本申請涉及柔性顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種柔性器件的制作方法。

背景技術(shù)：

柔性器件使用的可卷曲的柔性基板，可實現(xiàn)卷對卷(roll to roll)制備，但是目前在技術(shù)上存在一些問題，現(xiàn)有的柔性器件制作方法大多是把柔性基板固定到底板上，器件制作完成后，再從底板上剝離柔性基板，得到柔性器件。

目前把柔性基板固定到底板的方法很多，除了使用粘合劑將柔性基板貼附在底板上的方法之外，較為常見的是直接將柔性基板的原材料譬如PI(聚酰亞胺)涂布在底板上加熱烘烤做成柔性基板，在所述柔性基板上制作電子或光學(xué)器件，然后通過激光照射的形式進行剝離，即在高分子柔性基板和底板界面施以高強度激光，將界面的一層高分子薄層燒蝕，從而實現(xiàn)剝離。

這種剝離方式不僅受到激光掃描尺寸的限制，而且還會在激光照射過程中損壞器件，降低產(chǎn)品良率。

鑒于此，特提出本申請。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本申請的目的在于提供一種柔性器件的制作方法，利用電致伸縮性材料的電致伸縮的形變特性，可實現(xiàn)大面積柔性基板剝離而且有利于提高柔性器件的制作良率。

本申請的具體技術(shù)方案為：

本申請?zhí)峁┑囊环N柔性器件的制作方法，包括以下步驟：

(1)在底板上制作第一電極層，在所述第一電極層中設(shè)置通道；

(2)在所述第一電極層上制作一層第一電致伸縮性材料膜，且所述第一電致伸縮性材料膜延伸通過所述通道與所述底板相連接；

(3)在所述第一電致伸縮性材料膜的上表面形成第二電極層；

(4)在所述第二電極層的上表面制作柔性基板，在所述柔性基板上制作功能器件；

(5)在所述第一電極層和所述第二電極層之間施加電壓，并使所述電壓大于所述第一電致伸縮性材料膜的相變閾值電壓，以使與所述底板相連接的所述第一電致伸縮性材料膜發(fā)生形變從而至少部分脫離所述底板；

(6)將所述第一電極層和所述第一電致伸縮性材料膜從所述底板上剝離。

優(yōu)選的，所述底板為柔性玻璃基板。

優(yōu)選的，所述底板為剛性玻璃基板。

優(yōu)選的，在底板上制作第一電極層前，先在所述底板上制作介質(zhì)層。

優(yōu)選的，在所述底板上制作所述介質(zhì)層之前，在所述底板上制作第三電極層，在所述第三電極層上制作第二電致伸縮性材料膜，在所述第二電致伸縮性材料膜的表層刻蝕形成多個電極溝槽，在所述多個電極溝槽內(nèi)填充第四電極，然后在所述第二電致伸縮性材料膜以及所述第四電極的表面制作所述的介質(zhì)層。

優(yōu)選的，在所述介質(zhì)層上實現(xiàn)如權(quán)1所述的步驟(1)、(2)、(3)、(4)；在步驟(5)中，在所述第一電極層和所述第二電極層之間施加第一電壓，并使所述第一電壓大于所述第一電致伸縮性材料膜的相變閾值電壓；以及在所述第三電極層和第四電極之間施加第二電壓，并使所述第二電壓大于所述第二電致伸縮性材料膜的相變閾值電壓；以使與所述介質(zhì)層相連接的所述第一電致伸縮性材料膜、所述第二電致伸縮性材料膜發(fā)生形變從而至少部分脫離所述介質(zhì)層；

步驟(6)將所述第一電極層和所述第一電致伸縮性材料膜從所述介質(zhì)層上剝離。

優(yōu)選的，所述介質(zhì)層的材料選自SiO₂、SiN_x和Al₂O₃；所述介質(zhì)層的厚度優(yōu)選為100nm-500nm。

優(yōu)選的，所述第一電致伸縮性材料膜和第二電致伸縮性材料膜各自獨立地選自向列相液晶物理凝膠和鐵電液晶彈性體。

優(yōu)選的，所述第一電極層、第二電極層、第三電極和第四電極的厚度各自獨立地為100nm-1000nm；位于所述第一電極層以上的所述第一電致伸縮性材料膜的厚度為100nm-5000nm；位于所述第三電極層以上的所述第二電致伸縮性材料膜的厚度為100nm-5000nm。

優(yōu)選的，所述第一電極層包括在所述底板上并排間隔設(shè)置的多個條狀電極；相鄰兩個所述條狀電極之間的間隔優(yōu)選為100nm-2000nm，所述條狀電極的截面寬度優(yōu)選為100nm-5000nm，所述條狀電極的厚度優(yōu)選為100nm-1000nm。

本申請?zhí)峁┑募夹g(shù)方案可以達到以下有益效果：

本申請通過在柔性基板和底板之間設(shè)置電致伸縮性材料，通過給電致伸縮性材料施加電壓，當電壓超過電致伸縮性材料的相變閾值電壓，電致伸縮性材料發(fā)生變形，從而實現(xiàn)柔性基板與底板的剝離；該方法簡單易行，可實現(xiàn)大面積柔性基板剝離而且有利于提高柔性器件的制作良率。

附圖說明

圖1為根據(jù)本申請實施例1的通道示意圖；

圖2為根據(jù)本申請實施例1或2的通電前的柔性基板和底板復(fù)合結(jié)構(gòu)；

圖3為根據(jù)本申請實施例1或2的通電后的柔性基板和底板復(fù)合結(jié)構(gòu)；

圖4為根據(jù)本申請實施例3的通電前的柔性基板和底板復(fù)合結(jié)構(gòu)；

圖5為根據(jù)本申請實施例3的通電后的柔性基板和底板復(fù)合結(jié)構(gòu)

圖6為根據(jù)本申請實施例4或5通電前的柔性基板和底板復(fù)合結(jié)構(gòu)；

圖7為根據(jù)本申請實施例4或5通電后的柔性基板和底板復(fù)合結(jié)構(gòu)；

附圖標記，

1-底板(剛性玻璃基板或柔性玻璃基板)；

2-A電極；

3-A電致伸縮性材料膜；

4-B電極；

5-柔性基板；

6-C電極；

7-B電致伸縮性材料膜；

8-D電極；

9-介質(zhì)層；

10-E電極；

11-C電致伸縮性材料膜；

12-F電極；

13-介質(zhì)層；

14-通道。

具體實施方式

為使本申請的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本申請實施例及附圖，對本申請的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本申請一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒旧暾?zhí)峁┑募夹g(shù)方案及所給出的實施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本申請保護的范圍。

文中“上”、“下”以附圖中的復(fù)合結(jié)構(gòu)的放置狀態(tài)為參照。

本申請?zhí)峁┑娜嵝云骷闹谱鞣椒?，大致包括以下步驟：

(1)在底板上制作第一電極層，在所述第一電極層中設(shè)置通道；

(2)在所述第一電極層上制作一層第一電致伸縮性材料膜，且所述第一電致伸縮性材料膜延伸通過所述通道與所述底板相連接；

(3)在所述第一電致伸縮性材料膜的上表面形成第二電極層；

(4)在所述第二電極層的上表面制作柔性基板，在所述柔性基板上制作功能器件；

(5)在所述第一電極層和所述第二電極層之間施加第一電壓，并使所述第一電壓大于所述第一電致伸縮性材料膜的相變閾值電壓，以使與所述底板相連接的所述第一電致伸縮性材料膜發(fā)生形變從而至少部分脫離所述底板；

(6)將所述第一電極層和所述第一電致伸縮性材料膜從所述底板上剝離。

上述方法通過在柔性基板和底板之間設(shè)電致伸縮性材料膜(即第一電致伸縮性材料膜)，并通過非連續(xù)性電極的設(shè)置，當施加的電壓超過電致伸縮性材料膜的相變閾值電壓時，電致伸縮性材料膜沿具有通道的第一電極層向底板發(fā)生形變凸起，從而使電致伸縮性材料膜與底板之間處于非完全附著狀態(tài)，使得后續(xù)的剝離變得輕松容易；該方法簡單易行，可實現(xiàn)大面積柔性基板剝離而且有利于提高柔性器件的制作良率。且剝離后，仍與柔性基板相連的第一電極和第二電極可充當柔性器件背面的保護層。

作為本申請的一種改進，本申請電致伸縮性材料膜選自具有逆壓電性質(zhì)材料，如向列相液晶物理凝膠、鐵電液晶彈性體。

較佳的，位于第一電極層以上的第一電致伸縮性材料膜的厚度為100nm-5000nm。

作為本申請的一種改進，本申請的底板可以選自以下任一：

(a)柔性玻璃基板(即，超薄玻璃)；

(b)剛性玻璃基板；

作為本申請的一種改進，第一電極層選自Al、Mo、Ti、Ag、Cu等金屬、Al、Mo、Ti、Ag、Cu等金屬中的多種的金屬合金材料以及ITO、ZnAlO等氧化物半導(dǎo)體材料。

作為本申請的一種改進，第二電極層選自Al、Mo、Ti、Ag、Cu等金屬、Al、Mo、Ti、Ag、Cu等金屬中的多種的金屬合金材料以及ITO、ZnAlO等氧化物半導(dǎo)體材料。

作為本申請的一種改進，第一電極層的厚度為100-1000nm；第二電極層的厚度為100nm-1000nm。

作為本申請第一電極層的一種結(jié)構(gòu)，本申請第一電極層包括在底板上間隔設(shè)置(或并排間隔設(shè)置)的多個條狀電極，相鄰的條狀電極之間的間隔形成允許電致伸縮性材料膜延伸通過以與底板相連接的通道。

較佳的，條狀電極的截面寬度為100nm-5000nm，相鄰兩個條狀電極之間的間隔為100nm-2000nm；條狀電極的厚度為100nm-1000nm。

作為另一種實施方式，所述底板包括在所述底板上制作的介質(zhì)層，可以在底板和介質(zhì)層之間另外再制作其它電極層和電致伸縮性材料膜層，具體為：

在底板上制作介質(zhì)層之前，在底板上制作第三電極層，在第三電極層上制作第二電致伸縮性材料膜，在第二電致伸縮性材料膜的表層刻蝕形成多個電極溝槽，在多個電極溝槽內(nèi)填充第四電極，然后在第二電致伸縮性材料膜以及第四電極的表面上制作的介質(zhì)層；

在所述介質(zhì)層上實現(xiàn)如權(quán)1所述的步驟(1)、(2)、(3)、(4)；

在步驟(5)中，在第一電極層和第二電極層之間施加第一電壓，并使第一電壓大于第一電致伸縮性材料膜的相變閾值電壓；以及在第三電極層和第四電極之間施加第二電壓，并使第二電壓大于第二電致伸縮性材料膜的相變閾值電壓；以使與所述介質(zhì)層相連接的所述第一電致伸縮性材料膜、所述第二電致伸縮性材料膜發(fā)生形變從而至少部分脫離所述介質(zhì)層；

步驟(6)將所述第一電極層和所述第一電致伸縮性材料膜從所述介質(zhì)層上剝離。

相比于僅含有第一電極層、第二電極層以及第一電致伸縮性材料膜的結(jié)構(gòu)，上述含有介質(zhì)層以及第三電極層、第四電極以及第二電致伸縮性材料膜，利用介質(zhì)層上、下所設(shè)置的電致伸縮性材料分別朝向介質(zhì)層發(fā)生凸起形變，使介質(zhì)層與電致伸縮性材料之間形成復(fù)數(shù)過孔，可更容易剝離，且在剝離過程中不用破壞器件，在良率上也相對更高；剝離柔性基板后剩下的材料還可以重復(fù)使用，節(jié)約成本。

作為本申請的一種具體實施方式，上述步驟還包括以下步驟：在所述第二電致伸縮性材料膜的表層刻蝕形成多個電極溝槽之后，在第二電致伸縮性材料膜上制作一層第四電極材料，并使第四電極材料延伸填充在電極溝槽內(nèi)，然后刻蝕掉第二電致伸縮性材料膜和電極溝槽以上的第四電極材料，形成僅填充在電極溝槽中的第四電極。相比于直接在電極溝槽中填充第四電極的方法，因為填充后為保證表面的平整性，還需要后續(xù)平整化處理，而通過先形成一層第四電極材料，再刻蝕掉溝槽以上整個一層第四電極材料的方式可直接得到平整的表面。

作為本申請的一種改進，第一電致伸縮性材料膜和第二電致伸縮性材料膜可各自獨立地選自向列相液晶物理凝膠和鐵電液晶彈性體。

較佳的，位于第一電極層以上的第一電致伸縮性材料膜的厚度為100nm-5000nm，位于第四電極以下的第二電致伸縮性材料膜的厚度為100nm-5000nm，優(yōu)選為100nm-2000nm。

作為本申請的一種改進，介質(zhì)層的材料選自SiO₂、SiN_x、Al₂O₃等氧化物或氮化物。

較佳的，介質(zhì)層的厚度為100nm-500nm。

作為本申請的一種改進，所述第一電極層、第二電極層、第三電極層和第四電極各自獨立地選自Al、Mo、Ti、Ag、Cu等金屬、Al、Mo、Ti、Ag、Cu等金屬中的多種的金屬合金材料以及ITO、ZnAlO等氧化物半導(dǎo)體材料，并且各電極可同時使用同一種材料。

較佳的，所述第一電極層、第二電極層、第三電極和第四電極的厚度各自獨立地為100nm-1000nm。

作為本申請一種較佳的實施方式，電極溝槽為條形溝槽，多個電極溝槽在第一電致伸縮性材料膜的表層內(nèi)并排間隔設(shè)置。

較佳的，相鄰兩個條形溝槽之間的間隔距離為100nm-2000nm；條形溝槽的寬度為100nm-5000nm，條形溝槽的深度為100nm-1000nm。

以下通過具體實施例對本申請的技術(shù)方案進行進一步的闡釋：

實施例1：使用單層電致伸縮性材料膜制作柔性器件

步驟100：通過涂覆工藝方法在厚度為0.5cm的剛性玻璃基板1上并排間隔設(shè)置多個材料為鋁的條狀A(yù)電極2，單個條狀A(yù)電極2的截面寬500nm、高200nm、相鄰兩個條狀A(yù)電極2間隔100nm，相鄰條狀A(yù)電極2之間的間隔形成通道14，部分剛性玻璃基板1即裸露在通道14中(如圖1所示)，并在條狀A(yù)電極2上設(shè)置引腳；

步驟101：通過涂覆工藝方法在A電極2的上表面以上制作一層厚度為300nm、材料為向列相凝膠的第一電致伸縮性材料膜3(相變閾值電壓為2.6V)，且A電致伸縮性材料膜3向下延伸通過通道14覆蓋在剛性玻璃基板1的裸露部分上；

步驟102：通過涂覆工藝方法在A電致伸縮性材料膜3的上表面形成一層厚度為200nm、材料為ITO的B電極4，并使A電極2和B電極4通過引腳電連接；

步驟103：通過涂覆工藝方法在B電極4的上表面制作一層厚度為12μm的柔性基板5，在柔性基板5上制作顯示器件；該步驟形成的復(fù)合結(jié)構(gòu)形狀如圖2所示；

步驟104：在A電極2和B電極4之間施加>3.0V的電壓，通電一段時間后，A電致伸縮性材料膜3沿A電極2朝向剛性玻璃基板1發(fā)生凸起形變，從而使A電致伸縮性材料膜3與剛性玻璃基板1之間處于非完全附著狀態(tài)，如圖3所示；

步驟105：將A電極2和A電致伸縮性材料膜3從剛性玻璃基板1上剝離，由于通電后A電致伸縮性材料膜3與剛性玻璃基板1相連接的底面大部分發(fā)生凸起形變，因此剝離過程較為容易。

實施例2：使用單層電致伸縮性材料膜制作柔性器件

步驟100：通過涂覆工藝方法在柔性玻璃基板1上并排間隔設(shè)置多個材料為鋁的條狀A(yù)電極2，單個條狀A(yù)電極2的截面寬500nm、高200nm、相鄰兩個條狀A(yù)電極2間隔100nm，裸露出部分柔性玻璃基板1，并在條狀A(yù)電極2上設(shè)置引腳；

步驟101：通過涂覆工藝方法在A電極2的上表面以上制作一層厚度為300nm、材料為向列相凝膠的第一電致伸縮性材料膜3(相變閾值電壓為2.6V)，且A電致伸縮性材料膜3向下延伸覆蓋在柔性玻璃基板1的裸露部分上；

步驟102：通過涂覆工藝方法在A電致伸縮性材料膜3的上表面形成一層厚度為200nm、材料為ITO的B電極4，并使A電極2和B電極4通過引腳電連接；

步驟103：通過涂覆工藝方法在B電極4的上表面制作一層厚度為12μm的柔性基板5，在柔性基板5上制作顯示器件；該步驟形成的復(fù)合結(jié)構(gòu)形狀如圖2所示；

步驟104：在A電極2和B電極4之間施加>3.0V的電壓，通電一段時間后，A電致伸縮性材料膜3沿A電極2朝向柔性玻璃基板1發(fā)生凸起形變，從而使A電致伸縮性材料膜3與柔性玻璃基板1之間處于非完全附著狀態(tài)，如圖3所示；

步驟105：將A電極2和A電致伸縮性材料膜3從柔性玻璃基板1上剝離。

實施例3：使用單層電致伸縮性材料膜制作柔性器件

步驟100：通過濺射工藝方法在厚度為0.7cm的剛性玻璃基板或柔性玻璃基板1上制作一層厚度為300nm、材料為Al₂O₃的介質(zhì)層13，然后在介質(zhì)層13上并排間隔設(shè)置多個材料為銅鋁合金的條狀A(yù)電極2，單個條狀A(yù)電極2的截面寬3000nm、高1000nm、相鄰兩個條狀A(yù)電極2間隔1000nm，裸露出部分介質(zhì)層13，并在條狀A(yù)電極2上設(shè)置引腳；

步驟101：通過涂覆工藝方法在A電極2上表面以上制作一層厚度為4500nm、材料為鐵電液晶彈性體的第一電致伸縮性材料膜3，且A電致伸縮性材料膜3向下延伸覆蓋在介質(zhì)層13的裸露部分上；

步驟102：通過濺射工藝方法在A電致伸縮性材料膜3的上表面形成一層厚度為1000nm、材料為Ti的B電極4，并使A電極2和B電極4通過引腳電連接；

步驟103：通過涂覆工藝方法在B電極4的上表面制作一層厚度為15μm柔性基板5，在柔性基板5上制作顯示器件；該步驟形成的復(fù)合結(jié)構(gòu)形狀如圖4所示；

步驟104：在A電極2和B電極4之間施加大于鐵電液晶彈性體的相變閾值電壓的電壓，通電一段時間后，A電致伸縮性材料膜3沿A電極2朝向介質(zhì)層13發(fā)生凸起形變，從而使A電致伸縮性材料膜3與介質(zhì)層13之間處于非完全附著狀態(tài)，如圖5所示；

步驟105：將A電極2和A電致伸縮性材料膜3從介質(zhì)層13上剝離；

結(jié)果證明：由于本實例中介質(zhì)層直接設(shè)置于底板與電致伸縮性材料膜之間使所述底板與電致伸縮性材料膜之間的結(jié)合力相比電致伸縮性材料膜直接作用于底板的結(jié)合力要小很多，因此，在A電致伸縮性材料膜3沿A電極2朝向介質(zhì)層13發(fā)生凸起形變后，A電致伸縮性材料膜3與介質(zhì)層之間形成復(fù)數(shù)過孔，能夠相比實施例1和2，剝離過程更為容易，且柔性器件制作良率也有所提高。

實施例4：使用雙層電致伸縮性材料膜制作柔性器件

步驟200：通過濺射工藝方法在厚度為0.4cm的底板1上制作一層厚度為200nm、材料為ZnAlO的C電極6，在C電極6上制作一層總厚度為1000nm、材料為向列相凝膠的B電致伸縮性材料膜7；

步驟201：在B電致伸縮性材料膜7的表層刻蝕形成多個條狀電極溝槽，電極溝槽的寬度為500nm、深度為500nm、相鄰兩個電極溝槽的間隔距離為200nm；通過濺射工藝方法在B電致伸縮性材料膜7上制作一層材料為Ag的電極材料，并使該電極材料延伸填充在電極溝槽內(nèi)，然后刻蝕掉B電致伸縮性材料膜以及電極溝槽以上的電極材料，僅保留電極溝槽內(nèi)的電極材料作為D電極8；然后使D電極8和C電極6通過引腳電連接；

步驟202：通過CVD工藝方法在B電致伸縮性材料膜7以及D電極8的表面上制作一層厚度為200nm、材料為SiO₂的介質(zhì)層9；

步驟203：通過涂覆或濺射工藝方法在介質(zhì)層9上并排間隔制作多個條狀E電極10，條狀E電極10截面寬度為500nm、高度為500nm；相鄰兩個條狀E電極10間隔為200nm，裸露出部分介質(zhì)層9，并在E電極10上設(shè)置引腳；

步驟204：通過涂覆方法在E電極10的上表面以上制作一層厚度為500nm、材料為向列相凝膠的C電致伸縮性材料膜11，且C電致伸縮性材料膜11向下延伸覆蓋在介質(zhì)層9的裸露部分上；

步驟205：通過涂覆工藝方法在C電致伸縮性材料膜11的上表面制作一層厚度為200nm、材料為ZnAlO的F電極12，并使所示F電極12與E電極10通過引腳電連接；

步驟206：通過涂覆方法在F電極12上制作厚度為13μm、材料為PI的柔性基板5，在柔性基板5上制作顯示器件，此步驟形成的復(fù)合層結(jié)構(gòu)如圖6所示；

步驟207：在C電極6和D電極8之間以及在E電極10和F電極12之間分別施加大于向列相凝膠的相變閾值電壓的電壓，通電一段時間后，B電致伸縮性材料膜7沿D電極朝向介質(zhì)層9發(fā)生凸起形變，C電致伸縮性材料膜11沿E電極10朝向介質(zhì)層9發(fā)生凸起形變，如圖7所示；

步驟208：將介質(zhì)層9以上的E電極10和C電致伸縮性材料膜11從介質(zhì)層9上剝離。

實施例5：使用雙層電致伸縮性材料膜制作柔性器件

步驟200：通過濺射工藝方法在厚度為0.7cm的底板1上制作一層厚度為500nm、材料為Ti的C電極6，在C電極6上制作一層總厚度為1500nm、材料為鐵電液晶彈性體的B電致伸縮性材料膜7；

步驟201：在B電致伸縮性材料膜的表層刻蝕形成多個條狀電極溝槽，電極溝槽的寬度為2000nm、深度為1000nm、相鄰兩個電極溝槽的間隔距離為500nm；通過濺射工藝方法在B電致伸縮性材料膜7上制作一層材料為ITO的電極材料，并使該電極材料延伸填充在電極溝槽內(nèi)，然后刻蝕掉B電致伸縮性材料膜以及電極溝槽以上的電極材料，僅保留電極溝槽內(nèi)的電極材料作為D電極8；然后使D電極8和C電極6通過引腳電連接；

步驟202：通過涂覆工藝方法在B電致伸縮性材料膜7以及D電極的表面上制作一層厚度為200nm、材料為Al₂O₃的介質(zhì)層9；

步驟203：通過濺射工藝方法在介質(zhì)層9上并排間隔制作多個條狀E電極10，條狀E電極10截面寬度為2000nm、高度為1000nm；相鄰兩個條狀E電極10間隔為500nm，裸露出部分介質(zhì)層9，并在E電極10上設(shè)置引腳；

步驟204：通過涂覆方法在E電極10表面以上制作一層厚度為3000nm、材料為鐵電液晶彈性體的C電致伸縮性材料膜11，且C電致伸縮性材料膜11向下延伸覆蓋在介質(zhì)層9的裸露部分上；

步驟205：通過涂覆工藝方法在C電致伸縮性材料膜11的上表面制作一層厚度為500nm、材料為Ti的F電極12，并使所示F電極12與E電極10通過引腳電連接；

步驟206：通過涂覆方法在F電極12上制作厚度為15μm、材料為PI的柔性基板5，在柔性基板5上制作顯示器件，此步驟形成的復(fù)合層結(jié)構(gòu)如圖6所示；

步驟207：在C電極和D電極之間以及在E電極10和F電極12之間施加大于鐵電液晶彈性體的相變閾值電壓的電壓，通電一段時間后，B電致伸縮性材料膜7沿D電極朝向介質(zhì)層9發(fā)生凸起形變，C電致伸縮性材料膜11沿E電極10朝向介質(zhì)層9發(fā)生凸起形變，如圖7所示；

步驟208：將介質(zhì)層9以上的E電極10和C電致伸縮性材料膜11從介質(zhì)層9上剝離。

結(jié)果證明：相比實施例3，實施例4和5由于在介質(zhì)層和底板之間還制作了另外的電極層和電致伸縮性材料膜，由于通電一段時間后，B電致伸縮性材料膜7沿D電極朝向介質(zhì)層9發(fā)生凸起形變，C電致伸縮性材料膜11沿E電極10朝向介質(zhì)層9發(fā)生凸起形變，將所述第一電極層和所述第一電致伸縮性材料膜從所述介質(zhì)層9上剝離。利用介質(zhì)層上、下所設(shè)置的電致伸縮性材料分別朝向介質(zhì)層發(fā)生凸起形變，使介質(zhì)層與電致伸縮性材料之間形成復(fù)數(shù)過孔，可更容易剝離，且在剝離過程中不用破壞器件，在良率上也相對更高；剝離柔性基板后剩下的材料還可以重復(fù)使用，節(jié)約成本。

本申請雖然以較佳實施例公開如上，但并不是用來限定權(quán)利要求，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本申請構(gòu)思的前提下，都可以做出若干可能的變動和修改，因此本申請的保護范圍應(yīng)當以本申請權(quán)利要求所界定的范圍為準。