技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種局部摻雜晶體硅太陽能電池及其制備方法，所述晶體硅太陽能電池包括晶體硅片層以及設(shè)于晶體硅片層背面的鈍化層，鈍化層上具有多個開口，晶體硅片層中沿開口向晶體硅片層內(nèi)部形成摻雜區(qū)，所述摻雜區(qū)側(cè)視呈元寶形。本發(fā)明通過調(diào)整背面局部開口尺寸與沉積摻雜漿料的尺寸，制備局部摻雜結(jié)構(gòu)的晶體硅太陽能電池，可顯著增加電池背表面場強度，減少局部區(qū)域復(fù)合速率，大幅度提高開路電壓和填充因子，最終大幅度提升電池的轉(zhuǎn)換效率。

技術(shù)研發(fā)人員：吳堅;王栩生;蔣方丹;邢國強
受保護的技術(shù)使用者：蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司
文檔號碼：201611269794
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.30
技術(shù)公布日：2017.05.10