一種防頂傷倒裝led芯片的制作方法
【專利摘要】一種防頂傷倒裝LED芯片，包括：襯底、發(fā)光結(jié)構(gòu)、第一絕緣層，第一N型電極、第二絕緣層、第二N型電極和P型電極，其中，第一N型電極位置錯開了芯片在封裝時第一N型電極與頂針接觸的位置，第一N型電極具有圖形化隔離，防止在封裝過程中頂針將絕緣層頂穿而導(dǎo)致的P、N電極導(dǎo)通造成的短路，提高芯片在封裝時的可靠性。
【專利說明】
一種防頂傷倒裝LED芯片
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體光電器件以及半導(dǎo)體照明制造領(lǐng)域，尤其是涉及一種倒裝LED芯片。
【背景技術(shù)】
[0002]LED作為新一代的固體冷光源，具有低能耗、壽命長、易控制、安全環(huán)保等特點(diǎn)，是理想的節(jié)能環(huán)保產(chǎn)品，適用各種照明場所。
[0003]傳統(tǒng)LED芯片一般為藍(lán)寶石襯底，散熱性能較差，容易使發(fā)生漏電、光衰嚴(yán)重、電壓高等問題，嚴(yán)重影響LED芯片的可靠性能。
[0004]倒裝LED芯片和傳統(tǒng)LED芯片相比，具有電流分布均勻、散熱好、電壓降低、效率高等優(yōu)點(diǎn)。倒裝LED芯片在封裝使用過程中，芯片的正面需翻轉(zhuǎn)朝下，通過頂針直接作用在倒裝LED芯片的金屬電極上，因此，如圖1所示，頂針容易把金屬電極和絕緣層頂傷，造成倒裝LED芯片短路和漏電等冋題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本實(shí)用新型提供了一種防頂傷倒裝LED芯片，以解決現(xiàn)有技術(shù)中頂針頂傷倒裝LED芯片的問題。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案:
[0007]—種防頂傷倒裝LED芯片，包括:
[0008]襯底；
[0009]發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)位于所述襯底表面包括:位于所述襯底表面的N型氮化鎵層，位于所述N型氮化鎵層背離所述襯底一側(cè)的有源層，位于所述有源層背離所述N型氮化鎵層一側(cè)的P型氮化鎵層，位于所述P型氮化鎵層背離所述N型氮化鎵層一側(cè)的金屬反射層；
[0010]第一絕緣層，所述第一絕緣層位于所述金屬反射層背離所述P型氮化鎵層一側(cè)；
[0011]第一N型電極，所述第一 N型電極位于所述第一絕緣層背離所述金屬反射層一側(cè)，并貫穿所述第一絕緣層和所述發(fā)光結(jié)構(gòu)并延伸至所述N型氮化鎵層表面，且所述第一 N型電極不在芯片封裝時與頂針接觸的位置上；
[0012]第二絕緣層，所述第二絕緣層位于所述N型電極及所述第一絕緣層背離所述金屬反射層一側(cè)；
[0013]第二N型電極，所述第二 N型電極位于所述第二絕緣層背離所述第一絕緣層一側(cè)，貫穿所述第二絕緣層并延伸至所述第一 N型電極表面；
[0014]P型電極，所述P型電極位于所述第二絕緣層背離所述第一絕緣層一側(cè)，貫穿所述第二絕緣層、第一絕緣層和發(fā)光結(jié)構(gòu)并延伸至所述P型氮化鎵層表面。
[0015]優(yōu)選的，所述第一N型電極的數(shù)量大于等于2。
[0016]優(yōu)選的，所述第二N型電極的數(shù)量少于等于所述第一N型電極的數(shù)量。
[0017]優(yōu)選的，所述第一N型電極具有圖形化隔離。
[0018]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型所提供的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0019]本實(shí)用新型提供的一種防頂傷倒裝LED芯片，第一N型電極位置錯開了芯片在封裝時第一 N型電極與頂針接觸的位置，第一 N型電極具有圖形化隔離，防止在封裝過程中頂針將絕緣層頂穿而導(dǎo)致的P、N電極導(dǎo)通造成的短路，提高芯片在封裝時的可靠性。
【附圖說明】

[0020]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0021 ]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中倒裝LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種防頂傷倒裝LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖中，1-襯底，2-N型氮化鎵層，3-有源層，4-P型氮化鎵層，5_P型電極，6_第一絕緣層，7-N型電極，8-第二絕緣層。
【具體實(shí)施方式】
[0024]正如【背景技術(shù)】所述，現(xiàn)有技術(shù)中的倒裝LED芯片在封裝過程中頂針容易把金屬電極和絕緣層頂傷，造成倒裝LED芯片短路和漏電等問題。
[0025]基于此，本實(shí)用新型提供了一種防頂傷倒裝LED芯片，以克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問題，包括:
[0026]襯底;發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)位于所述襯底表面包括:位于所述襯底表面的N型氮化鎵層，位于所述N型氮化鎵層背離所述襯底一側(cè)的有源層，位于所述有源層背離所述N型氮化鎵層一側(cè)的P型氮化鎵層，位于所述P型氮化鎵層背離所述N型氮化鎵層一側(cè)的金屬反射層;第一絕緣層，所述第一絕緣層位于所述金屬反射層背離所述P型氮化鎵層一側(cè);第一 N型電極，所述第一 N型電極位于所述第一絕緣層背離所述金屬反射層一側(cè)，并貫穿所述第一絕緣層和所述發(fā)光結(jié)構(gòu)并延伸至所述N型氮化鎵層表面，且所述第一 N型電極不在芯片封裝時與頂針接觸的位置上;第二絕緣層，所述第二絕緣層位于所述N型電極及所述第一絕緣層背離所述金屬反射層一側(cè);第二 N型電極，所述第二 N型電極位于所述第二絕緣層背離所述第一絕緣層一側(cè)，貫穿所述第二絕緣層并延伸至所述第一 N型電極表面;P型電極，所述P型電極位于所述第二絕緣層背離所述第一絕緣層一側(cè)，貫穿所述第二絕緣層、第一絕緣層和發(fā)光結(jié)構(gòu)并延伸至所述P型氮化鎵層表面。
[0027]本實(shí)用新型提供的一種防頂傷倒裝LED芯片，第一N型電極位置錯開了芯片在封裝時第一 N型電極與頂針接觸的位置，第一 N型電極具有圖形化隔離，防止在封裝過程中頂針將絕緣層頂穿而導(dǎo)致的P、N電極導(dǎo)通造成的短路，提高芯片在封裝時的可靠性。
[0028]以上是本實(shí)用新型的核心思想，為使本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說明。
[0029]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本實(shí)用新型，但是本實(shí)用新型還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本實(shí)用新型內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本實(shí)用新型不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。
[0030]其次，本實(shí)用新型結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本實(shí)用新型實(shí)施例時，為便于說明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。
[0031 ]下面通過具體實(shí)施例詳細(xì)描述。
[0032]本實(shí)施例提供了一種防頂傷倒裝LED芯片，如圖2所示，包括:
[0033]襯底10;
[0034]發(fā)光結(jié)構(gòu)20，發(fā)光結(jié)構(gòu)20位于襯底1表面包括:位于襯底1表面的N型氮化鎵層21，位于N型氮化鎵層21背離襯底10—側(cè)的有源層22，位于有源層22背離N型氮化鎵層21 —側(cè)的P型氮化鎵層23，位于P型氮化鎵層23背離N型氮化鎵層21—側(cè)的金屬反射層23;
[0035]第一絕緣層30，第一絕緣層30位于金屬反射層24背離P型氮化鎵層23—側(cè)；
[0036]第一N型電極40，第一 N型電極40位于第一絕緣層30背離所述金屬反射層24—側(cè)，并貫穿第一絕緣層30和發(fā)光結(jié)構(gòu)20并延伸至N型氮化鎵層21表面，且第一 N型電極40不在芯片封裝時與頂針接觸的位置上；
[0037]第二絕緣層50，第二絕緣層50位于第一N型電極40及第一絕緣層30背離金屬反射層24—側(cè)；
[0038]第二 N型電極61，第二 N型電極61位于第二絕緣層50背離第一絕緣層30—側(cè)，貫穿第二絕緣層50并延伸至第一 N型電極40表面；
[0039]P型電極62，P型電極62位于第二絕緣層50背離第一絕緣層30—側(cè)，貫穿第二絕緣層50、第一絕緣層30和發(fā)光結(jié)構(gòu)20并延伸至P型氮化鎵層23表面。
[0040]本實(shí)施例中的第一N型電極40的數(shù)量大于等于2。其中，第二N型電極61的數(shù)量少于等于第一 N型電極40的數(shù)量。
[0041]進(jìn)一步地，第一N型電極40具有圖形化隔離。
[0042]本實(shí)施例提供的一種防頂傷倒裝LED芯片，第一N型電極位置錯開了芯片在封裝時第一 N型電極與頂針接觸的位置，第一 N型電極具有圖形化隔離，防止在封裝過程中頂針將絕緣層頂穿而導(dǎo)致的P、N電極導(dǎo)通造成的短路，提高芯片在封裝時的可靠性。其中，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括依次形成的N型氮化鎵層、有源層、P型氮化鎵層和金屬反射層。
[0043]對所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實(shí)用新型。對這些實(shí)施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實(shí)用新型的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本實(shí)用新型將不會被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
【主權(quán)項】
1.一種防頂傷倒裝LED芯片，包括: 襯底； 發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)位于所述襯底表面包括:位于所述襯底表面的N型氮化鎵層，位于所述N型氮化鎵層背離所述襯底一側(cè)的有源層，位于所述有源層背離所述N型氮化鎵層一側(cè)的P型氮化鎵層，位于所述P型氮化鎵層背離所述N型氮化鎵層一側(cè)的金屬反射層； 第一絕緣層，所述第一絕緣層位于所述金屬反射層背離所述P型氮化鎵層一側(cè)； 第一 N型電極，所述第一 N型電極位于所述第一絕緣層背離所述金屬反射層一側(cè)，并貫穿所述第一絕緣層和所述發(fā)光結(jié)構(gòu)并延伸至所述N型氮化鎵層表面，且所述第一 N型電極不在芯片封裝時與頂針接觸的位置上； 第二絕緣層，所述第二絕緣層位于所述N型電極及所述第一絕緣層背離所述金屬反射層一側(cè)； 第二 N型電極，所述第二 N型電極位于所述第二絕緣層背離所述第一絕緣層一側(cè)，貫穿所述第二絕緣層并延伸至所述第一 N型電極表面； P型電極，所述P型電極位于所述第二絕緣層背離所述第一絕緣層一側(cè)，貫穿所述第二絕緣層、第一絕緣層和發(fā)光結(jié)構(gòu)并延伸至所述P型氮化鎵層表面。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述第一N型電極的數(shù)量大于等于2。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述第二N型電極的數(shù)量少于等于所述第一N型電極的數(shù)量。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述第一N型電極具有圖形化隔離。
【文檔編號】H01L33/38GK205723602SQ201620583722
【公開日】2016年11月23日
【申請日】2016年6月16日
【發(fā)明人】徐亮, 何鍵云
【申請人】佛山市國星半導(dǎo)體技術(shù)有限公司