本發(fā)明涉及一種用于快速評(píng)估快恢復(fù)二極管性能的基座，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

快恢復(fù)二極管（Fast Recovery Diode，F(xiàn)RD）是近年來(lái)問(wèn)世的新型半導(dǎo)體功率器件，具有開(kāi)關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短、正向電流大、反向耐壓大、體積小、安裝簡(jiǎn)便等優(yōu)點(diǎn)。

目前快恢復(fù)二極管開(kāi)發(fā)時(shí)參數(shù)評(píng)估需要對(duì)快恢復(fù)二極管芯片進(jìn)行封裝，常見(jiàn)的封裝形式有單管和模塊。由于模塊封裝成本高且評(píng)估測(cè)試時(shí)需要特定的夾具，因此快恢復(fù)二極管開(kāi)發(fā)時(shí)對(duì)開(kāi)發(fā)樣品常采用單管封裝形式。單管封裝無(wú)法對(duì)面積較大快恢復(fù)二極管芯片進(jìn)行封裝，且少量的開(kāi)發(fā)樣品封裝所需的周期較長(zhǎng)且封裝費(fèi)用較高，嚴(yán)重影響了快恢復(fù)二極管的開(kāi)發(fā)周期和開(kāi)發(fā)成本。

快恢復(fù)二極管的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能評(píng)估時(shí)，只需將快恢復(fù)二極管芯片固定在框架上就能進(jìn)行測(cè)試評(píng)估，目前單管的金屬框架各管腳之間在貼片和打線之后為短路的，需要完成整個(gè)封裝工序后才能將各管腳開(kāi)路固定。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種用于快速評(píng)估快恢復(fù)二極管性能的基座，通過(guò)該基座可以對(duì)快恢復(fù)二極管芯片直接貼片和打線后直接進(jìn)行靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能評(píng)估。

按照本發(fā)明提供的技術(shù)方案，本發(fā)明涉及一種用于快速評(píng)估快恢復(fù)二極管性能的基座，其特征是：包括耐高溫硬質(zhì)絕緣固定框架，在耐高溫硬質(zhì)絕緣固定框架中嵌入一個(gè)陽(yáng)極金屬引線框架和陰極金屬引線框架，陽(yáng)極金屬引線框架在陰極金屬引線框架左側(cè)，陽(yáng)極金屬引線框架和陰極金屬引線框架之間保持一定的距離；所述陽(yáng)極金屬引線框架的部分表面、陰極金屬引線框架的部分表面以及耐高溫硬質(zhì)絕緣固定框架的部分表面在同一平面上，該平面為二極管芯片的貼片平面；所述陽(yáng)極金屬引線框架和陰極金屬引線框架各有部分露出與耐高溫硬質(zhì)絕緣固定框架之外，分別形成陽(yáng)極管腳和陰極管腳，陽(yáng)極管腳和陰極管腳相互平行，陽(yáng)極管腳和陰極管腳所形成的平行平面與貼片平面平行。

進(jìn)一步的，所述貼片平面上的陰極金屬引線框架的部分表面的面積大于所需評(píng)估的二極管芯片的面積。

進(jìn)一步的，所述陽(yáng)極管腳和陰極管腳的長(zhǎng)度相同。

本發(fā)明所述的用于快速評(píng)估快恢復(fù)二極管的基座可以在快恢復(fù)二極管產(chǎn)品開(kāi)發(fā)期間用來(lái)對(duì)快恢復(fù)二極管芯片直接貼片和打線后進(jìn)行靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能評(píng)估，大大縮短快恢復(fù)二極管的開(kāi)發(fā)周期，降低開(kāi)發(fā)成本。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明所述用于快速評(píng)估快恢復(fù)二極管性能的基座的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為所述陽(yáng)極金屬引線框架的示意圖。

圖3為所述陰極金屬引線框架的示意圖。

圖4為圖1的A-A剖視圖。

圖5為圖1的B-B剖視圖。

圖6為圖1的C-C剖視圖。

圖7為圖1的D-D剖視圖。

圖8為本發(fā)明所述用于快速評(píng)估快恢復(fù)二極管性能的基座的應(yīng)用示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。

如圖1所示，本發(fā)明所述用于快速評(píng)估快恢復(fù)二極管性能的基座包括一個(gè)陽(yáng)極金屬引線框架1、一個(gè)陰極金屬引線框架2和一個(gè)耐高溫硬質(zhì)絕緣固定框架3；通過(guò)一個(gè)耐高溫硬質(zhì)絕緣固定框架3將一個(gè)陽(yáng)極金屬引線框架1和一個(gè)陰極金屬引線框架2固定在一起形成一個(gè)整體的基座，陽(yáng)極金屬引線框架1在陰極金屬引線框架2左側(cè)。

如圖1所示，為了防止陽(yáng)極金屬引線框架1和陰極金屬引線框架2之間短路，陽(yáng)極金屬引線框架1和陰極金屬引線框架2之間沒(méi)有直接的接觸點(diǎn)，并且陽(yáng)極金屬引線框架1和陰極金屬引線框架2之間保持一定的距離。

如圖1、圖4～圖6所示，所述陽(yáng)極金屬引線框架1和陰極金屬引線框架2嵌入耐高溫硬質(zhì)絕緣固定框架3內(nèi)，其中陽(yáng)極金屬引線框架1的部分表面、陰極金屬引線框架2的部分表面以及耐高溫硬質(zhì)絕緣固定框架3的部分表面是在同一平面上，稱(chēng)該平面為貼片平面。貼片平面上的陰極金屬引線框架2的部分表面的面積可調(diào)節(jié)使其大于所需評(píng)估的二極管芯片的面積。

如圖1所示，陽(yáng)極金屬引線框架1和陰極金屬引線框架2各有部分露出與耐高溫硬質(zhì)絕緣固定框架3之外，分別形成陽(yáng)極管腳和陰極管腳，分別對(duì)應(yīng)著圖2和圖3中下部的閉合圖形所示部分。陽(yáng)極管腳和陰極管腳相互平行，如圖7所示，陽(yáng)極管腳和陰極管腳所形成的平行平面（如圖7中A）與貼片平面平行。陽(yáng)極管腳和陰極管腳長(zhǎng)度相同，陽(yáng)極管腳和陰極管腳之間的距離可根據(jù)測(cè)試夾具間的距離調(diào)節(jié)。

如圖8所示，本發(fā)明在用于快速評(píng)估快速二極管時(shí)，將快恢復(fù)二極管芯片貼片在貼片平面中的陰極金屬引線框架2之上，然后通過(guò)打線將快恢復(fù)二極管的陽(yáng)極和貼面平面中的陽(yáng)極金屬引線框架1連接后直接進(jìn)行快恢復(fù)二極管靜態(tài)和動(dòng)態(tài)參數(shù)的評(píng)估。