本發(fā)明屬于顯示面板制作技術領域，具體地說，尤其涉及一種用于制作陣列基板的方法。

背景技術：

隨著人們對顯示器的要求逐漸提高，近年來，窄邊框成為顯示行業(yè)追求的新方向，尤其在商顯領域，拼接屏的興起正在逐漸挑戰(zhàn)窄邊框工藝，從而催生了無邊框產(chǎn)品。在無邊框產(chǎn)品中，陣列基板和彩膜基板仍是按照現(xiàn)行工藝進行貼合，只是，傳統(tǒng)顯示是彩膜基板位于出光側，而在無邊框產(chǎn)品中，是采用陣列基板位于出光側，以方便實現(xiàn)更細致的外接電路設計，實現(xiàn)真正的無邊框。然而，出光側的陣列基板由于其金屬信號線容易反射外界環(huán)境光，容易出現(xiàn)鏡面效果，降低了顯示對比度，影響了顯示效果。

為了避免反射，通常采用在基板和信號線之間增加一層減反層來吸收外界環(huán)境光，常用的減反層包括銦錫氧化物、黑色樹脂材料，或者制作黑色電極如鈦金屬、鈦金屬合金、鉻金屬、鉻金屬合金，石墨電極或其他反射性較弱的金屬、合金、非金屬或混合物電極。但是減反層的加入不僅增加了膜層厚度，改變了信號線與基板的接觸，從而影響了附著力，在后續(xù)制程中有剝離的風險。

技術實現(xiàn)要素：

為解決以上問題，本發(fā)明提供了一種用于制作陣列基板的方法，用于可以有效地降低環(huán)境光的反射，提升顯示器的品質。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，提供了一種用于制作陣列基板的方法，包括：

在玻璃基底上形成由多孔三維金屬和石墨烯構成的第一金屬圖案；

在所述第一金屬圖案上形成絕緣層；

在所述絕緣層上形成有源層；

在所述有源層和裸露的絕緣層上形成由多孔三維金屬和石墨烯構成的第二金屬圖案。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，形成由多孔三維金屬和石墨烯構成的第一金屬圖案/第二金屬圖案的步驟進一步包括：

采用脫合金法在玻璃基底上形成多孔三維金屬薄膜；

采用光刻制程將所述多孔三維金屬薄膜制成預定圖案；

將預定體積石墨烯溶液涂布至所述預定圖案上，去除溶劑并烘干以得到對應的第一金屬圖案/第二金屬圖案。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，形成由多孔三維金屬和石墨烯構成的第一金屬圖案/第二金屬圖案的步驟進一步包括：

采用脫合金法在玻璃基底上形成多孔三維金屬薄膜；

采用光刻制程將所述多孔三維金屬薄膜制成預定圖案；

將預定體積氧化石墨烯溶液涂布至所述預定圖案上，去除溶劑并烘干；

采用氫氣還原法將氧化石墨烯的含氧基團去除以得到對應的第一金屬圖案/第二金屬圖案。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，形成由多孔三維金屬和石墨烯構成的第一金屬圖案/第二金屬圖案的步驟進一步包括：

采用溶膠凝膠法在玻璃基底上形成多孔三維金屬薄膜；

采用光刻制程將所述多孔三維金屬薄膜制成預定圖案；

將預定體積石墨烯溶液涂布至所述預定圖案上，去除溶劑并烘干以得到對應的第一金屬圖案/第二金屬圖案。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，形成由多孔三維金屬和石墨烯構成的第一金屬圖案/第二金屬圖案的步驟進一步包括：

采用溶膠凝膠法在玻璃基底上形成多孔三維金屬薄膜；

采用光刻制程將所述多孔三維金屬薄膜制成預定圖案；

將預定體積氧化石墨烯溶液涂布至所述預定圖案上，去除溶劑并烘干；

采用氫氣還原法將氧化石墨烯的含氧基團去除以得到對應的第一金屬圖案/第二金屬圖案。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，形成由多孔三維金屬和石墨烯構成的第一金屬圖案/第二金屬圖案的步驟進一步包括：

采用3D打印法，按照預定程序在玻璃基底上形成由多孔三維金屬制成的預定圖案；

將預定體積石墨烯溶液涂布至所述預定圖案上，去除溶劑并烘干以得到對應的第一金屬圖案/第二金屬圖案。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，形成由多孔三維金屬和石墨烯構成的第一金屬圖案/第二金屬圖案的步驟進一步包括：

采用3D打印法，按照預定程序在玻璃基底上形成由多孔三維金屬制成的預定圖案；

將預定體積氧化石墨烯溶液涂布至所述預定圖案上，去除溶劑并烘干；

采用氫氣還原法將氧化石墨烯的含氧基團去除，以得到對應的第一金屬圖案/第二金屬圖案。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，形成由多孔三維金屬和石墨烯構成的第一金屬圖案/第二金屬圖案的步驟進一步包括：

采用脫合金法在玻璃基底上形成銅金屬多孔三維金屬薄膜；

采用光刻制程將所述銅金屬多孔三維金屬薄膜制成預定圖案；

采用氣相沉積法在所述預定圖案的表面直接生成石墨烯，以得到對應的第一金屬圖案/第二金屬圖案。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，形成由多孔三維金屬和石墨烯構成的第一金屬圖案/第二金屬圖案的步驟進一步包括：

采用溶膠凝膠法在玻璃基底上形成銅金屬多孔三維金屬薄膜；

采用光刻制程將所述銅金屬多孔三維金屬薄膜制成預定圖案；

采用氣相沉積法在所述預定圖案的表面直接生成石墨烯，以得到對應的第一金屬圖案/第二金屬圖案。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，形成由多孔三維金屬和石墨烯構成的第一金屬圖案/第二金屬圖案的步驟進一步包括：

采用3D打印法，按照預定程序在玻璃基底上形成銅金屬多孔三維金屬制成的預定圖案；

采用氣相沉積法在所述預定圖案的表面直接生成石墨烯，以得到對應的第一金屬圖案/第二金屬圖案。

本發(fā)明的有益效果：

(1)、采用多孔三維金屬作電極，降低光反射，并且石墨烯可以有效的包覆在其表面；

(2)、三維多孔銅電極是石墨烯的天然催化劑，可以直接在銅表面生長石墨烯；

(3)、導電性優(yōu)異的石墨烯構建的網(wǎng)絡結構可以傳導電子，不影響信號傳輸；

(4)、多層石墨烯結構可以有效地吸收外環(huán)境光，減少信號線的反射，提升顯示品質。

本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點可通過在說明書、權利要求書以及附圖中所特別指出的結構來實現(xiàn)和獲得。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要的附圖做簡單的介紹：

圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的用于制作陣列基板的方法流程圖。

具體實施方式

以下將結合附圖及實施例來詳細說明本發(fā)明的實施方式，借此對本發(fā)明如何應用技術手段來解決技術問題，并達成技術效果的實現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實施。需要說明的是，只要不構成沖突，本發(fā)明中的各個實施例以及各實施例中的各個特征可以相互結合，所形成的技術方案均在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。

如圖1所示為根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的方法流程圖，包括：在步驟S110中，在玻璃基底上形成由多孔三維金屬和石墨烯構成的第一金屬圖案；在步驟S120中，在第一金屬圖案上形成絕緣層；在步驟S130中，在絕緣層上形成有源層；在步驟S140中，在有源層和裸露的絕緣層上形成由多孔三維金屬和石墨烯構成的第二金屬圖案。以下參考圖1來對本發(fā)明進行詳細說明。

首先，在步驟S110中，在玻璃基底上形成由多孔三維金屬和石墨烯構成的第一金屬圖案。

多孔三維金屬主要有3種制備方法：脫合金法，溶膠凝膠法和3D打印法。其中，脫合金法采用與易揮發(fā)合金元素的合金，如鋅、鎘、鉍、硒、鎂、鍶、銻等具有較高蒸汽壓的元素，同時合金中易揮發(fā)元素的含量需要控制在原子百分比20％-80％之間，以形成不同的孔隙率。溶膠凝膠法采用金屬的前驅體在基板上形成膜層，然后在高溫下煅火制備出金屬的三維多孔結構。3D打印法利用程序，直接在基底生成金屬的三維多孔結構。

針對不同的基底，石墨烯可以由以下幾種方法制備，石墨烯的厚度一般控制在10～100nm。當金屬信號線是銅金屬時，可以采用直接氣相沉積法制備石墨烯，由于銅是氣相生長石墨烯的天然催化劑，石墨烯可以均勻的在銅金屬層表面生長，實現(xiàn)石墨烯的定向生長。

對于所有的金屬信號線如鋁、鉬、銅、鈦等，都可以采用溶液法制備。具體來說，采用浸涂、滴涂、刮涂等方法，在金屬信號線表面上涂敷一層石墨烯溶液或者氧化石墨烯溶液(溶液濃度為0.1～10mg/ml，其中，溶液為溶質和溶劑的混合物，在本發(fā)明中溶質為石墨烯或氧化石墨烯，溶劑為水、乙醇、丙醇等)。當涂敷氧化石墨烯時，需繼續(xù)采用物理或者化學方法(如激光加熱、熱沖擊、氫還原、無機液體還原劑還原等)將氧化石墨烯還原成導電性更優(yōu)的石墨烯。

根據(jù)以上所述的多孔三維金屬制備方法和石墨烯制備方法，本發(fā)明提供了以下幾種制備第一金屬圖案的方法。

根據(jù)本發(fā)明的第一個實施例，形成由多孔三維金屬和石墨烯構成的第一金屬圖案進一步包括以下幾個步驟。首先，采用脫合金法在玻璃基底上形成多孔三維金屬薄膜，此處的多孔三維金屬薄膜可為鋁、鉬、銅、鈦等。然后采用光刻制程將多孔三維金屬薄膜制成預定圖案，此處將薄膜晶體管的柵極作為第一金屬圖案、薄膜晶體管的源漏極和數(shù)據(jù)線為第二金屬圖案為例來進行說明。然后將預定體積石墨烯溶液涂布至預定圖案上，去除溶劑并烘干以得到對應的第一金屬圖案。此處的預定體積根據(jù)第一金屬圖案的大小及溶液濃度等情況確定。

根據(jù)本發(fā)明的第二個實施例，形成由多孔三維金屬和石墨烯構成的第一金屬圖案進一步包括以下幾個步驟。首先，采用脫合金法在玻璃基底上形成多孔三維金屬薄膜，此處的多孔三維金屬薄膜可為鋁、鉬、銅、鈦等；然后，采用光刻制程將多孔三維金屬薄膜制成預定圖案；然后，將預定體積氧化石墨烯溶液涂布至預定圖案上，去除溶劑并烘干；采用氫氣還原法將氧化石墨烯的含氧基團去除以得到對應的第一金屬圖案。

根據(jù)本發(fā)明的第三個實施例，形成由多孔三維金屬和石墨烯構成的第一金屬圖案進一步包括以下幾個步驟。首先，采用溶膠凝膠法在玻璃基底上形成多孔三維金屬薄膜；然后，采用光刻制程將多孔三維金屬薄膜制成預定圖案；最后，將預定體積石墨烯溶液涂布至預定圖案上，去除溶劑并烘干以得到對應的第一金屬圖案。

根據(jù)本發(fā)明的第四個實施例，形成由多孔三維金屬和石墨烯構成的第一金屬圖案/第二金屬圖案進一步包括以下幾個步驟。首先，采用溶膠凝膠法在玻璃基底上形成多孔三維金屬薄膜；然后，采用光刻制程將多孔三維金屬薄膜制成預定圖案；然后，將預定體積氧化石墨烯溶液涂布至預定圖案上，去除溶劑并烘干；最后，采用氫氣還原法將氧化石墨烯的含氧基團去除以得到對應的第一金屬圖案。

根據(jù)本發(fā)明的第五個實施例，形成由多孔三維金屬和石墨烯構成的第一金屬圖案/第二金屬圖案進一步包括以下幾個步驟。首先，采用3D打印法，按照預定程序在玻璃基底上形成由多孔三維金屬制成的預定圖案；然后，將預定體積石墨烯溶液涂布至預定圖案上，去除溶劑并烘干以得到對應的第一金屬圖案/第二金屬圖案。

根據(jù)本發(fā)明的第六個實施例，形成由多孔三維金屬和石墨烯構成的第一金屬圖案/第二金屬圖案進一步包括以下幾個步驟。首先，采用3D打印法，按照預定程序在玻璃基底上形成由多孔三維金屬制成的預定圖案；將預定體積氧化石墨烯溶液涂布至預定圖案上，去除溶劑并烘干；最后，采用氫氣還原法將氧化石墨烯的含氧基團去除，以得到對應的第一金屬圖案。

以上的六個具體實施例均對應多孔三維金屬薄膜可為鋁、鉬、銅、鈦等，將薄膜晶體管的柵極作為第一金屬圖案、薄膜晶體管的源漏極和數(shù)據(jù)線為第二金屬圖案為例來進行說明的，但本發(fā)明不限于此。

根據(jù)本發(fā)明的第七個實施例，形成由多孔三維金屬和石墨烯構成的第一金屬圖案/第二金屬圖案進一步包括以下幾個步驟。首先，采用脫合金法在玻璃基底上形成銅金屬多孔三維金屬薄膜；然后，采用光刻制程將銅金屬多孔三維金屬薄膜制成預定圖案；最后，采用氣相沉積法在預定圖案的表面直接生成石墨烯，以得到對應的第一金屬圖案/第二金屬圖案。

根據(jù)本發(fā)明的第八個實施例，形成由多孔三維金屬和石墨烯構成的第一金屬圖案/第二金屬圖案進一步包括以下幾個步驟。首先，采用溶膠凝膠法在玻璃基底上形成銅金屬的多孔三維金屬薄膜；然后，采用光刻制程將多孔三維金屬薄膜制成預定圖案；采用氣相沉積法在預定圖案的表面直接生成石墨烯，以得到對應的第一金屬圖案。

根據(jù)本發(fā)明的第九個實施例，形成由多孔三維金屬和石墨烯構成的第一金屬圖案/第二金屬圖案進一步包括以下幾個步驟。首先，采用3D打印法按照預定程序在玻璃基底上形成銅金屬多孔三維金屬制成的預定圖案；采用氣相沉積法在預定圖案的表面直接生成石墨烯，以得到對應的第一金屬圖案。

接下來，在步驟S120中，在第一金屬圖案上形成絕緣層。在將第一金屬圖案作為薄膜晶體管的柵極、將第二金屬圖案作為薄膜晶體管的源極、漏極和數(shù)據(jù)線時，該絕緣層為柵極絕緣層。

接下來，在步驟S130中，在絕緣層上形成有源層。即在絕緣層上形成溝道層。

最后，在步驟S140中，在有源層和裸露的絕緣層上形成由多孔三維金屬和石墨烯構成的第二金屬圖案。該第二金屬圖案的形成過程與第一金屬圖案相同，此處不將贅述。

采用以上所述的多孔三維金屬信號線為基礎，制作陣列基板，按照正常流程與彩膜基板對組后，在制作模組時，將陣列基板作為出光側，面對觀眾，由于黑色石墨烯的吸收反射光，可以有效地降低環(huán)境光的反射，提升顯示器的品質。

雖然本發(fā)明所公開的實施方式如上，但所述的內(nèi)容只是為了便于理解本發(fā)明而采用的實施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬技術領域內(nèi)的技術人員，在不脫離本發(fā)明所公開的精神和范圍的前提下，可以在實施的形式上及細節(jié)上作任何的修改與變化，但本發(fā)明的專利保護范圍，仍須以所附的權利要求書所界定的范圍為準。