片以及與該封裝芯片電連接的重布線層，上下相鄰的兩個(gè)封裝單元的重布線層通過(guò)模塊內(nèi)連接件電連接，且至少一個(gè)封裝單元的重布線層延伸至封裝體模塊的至少一個(gè)側(cè)面的邊緣；

貼附信號(hào)互連模塊，將信號(hào)互連模塊設(shè)置在封裝體模塊的至少一個(gè)側(cè)面，信號(hào)互連模塊與延伸至邊緣的重布線層電連接；

貼附電源模塊，將電源模塊設(shè)置在封裝體模塊的至少一個(gè)側(cè)面，電源模塊與延伸至邊緣的重布線層電連接。

本發(fā)明實(shí)施例提供的扇出型晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，通過(guò)將至少兩個(gè)封裝單元依次堆疊構(gòu)成封裝體模塊，其中上下相鄰的封裝單元的重布線層通過(guò)模塊內(nèi)連接件電連接，且至少一個(gè)封裝單元的重布線層延伸至該封裝體模塊至少一個(gè)側(cè)面的邊緣，并在封裝體模塊的至少一個(gè)側(cè)面設(shè)置信號(hào)互連模塊，該信號(hào)互連模塊與延伸至邊緣的重布線層電連接，以及在封裝體模塊的至少一個(gè)側(cè)面設(shè)置電源模塊，該電源模塊與延伸至邊緣的重布線層電連接。采用上述技術(shù)方法的扇出型晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，由于在封裝體模塊的至少一個(gè)側(cè)面設(shè)置信號(hào)互連模塊和電源模塊，使得扇出型晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的高堆疊系統(tǒng)級(jí)封裝中堆疊頂層供電壓力減緩，縮小了系統(tǒng)級(jí)互連間距。相對(duì)于傳統(tǒng)的系統(tǒng)級(jí)封裝，本實(shí)施例提供的扇出型晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)中系統(tǒng)級(jí)互連信號(hào)完整性更佳，設(shè)計(jì)更為靈活，同樣的功能可具備更小的體積；整體的供電走線更為靈活，封裝體模塊的至少一個(gè)側(cè)面以信號(hào)互連為主以及封裝體模塊的除信號(hào)互連側(cè)面外的至少一個(gè)側(cè)面完全以電源完整性為主，不存在頂層供電模塊的問(wèn)題，機(jī)械強(qiáng)度可以更佳，對(duì)于晶圓級(jí)設(shè)計(jì)規(guī)則下的信號(hào)及電源完整性解決的更好，最優(yōu)化設(shè)計(jì)更易實(shí)現(xiàn)。

附圖說(shuō)明

通過(guò)閱讀參照以下附圖說(shuō)明所作的對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將變得更明顯。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種扇出型晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種扇出型晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種扇出型晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的扇出型晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)邊連接層網(wǎng)絡(luò)分布截面圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的制作封裝單元時(shí)在載板上放置封裝芯片并固封的剖面示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的制作封裝單元時(shí)在芯片固封層上制作復(fù)合絕緣層和重布線層的剖面示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的制作封裝單元時(shí)在重布線層上制作凸塊下金屬層的剖面示意圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的制作封裝單元時(shí)在芯片固封層中制作方形通孔的剖面示意圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的將兩個(gè)封裝單元進(jìn)行堆疊的剖面示意圖；

圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的將三個(gè)封裝單元進(jìn)行堆疊的剖面示意圖；

圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的對(duì)封裝模塊的兩側(cè)邊緣進(jìn)行切割磨合并露出重布線層的剖面示意圖；

圖12為本發(fā)明實(shí)施例提供的在封裝模塊的右側(cè)通孔和重布線層的剖面示意圖；

圖13為本發(fā)明實(shí)施例提供的在封裝模塊的左側(cè)貼附系統(tǒng)互連電路板的剖面示意圖；

圖14為本發(fā)明實(shí)施例提供的在封裝模塊的右側(cè)、上側(cè)和下側(cè)貼附柔性電源供應(yīng)電路板的剖面示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。可以理解的是，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的限定。另外還需要說(shuō)明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部。

實(shí)施例

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種扇出型晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。本發(fā)明實(shí)施例提供的扇出型晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)包括：封裝體模塊100、信號(hào)互連模塊200和電源模塊300，這里封裝體模塊100以三個(gè)封裝單元110為例進(jìn)行說(shuō)明，封裝單元110還可以是兩個(gè)或者多個(gè)，對(duì)此不作限定。如圖1所示，封裝單元110自下而上依次堆疊。

封裝單元110包括一個(gè)封裝芯片111以及與該封裝芯片111電連接的重布線層112，上下相鄰的兩個(gè)封裝單元110的重布線層112通過(guò)模塊內(nèi)連接件120電連接，且至少一個(gè)封裝單元110的重布線層112延伸至封裝體模塊100的至少一個(gè)側(cè)面的邊緣。本實(shí)施例中，三個(gè)封裝單元110的重布線層112均延伸至封裝體模塊100的左右兩個(gè)側(cè)面的邊緣。

信號(hào)互連模塊200，設(shè)置在封裝體模塊100的至少一個(gè)側(cè)面，信號(hào)互連模塊200與延伸至邊緣的重布線層112電連接。本實(shí)施例中，信號(hào)互連模塊200設(shè)置在封裝體模塊100的左側(cè)，重布線層112左側(cè)邊緣的112a為信號(hào)地(SG)網(wǎng)絡(luò)，直接與信號(hào)互連模塊200電連接。

電源模塊300，設(shè)置在封裝體模塊100的至少一個(gè)側(cè)面，電源模塊300與延伸至邊緣的重布線層112電連接。本實(shí)施例中，電源模塊300設(shè)置在封裝體模塊100的右側(cè)，重布線層112右側(cè)邊緣的112b為電源地(PG)網(wǎng)絡(luò)，直接與電源模塊300電連接。

本實(shí)施例提供的扇出型晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，通過(guò)在封裝體模塊的至少一個(gè)側(cè)面設(shè)置信號(hào)互連模塊和電源模塊，使得扇出型晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的高堆疊系統(tǒng)級(jí)封裝中堆疊頂層的供電壓力減緩，縮小了系統(tǒng)級(jí)互連間距。相對(duì)于傳統(tǒng)的系統(tǒng)級(jí)封裝，本實(shí)施例提供的扇出型晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)中封裝體模塊的至少一個(gè)側(cè)面以信號(hào)互連為主以及封裝體模塊的除信號(hào)互連側(cè)面外的至少一個(gè)側(cè)面完全以電源完整性為主，整體的供電走線更為靈活，并且系統(tǒng)級(jí)互連信號(hào)完整性更佳，設(shè)計(jì)更為靈活，同樣的功能可具備更小的體積，不存在頂層供電模塊的問(wèn)題，機(jī)械強(qiáng)度可以更佳，對(duì)于晶圓級(jí)設(shè)計(jì)規(guī)則下的信號(hào)及電源完整性解決的更好，最優(yōu)化設(shè)計(jì)更易實(shí)現(xiàn)。

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種扇出型晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，示例性地，信號(hào)互連模塊200包括系統(tǒng)互連電路板210，系統(tǒng)互連電路板210通過(guò)第一模塊間連接件201與延伸至邊緣的重布線層112電連接。

示例性地，封裝單元包括芯片固封層，至少一個(gè)封裝芯片由塑封材料固封在芯片固封層中。

電源模塊300包括電源供應(yīng)電路板310，電源供應(yīng)電路板310通過(guò)第二模塊間連接件301與延伸至邊緣的重布線層112電連接；電源模塊300所在的封裝體模塊100的側(cè)面處，在本實(shí)施例中為封裝體模塊100的右側(cè)，封裝單元110上下兩側(cè)的重布線層112和模塊內(nèi)連接件120通過(guò)方形通孔113電連接。為了使電源模塊的性能更好，通路更多，需要對(duì)封裝體模塊內(nèi)連接封裝單元上下兩側(cè)重布線層和模塊內(nèi)連接件的通孔做表面處理，以便于引出通路，相對(duì)于圓形通孔的弧形表面，在方形通孔的平面上做表面處理更加方便和容易，因此在本實(shí)施例中，將位于封裝體模塊右側(cè)邊緣，連接封裝單元上下兩側(cè)重布線層和模塊內(nèi)連接件的通孔制作為大間距的方形通孔，其余通孔可以為正常尺寸的圓形通孔。

信號(hào)互連模塊200為系統(tǒng)互連電路板210時(shí)，使得各器件間互連不僅僅依靠通孔114實(shí)現(xiàn)，可以有更大裕量使得扇出體積更小。此時(shí)，可以根據(jù)實(shí)際的工藝和設(shè)計(jì)各個(gè)參數(shù)指標(biāo)需求考察是否需要對(duì)芯片固封層進(jìn)行打孔。本實(shí)施例中，封裝體模塊右側(cè)，上下相鄰的封裝單元110的重布線層112和模塊內(nèi)連接件120通過(guò)兩個(gè)通孔114實(shí)現(xiàn)電連接。示例性地，還可以通過(guò)一個(gè)通孔電連接，或者不制作通孔，只通過(guò)系統(tǒng)互連電路板電連接，本發(fā)明對(duì)此不作限定。

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種扇出型晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。示例性地，信號(hào)互連模塊200包括至少一個(gè)導(dǎo)線220，導(dǎo)線220將延伸至邊緣的重布線層112電連接，本實(shí)施例中，封裝體模塊100以三個(gè)封裝單元110為例進(jìn)行說(shuō)明，信號(hào)互連模塊200以三個(gè)導(dǎo)線220為例進(jìn)行說(shuō)明，本實(shí)施例可以只通過(guò)導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)信號(hào)互連。

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的扇出型晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)邊連接層網(wǎng)絡(luò)分布截面圖。優(yōu)選地，重布線層112左側(cè)與信號(hào)互連模塊電連接的信號(hào)地(SG)網(wǎng)絡(luò)112a為正常尺寸的圓形孔，重布線層112右側(cè)與電源模塊電連接的電源地(PG)網(wǎng)絡(luò)112b為尺寸較大的方形孔且距離邊緣較近。

隨著封裝體模塊堆疊層數(shù)密度增多，信號(hào)與電源側(cè)邊連接層不同層的設(shè)計(jì)更為合理。封裝體模塊右側(cè)做尺寸較大方形板且相對(duì)其它層距邊緣較近是為后續(xù)研磨、露頭、焊接、底板供電做準(zhǔn)備；同理，封裝體左側(cè)是為了后序研磨、露頭、表面處理引線鍵合系統(tǒng)互連做準(zhǔn)備。

本發(fā)明的技術(shù)方案通過(guò)減少電源間距來(lái)保證電源完整性，針對(duì)晶圓級(jí)封裝無(wú)法給予地電更多的金屬的特點(diǎn)，實(shí)際的芯片設(shè)計(jì)可以更好地利用這一特點(diǎn)提高集成度，讓地電方向距離供電模塊更近。

示例性地，封裝單元還包括位于封裝芯片固封層上側(cè)或下側(cè)中至少一側(cè)的復(fù)合絕緣層，重布線層設(shè)置在復(fù)合絕緣層中。

示例性地，相鄰的兩個(gè)封裝單元之間的空隙中設(shè)置有填充物。該填充物用于保護(hù)封裝單元，并為在封裝體模塊的至少一個(gè)側(cè)面制作信號(hào)互連模塊和電源模塊做準(zhǔn)備，該填充物可以為有機(jī)材料。

本發(fā)明實(shí)施例提供的扇出型晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，通過(guò)不同的層數(shù)交錯(cuò)區(qū)分開信號(hào)地網(wǎng)絡(luò)與電源地網(wǎng)絡(luò)，采用避免同層繞線的設(shè)計(jì)，減少自感和互感保證高頻的信號(hào)質(zhì)量，利用不同層間線路板及鍵合線調(diào)整再分布，最終使得互連間距更短，并通過(guò)減少電源間距來(lái)保證電源完整性，使得扇出型晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)所用區(qū)域更小，集成度更高。本發(fā)明實(shí)施例采用側(cè)邊互連技術(shù)，使得系統(tǒng)容量更大，應(yīng)用范圍更廣，兼容性更強(qiáng)，設(shè)計(jì)更為靈活簡(jiǎn)單，對(duì)許多復(fù)雜多芯片系統(tǒng)級(jí)封裝互連來(lái)說(shuō)，提供了更多的可能性；由于是基于FOWLP的封裝形式，其生產(chǎn)效率更高，成本優(yōu)勢(shì)更大，市場(chǎng)前景更廣；繼承了PoP等先前所有系統(tǒng)級(jí)封裝的優(yōu)勢(shì)并解決了其存在的主要問(wèn)題；相對(duì)于傳統(tǒng)的系統(tǒng)級(jí)封裝，甚至是整體的電路系統(tǒng)來(lái)說(shuō)，提供了極佳的電源完整性與信號(hào)完整性解決方案，使得整體所有器件的供電間距更短，開關(guān)噪聲得到改善，地電諧振問(wèn)題不會(huì)影響干擾敏感信號(hào)，電源走線不會(huì)被信號(hào)阻隔產(chǎn)生諸多高阻抗區(qū)域，雙方整體的再分布面積都能得到相應(yīng)的改善，當(dāng)技術(shù)足夠成熟時(shí)，只需在底層外設(shè)供電即可實(shí)現(xiàn)整體電路功能，為體積更小功能更強(qiáng)的電子設(shè)備提供了更好的解決方案；本實(shí)施例提供的扇出型晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的晶圓級(jí)封裝在信號(hào)及電源的傳導(dǎo)設(shè)計(jì)方面相對(duì)基板有更多的設(shè)計(jì)規(guī)則限制，該方案可以更好的平衡介質(zhì)與金屬的含量，同時(shí)強(qiáng)化信號(hào)及電源完整性，使得地電方面所用金屬面積更少，通路更短性能更佳，信號(hào)方面更為自由，不用受到電源諧振的影響，尤其針對(duì)于高頻高密度參考面有限的信號(hào)傳播來(lái)說(shuō)，電源參考對(duì)于信號(hào)的破壞作用更大。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種扇出型晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，包括：

制作封裝體模塊，封裝體模塊包括自下而上依次堆疊的至少兩個(gè)封裝單元，封裝單元包括至少一個(gè)封裝芯片以及與封裝芯片電連接的重布線層，上下相鄰的兩個(gè)封裝單元的重布線層通過(guò)模塊內(nèi)連接件電連接，且至少一個(gè)封裝單元的重布線層延伸至封裝體模塊的至少一個(gè)側(cè)面的邊緣；

貼附信號(hào)互連模塊，將信號(hào)互連模塊設(shè)置在封裝體模塊的至少一個(gè)側(cè)面，信號(hào)互連模塊與延伸至邊緣的重布線層電連接；

貼附電源模塊，將電源模塊設(shè)置在封裝體模塊的至少一個(gè)側(cè)面，電源模塊與延伸至邊緣的重布線層電連接。

下面按照工程中制作封裝體模塊、貼附信號(hào)互連模塊以及貼附電源模塊的順序進(jìn)行說(shuō)明，本發(fā)明實(shí)施例中封裝體模塊以三個(gè)封裝單元為例、每個(gè)封裝單元以一個(gè)封裝芯片為例、信號(hào)互連模塊設(shè)置在封裝體模塊左側(cè)為例以及電源模塊設(shè)置在封裝體模塊右側(cè)、上側(cè)和下側(cè)為例進(jìn)行說(shuō)明。依次堆疊的封裝單元的數(shù)目還可以是其他數(shù)值，每個(gè)封裝單元中封裝芯片的數(shù)目也可以是兩個(gè)或多個(gè)，對(duì)此不作限定。

首先，制作封裝體模塊100。

如圖5所示，在載板101上放置一個(gè)封裝芯片111，用塑封材料將封裝芯片111固封，形成芯片固封層115。封裝芯片放置晶圓載板塑封時(shí)，相對(duì)塑封面積比重布線層實(shí)際設(shè)計(jì)區(qū)域較大，塑封所用材料要求強(qiáng)度可靠性較高，相對(duì)傳統(tǒng)的扇出型晶圓級(jí)封裝較厚。

如圖6所示，將固封好的封裝芯片111翻轉(zhuǎn)并拆除載板101，在芯片固封層115上制作復(fù)合絕緣層116，復(fù)合絕緣層116中形成有重布線層112，重布線層112延伸至芯片固封層115的邊緣，重布線層112與封裝芯片111電連接。

示例性地，復(fù)合絕緣層116可以是有機(jī)高分子材料，例如聚酰亞胺(PI)。復(fù)合絕緣層116和重布線層112構(gòu)成側(cè)邊連接層，在側(cè)邊連接層上還可以有其他層的設(shè)計(jì)，側(cè)邊連接層相對(duì)于其他層設(shè)計(jì)區(qū)域更靠近邊緣。

如圖7所示，在重布線層112上制作凸塊下金屬層117，為后續(xù)鍵合植球工藝做準(zhǔn)備。本實(shí)施例中制作了兩層重布線層112，并在第二層重布線層112上制作凸塊下金屬層117，可選地，還可以在第一層重布線層112上制作第一凸塊下金屬層117。

如圖8所示，鍵合臨時(shí)載板102并翻轉(zhuǎn)，在芯片固封層115上激光鉆孔并刻蝕填孔，在封裝單元的左側(cè)形成方形通孔113為貼附電源模塊做準(zhǔn)備，對(duì)填孔鍍完的銅做化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)后在芯片固封層115上繼續(xù)制作復(fù)合絕緣層116并建立上層重布線層112和凸塊下金屬層117，芯片固封層115上側(cè)和下側(cè)的重布線層112通過(guò)方形通孔113電連接，拆除載板102后形成封裝單元110。在凸塊下金屬層117上植球，即為模塊內(nèi)連接件120，為連接其余封裝單元做準(zhǔn)備。其中臨時(shí)載板102用于底層固定。

同樣地，按照上述方法制作堆疊的第二層封裝單元110。

如圖9所示，將上述兩個(gè)封裝單元110自下而上依次堆疊，上述兩個(gè)封裝單元110的重布線層112通過(guò)模塊內(nèi)連接件120電連接。

示例性地，上述兩個(gè)封裝單元110之間的空隙中設(shè)置有填充物130。該填充物130用于保護(hù)封裝單元110，確保中間的填充效果以及為了后續(xù)工藝所要達(dá)到的機(jī)械強(qiáng)度，并為在封裝模塊的至少一個(gè)側(cè)面貼附信號(hào)互連模塊或者電源模塊做準(zhǔn)備，該填充物130可以為有機(jī)材料。

同樣地，按照上述方法制作堆疊的頂層封裝單元110。

如圖10所示，堆疊頂層的封裝單元110，頂層封裝單元110與第二層封裝單元110的重布線層112通過(guò)模塊內(nèi)連接件120電連接。

由于封裝體模塊的側(cè)邊有多種不同材料的介質(zhì)，隨著工藝步驟的增多，主要針對(duì)平面完整的工序處理可能會(huì)導(dǎo)致側(cè)邊非常不平整，上述的工序步驟從注塑固封開始就為此預(yù)留了很多的體積可以使得側(cè)邊處理的更加平整。

可選地，對(duì)側(cè)面先進(jìn)行初步的切割保證一定粗糙度的平整，保證后續(xù)可以鍵合穩(wěn)定，再細(xì)磨別進(jìn)行露頭表面處理為焊接做準(zhǔn)備。如圖11所示，將重布線層112露出并進(jìn)行一定程度的刻蝕，以便為后續(xù)工藝及長(zhǎng)期的可靠性保證最大的平整性。對(duì)封裝體模塊100的左右兩側(cè)進(jìn)行由粗到細(xì)的切割減薄刻蝕等金屬露頭處理，對(duì)于各個(gè)芯片固封層115制作較短沒(méi)有露頭的部分線進(jìn)行刻蝕露頭，之后進(jìn)行電鍍統(tǒng)一處理。側(cè)邊最終制作的平坦度是后續(xù)工藝和最終產(chǎn)品可靠性的保證。至此完成封裝體模塊100的制作。

其次，貼附信號(hào)模塊200。

如圖12所示，對(duì)方形通孔113進(jìn)行對(duì)位刻蝕制作通孔，對(duì)封裝體模塊100右側(cè)表面整體制作電源重布線層并為后續(xù)與容性電源總板的結(jié)合做準(zhǔn)備。

如圖13所示，對(duì)封裝體模塊100左側(cè)邊進(jìn)行同樣的處理并焊接系統(tǒng)互連電路板210作為系統(tǒng)互連模塊200。系統(tǒng)互連模塊200通過(guò)第一模塊間連接件201與延伸至邊緣的重布線層112電連接。

最后，貼附電源模塊300。

如圖14所示，在封裝體模塊100右側(cè)、上側(cè)和下側(cè)貼附柔性電源供應(yīng)電路板310作為電源模塊300。通過(guò)第二模塊間連接件301將電源供應(yīng)電路板310與延伸至邊緣的重布線層112電連接。

本發(fā)明實(shí)施例提供的扇出型晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，使得晶圓級(jí)封裝各器件電源供電模塊具有更短且寬的通路。在系統(tǒng)全網(wǎng)絡(luò)互連通路方面相對(duì)傳統(tǒng)的系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)在橫向縱向上更為靈活，從而可以減少整體的互連難度、長(zhǎng)度、重布線層總體積以提高集成度，最大程度上隔絕電源與信號(hào)直接在高頻高密度上的影響，從而極大提高信號(hào)完整性與電源完整性。本實(shí)施例的技術(shù)方案兼容晶圓級(jí)設(shè)計(jì)規(guī)則與基板設(shè)計(jì)規(guī)則，為整體產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、仿真、測(cè)試都提供了極大的便利，相對(duì)傳統(tǒng)系統(tǒng)級(jí)電子產(chǎn)品在電性能上優(yōu)勢(shì)顯著。

注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實(shí)施例，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會(huì)脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，雖然通過(guò)以上實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說(shuō)明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實(shí)施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。