本發(fā)明涉及封裝技術(shù)，尤其涉及將多個(gè)半導(dǎo)體芯片封裝成用于功率應(yīng)用的層疊配置的技術(shù)。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體封裝體制造商不斷努力以提高其產(chǎn)品的性能，同時(shí)降低其制造的成本。在半導(dǎo)體器件的制造中的成本密集區(qū)域是封裝半導(dǎo)體芯片。所述半導(dǎo)體芯片可安裝在諸如例如引線框架的導(dǎo)電載體上，并且必須產(chǎn)生至芯片電極和封裝體的外部接觸部的電連接。特別地，具有低成本的電連接和降低的電磁雜散輻射的封裝體是令人期望的。

為了這些和其它的原因，有本發(fā)明的需要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)方面，提供了一種具有多層面布置的半導(dǎo)體封裝體，包括：具有安裝表面的導(dǎo)電載體；第一層面第一半導(dǎo)體功率器件，所述第一層面第一半導(dǎo)體功率器件具有安裝在所述導(dǎo)電載體的所述安裝表面之上的第一負(fù)載電極，并且具有與第一電極相反的第二負(fù)載電極；第一層面第二半導(dǎo)體功率器件，所述第一層面第二半導(dǎo)體功率器件具有安裝在所述導(dǎo)電載體的所述安裝表面之上的第一負(fù)載電極，并且具有與第一電極相反的第二負(fù)載電極；第一連接夾，所述第一連接夾具有連接至所述第一層面第一半導(dǎo)體功率器件的所述第二負(fù)載電極的第一表面，并且具有與所述第一表面相反的安裝表面；第二連接夾，所述第二連接夾具有連接至所述第一層面第二半導(dǎo)體功率器件的所述第二負(fù)載電極的第一表面，并且具有與所述第一表面相反的安裝表面；第二層面第一半導(dǎo)體功率器件，所述第二層面第一半導(dǎo)體功率器件具有安裝在第一連接元件的安裝表面之上的第一負(fù)載電極，并且具有與第一電極相反的第二負(fù)載電極；以及第二層面第二半導(dǎo)體功率器件，所述第二層面第二半導(dǎo)體功率器件具有安裝在第二連接元件的安裝表面之上的第一負(fù)載電極，并且具有與第一電極相反的第二負(fù)載電極。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)可選的實(shí)施方式，所述第一層面第一半導(dǎo)體功率器件的所述第一負(fù)載電極和所述第一層面第二半導(dǎo)體功率器件的所述第一負(fù)載電極是源極或發(fā)射極電極。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)可選的實(shí)施方式，所述第一層面第一半導(dǎo)體功率器件的所述第一負(fù)載電極和所述第一層面第二半導(dǎo)體功率器件的所述第一負(fù)載電極是漏極或集電極電極。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)可選的實(shí)施方式，進(jìn)一步包括：連接元件，所述連接元件電連接至所述第二層面第一半導(dǎo)體功率器件的所述第二負(fù)載電極并且電連接至所述第二層面第二半導(dǎo)體功率器件的所述第二負(fù)載電極。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)可選的實(shí)施方式，所述第二層面第一半導(dǎo)體功率器件和所述第二層面第二半導(dǎo)體功率器件成行布置，所述連接元件在與所述行的方向平行的方向上延伸。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)可選的實(shí)施方式，所述第二層面第一半導(dǎo)體功率器件和所述第二層面第二半導(dǎo)體功率器件成行布置，所述連接元件在與所述行的方向垂直的方向上延伸。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)可選的實(shí)施方式，所述連接元件是夾。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)可選的實(shí)施方式，第一層面第三半導(dǎo)體功率器件，所述第一層面第三半導(dǎo)體功率器件具有安裝在所述導(dǎo)電載體的所述安裝表面之上的第一負(fù)載電極，并且具有與所述第一負(fù)載電極相反的第二負(fù)載電極。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)可選的實(shí)施方式，第三連接夾，所述第三連接夾具有連接至所述第一層面第三半導(dǎo)體功率器件的所述第二負(fù)載電極的第一表面，并且具有與所述第一表面相反的安裝表面。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)可選的實(shí)施方式，第二層面第三半導(dǎo)體功率器件，所述第二層面第三半導(dǎo)體功率器件具有安裝在所述第三連接元件的所述安裝表面之上的第一負(fù)載電極。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)可選的實(shí)施方式，每個(gè)半導(dǎo)體功率器件均包括背向所述導(dǎo)電載體的柵極電極。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)可選的實(shí)施方式，進(jìn)一步包括：連接至所述連接夾的第一外部端子，其中，所有第一外部端子都沿所述半導(dǎo)體封裝體的第一外周邊布置。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)可選的實(shí)施方式，進(jìn)一步包括：連接至第二層面半導(dǎo)體功率器件的所述負(fù)載電極的一個(gè)或者一個(gè)以上的第二外部端子，其中，所述一個(gè)或者一個(gè)以上的第二外部端子沿所述半導(dǎo)體封裝體的一個(gè)或一個(gè)以上的第二外周邊布置，所述一個(gè)或一個(gè)以上的第二外周邊取向?yàn)榇怪庇谒龅谝煌庵苓叀?/p>

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)可選的實(shí)施方式，所有柵極電極都沿半導(dǎo)體封裝體的第三外周邊布置，所述第三外周邊與所述第一外周邊相反。

根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)方面，提供了一種多相橋，包括：導(dǎo)電載體；安裝在所述導(dǎo)電載體之上并且電連接至所述導(dǎo)電載體的多個(gè)第一層面半導(dǎo)體功率器件；多個(gè)連接夾，其中，每個(gè)連接夾分別安裝在所述多個(gè)第一層面半導(dǎo)體功率器件中的相應(yīng)的一個(gè)之上并且電連接至所述多個(gè)第一層面半導(dǎo)體功率器件中的所述相應(yīng)的一個(gè)；以及多個(gè)第二層面半導(dǎo)體功率器件，其中，每個(gè)第二層面半導(dǎo)體功率器件分別安裝在所述多個(gè)連接夾中的相應(yīng)的一個(gè)連接夾之上。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)可選的實(shí)施方式，所述多個(gè)第一層面半導(dǎo)體功率器件中的每個(gè)均源極在下地或者發(fā)射極在下地安裝在所述導(dǎo)電載體上。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)可選的實(shí)施方式，所述多個(gè)第二層面半導(dǎo)體功率器件中的每個(gè)均源極在下地或者發(fā)射極在下地安裝在相應(yīng)的連接夾上。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)可選的實(shí)施方式，進(jìn)一步包括：連接元件，所述連接元件安裝在所述多個(gè)第二層面半導(dǎo)功率器件之上并且電連接至所述多個(gè)第二層面半導(dǎo)功率器件。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)可選的實(shí)施方式，所述導(dǎo)電載體被配置為連接至外部地電位，公共連接元件被配置為連接至外部電源電位。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)可選的實(shí)施方式，所述多個(gè)第一層面半導(dǎo)體功率器件中的每個(gè)均漏極在下地或集電極在下地安裝在所述導(dǎo)電載體上。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)可選的實(shí)施方式，所述多個(gè)第二層面半導(dǎo)體功率器件中的每個(gè)均漏極在下地或集電極在下地安裝在相應(yīng)的連接元件上。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)可選的實(shí)施方式，進(jìn)一步包括公共連接元件，所述公共連接元件安裝在所述多個(gè)第二層面半導(dǎo)體功率器件之上并且電連接至所述多個(gè)第二層面半導(dǎo)體功率器件。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)可選的實(shí)施方式，所述多個(gè)第二層面半導(dǎo)體功率器件成行布置，所述公共連接元件在與所述行的方向平行的方向上延伸。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)可選的實(shí)施方式，所述多個(gè)第二層面半導(dǎo)體功率器件成行布置，所述公共連接元件在與所述行的方向垂直的方向上延伸。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)可選的實(shí)施方式，進(jìn)一步包括：控制半導(dǎo)體芯片，所述控制半導(dǎo)體芯片安裝在所述導(dǎo)電載體之上，并且被配置用來(lái)控制第一層面半導(dǎo)體功率器件的柵極電極以及第二層面半導(dǎo)體功率器件的柵極電極。

附圖說(shuō)明

附圖被包括以提供對(duì)實(shí)施例的進(jìn)一步理解，并且被并入并組成本說(shuō)明書(shū)的一部分。所述附圖示出實(shí)施例并同描述一起起到解釋實(shí)施例的原理的作用。當(dāng)通過(guò)參照下文的詳細(xì)描述更好地理解其他實(shí)施例和實(shí)施例的許多預(yù)期的優(yōu)點(diǎn)時(shí)，它們將被容易地領(lǐng)會(huì)。附圖中的各元件不一定相對(duì)彼此按比例繪制。相似的附圖標(biāo)記表示相應(yīng)的類(lèi)似部分。

圖1a是示出半導(dǎo)體功率芯片的前側(cè)的源極/發(fā)射極在下的半導(dǎo)體功率芯片的透視圖。

圖1b是示出半導(dǎo)體功率芯片的后側(cè)的圖1a中的源極/發(fā)射極在下的半導(dǎo)體功率芯片的透視圖。

圖2a是示出半導(dǎo)體功率芯片的前側(cè)的漏極/集電極在下的半導(dǎo)體功率芯片的透視圖。

圖2b是示出半導(dǎo)體功率芯片的后側(cè)的圖2a的漏極/集電極在下的半導(dǎo)體功率芯片的透視圖。

圖3a示意性地示出具有多層面的半導(dǎo)體芯片布置的半導(dǎo)體封裝體的俯視圖，所述多層面的半導(dǎo)體芯片布置使用如圖1a-b中示出的源極/發(fā)射極在下的半導(dǎo)體功率芯片。

圖3b示意性地示出如從圖3a中的視角v1所見(jiàn)的圖3a中的半導(dǎo)體封裝體的側(cè)視圖。

圖3c示意性地示出沿圖3a中的線a-a的圖3a中的半導(dǎo)體封裝體的剖視圖。

圖4是如例如圖3a-c中示出的二相橋的電路圖。

圖5a示意性地示出具有多層面的半導(dǎo)體芯片布置的半導(dǎo)體封裝體的俯視圖，所述多層面的半導(dǎo)體芯片布置使用如圖1a-b中示出的源極/發(fā)射極在下的半導(dǎo)體功率芯片。

圖5b示意性地示出如從圖5a中的視角v1所見(jiàn)的圖5a中的半導(dǎo)體封裝體的側(cè)視圖。

圖5c示意性地示出沿圖5a中的線a-a的圖5a中的半導(dǎo)體封裝體的剖視圖。

圖6是如例如圖5a-c中示出的三相橋的電路圖。

圖7a示意性地示出具有多層面的半導(dǎo)體芯片布置的半導(dǎo)體封裝體的俯視圖，所述多層面的半導(dǎo)體芯片布置使用如圖2a-b中的示出的漏極/集電極在下的半導(dǎo)體功率芯片。

圖7b示意性地示出如從圖7a中的視角v1所見(jiàn)的圖7a中的半導(dǎo)體封裝體的側(cè)視圖。

圖7c示意性地示出如從圖7a中的視角v2所見(jiàn)的圖7a中的半導(dǎo)體封裝體的側(cè)視圖。

圖8示意性地示出具有多層面的半導(dǎo)體芯片布置的半導(dǎo)體封裝體的俯視圖，所述多層面的半導(dǎo)體芯片布置使用如圖1a-b中示出的源極/發(fā)射極在下的半導(dǎo)體功率芯片和控制半導(dǎo)體芯片。

具體實(shí)施方式

在下文的詳細(xì)描述中，參考了構(gòu)成本文的一部分的附圖，并且在附圖中通過(guò)圖示的方式示出可實(shí)踐本公開(kāi)的具體實(shí)施例。在這方面，諸如“頂部”、“底部”、“前”、“后”、“上”、“下”等等的方向性術(shù)語(yǔ)是參照被描述的附圖的取向來(lái)使用的。因?yàn)楦鞣N實(shí)施例中使用的部件可以多種不同的取向放置，因此方向性術(shù)語(yǔ)是為圖示的目的使用而絕非是限制的目的。應(yīng)該理解的是，可使用其他實(shí)施例并且在不背離本發(fā)明的范圍的情況下可做出結(jié)構(gòu)或邏輯上的變化。因此下文的詳細(xì)描述不應(yīng)以限制的意義理解，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求限定。

應(yīng)該理解的是，除非特別聲明，否則本文所描述的各種示例性實(shí)施例的特征可彼此結(jié)合起來(lái)。

如本說(shuō)明書(shū)中使用的，術(shù)語(yǔ)“耦接的”和/或“連接的”通常并不旨在于意味著元件必須直接地耦接或連接在一起?？稍凇榜罱拥摹被颉斑B接的”元件之間提供中間元件。然而，盡管不限制于那種意義，但是術(shù)語(yǔ)“耦接的”和/或“連接的”也可被理解為可選地公開(kāi)以下方面：元件直接地耦接或連接在一起，而沒(méi)有在“耦接的”或“連接的”元件之間提供中間元件。

本文描述了包括四個(gè)或四個(gè)以上的功率半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體功率封裝體。所述功率半導(dǎo)體器件被布置在至少兩個(gè)層面x(低層面)和y(高層面)中。至少兩個(gè)半導(dǎo)體功率器件布置在低層面x中。

封裝體中的所有半導(dǎo)體功率器件或其中至少一部分可具有垂直結(jié)構(gòu)，就是說(shuō)半導(dǎo)體器件可以這樣一種方式被制造使得電流可在與半導(dǎo)體芯片的主表面垂直的方向上流動(dòng)，半導(dǎo)體功率器件在所述半導(dǎo)體芯片中實(shí)施。具有垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體功率器件在半導(dǎo)體芯片中實(shí)施，所述半導(dǎo)體芯片具有在其兩個(gè)主表面上的，就是說(shuō)在其頂側(cè)和底側(cè)上的電極。半導(dǎo)體芯片可包括一個(gè)或一個(gè)以上的半導(dǎo)體器件，即一個(gè)或一個(gè)以上的半導(dǎo)體器件可整體集成在一個(gè)半導(dǎo)體芯片中。

垂直功率半導(dǎo)體器件可例如被配置為mosfet(metaloxidesemiconductorfieldeffecttransistors：金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、igbt(insulatedgatebipolartransistors：絕緣柵雙極型晶體管)、jfet(junctiongatefieldeffecttransistors：結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、hemt(highelectronmobilitytransistors：高電子遷移率晶體管)或功率雙極晶體管。舉例來(lái)說(shuō)，功率mosfet(igbt)的源極(發(fā)射極)電極可布置在一個(gè)主表面上，而功率mosfet(igbt)的漏極(集電極)電極可布置在另一主表面上。mosfet(igbt)的柵極電極可布置在布置有mosfet(igbt)的源極(發(fā)射極)的主表面上，或布置在布置有mosfet(igbt)的漏極(集電極)的主表面上。

本文所指的功率半導(dǎo)體器件可由特定的半導(dǎo)體材料制造，諸如由例如si、sic、sige、gaas、gan、algan、ingaas、inalas等等制造，并且另外可包括非半導(dǎo)體的無(wú)機(jī)的和/或有機(jī)的材料。布置在封裝體內(nèi)的功率半導(dǎo)體器件可以為不同類(lèi)型并且可通過(guò)不同技術(shù)制造。

兩個(gè)或兩個(gè)以上的半導(dǎo)體功率器件(其可整體集成在一個(gè)或一個(gè)以上的半導(dǎo)體芯片中)安裝在封裝體的導(dǎo)電載體之上并電連接至封裝體的導(dǎo)電載體。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電載體可以是連續(xù)的金屬板或片，諸如例如引線框架的芯片焊盤(pán)。所述金屬板或片可由例如銅或銅合金的任何金屬或金屬合金制成。在其他實(shí)施例中，導(dǎo)電載體可例如包括涂覆有金屬層的陶瓷板。舉例來(lái)說(shuō)，這種導(dǎo)電載體可以是結(jié)合有金屬的陶瓷襯底，例如dcb(覆銅)陶瓷襯底。

另外，本文描述的半導(dǎo)體封裝體可包括一個(gè)或一個(gè)以上的邏輯集成電路以控制功率半導(dǎo)體器件。所述邏輯集成電路可包括一個(gè)或一個(gè)以上的驅(qū)動(dòng)電路以驅(qū)動(dòng)一個(gè)或一個(gè)以上的功率半導(dǎo)體器件。邏輯集成電路可例如是微控制器，其包括例如存儲(chǔ)電路、電平轉(zhuǎn)換器等等。

導(dǎo)電載體和/或半導(dǎo)體功率芯片(半導(dǎo)體功率器件在其內(nèi)實(shí)施)可至少部分地被包圍或嵌入至少一種電絕緣材料中。所述電絕緣材料形成封裝體的包封體本體。所述包封體本體可包括模制材料或由模制材料制成。可采用各種技術(shù)，例如壓縮模制、注射模制、粉末模制或液體模制來(lái)形成模制材料的包封體本體。包封體本體可形成封裝體的外圍的一部分，即可至少部分地限定半導(dǎo)體封裝體的形狀。

電絕緣材料可以包括或由熱固性材料或熱塑性材料制成。熱固性材料可例如基于環(huán)氧樹(shù)脂形成。熱塑性材料可例如包括聚醚酰亞胺(pei：polyetherimide)、聚醚砜(pes：polyether-sulfone)、聚苯硫醚(pps：polyphenylene-sulfide)或聚酰胺-酰亞胺(pai：polyamide-imide)所組成的組中的一種或一種以上的材料。熱塑性材料通過(guò)在模制或?qū)訅浩陂g施加壓力和熱量而熔化，在冷卻和壓力釋放時(shí)(可逆地)硬化。

形成包封體本體的電絕緣材料可包括聚合物材料或由聚合物材料制成。電絕緣材料可包括填充的或未填充的模制材料、填充或未填充的熱塑性材料、填充或未填充的熱固性材料、填充或未填充的層壓體、纖維增強(qiáng)層壓體、纖維增強(qiáng)聚合物層壓體和具有填料顆粒的纖維增強(qiáng)聚合物層壓體中的至少一種。

可以通過(guò)本文所描述的技術(shù)來(lái)設(shè)計(jì)各種不同類(lèi)型的功率封裝體。例如，本文所公開(kāi)的功率封裝體可包括兩個(gè)半橋電路，每個(gè)半橋電路均包括高壓側(cè)功率晶體管和低壓側(cè)功率晶體管。另外，作為示例，本文所公開(kāi)的功率封裝體可以包括三個(gè)或甚至三個(gè)以上的半橋電路，每個(gè)半橋電路均包括高壓側(cè)功率晶體管和低壓側(cè)功率晶體管。

如本文所描述的功率封裝體可例如被配置為多相橋。這種多相橋可被配置以使用于電源中，例如用于電動(dòng)機(jī)的電源中，所述電動(dòng)機(jī)例如是無(wú)刷直流(bldc：brushlessdc)電動(dòng)機(jī)。本文所描述的多相橋也可用作整流器或電力變換器，例如dc-dc電力變換器或ac-dc電力變換器。

圖1示出源極/發(fā)射極在下的半導(dǎo)體功率芯片10。所述源極/發(fā)射極在下的半導(dǎo)體功率芯片10具有第一表面10_1和與所述第一表面10_1相反的第二表面10_2。第一表面10_1代表源極/發(fā)射極在下的半導(dǎo)體功率芯片10的后側(cè)，第二表面10_2代表源極/發(fā)射極在下的半導(dǎo)體功率芯片10的前側(cè)。

源極或發(fā)射極(s/e)電極11布置在源極/發(fā)射極在下的半導(dǎo)體功率芯片10的第一表面10_1(后側(cè))上。漏極或集電極(d/c)電極12和柵極(g)電極13布置在源極/發(fā)射極在下的半導(dǎo)體功率芯片10的第二表面10_2(前側(cè))上。柵極電極13用于控制s/e電極11與d/c電極12之間的電流。柵極電極13可用于切換s/e電極11與d/c電極12之間的電流為導(dǎo)通或關(guān)斷，或者調(diào)整s/e電極11與d/c電極12之間的電流至基本上是0a(安培)與源極/發(fā)射極在下的半導(dǎo)體功率芯片10被接通時(shí)所建立的最大電流之間的一可調(diào)節(jié)值。

源極/發(fā)射極在下的半導(dǎo)體功率芯片10可包括n個(gè)半導(dǎo)體功率器件，其中n是等于或大于1的整數(shù)。在這種情況下，源極/發(fā)射極在下的半導(dǎo)體功率芯片10可具有由所有半導(dǎo)體功率器件共用的一個(gè)公共的s/e電極11、n個(gè)d/c電極12(即，每個(gè)半導(dǎo)體功率器件一個(gè)d/c電極)和n個(gè)柵極電極13(即，每個(gè)半導(dǎo)體功率器件一個(gè)柵極電極13)。

圖2示出漏極/集電極在下的半導(dǎo)體功率芯片20。所述漏極/集電極在下的半導(dǎo)體功率芯片20具有第一表面20_1和與所述第一表面20_1相反的第二表面20_2。第一表面20_1代表漏極/集電極在下的半導(dǎo)體功率芯片20的后側(cè)，第二表面20_2表示漏極/集電極在下的半導(dǎo)體功率芯片20的前側(cè)。

漏極或集電極(d/c)電極21布置在漏極/集電極在下的半導(dǎo)體功率芯片20的第一表面20_1(后側(cè))上。源極或發(fā)射極(s/e)電極22和柵極(g)電極23布置在漏極/集電極在下的半導(dǎo)體功率芯片20的第二表面20_2(前側(cè))上。柵極電極23用于控制d/c電極21與s/e電極22之間的電流。柵電極23可用于切換d/c電極21與s/e電極22之間的電流為導(dǎo)通或關(guān)斷，或者調(diào)整d/c電極21與s/e電極22之間的電流至基本上是0a與如果漏極/集電極在下的半導(dǎo)體功率芯片20被接通所建立的最大電流之間的一可調(diào)節(jié)值。

與圖1a-b中源極/發(fā)射極在下的半導(dǎo)體功率芯片10類(lèi)似，漏極/集電極在下的半導(dǎo)體功率芯片20也可包括n個(gè)半導(dǎo)體功率器件。在這種情況下，漏極/集電極在下的半導(dǎo)體功率芯片20可具有由所有半導(dǎo)體功率器件共用的一個(gè)公共d/c電極21、n個(gè)s/e電極22(即，每個(gè)半導(dǎo)體功率器件一個(gè)s/e電極)和n個(gè)柵極電極23(即，每個(gè)半導(dǎo)體功率器件一個(gè)柵極電極23)。

圖3a-c示出依照本文所描述的實(shí)施例的半導(dǎo)體功率封裝體300。所述半導(dǎo)體功率封裝體300包括導(dǎo)電載體310。所述導(dǎo)電載體310可以是例如引線框架的金屬載體。在其他示例中，導(dǎo)電載體310可以是在其頂表面或其兩個(gè)表面上涂覆有金屬層的陶瓷板。導(dǎo)電載體310的頂表面可形成導(dǎo)電載體310的安裝表面311。

下文中，放置在安裝表面311上的半導(dǎo)體功率器件將被稱為層面x(或第一層面)半導(dǎo)體功率器件。如可在圖3a-c中看出的，層面x第一半導(dǎo)體功率器件320和層面x第二半導(dǎo)體功率器件321安裝在導(dǎo)電載體310的安裝表面311之上。

層面x第一和第二半導(dǎo)體功率器件320、321可均由如圖1a-b中示出的源極/發(fā)射極在下的半導(dǎo)體功率芯片10形成。在這種情況下，兩個(gè)源極/發(fā)射極在下的半導(dǎo)體功率芯片10可彼此相鄰布置。每個(gè)源極/發(fā)射極在下的半導(dǎo)體功率芯片10具有第一表面10_1，其包括安裝在安裝表面311上的s/e電極11。在另一個(gè)示例中，層面x第一半導(dǎo)體功率器件320和層面x第二半導(dǎo)體功率器件321都整體地集成在一個(gè)源極/發(fā)射極在下的半導(dǎo)體功率芯片10中。在這種情況下，該單個(gè)源極/發(fā)射極在下的半導(dǎo)體功率芯片10可設(shè)置有位于其第一表面10_1處的公共的s/e電極11以及還設(shè)有兩個(gè)d/c電極12和兩個(gè)柵極電極13，即，一個(gè)d/c電極12和一個(gè)柵極電極13用于層面x第一和第二半導(dǎo)體功率器件310、321這兩個(gè)中的相應(yīng)的一個(gè)。

通常，如果n個(gè)層面x半導(dǎo)體功率器件320、321、…被安裝在導(dǎo)電載體310的安裝表面311上，那么源極/發(fā)射極在下的半導(dǎo)體功率芯片10(層面x半導(dǎo)體功率器件設(shè)施在其中)的數(shù)量可在1至n的范圍內(nèi)。圖3c中，具有一個(gè)或者兩個(gè)源極/發(fā)射極在下的半導(dǎo)體功率芯片10的選擇通過(guò)虛線分隔線p表示出來(lái)。

第一連接夾330安裝在層面x第一半導(dǎo)體功率器件320的d/c電極12之上，第二連接夾331安裝在層面x第二半導(dǎo)體功率器件321的d/c電極12之上。第一和第二連接夾330、331均導(dǎo)電，例如由金屬材料制成。第一和第二連接夾330、331分別電連接至相應(yīng)的層面x第一或第二半導(dǎo)體功率器件320和321的各自的d/c電極12。

第一連接夾330具有安裝表面332，其與連接至層面x第一半導(dǎo)體功率器件320的d/c電極12的夾表面相反。類(lèi)似地，第二連接夾331具有安裝表面333，其與連接至層面x第二半導(dǎo)體功率器件321的d/c電極12的表面相反。

如圖3b中示出的，第一連接夾330和/或第二連接夾331可具有與源極/發(fā)射極在下的半導(dǎo)體功率芯片10的主表面10_1、10_2基本上平行延伸的第一部分，并且可具有分別向下引導(dǎo)至半導(dǎo)體功率封裝體300的外部端子312和313的彎曲部分。所述外部端子312、313可位于與導(dǎo)電載體310相同的平面中。作為示例，導(dǎo)電載體310可形成引線框架的芯片焊盤(pán)，外部端子312、313可形成同一引線框架的端子焊盤(pán)(或端子引線)。

第一連接夾330和第二連接夾331的安裝表面332、333可分別限定用于放置半導(dǎo)體功率芯片的第二層面y。具體而言，層面y第一半導(dǎo)體功率器件340可安裝在第一連接夾330的安裝表面332之上，層面y第二半導(dǎo)體功率器件341可安裝在第二連接夾331的安裝表面333之上。

層面y第一半導(dǎo)體功率器件340和層面y第二半導(dǎo)體功率器件341可如結(jié)合圖1a-b所解釋的那樣均實(shí)施于源極/發(fā)射極在下的半導(dǎo)體功率芯片10中。因此，層面y第一半導(dǎo)體功率器件340的s/e電極11電連接至第一連接夾330的安裝表面332，層面y第二半導(dǎo)體功率器件341的s/e電極11電連接至第二連接夾331的安裝表面333。

層面y第一和第二半導(dǎo)體功率器件340、341的d/c電極12可通過(guò)連接元件350彼此電連接。所述連接元件350可例如是如圖3a-c中示出的連接夾。

更具體地，連接元件350可具有板的形狀，其在源極/發(fā)射極在下的半導(dǎo)體功率芯片10的第二表面10_2之上平行延伸，所述源極/發(fā)射極在下的半導(dǎo)體功率芯片10分別實(shí)現(xiàn)層面y第一半導(dǎo)體功率器件340和層面y第二半導(dǎo)體功率器件341。該板可具有被配置用來(lái)將連接元件350連接至半導(dǎo)體封裝體300的外部端子315的彎曲部分。與外部端子312、313類(lèi)似，所述外部端子315可例如由引線框架的引線焊盤(pán)或引線形成，所述引線框架還用于導(dǎo)電載體310。應(yīng)該注意的是，連接元件350還可通過(guò)連接夾之外的實(shí)施方式形成，例如通過(guò)導(dǎo)電帶或焊線形成。

如圖3a-b中示出的，半導(dǎo)體封裝體300可包括另外的外部端子gx1、gx2、gy1和gy2。外部端子gx1可電連接至層面x第一半導(dǎo)體功率器件320的柵極電極13，外部端子gx2可電連接至層面x第二半導(dǎo)體功率器件321，外部端子gy1可電連接至層面y第一半導(dǎo)體功率器件340的柵極電極13，以及外部端子gy2可電連接至層面y第二半導(dǎo)體功率器件341。所有前述的從柵極電極13至外部端子gx1、gx2、gy1、gy2的連接可例如通過(guò)焊線進(jìn)行。替代地，也可使用(柵極)連接夾用于形成這些連接。在這種情況下，有可能的是通過(guò)連接夾來(lái)建立封裝體300的整個(gè)電互連(這也可適用于本文公開(kāi)的任何封裝體)。

另外，外部端子gx1、gx2、gy1、gy2可與導(dǎo)電載體310和/或外部端子312、313、315位于同一平面中。作為示例，外部端子gx1、gx2、gy1、gy2可通過(guò)引線框架的焊盤(pán)或引線形成，所述引線框架也用于導(dǎo)電載體(作為引線框架的芯片焊盤(pán))和外部端子312、313、315(作為引線框架的引線或焊盤(pán))。

參考圖3a，層面y第一半導(dǎo)體功率器件340和層面y第二半導(dǎo)體功率器件341可沿維度d1成行布置。連接元件350從一端(連接至層面y第一和第二半導(dǎo)體功率器件340、341的d/c電極12的一端)沿垂直于維度d1的維度d2延伸至另一端，即連接至外部端子315的一端。第一連接夾330和第二連接夾331也可沿維度d2延伸，然而，是在與連接元件350相比相反的方向上延伸。鑒于此，外部端子312和313可布置在封裝體300的與布置外部端子315的外周邊相反的外周邊處。

仍然參照?qǐng)D3a，外部端子gx1和gx2(連接至層面x上的柵極電極13)可布置在封裝體300的與外部端子315相同的外周邊處。類(lèi)似地，外部端子gy1和gy2(連接至層面y上的柵極電極13)可布置在封裝體300的與外部端子312、313相同的外周邊處。這樣，半導(dǎo)體功率封裝體300的僅兩個(gè)外周邊配備有外部端子，而剩下的兩側(cè)可以沒(méi)有外部端子。由于如圖3a-c中示出的那樣，封裝體的布線互連，因而半導(dǎo)體封裝體可以非常緊湊，即在維度d1和d2上小。同時(shí)，半導(dǎo)體封裝體300的覆蓋區(qū)中的大部分(例如等于或大于所述覆蓋區(qū)面積的50％、60％、70％、80％或90％)可由導(dǎo)電載體310形成，這可實(shí)現(xiàn)從封裝體300至諸如例如pcb(印刷電路板)或散熱器的外部安裝平臺(tái)(未示出)的良好的熱消散。

半導(dǎo)體功率封裝體300可形成2相橋。圖4中示出2相橋的電路圖的一個(gè)示例。所述2相橋包括兩個(gè)半橋。第一半橋包括在負(fù)電源電壓(例如地：gnd)401與正電源電壓(例如電池：bat)402之間串聯(lián)連接的低壓側(cè)開(kāi)關(guān)ls1和高壓側(cè)開(kāi)關(guān)hs1。第二半橋包括在負(fù)電源電壓401與正電源電壓402之間串聯(lián)連接的低壓側(cè)開(kāi)關(guān)ls2和高壓側(cè)開(kāi)關(guān)hs2。低壓側(cè)開(kāi)關(guān)ls1和ls2的控制電極(例如柵極電極)分別連接至節(jié)點(diǎn)403和404。高壓側(cè)開(kāi)關(guān)hs1和hs2的控制電極(例如柵極電極)分別連接至節(jié)點(diǎn)405和406。第一半橋的低壓側(cè)開(kāi)關(guān)ls1與高壓側(cè)開(kāi)關(guān)hs1之間的連接部被連接至節(jié)點(diǎn)412。第二半橋的低壓側(cè)開(kāi)關(guān)ls2與高壓側(cè)開(kāi)關(guān)hs2之間的連接部被連接至節(jié)點(diǎn)413。

圖4中示出的示例中，低壓側(cè)開(kāi)關(guān)ls1、ls2和高壓側(cè)開(kāi)關(guān)hs1、hs2例如通過(guò)mosfet實(shí)施。在這種情況下，節(jié)點(diǎn)412連接至ls1的漏極和hs1的源極，節(jié)點(diǎn)413連接至ls2的漏極和hs2的源極。然而，也有可能的是低壓側(cè)開(kāi)關(guān)ls1、ls2和高壓側(cè)開(kāi)關(guān)hs1和hs2例如通過(guò)igbt實(shí)施。在這種情況下，電路圖將與圖4中的電路圖類(lèi)似，但除了igbt替代了mosfet外。此時(shí)，節(jié)點(diǎn)412將連接至ls1的集電極和hs1的發(fā)射極，節(jié)點(diǎn)413將連接至ls2的集電極和hs2的發(fā)射極。

如通過(guò)將圖4中的電路圖與圖3a-c中示出的半導(dǎo)體功率封裝體300進(jìn)行比較而可理解的，導(dǎo)電載體310相應(yīng)于節(jié)點(diǎn)401，層面x第一和第二半導(dǎo)體功率器件320、321分別相應(yīng)于ls1和ls2，第一連接夾330和第二連接夾331分別相應(yīng)于節(jié)點(diǎn)412和節(jié)點(diǎn)413，層面y第一和第二半導(dǎo)體功率器件340、341分別相應(yīng)于hs1和hs2，外部端子gx1、gx2、gy1、gy2分別相應(yīng)于節(jié)點(diǎn)403、節(jié)點(diǎn)404、節(jié)點(diǎn)405和節(jié)點(diǎn)406，以及外部端子315相應(yīng)于節(jié)點(diǎn)402。

外部端子312、313(相應(yīng)于圖4中的電路圖的節(jié)點(diǎn)412、413)代表半導(dǎo)體功率封裝體300的輸出端子。作為示例，外部端子312可電連接至由半導(dǎo)體功率封裝體300供電的外部裝置(例如電動(dòng)機(jī))的第一相輸入，外部端子313可電連接至第二相輸入。

應(yīng)該注意的是，導(dǎo)電載體310、層面x第一和第二半導(dǎo)體功率器件320、321、第一和第二連接夾330、331、層面y第一和第二半導(dǎo)體功率器件340、341、和連接元件350之間的電連接可通過(guò)焊接，例如軟焊接、硬焊接、擴(kuò)散焊接，或通過(guò)諸如燒結(jié)、利用導(dǎo)電粘附劑的粘合等任何其它合適的連接方法形成。

另外，應(yīng)該注意的是，半導(dǎo)體功率封裝體300可設(shè)置有密封劑，其用于半導(dǎo)體功率封裝體300的本體并且包圍圖3a-c中示出的布置結(jié)構(gòu)。然而，導(dǎo)電載體310的底部表面(即與所述導(dǎo)電載體310的安裝表面311相反的表面)和外部端子312、313、314、gx1、gx2、gy1、gy2的底部表面或形成這些外部端子的引線可暴露于密封劑或從密封劑突出出來(lái)。

圖5a-5c示出一種半導(dǎo)體功率封裝體500。所述半導(dǎo)體功率封裝體500是三相橋的一個(gè)示例，該三相橋由三個(gè)半橋而不是由以半導(dǎo)體功率封裝體300為例的兩個(gè)半橋組成。除此以及將在下文中進(jìn)一步做出更加詳細(xì)地解釋的其他區(qū)別之外，半導(dǎo)體功率封裝體500與半導(dǎo)體功率封裝體300類(lèi)似，可參看上文的描述以避免重復(fù)。

半導(dǎo)體功率封裝體500附加地包括層面x第三半導(dǎo)體功率器件522，其與層面x第一和第二半導(dǎo)體功率器件320、321在同一源極/發(fā)射極在下的半導(dǎo)體功率芯片10中實(shí)施，或者在單獨(dú)的源極/發(fā)射極在下的半導(dǎo)體功率芯片10中實(shí)施。層面x第一、第二和第三半導(dǎo)體功率器件320、321、522可布置在沿維度d1延伸的行中。

層面x第三半導(dǎo)體功率器件522連接至第三連接夾532，所述第三連接夾532安裝在相應(yīng)的源極/發(fā)射極在下的半導(dǎo)體功率芯片10的第二表面10_2之上并且連接至它的d/c電極12。第一、第二和第三連接夾330、331和532也布置在沿維度d1延伸的行中。

層面y第三半導(dǎo)體功率器件542安裝在第三連接夾532上。參見(jiàn)圖5a-b，層面y第三半導(dǎo)體功率器件542可通過(guò)源極/發(fā)射極在下的半導(dǎo)體功率芯片10實(shí)施。

圖5a-b中顯而易見(jiàn)的是，層面y第一、第二和第三半導(dǎo)體功率器件340、341、542的柵極電極13位于相應(yīng)的芯片的左側(cè)處，即靠近層面x第一、第二和第三半導(dǎo)體功率器件320、321、542的柵極電極13。這樣，外部端子gx1、gy1、gx2、gy2、gx3(連接至層面x第三半導(dǎo)體功率器件542的柵極電極13)和gy3(連接至層面y第三半導(dǎo)體功率器件542的柵極電極13)可沿半導(dǎo)體功率封裝體500的外周邊布置在沿維度d1延伸的行中。就是說(shuō)，連接至柵極電極13的所有外部端子都可沿半導(dǎo)體功率封裝體500的一個(gè)外周邊布置。

連接元件550安裝在層面y第一、第二和第三半導(dǎo)體功率器件340、341、542的d/c電極12之上并且電連接至層面y第一、第二和第三半導(dǎo)體功率器件340、341、542的d/c電極12。所述連接元件550可類(lèi)似于連接元件350(例如可通過(guò)連接夾形成)并且可參考上文的描述。然而，在這此示例中，連接元件550在維度d1上跨越半導(dǎo)體功率封裝體500，從半導(dǎo)體封裝體的一個(gè)外周邊跨越至它的相反的外周邊。因此，連接元件550可沿維度d1延伸而非如半導(dǎo)體功率封裝體300的示例中示出的那樣沿維度d2延伸。

類(lèi)似于半導(dǎo)體功率封裝體300，輸出外部端子312、313和附加的輸出外部端子514沿封裝體本體的右外周邊布置。在此示例中，沒(méi)有外部柵極端子沿半導(dǎo)體功率封裝體500的這一邊布置。因此半導(dǎo)體功率封裝體500可具有專有地布置在封裝體本體(沿維度d1延伸)的右外周邊處的外部輸出端子312、312、514，專有地布置在封裝體本體的相反外周邊處的柵極外部端子gx1、gy1、gx2、gy2、gx3、gy3，以及外部端子515，所述外部端子515沿著封裝體的沿維度d2延伸的外周邊中的一側(cè)或者兩側(cè)布置。

在半導(dǎo)體功率封裝體500中，高壓外部端子(正電源電壓在外部端子315處，輸出相在外部端子312、313、514處)在空間上與低壓外部端子gx1、gy1、gx2、gy2、gx3、gy3分開(kāi)。這有助于提供半導(dǎo)體功率封裝體500所需的介電強(qiáng)度，并且從pcb布局的角度來(lái)看可能進(jìn)一步是有利的。

根據(jù)示出了三相橋的一個(gè)示例電路圖的圖6，第三半橋通過(guò)低壓側(cè)開(kāi)關(guān)ls3和高壓側(cè)開(kāi)關(guān)hs3實(shí)施。相輸出連接至低壓側(cè)開(kāi)關(guān)ls3的漏極，高壓側(cè)開(kāi)關(guān)hs3的源極連接至輸出節(jié)點(diǎn)614。低壓側(cè)開(kāi)關(guān)ls3的柵極連接至節(jié)點(diǎn)605，高壓側(cè)開(kāi)關(guān)hs3的柵極連接至節(jié)點(diǎn)607。關(guān)于圖5a-c中的半導(dǎo)體功率封裝體500，節(jié)點(diǎn)605相應(yīng)于外部端子gx3，節(jié)點(diǎn)607相應(yīng)于外部端子gy3以及輸出節(jié)點(diǎn)614相應(yīng)于外部端子514。此外，如先前與圖4結(jié)合所提到的，如果期望的話，圖6中的mosfet可由igbt替代。

在如圖3a-c和5a-c中示出的半導(dǎo)體功率封裝體300、500的示例中，許多不同的特征是可互換的，其意義為半導(dǎo)體功率封裝體500的一種特定特征可被功率封裝體300的相應(yīng)的特定(不同的)特征替換，反之亦然。作為示例，半導(dǎo)體功率封裝體500的沿維度d1延伸的連接元件550可替換半導(dǎo)體功率封裝體300中作為示例使用的連接元件350。此外，半導(dǎo)體功率封裝體300的外部端子gy1和gy2可被設(shè)計(jì)成與半導(dǎo)體功率封裝體500中的相應(yīng)的外部端子的布置相類(lèi)似，布置在同一個(gè)外周邊處并且鄰近外部端子gx1和gx2。在這種情況下，功率封裝體300的層面y第一和第二半導(dǎo)體功率器件340、341可如功率封裝體500中那樣以相同的方式取向。簡(jiǎn)單地說(shuō)，半導(dǎo)體功率封裝體300可被設(shè)計(jì)成在功率封裝體500的覆蓋區(qū)和配置(除了第三半橋不存在)方面，與半導(dǎo)體功率封裝體500部分地或者完全相同。反之亦然，有可能的是，半導(dǎo)體功率封裝體500與半導(dǎo)體功率封裝體300(并且通過(guò)添加第三半橋所需的部件)的相應(yīng)的特征設(shè)計(jì)得一致。

另外，對(duì)于半導(dǎo)體功率封裝體300和500，通過(guò)示例的方式所描述的布置方式和思想可擴(kuò)展至具有超過(guò)三個(gè)半橋的多相橋。將半導(dǎo)體功率封裝體300和500擴(kuò)展(或者使用半導(dǎo)體功率封裝體300中的一些特征和半導(dǎo)體功率封裝體500中的一些特征的“混合”功率封裝體)至n相橋是顯而易見(jiàn)的，并且為了簡(jiǎn)潔起見(jiàn)省略了上文公開(kāi)中的重復(fù)。

圖7a-c示出半導(dǎo)體功率封裝體700。半導(dǎo)體功率封裝體700類(lèi)似于半導(dǎo)體功率封裝體300，并且可參考上文的描述以避免重復(fù)。然而，在半導(dǎo)體功率封裝體700中，層面x第一和第二半導(dǎo)體功率器件320、321中的一部分或者全部和層面y第一或第二半導(dǎo)體功率器件340、341中的一部分或者全部如圖2a-b中示出的那樣，通過(guò)漏極/集電極在下的半導(dǎo)體功率芯片20實(shí)施。鑒于此，d/c電極21現(xiàn)位于半導(dǎo)體功率芯片20的(底)后側(cè)20_1，s/e電極22和柵極電極23現(xiàn)位于半導(dǎo)體功率芯片20的(頂)前側(cè)20_2。如本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的，這是對(duì)半導(dǎo)體功率芯片的普通的或“經(jīng)典的”設(shè)計(jì)。

另外，半導(dǎo)體功率封裝體700示出一個(gè)示例，在該示例中連接元件550與半導(dǎo)體封裝體500的連接元件550類(lèi)似，沿維度d1延伸。另外，低壓外部端子gx1、gy1、gx2、gy2和高壓外部端子312、313以及導(dǎo)電載體310處的正電源電壓在空間上的分離與半導(dǎo)體功率封裝體500類(lèi)似，并且可參考上文的描述以避免重復(fù)。

由于漏極/集電極在下的半導(dǎo)體功率芯片20使用于半導(dǎo)體封裝體700中，因此圖4中的電路圖與半導(dǎo)體功率封裝體700的部件的對(duì)應(yīng)如下：第一半橋的低壓側(cè)開(kāi)關(guān)ls1和高壓側(cè)開(kāi)關(guān)hs1分別相應(yīng)于層面y第一半導(dǎo)體功率器件340和層面x第一半導(dǎo)體功率器件320。第二半橋的低壓側(cè)開(kāi)關(guān)ls2和高壓側(cè)開(kāi)關(guān)hs2分別相應(yīng)于層面y第二半導(dǎo)體功率器件341和層面x第二半導(dǎo)體功率器件321。節(jié)點(diǎn)412和413分別相應(yīng)于外部端子312和313。節(jié)點(diǎn)403、404、405、406分別相應(yīng)于外部(柵極)端子gy1、gy2、gx1和gx2。電源電壓節(jié)點(diǎn)401(負(fù)電源電壓)和402(正電源電壓)分別相應(yīng)于外部端子515和導(dǎo)電載體310。

應(yīng)當(dāng)注意的是，半導(dǎo)體功率封裝體700可替代地依照半導(dǎo)體功率封裝體300的配置形成，即，具有沿維度d2延伸的連接元件350并且具有外部端子gx1、gy1、gx2、gy2、312、313、315，它們依照半導(dǎo)體功率封裝體300沿封裝體本體的外周邊布置。

圖8示出半導(dǎo)體功率封裝體800。半導(dǎo)體功率封裝體800與半導(dǎo)體功率封裝體500類(lèi)似，并且可參考上文的公開(kāi)以避免重復(fù)。與半導(dǎo)體功率封裝體500不同的是，層面x第一、第二和第三半導(dǎo)體功率器件320、321、522的柵極電極13和層面y第一、第二和第三半導(dǎo)體功率器件340、341、542的柵極電極13至少部分地連接至控制集成電路(controlic：controlintegratedcircuit)810而非連接至半導(dǎo)體功率封裝體800的外部端子gx1、gy1、gx2、gy2、gx3、gy3。控制ic810可安裝在導(dǎo)電載體310上。控制ic810可部分地或者全部嵌入形成半導(dǎo)體功率封裝體800的本體的密封劑(未示出)中。在圖8中示出的示例中，導(dǎo)電載體310連接至例如地(gnd)的負(fù)電源電壓401。因此，控制ic810可直接結(jié)合至導(dǎo)電載體310上，而在之間無(wú)需任何絕緣層。

控制ic810可包括許多柵極驅(qū)動(dòng)器，例如圖8中示出的示例中的6個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器。控制ic810可還包括邏輯器件以控制柵極驅(qū)動(dòng)器。控制ic810可還包括輸入焊盤(pán)，其電連接至半導(dǎo)體功率封裝體800的外部端子812、813、814。所述外部端子812、813、814可沿維度d1和/或維度d2布置在半導(dǎo)體功率封裝體800的外周邊處。外部端子812、813、814可通過(guò)前述的引線框架的端子焊盤(pán)或引線形成，所述引線框架也用于導(dǎo)電載體310(芯片焊盤(pán))和外部端子312、313、514和515。通過(guò)例如焊線被連接至控制ic810的輸入焊盤(pán)的外部端子812、813、814可接收諸如例如pwm(pulsewidthmodulated：脈沖寬度調(diào)制)信號(hào)的外部輸入信號(hào)。

應(yīng)該注意的是，半導(dǎo)體功率封裝體300、500和700可也與半導(dǎo)體功率封裝體800類(lèi)似，配備有控制ic810。然而，如果使用漏極/集電極在下的半導(dǎo)體功率芯片20而非源極/發(fā)射極在下的半導(dǎo)體功率芯片10，那么控制ic810通過(guò)在導(dǎo)電載體與控制ic810之間延伸的絕緣層(未示出)與導(dǎo)電載體310電絕緣。

進(jìn)一步地，在本文公開(kāi)的所有實(shí)施例中，第一、第二和第三連接夾330、331、532和/或連接元件350、550可配備通孔830。所述通孔830可在半導(dǎo)體功率封裝體300、500、700、800的制造過(guò)程中，例如在用于將半導(dǎo)體芯片10或20連接至連接夾330、331、532和/或連接元件350、550的焊料回流過(guò)程期間，起到排氣孔的作用。另外，第一、第二和第三連接夾330、331、532的通孔830可用于連接夾330、331、532的上表面(安裝表面332、333)與底表面之間的焊料交換。

更進(jìn)一步地，在本文所公開(kāi)的所有實(shí)施例中，可在半導(dǎo)體功率封裝體300、500、700、800的外部端子與低壓側(cè)開(kāi)關(guān)ls1、ls2、…、lsn的漏極d之間提供電連接(例如焊線)。這些端子可作為用于外部電路的電壓感測(cè)端子使用。

如本文所描述的半導(dǎo)體功率封裝體300、500、700、800可在車(chē)輛工程中具有特別的應(yīng)用。作為示例，半導(dǎo)體功率封裝體300、500、700、800可被配置用來(lái)為使用于在燃料泵、水泵中的或使用于電驅(qū)動(dòng)渦輪增壓器中的電動(dòng)機(jī)(例如bldc)供電。

如本文所描述的半導(dǎo)體功率封裝體300、500、700、800可提供例如1w至500w，尤其是等于或大于或小于10w、50w、200w、200w、300w或400w的輸出功率。如本文所描述的半導(dǎo)體功率封裝體300、500、700、800可提供例如0.1a至100a，尤其是等于或大于或小于1a、10a、30a、50a、70a或90a的輸出電流。在運(yùn)行中，高于或低于5v、10v、50v、100v、200v或500v的電壓可被施加在節(jié)點(diǎn)401與402之間。n橋的切換頻率可在100hz至100mhz的范圍內(nèi)，但也可在這個(gè)范圍之外。

所有的半導(dǎo)體功率封裝體300、500、700、800提供了空間優(yōu)化的封裝體布局。進(jìn)一步地，所有的半導(dǎo)體功率封裝體300、500、700、800提供了低雜散阻抗而減少寄生能量損失，沿半導(dǎo)體功率封裝體300、500、700、800的外周的外部端子的良好分布而允許高散熱能力。

盡管本文已經(jīng)示出并描述具體實(shí)施例，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將意識(shí)到，在不背離本發(fā)明的范圍的情況下，各種替代的和/或等同的實(shí)施方式可替代示出并描述的具體實(shí)施例。本申請(qǐng)旨在于覆蓋本文所討論的具體實(shí)施例的任何改變或變化。因此，本發(fā)明旨在于僅由權(quán)利要求及其等同方案限定。