1.一種具有微PN結(jié)量子壘的發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)，從下至上包括藍(lán)寶石襯底、GaN緩沖層、N型GaN導(dǎo)電層、多量子阱有源區(qū)和P型GaN導(dǎo)電層，其特征在于所述量子阱有源區(qū)包括量子阱層和量子壘層；所述量子壘層由P型摻雜量子壘和N型摻雜量子壘組成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有微PN結(jié)量子壘的發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)，其特征在于所述P型摻雜量子壘和N型摻雜量子壘的厚度比小于等于1。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有微PN結(jié)量子壘的發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)，其特征在于量子壘層中靠近N型GaN導(dǎo)電層一側(cè)為P型摻雜量子壘，靠近P型GaN導(dǎo)電層一側(cè)為N型摻雜量子壘。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有微PN結(jié)量子壘的發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)，其特征在于所述GaN緩沖層為GaN成核層，厚度為10-100 nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有微PN結(jié)量子壘的發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)，其特征在于所述GaN緩沖層是GaN成核層和非故意摻雜GaN層，其中GaN成核層厚度為10-100 nm，非故意摻雜GaN層厚度為100-4000 nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有微PN結(jié)量子壘的發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)，其特征在于多量子阱有源區(qū)中的量子阱層和量子壘層可周期交替排列。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有微PN結(jié)量子壘的發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)，其特征在于所述N型GaN導(dǎo)電層厚度為1000-4000nm。