技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了用于在反應(yīng)空間中的襯底上沉積氧碳氮化硅(SiOCN)薄膜的方法。方法包括至少一個等離子體增強(qiáng)原子層沉積(PEALD)循環(huán)，其包括交替地和順序地將襯底與硅前驅(qū)物以及不包括氧的第二反應(yīng)物接觸。在一些實(shí)施例中方法允許沉積具有提高的酸基濕法刻蝕抗性的SiOCN膜。

技術(shù)研發(fā)人員：T·蘇祖基;V·J·波雷
受保護(hù)的技術(shù)使用者：ASMIP控股有限公司
文檔號碼：201611271042
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.11
技術(shù)公布日：2017.05.24