1.一種復(fù)合襯底的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
在硅晶片生長(zhǎng)氮化鎵層；
將所述氮化鎵層與藍(lán)寶石片鍵合，形成鍵合體；
將所述硅晶片從所述氮化鎵層上剝離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合襯底的制作方法，其特征在于，所述生長(zhǎng)為氫化物氣相外延生長(zhǎng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的符合襯底的制作方法，其特征在于，所述氮化鎵層的厚度為10μm-50μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合襯底的制作方法，其特征在于，在所述將所述氮化鎵層與藍(lán)寶石片鍵合的步驟之后，所述復(fù)合襯底的制作方法還包括：
將鍵合體中的所述藍(lán)寶石片減薄。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的復(fù)合襯底的制作方法，其特征在于，所述減薄為研磨拋光減薄。
6.一種復(fù)合襯底，其特征在于，包括：
藍(lán)寶石襯底層；
鍵合于所述藍(lán)寶石襯底層上的氮化鎵層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的復(fù)合襯底，其特征在于，所述氮化鎵層的厚度為10μm-50μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的復(fù)合襯底，其特征在于，所述藍(lán)寶石襯底層的厚度為430-750um。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的復(fù)合襯底，其特征在于，所述藍(lán)寶石襯底層呈圓形，且所述圓形藍(lán)寶石襯底層的直徑大小大于等于2英寸。
10.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括權(quán)利要求6-9任一項(xiàng)所述的復(fù)合襯底。