基板處理設(shè)備的制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種基板處理設(shè)備，包括刻蝕區(qū)間，其特征在于，所述設(shè)備包括被布置在刻蝕區(qū)間的基板入口外的一個或多個氣霧吸收裝置，所述氣霧吸收裝置包括一個或多個噴淋管。該氣霧吸收裝置能夠吸收來自刻蝕區(qū)間的刻蝕液氣霧，從而降低該氣霧對其余基板處理部件的傷害。
【專利說明】
基板處理設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實用新型涉及基板處理的技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及包括氣霧吸收裝置的基板處理設(shè)備?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]隨著九十年代TFT_LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜場效應(yīng)晶體管-液晶顯示器)技術(shù)的成熟，液晶顯示面板因在亮度、對比度、功耗、壽命、體積和重量等綜合性能的優(yōu)勢，得到了飛速的發(fā)展。為保證產(chǎn)品的合格率，各步工藝的均一性面臨更大挑戰(zhàn)。該工藝包括濕法刻蝕。
[0003]濕法刻蝕是利用刻蝕液將玻璃基板上未被光刻膠覆蓋的部分刻蝕掉，從而形成所需的金屬圖案。濕法刻蝕所用的刻蝕液因待刻蝕的金屬不同而有所差異。如用于IT0金屬的刻蝕液主要為硝酸和硫酸，用于A1金屬的刻蝕液主要為硝酸、磷酸和醋酸，用于Cu金屬的刻蝕液主要為雙氧水的酸性溶液。
[0004]參考圖1，圖1為目前濕法刻蝕設(shè)備的典型結(jié)構(gòu)示意圖。該設(shè)備主要包括APP (Atmospheric Pressure Plasma，大氣壓等離子)區(qū)間(在刻蝕前將大氣壓等離子電離出氧等活性離子，對有機(jī)物進(jìn)行去除)、緩沖區(qū)間、刻蝕區(qū)間、清洗區(qū)間、緩沖區(qū)間和干燥區(qū)間(在圖中從右至左示出)?？涛g設(shè)備主要通過滾輪3傳動基板，在刻蝕和清洗區(qū)間中分布著一定數(shù)量的噴管2，噴管上有噴嘴可以噴灑藥液。
[0005]因為刻蝕液中有揮發(fā)性的酸存在，揮發(fā)的酸氣(或氣霧)經(jīng)過緩沖區(qū)間到達(dá)APP區(qū)間，對APP電極5進(jìn)行腐蝕，減小APP電極5的使用壽命，增加發(fā)生不良的風(fēng)險。在銅金屬濕法刻蝕中，刻蝕液的酸氣在緩沖區(qū)間出口凝結(jié)成結(jié)晶顆粒6,這增加斷線不良發(fā)生風(fēng)險。同時， 發(fā)現(xiàn)，酸氣和APP的交互作用導(dǎo)致銅金屬發(fā)生氧化無法被刻蝕，造成金屬殘留的不良。
[0006]目前的刻蝕設(shè)備為了減少酸氣(或氣霧)流向緩沖區(qū)間，在緩沖區(qū)間的前端安裝有一個罩子4,罩子上有排氣管道用于排出流過來的酸氣，同時要求刻蝕區(qū)間的排氣(或抽氣) 壓力大于緩沖區(qū)間的排氣壓力。但是在實際使用中，排氣壓力容易發(fā)生波動，并且緩沖單元的排氣壓力大小不好把握，在排氣壓力太大的情況下容易把刻蝕區(qū)間的酸氣吸收過來;在排氣壓力太小的情況下，刻蝕區(qū)間流過來的酸氣不能及時被排出。因此，期望能有更好的酸氣(或氣霧)處理裝置。【實用新型內(nèi)容】
[0007]鑒于以上問題，本實用新型提出了一種基板處理設(shè)備，其能夠更好地對氣霧進(jìn)行處理，以減小刻蝕液氣霧對刻蝕區(qū)間外的部件的影響。
[0008]根據(jù)一方面，提出了一種基板處理設(shè)備，包括刻蝕區(qū)間，其特征在于，所述設(shè)備包括被布置在刻蝕區(qū)間的基板入口外的一個或多個氣霧吸收裝置，所述氣霧吸收裝置包括一個或多個噴淋管。通過該氣霧吸收裝置實現(xiàn)對擴(kuò)展到刻蝕區(qū)間外的氣霧進(jìn)行吸收，以減小氣霧對刻蝕區(qū)間外的部件的影響。
[0009]在一些所述中，所述噴淋管被布置為噴淋吸收液以使吸收液與氣霧接觸。
[0010]在一些實施例中，所述氣霧吸收裝置包括供液管、排液裝置和布置在所述噴淋管上的多個噴液嘴。
[0011]在一些實施例中，被布置在同一個噴淋管上的多個噴液嘴之間的間距在10-50mm 的范圍內(nèi)。
[0012]在一些實施例中，所述噴嘴的出射方向是在相對于水平面向下15到向下45度之間可調(diào)的。
[0013]在一些實施例中，所述氣霧吸收裝置還包括具有傾斜坡道的傾斜槽，所述吸收液被噴出之后經(jīng)過所述傾斜坡道到達(dá)所述排液裝置。該傾斜槽可以提供穩(wěn)定的吸收液與氣霧的接觸面積，并且減小吸收液的濺出。
[0014]在一些實施例中，所述傾斜槽的開口朝向所述刻蝕區(qū)間的基板入口。使吸收液的水簾直接沖向刻蝕區(qū)間的基板入口，以增大吸收效率。
[0015]在一些實施例中，所述傾斜坡道由平面坡道或波浪形坡道形成。波浪形坡道能夠進(jìn)一步增大接觸面積。
[0016]在一些實施例中，所述基板處理設(shè)備還包括用于傳送待處理基板的傳送裝置，所述氣霧吸收裝置被布置在所述傳送裝置下方。
[0017]在一些實施例中，該設(shè)備還包括大氣壓等離子(APP)表面處理區(qū)間，所述氣霧吸收裝置進(jìn)一步位于用于連接所述大氣壓等離子表面處理區(qū)間和所述刻蝕區(qū)間的緩沖區(qū)間處。
[0018]在一些實施例中，該設(shè)備還包括排氣罩，所述排氣罩被布置在所述傳送裝置的上方并且在所述氣霧吸收裝置的上方。兩者相互配合可實現(xiàn)更佳的阻隔效果。
[0019]在一些實施例中，所述吸收液為水或醇類液體或堿性溶液。對應(yīng)于不同的刻蝕液氣霧，需要使用不同的吸收液。
[0020]在一些實施例中，所述供液管經(jīng)由閥門多個供液源，所述多個供液源分別容納不同種類的吸收液。
[0021]在一些實施例中，所述基板處理設(shè)備還包括清洗區(qū)間，而所述排液裝置經(jīng)由閥門連接到所述清洗區(qū)間中的管道。這可實現(xiàn)對使用過后的吸收液的回收利用。[〇〇22]在一些實施例中，該設(shè)備還包括被布置在所述大氣壓等離子表面處理區(qū)間的出口處的多個氣刀。該多個氣刀能夠形成用于阻隔的氣簾，該氣簾與氣霧吸收裝置的組合使用能夠進(jìn)一步增強(qiáng)阻隔效果，盡可能保護(hù)APP電極。
[0023]在一些實施例中，所述氣刀供有壓力大小可調(diào)的清潔干燥氣體(CDA)。
[0024]在一些實施例中，所述緩沖區(qū)間的底部設(shè)置有排氣裝置，并且氣霧吸收裝置位于所述排氣裝置和刻蝕區(qū)間的基板入口之間。
[0025]根據(jù)本實用新型的實施例的基板處理設(shè)備能夠?qū)⒘飨蚓彌_區(qū)間的刻蝕液氣霧進(jìn)行吸收，還可進(jìn)一步利用氣簾阻隔氣霧，一方面可以降低因氣霧在緩沖區(qū)間出口結(jié)晶導(dǎo)致的斷線不良，另一方面防止氣霧對APP電極的腐蝕。此外，特別在銅刻蝕時避免了氣霧和APP 的交互作用導(dǎo)致銅的氧化，避免了因此導(dǎo)致的金屬殘留不良的發(fā)生?！靖綀D說明】
[〇〇26]包括附圖以提供對實施例的進(jìn)一步理解并且附圖被并入本說明書中并且構(gòu)成本說明書的一部分。附圖圖示了實施例并且與描述一起用于解釋本實用新型的原理。將容易認(rèn)識到其它實施例和實施例的很多預(yù)期優(yōu)點，因為通過引用以下詳細(xì)描述，它們變得被更好地理解。附圖的元件不一定是相互按照比例的。同樣的附圖標(biāo)記指代對應(yīng)的類似部件。
[0027]圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中的濕法刻蝕設(shè)備的典型結(jié)構(gòu)示意圖。
[0028]圖2示出了根據(jù)本實用新型的實施例的基板處理設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029]圖3示出了根據(jù)本實用新型的另一實施例的基板處理設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0030]圖4示出了根據(jù)本實用新型的實施例的氣霧吸收裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0031]圖5示出了根據(jù)本實用新型的另一實施例的氣霧吸收裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。【具體實施方式】
[0032]在以下詳細(xì)描述中，參考附圖，該附圖形成詳細(xì)描述的一部分，并且通過其中可實踐本實用新型的說明性具體實施例來示出。對此，參考描述的圖的取向來使用方向術(shù)語，例如“頂”、“底”、“左”、“右”、“上”、“下”等。因為實施例的部件可被定位于若干不同取向中，為了圖示的目的使用方向術(shù)語并且方向術(shù)語絕非限制。應(yīng)當(dāng)理解的是，可以利用其他實施例或可以做出邏輯改變，而不背離本實用新型的范圍。因此以下詳細(xì)描述不應(yīng)當(dāng)在限制的意義上被采用，并且本實用新型的范圍由所附權(quán)利要求來限定。[〇〇33]應(yīng)當(dāng)理解的是，本文描述的各個示例性實施例的特征可以相互組合，除非特別另外指出。
[0034]圖2中示出了根據(jù)本實用新型的實施例的基板處理設(shè)備。該設(shè)備主要用于對基板 (如玻璃基板)進(jìn)行濕法蝕刻。在該實施例中，該基板處理設(shè)備中設(shè)置有依次連通的大氣壓等離子表面處理區(qū)間(APP表面處理區(qū)間，簡稱APP區(qū)間)、緩沖區(qū)間、蝕刻區(qū)間和清洗區(qū)間。 應(yīng)當(dāng)理解的是，該基板處理設(shè)備還可設(shè)置有別的處理區(qū)間，例如干燥區(qū)間等。在每個區(qū)間中都設(shè)置有用于運送基板(在圖中未示出)的傳送裝置3。
[0035]緩沖區(qū)間用于連接鄰近的兩個區(qū)間(例如大氣壓等離子表面處理區(qū)間和刻蝕區(qū)間)，以起到流水線作業(yè)中的緩沖作用。大氣壓等離子表面處理區(qū)間(簡稱APP表面處理區(qū)間)中設(shè)置有APP電極，用于在刻蝕前提供活性離子，以對基板上的有機(jī)物進(jìn)行去除。而刻蝕區(qū)間中設(shè)置有噴管2,用于對基板噴灑刻蝕液。圖2中的曲線箭頭表示在噴灑過程中，刻蝕液揮發(fā)所產(chǎn)生的酸霧或酸氣，其容易從刻蝕區(qū)間的基板入口 1處進(jìn)入到緩沖區(qū)間，從而進(jìn)入相鄰的APP表面處理區(qū)間。
[0036]因此在本實用新型的實施例中，在刻蝕區(qū)間的入口外設(shè)置了氣霧吸收裝置7。該氣霧吸收裝置7包括一個或多個噴淋管，噴淋管通過噴淋吸收液以使吸收液與從刻蝕區(qū)間的基板入口 1處逸出的氣霧接觸，從而實現(xiàn)對氣霧的吸收，進(jìn)而實現(xiàn)對氣霧的吸收或阻隔。具體地，該氣霧吸收裝置7被布置在刻蝕區(qū)間和APP表面處理區(qū)間之間的緩沖區(qū)間中靠近刻蝕區(qū)間的基板出口處。在一些實施例中，該氣霧吸收裝置7被布置在傳送裝置3下方，以增大吸收氣霧的效果。并且優(yōu)選地，在氣霧吸收裝置7的上方以及傳送裝置3的上方設(shè)置了排氣罩 4。兩者配合工作能夠?qū)崿F(xiàn)更好的氣霧吸收效果。雖然在圖2中僅僅描繪出一個氣霧吸收裝置7,但是應(yīng)當(dāng)理解的是，該氣霧吸收裝置7的數(shù)量可以是多個，并且被均勻布置在緩沖區(qū)間中(圖3示例性示出了設(shè)置兩個氣霧吸收裝置7的布置)。另外，該氣霧吸收裝置7的尺寸不限于圖中所示那樣，其可以被制作地比圖中所顯示的尺寸更大。
[0037]另外在一些實施例中，在緩沖區(qū)間靠近APP表面處理區(qū)間的基板入口處設(shè)置進(jìn)一步設(shè)置有氣簾8。該氣簾8用于進(jìn)一步阻隔可能逃逸到緩沖區(qū)間中的氣霧，以防止其進(jìn)入到 APP表面處理區(qū)間中。該氣簾8由氣刀形成，該氣刀被供有壓力大小可調(diào)的CDA(Clean Dry Air，清潔干燥氣體)。而該氣簾8與氣霧吸收裝置7以及排氣罩4的組合可實現(xiàn)最好的氣霧阻隔效果。
[0038]本實用新型的實施例的基板處理設(shè)備一方面可以降低因氣霧在緩沖區(qū)間出口結(jié)晶導(dǎo)致的斷線不良，另一方面防止氣霧對APP電極的腐蝕。此外，特別在銅刻蝕時避免了氣霧和APP的交互作用導(dǎo)致銅的氧化，避免了因此導(dǎo)致的金屬殘留不良的發(fā)生。
[0039]圖4中示出了氣霧吸收裝置7的具體構(gòu)造。在本實用新型的實施例中，該氣霧吸收裝置7包括供液管12、排液裝置11和被布置在噴淋管上的一個或多個噴嘴10。該供液管12優(yōu)選設(shè)置有閥門13以調(diào)節(jié)吸收液的流量和流速。吸收液經(jīng)由一個或多個噴嘴10噴出，并且與氣霧接觸以吸收氣霧，并且經(jīng)由排液裝置11被回收。在一些實施例中，一個或多個噴嘴10被設(shè)置于噴淋管9上，并且相對于水平面傾斜噴淋吸收液。被布置在同一個噴淋管上的多個噴嘴10之間的間距可以在10_50mm的范圍內(nèi)。而噴嘴10的出射角度優(yōu)選是可調(diào)的，并且可以在相對于水平面向下15度到45度之間的范圍內(nèi)。該可調(diào)例如通過旋轉(zhuǎn)噴淋管的方式來實現(xiàn)。
[0040]而在特定實施例中，該氣霧吸收裝置還包括具有傾斜坡道14的傾斜槽，并且噴淋管9形成在傾斜坡道14的坡頂，而經(jīng)由噴嘴10噴淋的吸收液經(jīng)由所述傾斜坡道14到達(dá)排液裝置11。排液裝置11優(yōu)選在傾斜坡道的坡底處設(shè)置。傾斜坡道的設(shè)置增大了吸收液與氣霧接觸的面積和時間。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，該傾斜坡道14的形狀不限于圖中所示那樣，其也可以具有波浪形的截面形狀或其它增大該接觸面積的形狀。另外，該傾斜坡道的傾斜角度和面積不限于圖中所示那樣，而可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)置。另外，該傾斜槽的開口優(yōu)選朝向刻蝕區(qū)間的基板入口(即緩沖區(qū)間的基板出口)，從而能夠更好地使氣霧更及時地被吸收液吸收。[0041 ]對于不同的刻蝕液，吸收液可能不同，比如對于雙氧水系的銅刻蝕液，吸收液可以是水或者醇類等易于吸收雙氧水的溶液;對于IT0或者A1的刻蝕液，吸收液可以是堿性的溶液，如氫氧化鈉溶液等。
[0042]當(dāng)然，傾斜坡道在該氣霧吸收裝置7中并不是必須的。在本實用新型的另外實施例中，如圖5所示，該氣霧吸收裝置7可以僅僅通過噴淋管9的噴淋(經(jīng)由多個噴嘴10)在空中形成水簾，以實現(xiàn)對氣霧的阻隔作用。另外，在底部具有排液裝置10以將噴淋的液體排出。 [〇〇43]在可選的實施例中，該排液裝置11可連接到基板處理設(shè)備中的清洗區(qū)間中的清洗管道，以利用排出的吸收液(例如水)對基板進(jìn)行清洗。這可更加經(jīng)濟(jì)。
[0044]在一些實施例中，在緩沖區(qū)間的底部設(shè)置有排氣裝置15。而該氣霧吸收裝置7位于排氣裝置15和刻蝕區(qū)間的基板入口 1之間。這一布置可以吸引更多氣霧與氣霧吸收裝置7接觸，從而進(jìn)一步增大氣霧吸收效果。
[0045]在另一些實施例中，該氣霧吸收裝置7中的供液管9可以連接到多個供液源，該多個供液源可以分別容納用于針對不同的刻蝕液氣霧的吸收液。由此可以根據(jù)當(dāng)前基板處理設(shè)備正在使用的刻蝕液來調(diào)節(jié)供應(yīng)給供液管9的吸收液種類，提高了基板處理設(shè)備的適應(yīng)性。
[0046]以上描述了本申請的【具體實施方式】，但本申請的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本申請揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本申請的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本申請的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
[0047]在本申請的描述中，需要理解的是，術(shù)語“上”、“下”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本申請和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本申請的限制。措詞‘包括’并不排除在權(quán)利要求未列出的元件或步驟的存在。元件前面的措詞‘一’或‘一個’并不排除多個這樣的元件的存在。在相互不同從屬權(quán)利要求中記載某些措施的簡單事實不表明這些措施的組合不能被用于改進(jìn)。在權(quán)利要求中的任何參考符號不應(yīng)當(dāng)被解釋為限制范圍。
【主權(quán)項】
1.一種基板處理設(shè)備，包括刻蝕區(qū)間，其特征在于，所述設(shè)備包括被布置在刻蝕區(qū)間的 基板入口外的一個或多個氣霧吸收裝置，所述氣霧吸收裝置包括一個或多個噴淋管。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述噴淋管被布置為噴淋吸收液以使吸收液與氣霧接觸。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中所述氣霧吸收裝置還包括供液管、排液裝置和布置 在所述噴淋管上的多個噴嘴。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中被布置在同一個噴淋管上的多個噴嘴之間的間距 在10_50mm的范圍內(nèi)。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中所述噴嘴的出射方向是在相對于水平面向下15到 向下45度之間可調(diào)的。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中所述氣霧吸收裝置還包括具有傾斜坡道的傾斜槽， 所述吸收液被噴出之后經(jīng)過所述傾斜坡道到達(dá)所述排液裝置。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其中所述傾斜槽的開口朝向所述刻蝕區(qū)間的基板入口。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其中所述傾斜坡道由平面坡道或波浪形坡道形成。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述基板處理設(shè)備還包括用于傳送待處理基板的 傳送裝置，所述氣霧吸收裝置被布置在所述傳送裝置下方。10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中的任一項所述的設(shè)備，還包括大氣壓等離子表面處理區(qū)間，所 述氣霧吸收裝置進(jìn)一步位于用于連接所述大氣壓等離子表面處理區(qū)間和所述刻蝕區(qū)間的 緩沖區(qū)間處。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，還包括排氣罩，所述排氣罩被布置在所述傳送裝置的 上方并且在所述氣霧吸收裝置的上方。12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中所述吸收液為水或醇類液體或堿性溶液。13.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中所述供液管經(jīng)由閥門連接到多個供液源，所述多 個供液源分別容納不同種類的吸收液。14.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中所述基板處理設(shè)備還包括清洗區(qū)間，并且所述排 液裝置經(jīng)由閥門連接到所述清洗區(qū)間中的管道。15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，還包括被布置在所述大氣壓等離子表面處理區(qū)間的 出口處的多個氣刀。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其中所述氣刀供有壓力大小可調(diào)的清潔干燥氣體。17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中所述緩沖區(qū)間的底部設(shè)置有排氣裝置，并且氣霧 吸收裝置位于所述排氣裝置和刻蝕區(qū)間的基板入口之間。
【文檔編號】H01L21/67GK205692805SQ201620409839
【公開日】2016年11月16日
【申請日】2016年5月9日 公開號201620409839.5, CN 201620409839, CN 205692805 U, CN 205692805U, CN-U-205692805, CN201620409839, CN201620409839.5, CN205692805 U, CN205692805U
【發(fā)明人】劉小寧, 王世凱, 金童燮, 耿軍, 胡臻, 梁渲祺, 張灃, 黃騰飛, 潘洋, 蔣中任
【申請人】合肥鑫晟光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司