本公開(kāi)實(shí)施例涉及半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)及其形成方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體裝置用于各種電子應(yīng)用中，例如：個(gè)人電腦、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)及其他電子設(shè)備。半導(dǎo)體裝置通常通過(guò)連續(xù)地沉積絕緣或介電層、導(dǎo)電層及半導(dǎo)體層于半導(dǎo)體基底上方所制造，并使用光刻來(lái)圖案化各種材料層以形成電路組件及元件。

用來(lái)增進(jìn)半導(dǎo)體裝置的性能的重要驅(qū)動(dòng)因素之一為更高水平的電路整合。這可通過(guò)最小化或縮小給定芯片的裝置尺寸來(lái)完成。容許偏差(tolerance)在能夠縮小芯片尺寸上扮演了重要的角色。

然而，盡管現(xiàn)存的形成半導(dǎo)體裝置的制造方法通常已足以應(yīng)付其需求，但隨著裝置持續(xù)地微縮化(scaling-down)，其仍未在所有方面皆令人滿(mǎn)足。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)一些實(shí)施例，本公開(kāi)提供一種半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)。此半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)包括基底。此半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)包括位于基底上方的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。此半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)包括位于基底上方的第一介電層。第一介電層具有暴露第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的第一開(kāi)口。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)包括覆蓋第一開(kāi)口的第一內(nèi)壁的覆蓋層，且覆蓋層具有暴露第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的第二開(kāi)口。覆蓋層包括金屬氧化物。此半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)包括第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其填入第一開(kāi)口且被覆蓋層所圍繞。第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連接至第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。

根據(jù)一些實(shí)施例，本公開(kāi)提供一種半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)包括基底。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)包括位于基底上方的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)包括位于基底上方的第一介電層。第一介電層具有暴露第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的第一開(kāi)口。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)包括覆蓋第一開(kāi)口的第一內(nèi)壁的第一覆蓋層。第一覆蓋層包括金屬氧化物。第一覆蓋層包括金屬氧化物。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)包括第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其填入第一開(kāi)口且被第一覆蓋層所圍繞。第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)直接接觸第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，且第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)具有延伸部分，其延伸于第一覆蓋層與第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間。

根據(jù)一些實(shí)施例，本公開(kāi)提供一種半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的形成方法。此方法包括形成第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)于基底上方。方法包括形成第一介電層于基底上方。第一介電層具有暴露第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的開(kāi)口。方法包括實(shí)行沉積工藝以形成沉積層于第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及介電層上方。沉積層具有第一部分及第二部分。第一部分位于第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上方。第二部分位于開(kāi)口的內(nèi)壁上方。第一部分與第二部分由不同材料所制成。方法包括移除第一部分。方法包括將第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)填入開(kāi)口中。第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)被第二部分所圍繞。第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連接至第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。

附圖說(shuō)明

以下將配合所附附圖詳述本公開(kāi)的實(shí)施例，應(yīng)注意的是，依照工業(yè)上的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施，以下圖示并未按照比例繪制，事實(shí)上，可能任意的放大或縮小元件的尺寸以便清楚表現(xiàn)出本公開(kāi)的特征。而在說(shuō)明書(shū)及附圖中，除了特別說(shuō)明外，同樣或類(lèi)似的元件將以類(lèi)似的符號(hào)表示。

圖1a-圖1g是根據(jù)一些實(shí)施例，形成半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的各個(gè)工藝階段的剖面圖。

圖2a-圖2j是根據(jù)一些實(shí)施例，形成半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的各個(gè)工藝階段的剖面圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明：

半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)100

基底110

隔離結(jié)構(gòu)111

介電層120

介電層130

凹槽132

側(cè)壁132a

底面132b

覆蓋層140

導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150

頂面152

蝕刻停止層160

開(kāi)口162

內(nèi)壁162a

介電層170

溝槽172

內(nèi)壁172a

底面172b

開(kāi)口174

內(nèi)壁174a

頂面176

沉積層180

第一部分182

第二部分184

導(dǎo)電層190

導(dǎo)電結(jié)構(gòu)192

上部192a

延伸部分192b

頂面192c

導(dǎo)電線194

頂面194a

半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)200

介電層210

溝槽212

內(nèi)壁212a

底面212b

沉積層220

第一部分222

第二部分224

導(dǎo)電層230

導(dǎo)電線232

頂面232a

頂面214

覆蓋層c1

覆蓋層c2

間隙g

寬度w

開(kāi)口op1

開(kāi)口op2

頂面tc1

頂面tc2

高度h

厚度t1

厚度t2

厚度t3

具體實(shí)施方式

以下提供許多不同的實(shí)施方法或是例子來(lái)實(shí)行各種實(shí)施例的不同特征。以下描述具體的元件及其排列的例子以闡述本公開(kāi)。當(dāng)然這些僅是例子且不該以此限定本公開(kāi)的范圍。例如，元件的尺寸并不限定于所公開(kāi)的范圍或數(shù)值，而是取決于工藝條件及/或裝置所期望的性質(zhì)。此外，在描述中提及第一個(gè)元件形成于第二個(gè)元件上時(shí)，其可以包括第一個(gè)元件與第二個(gè)元件直接接觸的實(shí)施例，也可以包括有其他元件形成于第一個(gè)與第二個(gè)元件之間的實(shí)施例，其中第一個(gè)元件與第二個(gè)元件并未直接接觸。為簡(jiǎn)化及清楚起見(jiàn)，各種特征可任意繪制成不同尺寸。

此外，其中可能用到與空間相關(guān)的用詞，像是“在…下方”、“下方”、“較低的”、“上方”、“較高的”及類(lèi)似的用詞，這些關(guān)系詞是為了便于描述圖示中一個(gè)(些)元件或特征與其它個(gè)(些)元件或特征之間的關(guān)系。這些空間關(guān)系詞包括使用中或操作中的裝置的不同方位，以及圖示中所描述的方位。裝置可能被轉(zhuǎn)向不同方位(旋轉(zhuǎn)90度或其他方位)，則其中使用的空間相關(guān)形容詞也可相同地照著解釋。應(yīng)當(dāng)理解，可以于方法之前、期間及之后提供額外的操作，且一些所述的操作在方法的額外的實(shí)施例中可以被取代、刪除或移動(dòng)。

圖1a-圖1g是根據(jù)一些實(shí)施例，形成半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)100的各個(gè)工藝階段的剖面圖。如圖1a所示，根據(jù)一些實(shí)施例，提供基底110?；?10可為諸如硅晶片的半導(dǎo)體晶片。替代地或額外地，基底110可包括元素半導(dǎo)體材料、化合物半導(dǎo)體材料及/或合金半導(dǎo)體材料。

元素半導(dǎo)體材料的實(shí)例可以是但不限于硅晶體、多晶硅、非晶硅、鍺及/或鉆石。化合物半導(dǎo)體的實(shí)例可以是但不限于碳化硅、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦及/或銻化銦。合金半導(dǎo)體材料的實(shí)例可以是但不限于sige、gaasp、alinas、algaas、gainas、gainp及/或gainasp。

根據(jù)一些實(shí)施例，隔離結(jié)構(gòu)(未示出)形成于半導(dǎo)體基底110中。根據(jù)一些實(shí)施例，隔離結(jié)構(gòu)環(huán)繞著半導(dǎo)體基底110的主動(dòng)區(qū)。根據(jù)一些實(shí)施例，隔離結(jié)構(gòu)111配置以界定及電性隔離形成于半導(dǎo)體基底110之中的主動(dòng)區(qū)及各個(gè)裝置元件(未示出)。

裝置元件的實(shí)例可包括但不限于晶體管、二極管及/或其它合適的元件。晶體管的實(shí)例可包括但不限于金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(metaloxidesemiconductorfieldeffecttransistors,mosfet)、互補(bǔ)式金氧(complementarymetaloxidesemiconductor,cmos)晶體管、雙極接面晶體管(bipolarjunctiontransistors,bjt)、高壓晶體管、高頻晶體管、p溝道及/或n溝道場(chǎng)效晶體管(pfets/nfets)等。實(shí)行各種工藝以形成裝置元件，例如：沉積、蝕刻、注入、光刻、退火及/或其它適用的工藝。

如圖1a所示，根據(jù)一些實(shí)施例，形成介電層120于基底110上方。根據(jù)一些實(shí)施例，介電層120包括氧化物，例如：sio2、硼磷硅酸鹽玻璃(borophosphosilicateglass,bpsg)、旋涂式玻璃(spinonglass,sog)、未摻雜硅酸鹽玻璃(undopedsilicateglass,usg)、氟化硅酸鹽玻璃(fluorinatedsilicateglass,fsg)、高密度等離子體(high-densityplasma,hdp)氧化物或等離子體增強(qiáng)teos(plasma-enhancedteos,peteos)。

介電層120可包括多層，其由諸如低介電常數(shù)或極低介電常數(shù)(extremelowdielectricconstant,elk)材料的多種介電材料所制成?？赏ㄟ^(guò)化學(xué)氣相沉積(chemicalvapordeposition,cvd)、物理氣相沉積(physicalvapordeposition,pvd)、原子層沉積(atomiclayerdeposition,ald)、旋轉(zhuǎn)涂布或其它適用的工藝來(lái)形成介電層120。

根據(jù)一些實(shí)施例，互連結(jié)構(gòu)及/或裝置元件(未示出)形成于介電層120之中。根據(jù)一些實(shí)施例，互連結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電線及導(dǎo)電通孔。裝置元件包括晶體管、二極管、電容及/或其它合適的元件。在一些其它實(shí)施例中，未形成介電層120。

如圖1a所示，根據(jù)一些實(shí)施例，形成介電層130于介電層120上方。根據(jù)一些實(shí)施例，介電層130包括氧化物，例如：sio2、硼磷硅酸鹽玻璃(bpsg)、旋涂式玻璃(sog)、未摻雜硅酸鹽玻璃(usg)、氟化硅酸鹽玻璃(fsg)、高密度等離子體(hdp)氧化物或等離子體增強(qiáng)teos(peteos)。

根據(jù)一些實(shí)施例，介電層130包括低介電常數(shù)或極低介電常數(shù)(elk)材料?？赏ㄟ^(guò)化學(xué)氣相沉積(cvd)、物理氣相沉積(pvd)、原子層沉積(ald)、旋轉(zhuǎn)涂布或其它適用的工藝來(lái)形成介電層130。

如圖1a所示，根據(jù)一些實(shí)施例，介電層130具有凹槽132。根據(jù)一些實(shí)施例，凹槽132暴露介電層120的一部分。如圖1a所示，根據(jù)一些實(shí)施例，覆蓋層140形成于凹槽132的側(cè)壁132a及底面132b上方。根據(jù)一些實(shí)施例，覆蓋層140為密封層及/或阻擋層。

根據(jù)一些實(shí)施例，覆蓋層140配置以密封形成在側(cè)壁132a及底面132b上的孔洞。根據(jù)一些實(shí)施例，孔洞于凹槽132的形成期間形成。根據(jù)一些實(shí)施例，覆蓋層140配置以防止形成于凹槽132中的金屬材料擴(kuò)散至介電層130之中。根據(jù)一些實(shí)施例，覆蓋層140共形地覆蓋凹槽132的側(cè)壁132a及底面132b。

根據(jù)一些實(shí)施例，覆蓋層140包括鉭(ta)、氮化鉭(tan)、sin、sic或sicn。根據(jù)一些實(shí)施例，覆蓋層140包括金屬氧化物。使用化學(xué)氣相沉積(cvd)工藝、物理氣相沉積(pvd)工藝、原子層沉積(ald)工藝或其它合適的工藝以形成覆蓋層140。

如圖1a所示，根據(jù)一些實(shí)施例，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150形成于凹槽132之中及覆蓋層140上方。根據(jù)一些實(shí)施例，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150填入凹槽132之中。根據(jù)一些實(shí)施例，介電層130圍繞導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150及覆蓋層140。根據(jù)一些實(shí)施例，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150包括導(dǎo)電線、導(dǎo)電通孔或其它合適的互連結(jié)構(gòu)。

導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150包括銅、鋁、鎢或其它合適的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。根據(jù)一些實(shí)施例，使用沉積工藝及化學(xué)機(jī)械拋光(chemicalmechanicalpolishing,cmp)工藝來(lái)形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150。沉積工藝包括化學(xué)氣相沉積(cvd)工藝、物理氣相沉積(pvd)工藝或其它合適的沉積工藝。

如圖1b所示，根據(jù)一些實(shí)施例，蝕刻停止層160形成于介電層130、覆蓋層140及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150上方。蝕刻停止層160包括氮化硅、氧化硅或其它合適的材料。根據(jù)一些實(shí)施例，使用化學(xué)氣相沉積工藝來(lái)形成蝕刻停止層160。

如圖1b所示，根據(jù)一些實(shí)施例，介電層170形成于蝕刻停止層160上方。根據(jù)一些實(shí)施例，介電層170包括氧化物，例如：sio2、硼磷硅酸鹽玻璃(bpsg)、旋涂式玻璃(sog)、未摻雜硅酸鹽玻璃(usg)、氟化硅酸鹽玻璃(fsg)、高密度等離子體(hdp)氧化物或等離子體增強(qiáng)teos(peteos)。

根據(jù)一些實(shí)施例，介電層170包括低介電常數(shù)或極低介電常數(shù)(elk)材料?？赏ㄟ^(guò)化學(xué)氣相沉積(cvd)、物理氣相沉積(pvd)、原子層沉積(ald)、旋轉(zhuǎn)涂布或其它適用的工藝來(lái)形成介電層170。

如圖1c所示，根據(jù)一些實(shí)施例，移除部分的介電層170及蝕刻停止層160。根據(jù)一些實(shí)施例，在移除工藝之后，溝槽172及開(kāi)口174形成于介電層170之中，且開(kāi)口162形成于蝕刻停止層160之中。

根據(jù)一些實(shí)施例，溝槽172在開(kāi)口174及162上方并連接至開(kāi)口174及162。溝槽172及開(kāi)口174及162彼此連通。根據(jù)一些實(shí)施例，溝槽172及開(kāi)口174及162暴露導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150的頂面152的一部分。

如圖1d所示，根據(jù)一些實(shí)施例，實(shí)行沉積工藝于介電層170、蝕刻停止層160及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150上以形成沉積層180。根據(jù)一些實(shí)施例，沉積層180形成于介電層170、蝕刻停止層160及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150上方。

根據(jù)一些實(shí)施例，沉積層180形成于溝槽172的內(nèi)壁172a及底面172b上、開(kāi)口174的內(nèi)壁174a上、開(kāi)口162的內(nèi)壁162a上及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150的頂面152上。根據(jù)一些實(shí)施例，沉積層180共形地且連續(xù)地覆蓋內(nèi)壁172a、174a及162a、底面172b及頂面152。

根據(jù)一些實(shí)施例，沉積層180具有連接彼此的第一部分182及第二部分184。根據(jù)一些實(shí)施例，第一部分182位于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150上方。根據(jù)一些實(shí)施例，第一部分182覆蓋頂面152。根據(jù)一些實(shí)施例，第一部分182直接接觸導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150。

根據(jù)一些實(shí)施例，第二部分184位于蝕刻停止層160及介電層170上方。根據(jù)一些實(shí)施例，第二部分184覆蓋內(nèi)壁172a、174a及162a及底面172b。根據(jù)一些實(shí)施例，第二部分184直接接觸蝕刻停止層160及介電層170。根據(jù)一些實(shí)施例，第一部分182直接接觸第二部分184。

根據(jù)一些實(shí)施例，由于導(dǎo)電材料與介電材料的表面性質(zhì)不同，故形成于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150上的沉積材料與形成于蝕刻停止層160及介電層170上的沉積材料不同。也就是說(shuō)，根據(jù)一些實(shí)施例，第一部分182與第二部分184由不同材料所制成。

根據(jù)一些實(shí)施例，第一部分182由金屬氮氧化物所制成，且第二部分184由金屬氧化物所制成。根據(jù)一些實(shí)施例，第一部分182及第二部分184包括相同的金屬元素。金屬元素包括鋁(al)、鈦(ti)、鋯(zr)、鉭(ta)或其它合適的金屬元素。

在一些實(shí)施例中，第一部分182包括氮氧化鋁，且第二部分184包括氧化鋁。在一些實(shí)施例中，第一部分182包括氮氧化鈦，且第二部分184包括氧化鈦。在一些實(shí)施例中，第一部分182包括氮氧化鋯，且第二部分184包括氧化鋯。在一些實(shí)施例中，第一部分182包括氮氧化鉭，且第二部分184包括氧化鉭。

沉積工藝包括原子層沉積(ald)工藝、化學(xué)氣相沉積(cvd)工藝或其它合適的工藝。在一些實(shí)施例中，沉積工藝使用三甲基鋁(trimethylaluminum,tma；al(ch3)3)作為鋁來(lái)源，并使用nh3作為反應(yīng)氣體。

如圖1e所示，根據(jù)一些實(shí)施例，移除第一部分182。根據(jù)一些實(shí)施例，移除工藝包括選擇性蝕刻工藝。根據(jù)一些實(shí)施例，選擇性蝕刻工藝包括濕蝕刻工藝。根據(jù)一些實(shí)施例，由于第一部分182與第二部分184由不同材料所制成，故選擇性蝕刻工藝的蝕刻劑能夠以較移除第二部分184更快的移除速率來(lái)移除第一部分182。

如圖1e所示，根據(jù)一些實(shí)施例，在移除工藝之后，第二部分184形成覆蓋層c1。根據(jù)一些實(shí)施例，在移除工藝之后，形成間隙g于覆蓋層c1與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150之間。根據(jù)一些實(shí)施例，通過(guò)間隙g隔開(kāi)覆蓋層c1與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150。根據(jù)一些實(shí)施例，覆蓋層c1具有暴露導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150的開(kāi)口op1。

如圖1f所示，根據(jù)一些實(shí)施例，導(dǎo)電層190沉積于覆蓋層c1、蝕刻停止層160及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150上方，以填充溝槽172、開(kāi)口174及162及間隙g。導(dǎo)電層190包括銅、鋁、鎢或其它合適的導(dǎo)電材料。根據(jù)一些實(shí)施例，使用沉積工藝來(lái)形成導(dǎo)電層190。沉積工藝包括物理氣相沉積(pvd)工藝、化學(xué)氣相沉積(cvd)工藝或其它合適的沉積工藝。

如圖1g所示，根據(jù)一些實(shí)施例，移除導(dǎo)電層190及覆蓋層c1的頂部。根據(jù)一些實(shí)施例，移除工藝包括化學(xué)機(jī)械拋光工藝。根據(jù)一些實(shí)施例，在移除工藝之后，殘留的導(dǎo)電層190形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)192及導(dǎo)電線194。

根據(jù)一些實(shí)施例，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)192填充開(kāi)口174及162及間隙g。根據(jù)一些實(shí)施例，導(dǎo)電線194填充溝槽172。根據(jù)一些實(shí)施例，導(dǎo)電線194與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150及192彼此電性連接。

根據(jù)一些實(shí)施例，在移除工藝之后，介電層170、覆蓋層c1及導(dǎo)電線194的頂面176、tc1及194a彼此對(duì)齊。根據(jù)一些實(shí)施例，在此步驟中，大致形成半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)100。

根據(jù)一些實(shí)施例，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)192延伸穿過(guò)覆蓋層c1的開(kāi)口op1且因此直接接觸導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150。由于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)192之間沒(méi)有阻擋層及密封層，故導(dǎo)電結(jié)構(gòu)192能夠直接接觸導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150，其降低了導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)192之間的電阻。因此，根據(jù)一些實(shí)施例，增進(jìn)了半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)100的性能。

此外，根據(jù)一些實(shí)施例，由于間隙g形成于覆蓋層c1與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150之間，且導(dǎo)電結(jié)構(gòu)192填入間隙g之中，故導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150與192之間的接觸區(qū)域不會(huì)因覆蓋層c1而減少。也就是說(shuō)，根據(jù)一些實(shí)施例，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150與192之間的接觸區(qū)域大致相等于開(kāi)口162的剖面區(qū)域。因此，根據(jù)一些實(shí)施例，降低了導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)192之間的電阻。在一些其他實(shí)施例中，沒(méi)有形成蝕刻停止層160，且導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150與192之間的接觸區(qū)域大致相等于開(kāi)口174的剖面區(qū)域。

根據(jù)一些實(shí)施例，覆蓋層c1連續(xù)地覆蓋溝槽172的內(nèi)壁172a及底面172b、開(kāi)口174的內(nèi)壁174a及開(kāi)口162的內(nèi)壁162a。根據(jù)一些實(shí)施例，覆蓋層c1僅圍繞導(dǎo)電結(jié)構(gòu)192的上部192a。根據(jù)一些實(shí)施例，覆蓋層c1直接接觸介電層170及蝕刻停止層160，而未直接接觸導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150。

根據(jù)一些實(shí)施例，間隙g暴露內(nèi)壁162a的一部分。間隙g具有高度h，其小于蝕刻停止層160的厚度t1。根據(jù)一些實(shí)施例，間隙g的高度h大致相等于覆蓋層c1的厚度t2。在一些實(shí)施例中，覆蓋層c1的厚度t2為約至約

根據(jù)一些實(shí)施例，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)192具有延伸部分192b延伸于覆蓋層c1與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150之間。根據(jù)一些實(shí)施例，延伸部分192b將覆蓋層c1與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150分離。

根據(jù)一些實(shí)施例，延伸部分192b具有厚度t3，其大致相等于覆蓋層c1的厚度t2。根據(jù)一些實(shí)施例，延伸部分192b具有寬度w，其大致相等于覆蓋層c1的厚度t2。

根據(jù)一些實(shí)施例，延伸部分192b的厚度t3小于蝕刻停止層160的厚度t1。根據(jù)一些實(shí)施例，延伸部分192b直接接觸蝕刻停止層160。在一些其他實(shí)施例中，未形成蝕刻停止層160，且延伸部分192b直接接觸蝕介電層170。

圖2a-圖2j是根據(jù)一些實(shí)施例，形成半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)200的各種工藝階段的剖面圖。在圖1b的步驟之后，如圖2a所示，根據(jù)一些實(shí)施例，移除部分介電層170及蝕刻停止層160。

根據(jù)一些實(shí)施例，在移除工藝之后，開(kāi)口174形成于介電層170之中，且開(kāi)口162形成于蝕刻停止層160之中。根據(jù)一些實(shí)施例，開(kāi)口174及162彼此連通。根據(jù)一些實(shí)施例，開(kāi)口174及162暴露導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150的頂面152的一部分。

如圖2b所示，根據(jù)一些實(shí)施例，實(shí)行沉積工藝于介電層170、蝕刻停止層160及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150上以形成沉積層180。根據(jù)一些實(shí)施例，沉積層180形成于介電層170、蝕刻停止層160及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150上方。

根據(jù)一些實(shí)施例，沉積層180形成于開(kāi)口174的內(nèi)壁174a上、開(kāi)口162的內(nèi)壁162a上及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150的頂面152上。根據(jù)一些實(shí)施例，沉積層180共形且連續(xù)地覆蓋內(nèi)壁174a及162a及頂面152。

根據(jù)一些實(shí)施例，沉積層180具有連接彼此的第一部分182及第二部分184。根據(jù)一些實(shí)施例，第一部分182位于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150上方。根據(jù)一些實(shí)施例，第一部分182覆蓋頂面152。根據(jù)一些實(shí)施例，第一部分182直接接觸導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150。

根據(jù)一些實(shí)施例，第二部分184位于蝕刻停止層160及介電層170上方。根據(jù)一些實(shí)施例，第二部分184覆蓋內(nèi)壁174a及162a。根據(jù)一些實(shí)施例，第二部分184直接接觸蝕刻停止層160及介電層170。根據(jù)一些實(shí)施例，第一部分182直接接觸第二部分184。

根據(jù)一些實(shí)施例，由于導(dǎo)電材料與介電材料的表面性質(zhì)不同，故第一部分182與第二部分184由不同材料所制成。根據(jù)一些實(shí)施例，第一部分182由金屬氮氧化物所制成，且第二部分184由金屬氧化物所制成。根據(jù)一些實(shí)施例，第一部分182及第二部分184包括相同的金屬元素。金屬元素包括鋁(al)、鈦(ti)、鋯(zr)、鉭(ta)或其它合適的金屬元素。

在一些實(shí)施例中，第一部分182包括氮氧化鋁，且第二部分184包括氧化鋁。在一些實(shí)施例中，第一部分182包括氮氧化鈦，且第二部分184包括氧化鈦。在一些實(shí)施例中，第一部分182包括氮氧化鋯，且第二部分184包括氧化鋯。在一些實(shí)施例中，第一部分182包括氮氧化鉭，且第二部分184包括氧化鉭。

沉積工藝包括原子層沉積(ald)工藝、化學(xué)氣相沉積(cvd)工藝或其它合適的工藝。在一些實(shí)施例中，沉積工藝使用三甲基鋁(trimethylaluminum,tma；al(ch3)3)作為鋁來(lái)源，并使用nh3作為反應(yīng)氣體。

如圖2c所示，根據(jù)一些實(shí)施例，移除第一部分182。根據(jù)一些實(shí)施例，移除工藝包括選擇性蝕刻工藝。根據(jù)一些實(shí)施例，選擇性蝕刻工藝包括濕蝕刻工藝。

如圖2c所示，根據(jù)一些實(shí)施例，移除第一部分182。根據(jù)一些實(shí)圖所示，根據(jù)一些實(shí)施例，在移除工藝之后，第二部分184形成覆蓋層c1。根據(jù)一些實(shí)施例，在移除工藝之后，形成間隙g于覆蓋層c1與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150之間。根據(jù)一些實(shí)施例，通過(guò)間隙g隔開(kāi)覆蓋層c1與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150。根據(jù)一些實(shí)施例，覆蓋層c1具有暴露導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150的開(kāi)口op1。

如圖2d所示，根據(jù)一些實(shí)施例，導(dǎo)電層190沉積于覆蓋層c1、蝕刻停止層160及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150上方，以填充開(kāi)口174及162及間隙g。導(dǎo)電層190包括銅、鋁、鎢或其它合適的導(dǎo)電材料。

根據(jù)一些實(shí)施例，使用沉積工藝來(lái)形成導(dǎo)電層190。沉積工藝包括物理氣相沉積(pvd)工藝、化學(xué)氣相沉積(cvd)工藝或其它合適的沉積工藝。

如圖2e所示，根據(jù)一些實(shí)施例，移除導(dǎo)電層190及覆蓋層c1的頂部。根據(jù)一些實(shí)施例，移除工藝包括化學(xué)機(jī)械拋光工藝。根據(jù)一些實(shí)施例，在移除工藝之后，殘留的導(dǎo)電層190形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)192。

根據(jù)一些實(shí)施例，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)192填充開(kāi)口174及162及間隙g。根據(jù)一些實(shí)施例，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)192彼此電性連接。根據(jù)一些實(shí)施例，在移除工藝之后，介電層170、覆蓋層c1及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)192的頂面176、tc1及192c彼此對(duì)齊。

根據(jù)一些實(shí)施例，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)192延伸穿過(guò)覆蓋層c1的開(kāi)口op1且因此直接接觸導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150。由于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)192之間沒(méi)有阻擋層及密封層，故導(dǎo)電結(jié)構(gòu)192能夠直接接觸導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150，其降低了導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)192之間的電阻。

如圖2f所示，根據(jù)一些實(shí)施例，形成介電層210于介電層170上方。根據(jù)一些實(shí)施例，介電層210包括氧化物，例如：sio2、硼磷硅酸鹽玻璃(bpsg)、旋涂式玻璃(sog)、未摻雜硅酸鹽玻璃(usg)、氟化硅酸鹽玻璃(fsg)、高密度等離子體(hdp)氧化物或等離子體增強(qiáng)teos(peteos)。

根據(jù)一些實(shí)施例，介電層210包括低介電常數(shù)或極低介電常數(shù)(elk)材料。可通過(guò)化學(xué)氣相沉積(cvd)、物理氣相沉積(pvd)、原子層沉積(ald)、旋轉(zhuǎn)涂布或其它適用的工藝來(lái)形成介電層210。

如圖2f所示，根據(jù)一些實(shí)施例，移除介電層210的一部分。根據(jù)一些實(shí)施例，在移除工藝之后，溝槽212形成于介電層210之中。根據(jù)一些實(shí)施例，溝槽212位于開(kāi)口174上方。根據(jù)一些實(shí)施例，溝槽212暴露導(dǎo)電結(jié)構(gòu)192、覆蓋層c1及介電層170的一部分。

如圖2g所示，根據(jù)一些實(shí)施例，實(shí)行沉積工藝于介電層210及170、覆蓋層c1及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)192上以形成沉積層220。根據(jù)一些實(shí)施例，沉積層220形成于介電層210及170、覆蓋層c1及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)192上方。

根據(jù)一些實(shí)施例，沉積層220形成于溝槽212的內(nèi)壁212a及底面212b上、覆蓋層c1的頂面tc1上及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)192的頂面192c上。根據(jù)一些實(shí)施例，沉積層220共形且連續(xù)地覆蓋內(nèi)壁212a、底面212b及頂面192c及tc1。

根據(jù)一些實(shí)施例，沉積層220具有連接彼此的第一部分222及第二部分224。根據(jù)一些實(shí)施例，第一部分222位于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)192上方。根據(jù)一些實(shí)施例，第一部分222覆蓋頂面192c。根據(jù)一些實(shí)施例，第一部分222直接接觸導(dǎo)電結(jié)構(gòu)192。

根據(jù)一些實(shí)施例，第二部分224位于介電層170及210及覆蓋層c1上方。根據(jù)一些實(shí)施例，第二部分224覆蓋內(nèi)壁212a、底面212b及頂面tc1。根據(jù)一些實(shí)施例，第二部分224直接接觸介電層170及210及覆蓋層c1。根據(jù)一些實(shí)施例，第一部分222直接接觸第二部分224。

根據(jù)一些實(shí)施例，由于導(dǎo)電材料與介電材料的表面性質(zhì)不同，故第一部分222與第二部分224由不同材料所制成。根據(jù)一些實(shí)施例，第一部分222由金屬氮氧化物所制成，且第二部分224由金屬氧化物所制成。根據(jù)一些實(shí)施例，第一部分222及第二部分224包括相同的金屬元素。金屬元素包括鋁(al)、鈦(ti)、鋯(zr)、鉭(ta)或其它合適的金屬元素。

在一些實(shí)施例中，第一部分222包括氮氧化鋁，且第二部分224包括氧化鋁。在一些實(shí)施例中，第一部分222包括氮氧化鈦，且第二部分224包括氧化鈦。在一些實(shí)施例中，第一部分222包括氮氧化鋯，且第二部分224包括氧化鋯。在一些實(shí)施例中，第一部分222包括氮氧化鉭，且第二部分224包括氧化鉭。

沉積工藝包括原子層沉積(ald)工藝、化學(xué)氣相沉積(cvd)工藝或其它合適的工藝。在一些實(shí)施例中，沉積工藝使用三甲基鋁(trimethylaluminum,tma；al(ch3)3)作為鋁來(lái)源，并使用nh3作為反應(yīng)氣體。

如圖2h所示，根據(jù)一些實(shí)施例，移除第一部分222。根據(jù)一些實(shí)施例，移除工藝包括選擇性蝕刻工藝。根據(jù)一些實(shí)施例，選擇性蝕刻工藝包括濕蝕刻工藝。

根據(jù)一些實(shí)施例，由于第一部分222與第二部分224由不同材料所制成，故選擇性蝕刻工藝的蝕刻劑能夠以較移除第二部分224更快的移除速率來(lái)移除第一部分222。如圖2h所示，根據(jù)一些實(shí)施例，在移除工藝之后，第二部分224形成覆蓋層c2。根據(jù)一些實(shí)施例，覆蓋層c2具有暴露導(dǎo)電結(jié)構(gòu)192的開(kāi)口op2。

如圖2i所示，根據(jù)一些實(shí)施例，導(dǎo)電層230沉積于覆蓋層c2及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)192上方以填充溝槽212及開(kāi)口op2。導(dǎo)電層230包括銅、鋁、鎢或其它合適的導(dǎo)電材料。根據(jù)一些實(shí)施例，使用沉積工藝來(lái)形成導(dǎo)電層230。沉積工藝包括物理氣相沉積(pvd)工藝、化學(xué)氣相沉積(cvd)工藝或其它合適的沉積工藝。

如圖2j所示，根據(jù)一些實(shí)施例，移除導(dǎo)電層230及覆蓋層c2的頂部。根據(jù)一些實(shí)施例，移除工藝包括化學(xué)機(jī)械拋光工藝。根據(jù)一些實(shí)施例，在移除工藝之后，殘留的導(dǎo)電層230形成導(dǎo)電線232。根據(jù)一些實(shí)施例，導(dǎo)電線232亦稱(chēng)為導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。

根據(jù)一些實(shí)施例，導(dǎo)電線232填充溝槽212。根據(jù)一些實(shí)施例，導(dǎo)電線232與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150及192彼此電性連接。根據(jù)一些實(shí)施例，在移除工藝之后，介電層210、覆蓋層c2及導(dǎo)電線232的頂面214、tc2及232a彼此對(duì)齊。

根據(jù)一些實(shí)施例，覆蓋層c1及c2彼此直接接觸。根據(jù)一些實(shí)施例，覆蓋層c1與c2之間具有介面i1。根據(jù)一些實(shí)施例，覆蓋層c1及c2由相同材料所制成。根據(jù)一些實(shí)施例，覆蓋層c1及c2由不同材料所制成。

根據(jù)一些實(shí)施例，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)192與導(dǎo)電線232之間具有介面i2。根據(jù)一些實(shí)施例，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)192與導(dǎo)電線232由相同材料所制成。根據(jù)一些實(shí)施例，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)192與導(dǎo)電線232由不同材料所制成。在此步驟中，根據(jù)一些實(shí)施例，大致形成半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)200。

根據(jù)一些實(shí)施例，導(dǎo)電線232延伸穿過(guò)覆蓋層c2的開(kāi)口op2且因此直接接觸導(dǎo)電結(jié)構(gòu)192。由于導(dǎo)電線232與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)192及150之間沒(méi)有阻擋層及密封層，故導(dǎo)電結(jié)構(gòu)192能夠直接接觸導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150，其降低了導(dǎo)電結(jié)構(gòu)192及150與導(dǎo)電線232之間的電阻。因此，根據(jù)一些實(shí)施例，增進(jìn)了半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)200的性能。

根據(jù)一些實(shí)施例，覆蓋層c2連續(xù)地覆蓋溝槽212的整個(gè)內(nèi)壁212a及整個(gè)底面212b以及覆蓋層c1的頂面tc1。根據(jù)一些實(shí)施例，覆蓋層c1僅圍繞導(dǎo)電結(jié)構(gòu)192的上部192a。

根據(jù)一些實(shí)施例，覆蓋層c1直接接觸介電層170及蝕刻停止層160。根據(jù)一些實(shí)施例，覆蓋層c1并未直接接觸導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150及介電層210。

根據(jù)一些實(shí)施例，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)192具有延伸部分192b延伸于覆蓋層c1與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150之間。根據(jù)一些實(shí)施例，延伸部分192b將覆蓋層c1與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)150分離。根據(jù)一些實(shí)施例，延伸部分192b填入間隙g之中。

根據(jù)一些實(shí)施例，本公開(kāi)提供半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)及其形成方法。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的方法形成沉積層于介電層的開(kāi)口的內(nèi)壁上方，并形成被開(kāi)口所暴露的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。位于介電層上方的沉積層及位于第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上方的沉積層由不同材料所制成。此方法選擇性地移除位于第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上方的沉積層，并將第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)填入開(kāi)口之中。因此，第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間并未形成沉積層，其降低了第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的電阻。結(jié)果，增進(jìn)了半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的性能。

根據(jù)一些實(shí)施例，本公開(kāi)提供一種半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)。此半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)包括基底。此半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)包括位于基底上方的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。此半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)包括位于基底上方的第一介電層。第一介電層具有暴露第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的第一開(kāi)口。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)包括覆蓋第一開(kāi)口的第一內(nèi)壁的覆蓋層，且覆蓋層具有暴露第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的第二開(kāi)口。覆蓋層包括金屬氧化物。此半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)包括第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其填入第一開(kāi)口且被覆蓋層所圍繞。第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連接至第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。

根據(jù)一些實(shí)施例，其中覆蓋層僅圍繞第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的上部。

根據(jù)一些實(shí)施例，其中覆蓋層與第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)被間隙所隔開(kāi)，且第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)填入該間隙之中。

根據(jù)一些實(shí)施例，其中間隙具有一高度，其大致相等于覆蓋層的厚度。

根據(jù)一些實(shí)施例，半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)還包括：第二介電層，位于基底上方并圍繞第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；及蝕刻停止層，位于第二介電層及第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上方，其中蝕刻停止層具有第三開(kāi)口，其連接至第一開(kāi)口并暴露第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，覆蓋層更覆蓋第三開(kāi)口的第二內(nèi)壁，且第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)更填入第三開(kāi)口之中。

根據(jù)一些實(shí)施例，其中間隙具有一高度，其小于蝕刻停止層的厚度。

根據(jù)一些實(shí)施例，其中第一導(dǎo)電層更具有一溝槽，位于第一開(kāi)口上方并連接至第一開(kāi)口，且覆蓋層連續(xù)地覆蓋溝槽的第二內(nèi)壁及底面以及第一開(kāi)口的第一內(nèi)壁。

根據(jù)一些實(shí)施例，其中覆蓋層直接接觸第一介電層，而未直接接觸第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。

根據(jù)一些實(shí)施例，本公開(kāi)提供一種半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)包括基底。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)包括位于基底上方的第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)包括位于基底上方的第一介電層。第一介電層具有暴露第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的第一開(kāi)口。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)包括覆蓋第一開(kāi)口的第一內(nèi)壁的第一覆蓋層。第一覆蓋層包括金屬氧化物。第一覆蓋層包括金屬氧化物。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)包括第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其填入第一開(kāi)口且被第一覆蓋層所圍繞。第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)直接接觸第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，且第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)具有延伸部分，其延伸于第一覆蓋層與第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間。

根據(jù)一些實(shí)施例，其中延伸部分具有第一厚度，其大致相等于第一覆蓋層的第二厚度。

根據(jù)一些實(shí)施例，其中延伸部分具有一寬度，其大致相等于第一覆蓋層的厚度。

根據(jù)一些實(shí)施例，半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)還包括：第二介電層，位于基底上方并圍繞第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；及蝕刻停止層，位于第二介電層及第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上方，其中蝕刻停止層具有第二開(kāi)口，其連接至第一開(kāi)口并暴露第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，且第一覆蓋層更覆蓋第二開(kāi)口的第二內(nèi)壁。

根據(jù)一些實(shí)施例，其中延伸部分直接接觸蝕刻停止層。

根據(jù)一些實(shí)施例，其中延伸部分具有第一厚度，其小于蝕刻停止層的第二厚度。

根據(jù)一些實(shí)施例，半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)還包括：第二介電層，位于第一介電層上方并具有位于第一開(kāi)口上方的溝槽；第二覆蓋層，覆蓋溝槽的第二內(nèi)壁及底面，其中第二覆蓋層具有暴露第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的第二開(kāi)口，第一覆蓋層直接接觸第二覆蓋層，第一覆蓋層與第二覆蓋層之間具有一介面；以及填入溝槽的第三導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。

根據(jù)一些實(shí)施例，本公開(kāi)提供一種半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的形成方法。此方法包括形成第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)于基底上方。方法包括形成第一介電層于基底上方。第一介電層具有暴露第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的開(kāi)口。方法包括實(shí)行沉積工藝以形成沉積層于第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及介電層上方。沉積層具有第一部分及第二部分。第一部分位于第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上方。第二部分位于開(kāi)口的內(nèi)壁上方。第一部分與第二部分由不同材料所制成。方法包括移除第一部分。方法包括將第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)填入開(kāi)口中。第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)被第二部分所圍繞。第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連接至第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。

根據(jù)一些實(shí)施例，其中第一部分由金屬氮氧化物所制成，且第二部分由金屬氧化物所制成。

根據(jù)一些實(shí)施例，其中第一部分與第二部分包括相同的金屬元素。

根據(jù)一些實(shí)施例，其中第一部分直接接觸第二部分。

根據(jù)一些實(shí)施例，其中第一部分的移除包括：實(shí)行濕蝕刻工藝于第一部分上。

前述內(nèi)文概述了許多實(shí)施例的特征，使本領(lǐng)域技術(shù)人員可以更佳的了解本公開(kāi)的各個(gè)方面。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該可理解，他們可以很容易的以本公開(kāi)為基礎(chǔ)來(lái)設(shè)計(jì)或修飾其它工藝及結(jié)構(gòu)，并以此達(dá)到相同的目的及/或達(dá)到與本公開(kāi)介紹的實(shí)施例相同的優(yōu)點(diǎn)。本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該了解這些相等的結(jié)構(gòu)并不會(huì)背離本公開(kāi)的發(fā)明精神與范圍。本公開(kāi)可以作各種改變、置換、修改而不會(huì)背離本公開(kāi)的發(fā)明精神與范圍。