技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種能量存儲設(shè)備包括：第一多孔半導體結(jié)構(gòu)（510），其包括第一多個溝道（511），所述第一多個溝道包含第一電解質(zhì)（514）；以及第二多孔半導體結(jié)構(gòu)（520），其包括第二多個溝道（521），所述第二多個溝道包含第二電解質(zhì)（524）。在一個實施例中，所述能量存儲設(shè)備還包括所述第一多孔半導體結(jié)構(gòu)和所述第二多孔半導體結(jié)構(gòu)至少之一上的膜（535），所述膜包括能夠展示可逆電子轉(zhuǎn)移反應(yīng)的材料。在另一實施例中，所述第一電解質(zhì)和所述第二電解質(zhì)至少之一包含多個金屬離子。在另一實施例中，所述第一電解質(zhì)和所述第二電解質(zhì)合在一起包括氧化還原系統(tǒng)。

技術(shù)研發(fā)人員：D.S.加德納;C.平特;S.B.克倫德寧
受保護的技術(shù)使用者：英特爾公司
技術(shù)研發(fā)日：2012.04.25
技術(shù)公布日：2017.08.29