圓對稱半導體激光器陣列的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及半導體激光器陣列技術領域，具體涉及一種圓對稱半導體激光器陣列。其包括底座，底座上構(gòu)造有至少一個環(huán)狀的屋脊結(jié)構(gòu)，任意兩個屋脊結(jié)構(gòu)的中心軸均重合；任一屋脊結(jié)構(gòu)的側(cè)面均中心對稱地設有半導體激光芯片。本實用新型通過將半導體激光芯片以圓對稱的方式排列，能夠較佳地獲得具備良好圓對稱特性輸出激光。
【專利說明】
圓對稱半導體激光器陣列
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及半導體激光器陣列技術領域，具體地說，涉及一種圓對稱半導體激光器陣列。【背景技術】
[0002]現(xiàn)有激光顯示和照明領域所用可見光激光光源主要有半導體栗浦固體激光器和半導體激光器兩種。隨著半導體激光器功率不斷提升，半導體栗浦固體激光器所存在的激光散斑高、工作環(huán)境要求苛刻、成本高等缺點愈發(fā)凸顯，故激光源的發(fā)展趨勢越來越趨向于半導體激光器。
[0003]目前，半導體激光器封裝方式主要有單管LD、Bar條和半導體激光器陣列三種形式。其中，單管LD出光功率較低，因而需要靠數(shù)量來彌補單體功率不足的缺點，但是數(shù)量增加的同時也使得散熱問題凸顯;Bar條封裝方式，功率相對較高，但隨著顯示和照明要求的亮度越來越高，Bar條封裝的出光功率還是不能夠較好的滿足實際應用;半導體激光器陣列可以在很小的體積內(nèi)集成數(shù)十個發(fā)光芯片，能夠較好地形成數(shù)十瓦的激光輸出，使用起來十分便利，因而運用較為寬泛。但是，上述三種封裝方式均為單色芯片單獨封裝的方式，因半導體激光器在用于顯示領域時，經(jīng)常會遇到需要三色激光同時輸出的場合，從而就涉及到了對三個不同色的激光陣列進行合光的問題，而此過程中會使用到復雜的光束整形合光光學系統(tǒng)，十分不便。另一方面，現(xiàn)有的半導體激光器陣列大多采用矩形排布方式，雖然矩形排布方式的封裝工藝簡單、電路板排布簡潔，但是，由于所有半導體激光器芯片的快軸均在一個方向上，故在后期整形中就不可避免的需要使用柱面透鏡，從而增加了整形光路的復雜性，使得后續(xù)處理成本難以降低。
[0004]另外，雖然隨著科技進步，半導體激光器技術日臻完善，但是半導體激光器在小型化、密集化應用的方向上始終難以突破瓶頸，究其原因，應當是現(xiàn)有半導體激光器陣列所采用的陣列方式不能夠為集成式激光芯片帶來較佳的工作穩(wěn)定性。
[0005]除上述之外，在半導體激光器具體應用的如投影機領域中，在使用激光光源時均需要對其進行勻光處理，以獲得一個光強分布均勻的特定形狀光斑，從而能夠均勻的照射成像芯片。現(xiàn)有的勻光處理主要有復眼透鏡組技術和勻光管技術，其中，復眼透鏡組技術需要較大的準直入射光斑，故激光光源用此勻光技術沒有優(yōu)勢；而勻光管技術分為實心光管和空心光管兩類，它們各有優(yōu)缺點。由于現(xiàn)有半導體激光器存在上述的各種缺陷，從而導致勻光管與激光光源匹配時需要對激光光源進行整形、入射角度調(diào)整等操作，因此需要專配一套整形、角度調(diào)整裝置，不僅操作復雜且成本較高。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為了能夠克服現(xiàn)有激光器陣列后期整形復雜的問題，本發(fā)明提供了一種圓對稱半導體激光器陣列。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的圓對稱半導體激光器陣列，其包括底座，底座上構(gòu)造有至少一個環(huán)狀的屋脊結(jié)構(gòu)，所述至少一個屋脊結(jié)構(gòu)具有同一中心軸;任一屋脊結(jié)構(gòu)的側(cè)面均中心對稱地設有半導體激光芯片。
[0008]本發(fā)明的圓對稱半導體激光器陣列中，能夠通過中心對稱地設有半導體激光芯片的方式，使得激光器陣列的輸出光束能夠較佳地呈現(xiàn)圓對稱特性，能夠省去后續(xù)整形所采用的柱面透鏡，從而使得裝配工藝大為簡化、制造成本大為降低。本發(fā)明打破了傳統(tǒng)矩形排布的思維定勢，能夠通過采用例如COS半導體激光芯片進行圓對稱排列，使得雖然單個發(fā)光芯片還保持了 XY方向發(fā)散角差異，但陣列整體發(fā)光方式表現(xiàn)為圓對稱方式，從而使得后期整形光路大為簡潔。
[0009]另外，半導體激光芯片能夠通過同心圓狀的多個屋脊結(jié)構(gòu)設置在底座上，而每一個屋脊結(jié)構(gòu)上設置的多個半導體激光芯片均能夠為中心對稱的排布，從而較佳地使得排布后的激光光束參數(shù)在各個方向上對稱。
[0010]作為優(yōu)選，底座內(nèi)部設有溫度傳感器，溫度傳感器用于采集半導體激光芯片的工作溫度并對應產(chǎn)生溫度信號。
[0011 ]本發(fā)明的圓對稱半導體激光器陣列中，能夠在底座內(nèi)部設置溫度傳感器，從而能夠較佳地實時檢測半導體激光芯片的工作溫度，從而能夠?qū)崟r的對激光器陣列的工作狀態(tài)進行調(diào)整，較好地保證了其工作穩(wěn)定性。
[0012]作為優(yōu)選，底座處設有電氣接口，電氣接口包括用于向半導體激光芯片供電的供電接口，以及用于讀取溫度信號的數(shù)據(jù)接口。
[0013]本發(fā)明的圓對稱半導體激光器陣列中，供電接口能夠有多個，而多個半導體激光芯片能夠?qū)╇娊涌诘臄?shù)量劃分為多組，其中每一組的半導體激光芯片均能夠串聯(lián)或并聯(lián)連接后與不同的供電接口進行連接，從而使得能夠通過對不同的供電接口進行供電，而使得本發(fā)明的激光器陣列能夠以不同的狀態(tài)進行工作，進而能夠較靈活地運用于實際生產(chǎn)中。
[0014]作為優(yōu)選，底座內(nèi)能夠設有例如用于固定屋脊結(jié)構(gòu)的基板，基板內(nèi)側(cè)設有用于安置半導體激光芯片的電路板。
[0015]本發(fā)明的圓對稱半導體激光器陣列中，能夠在電路板上方設置一層基板，基板的設置使得屋脊結(jié)構(gòu)能夠較佳地固定在底座上，并且能夠較佳地隔離電路板與電路上設置的半導體激光芯片，從而能夠起到較佳地保護作用。
[0016]作為優(yōu)選，半導體激光芯片與基板共晶焊接。
[0017]本發(fā)明的圓對稱半導體激光器陣列中，半導體激光芯片能夠與基板共晶焊接，從而能夠較佳地對半導體激光芯片，保證了半導體激光芯片的工作穩(wěn)定性。
[0018]作為優(yōu)選，半導體激光芯片與電路板金線連接。
[0019]本發(fā)明的圓對稱半導體激光器陣列中，半導體激光芯片能夠與電路板金線連接，從而使得半導體激光芯片能夠較佳地與電路板進行電連接。
[0020]作為優(yōu)選，任意相鄰半導體激光芯片間的間距為2?5mm。
[0021]本發(fā)明的圓對稱半導體激光器陣列中，任意相鄰半導體激光芯片間的間距能夠為2?5mm，這種設置在能夠獲得較佳光強、較佳降低底座體積的同時，還能夠較佳地解決相鄰半導體激光芯片間的干涉問題以及散熱問題。
[0022]作為優(yōu)選，任一屋脊結(jié)構(gòu)均構(gòu)造成中心對稱的多邊形。
[0023]本發(fā)明的圓對稱半導體激光器陣列中，屋脊結(jié)構(gòu)能夠構(gòu)造成中心對稱的多邊形， 從而使得屋脊結(jié)構(gòu)每天側(cè)邊上均能夠較佳地根據(jù)需求設置一個或多個半導體激光芯片，從而較佳的簡化了裝配工藝。
[0024]作為優(yōu)選，相應半導體激光芯片設置于對應屋脊結(jié)構(gòu)的外側(cè)。
[0025]本發(fā)明的圓對稱半導體激光器陣列中，半導體激光芯片能夠設于屋脊結(jié)構(gòu)的外側(cè)，從而使得每個屋脊結(jié)構(gòu)上的半導體激光芯片能夠較佳的隔離，保證了工作的穩(wěn)定性。
[0026]本發(fā)明的圓對稱半導體激光器陣列中，通過采用同心環(huán)狀的屋脊結(jié)構(gòu)對半導體激光芯片進行支撐，使得半導體激光芯片便于安裝的同時，還使得能夠通過調(diào)整屋脊結(jié)構(gòu)的環(huán)數(shù)而對整體功率進行較佳地調(diào)整。
[0027]為了能夠克服現(xiàn)有激光器陣列后期合光、整形復雜的問題，本發(fā)明還提供了一種白光半導體激光器陣列。
[0028]根據(jù)本發(fā)明的白光半導體激光器陣列，其包括底座，底座上構(gòu)造有至少一個環(huán)狀的屋脊結(jié)構(gòu)，所述至少一個屋脊結(jié)構(gòu)具有同一中心軸;任一屋脊結(jié)構(gòu)的側(cè)面均中心對稱地設有半導體激光芯片，半導體激光芯片包括紅光半導體激光芯片，綠光半導體激光芯片，以及藍光半導體激光芯片。
[0029]本發(fā)明的白光半導體激光器陣列中，能夠通過在一個陣列中按照一定功率比例同時封裝紅綠藍三色半導體激光芯片，使得一個半導體激光器陣列可以同時或分時輸出RGB 激光，經(jīng)過簡單的勻光系統(tǒng)即可較佳地獲得適用于顯示或照明的白光光源，避免了復雜整形合光系統(tǒng)，使得裝配工藝大為簡化。
[0030]另外，紅綠藍三色半導體激光芯片的排列方式能夠采用上述任一種圓對稱半導體激光器陣列的排布構(gòu)造，從而能夠帶來相同的技術效果。
[0031]作為優(yōu)選，底座內(nèi)部設有溫度傳感器，溫度傳感器用于采集半導體激光芯片的工作溫度并對應產(chǎn)生溫度信號。
[0032]本發(fā)明的白光半導體激光器陣列中，能夠在底座內(nèi)部設置溫度傳感器，從而能夠較佳地實時檢測半導體激光芯片的工作溫度，從而能夠?qū)崟r的對激光器陣列的工作狀態(tài)進行調(diào)整，較好地保證了其工作穩(wěn)定性。
[0033]作為優(yōu)選，底座處設有電氣接口，電氣接口包括用于向半導體激光芯片供電的供電接口，以及用于讀取溫度信號的數(shù)據(jù)接口。
[0034]作為優(yōu)選，紅光半導體激光芯片、綠光半導體激光芯片以及藍光半導體激光芯片分別采用不同的供電接口單獨供電。
[0035]本發(fā)明的白光半導體激光器陣列中，供電接口能夠有多個，而半導體激光芯片能夠?qū)诠╇娊涌诘臄?shù)量而分為多組，其中，任一組中的半導體激光芯片能夠為相同顏色的半導體激光芯片，從而能夠通過對不同的供電接口進行供電，而較佳地獲得不同的激光。
[0036]作為優(yōu)選，底座內(nèi)設有用于固定屋脊結(jié)構(gòu)的基板，基板內(nèi)側(cè)設有用于安置半導體激光芯片的電路板。
[0037]作為優(yōu)選，半導體激光芯片與基板共晶焊接。
[0038]作為優(yōu)選，半導體激光芯片與電路板金線連接。[〇〇39]作為優(yōu)選，任意相鄰半導體激光芯片間的間距為2?5mm。
[0040] 作為優(yōu)選，紅光半導體激光芯片、綠光半導體激光芯片、以及藍光半導體激光芯片的數(shù)量比為1:0.86:0.52。
[0041]本發(fā)明的白光半導體激光器陣列中，紅光半導體激光芯片、綠光半導體激光芯片、以及藍光半導體激光芯片的功率比較佳的為1:0.86:0.52，此種功率比使得其在具備較佳地散熱性能的同時，也使得其在共同工作時能夠獲得較佳色溫的白色激光。
[0042]本發(fā)明的白光半導體激光器陣列，打破了單色芯片封裝的思維定勢，能夠通過采用例如三色COS芯片混裝封裝的方式，達到一個激光器陣列同時或者分時輸出紅綠藍三色激光的能力，省略了后續(xù)整形合光系統(tǒng)，結(jié)構(gòu)大大簡化。在進行芯片封裝時，能夠相間的封裝三色激光芯片，紅綠藍芯片的數(shù)量能夠按照所需白光色溫不同而采用不同的比值。本發(fā)明的白光半導體激光器陣列直接應用于投影光機時，無需進行整形合束，直接進入勻光光路，極大的簡化了光路結(jié)構(gòu)。
[0043]另外，本發(fā)明的白光半導體激光器陣列中，所有半導體激光芯片還能夠采用例如現(xiàn)有的矩形封裝陣列、蝶形封裝陣列、TO封裝等方式進行封裝。
[0044]為了能夠克服現(xiàn)有激光器陣列用于勻光管時需要復雜整形系統(tǒng)的問題，本發(fā)明還提供了一種自發(fā)光激光勻光管。
[0045]根據(jù)本發(fā)明的自發(fā)光激光勻光管，其包括通過連接支架連接為一體的勻光管本體和陣列激光器，陣列激光器包括底座，底座近勻光管本體側(cè)構(gòu)造有至少一個環(huán)狀的屋脊結(jié)構(gòu)，所述至少一個屋脊結(jié)構(gòu)具有同一中心軸，任一屋脊結(jié)構(gòu)的側(cè)面均中心對稱地設有半導體激光芯片，半導體激光芯片包括紅光半導體激光芯片、綠光半導體激光芯片以及藍光半導體激光芯片。
[0046]本發(fā)明的自發(fā)光激光勻光管中，其陣列激光器能夠采用上述任一種白光半導體激光器陣列，并能夠帶來相應的技術效果。同時，也是因為陣列激光器采用上述任一種白光半導體激光器陣列的結(jié)構(gòu)，使得輸?shù)募す鉄o需進行復雜的合光、整形，從而能夠直接進入勻光管中，實現(xiàn)勻光處理。從而能夠較佳地省去陣列激光器與勻光管間的調(diào)節(jié)整形裝置，從而較佳的簡化了整個投影光路。
[0047]作為優(yōu)選，底座內(nèi)部設有溫度傳感器，溫度傳感器用于采集半導體激光芯片的工作溫度并對應產(chǎn)生溫度信號。
[0048]作為優(yōu)選，底座處設有電氣接口，電氣接口包括用于向半導體激光芯片供電的供電接口。
[0049]作為優(yōu)選，紅光半導體激光芯片、綠光半導體激光芯片以及藍光半導體激光芯片分別采用不同的供電接口單獨供電。
[0050]本發(fā)明的自發(fā)光激光勻光管中，每個顏色的半導體激光芯片均能夠分為多組并單獨供電，從而能夠較佳地獲得不同色溫的白光。
[0051]作為優(yōu)選，電氣接口還包括用于讀取溫度信號的數(shù)據(jù)接口。
[0052]作為優(yōu)選，底座內(nèi)設有用于固定屋脊結(jié)構(gòu)的基板，基板內(nèi)側(cè)設有用于安置半導體激光芯片的電路板。
[0053]作為優(yōu)選，半導體激光芯片與基板共晶焊接，半導體激光芯片與電路板金線連接。
[0054]作為優(yōu)選，紅光半導體激光芯片、綠光半導體激光芯片以及藍光半導體激光芯片的功率比為1:0.86:0.52。
[0055]作為優(yōu)選，任意相鄰半導體激光芯片間的間距為2?5mm。
[0056]本發(fā)明的自發(fā)光激光勻光管中，任意相鄰半導體激光芯片間的間距能夠為2? 5mm，這種設置在能夠獲得較佳光強、較佳降低底座體積的同時，還能夠較佳地解決相鄰半導體激光芯片間的干涉問題以及散熱問題。
[0057]本發(fā)明的自發(fā)光激光勻光管中，勻光管本體能夠根據(jù)具體需求而設計為空心光管或者實心光管，而根據(jù)投影芯片的尺寸比例不同，勻光管本體的出光面可以設計為4:3和 16:9兩種比例，同時陣列激光器也能夠根據(jù)光管4:3和16:9進行相適應的排布封裝，從而能夠較佳的保證勻光管的輸出光的較佳光均勻性。[〇〇58]為了能夠克服現(xiàn)有激光器陣列體積較大且不利于光學元件標準化、小型化發(fā)展等問題，本發(fā)明還提供了一種集成激光芯片。
[0059]根據(jù)本發(fā)明的集成激光芯片，其包括構(gòu)造成框狀的殼體，殼體下端開口處設有介質(zhì)基片，殼體上端開口處設有透明的輸出窗口；介質(zhì)基片處布設有連接線路，介質(zhì)基片上方陣列有與連接線路連接的且發(fā)光面正對輸出窗口的半導體激光器芯片;介質(zhì)基片處還引出有引腳，引腳用于通過連接線路向半導體激光器芯片供電。
[0060]本發(fā)明的集成激光芯片中，能夠?qū)⒍鄠€半導體激光器芯片集成在一個芯片內(nèi)，從而較佳地實現(xiàn)了激光器件的微小型化，同時具備較佳地可靠性，使得激光芯片的標準化程度得到較佳的提升。通過本發(fā)明的集成激光芯片，使得激光芯片能夠如同集成電路芯片一樣，作為標準的光學元件，光學工程師可以如同電子工程師一樣，從標準零件庫中選擇所需的集成式激光芯片，直接插在專用的PCB電路板上使用，從而極大地推進了光學元件標準化的發(fā)展。
[0061]本發(fā)明的集成激光芯片中，介質(zhì)基片能夠采用具備良好散熱能力和絕緣能力的材料制成，從而能夠較佳提升其工作穩(wěn)定性。
[0062]作為優(yōu)選，介質(zhì)基片上方設有用于支撐半導體激光器芯片的支撐結(jié)構(gòu)。
[0063]作為優(yōu)選，支撐結(jié)構(gòu)包括至少一個環(huán)狀的屋脊結(jié)構(gòu)，所述至少一個屋脊結(jié)構(gòu)具有同一中心軸，任一屋脊結(jié)構(gòu)的側(cè)面均中心對稱地設有半導體激光芯片。
[0064]本發(fā)明的集成激光芯片中，其支撐結(jié)構(gòu)能夠采用上述任意一種同心環(huán)狀的屋脊結(jié)構(gòu)，從而能夠帶來相應的技術效果，而半導體激光芯片能夠采用中心對稱的方式進行排布， 從而能夠獲得具備較佳圓對稱特性的激光，進而能夠省去復雜的光路整形系統(tǒng)，降低其制造難度，獲得較小的體積。
[0065]作為優(yōu)選，輸出窗口的材料為玻璃或高透光塑料材質(zhì)。[〇〇66]本發(fā)明的集成激光芯片中，輸出窗口的材料能夠為例如玻璃或高透光塑料材質(zhì)， 從而使得激光能夠較佳地輸出。[〇〇67]作為優(yōu)選，輸出窗口的材料為平面玻璃或表面經(jīng)二元光學處理的玻璃。
[0068]本發(fā)明的集成激光芯片中，輸出窗口的材料能夠為平面玻璃或表面經(jīng)二元光學處理的玻璃，從而使得激光能夠較佳地輸出。
[0069]作為優(yōu)選，半導體激光芯片包括紅光半導體激光芯片、綠光半導體激光芯片以及藍光半導體激光芯片。
[0070]本發(fā)明的集成激光芯片中，半導體激光芯片能夠包括紅光半導體激光芯片、綠光半導體激光芯片以及藍光半導體激光芯片，從而能夠較佳地同時或分時輸出不同的激光， 使得其應用范圍更加廣泛。
[0071]作為優(yōu)選，紅光半導體激光芯片、綠光半導體激光芯片以及藍光半導體激光芯片分別采用不同的引腳單獨供電。
[0072]作為優(yōu)選，紅光半導體激光芯片、綠光半導體激光芯片以及藍光半導體激光芯片的功率比為1:0.86:0.52。
[0073]本發(fā)明的集成激光芯片中，紅光半導體激光芯片、綠光半導體激光芯片、以及藍光半導體激光芯片的功率比較佳的為1: 0.86:0.52，此種功率比使得其在具備較佳地散熱性能的同時，也使得其在共同工作時能夠獲得較佳色溫的白色激光。
[0074]本發(fā)明的集成激光芯片中，介質(zhì)基片處還能夠封裝入保護電路，從而能夠較佳地對半導體激光器芯片進行保護。而封裝外殼能夠為圓殼式、扁平式或雙列直插式等多種形式。
【附圖說明】

[0075]圖1為實施例1中圓對稱半導體激光器陣列的示意圖；
[0076]圖2為實施例3中白光半導體激光器陣列的示意圖；
[0077]圖3為實施例4中自發(fā)光激光勻光管的示意圖；
[0078]圖4為實施例5中集成激光芯片的示意圖；
[0079]圖5為圖4的俯向不意圖；
[0080]圖6為圖4的豎剖示意圖。
【具體實施方式】
[0081]為進一步了解本發(fā)明的內(nèi)容，結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作詳細描述。應當理解的是，實施例僅僅是對本發(fā)明進行解釋而并非限定。
[0082]實施例1
[0083]如圖1所示，本實施例提供了一種圓對稱半導體激光器陣列，其包括底座110。其中，底座110上構(gòu)造有多個環(huán)狀的屋脊結(jié)構(gòu)150，任意兩個屋脊結(jié)構(gòu)150的中心軸均重合;任一屋脊結(jié)構(gòu)150的側(cè)面均中心對稱地設有半導體激光芯片。
[0084]本實施例中，底座110內(nèi)設有用于固定屋脊結(jié)構(gòu)150的基板120，基板120內(nèi)側(cè)設有用于安置半導體激光芯片的電路板。半導體激光芯片與基板120共晶焊接，半導體激光芯片與電路板金線連接。底座110內(nèi)部與基板120接觸的設有溫度傳感器，本實施例中的溫度傳感器采用熱電偶式溫度傳感器，溫度傳感器用于采集半導體激光芯片的工作溫度并對應產(chǎn)生溫度信號。
[0085]另外，底座110處還設有電氣接口140，電氣接口 140包括與電路板連接的用于向半導體激光芯片供電的供電接口，以及用于讀取溫度信號的數(shù)據(jù)接口。本實施例中，供電接口設有多個，不同的供電接口分別對應向設于不同屋脊結(jié)構(gòu)150上的所有半導體激光芯片供電，從而實現(xiàn)了對設于屋脊結(jié)構(gòu)150上的半導體激光芯片進行單獨供電，進而能夠較佳地對本實施例中的激光器陣列的發(fā)光功率進行調(diào)整。
[0086]本實施例中，最里層的屋脊結(jié)構(gòu)150構(gòu)造成柱狀，由于最里層屋脊結(jié)構(gòu)150的尺寸較小，構(gòu)造成柱狀反而能夠節(jié)約制造成本，且便于裝配。應當注意的是，雖然本實施例的附圖(圖1)中僅示出了3個構(gòu)造成同心環(huán)的屋脊結(jié)構(gòu)150，但是在實際生產(chǎn)中，屋脊結(jié)構(gòu)150的數(shù)量應當示所需功率而定。
[0087]本實施例中，最里層屋脊結(jié)構(gòu)150構(gòu)造成中心對稱的直棱柱，其余屋脊結(jié)構(gòu)150均構(gòu)造成中心對稱的多邊形，并且任意相鄰屋脊結(jié)構(gòu)150的間距相等。其中，半導體激光芯片設于屋脊結(jié)構(gòu)150的外側(cè)邊上，并且任意相鄰半導體激光芯片間的間距能夠為2?5mm中個任一數(shù)值(本實施例中為2.5mm)。
[0088]實施例2
[0089]本實施例中提供了一種白光半導體激光器陣列，其與實施例1的不同之處在于:半導體激光芯片包括紅光半導體激光芯片131，綠光半導體激光芯片132，以及藍光半導體激光芯片133，且同一屋脊結(jié)構(gòu)150上設置相同顏色的半導體激光芯片。
[0090]另外，本實施例中，紅光半導體激光芯片131、綠光半導體激光芯片132、以及藍光半導體激光芯片133的功率比為1:0.86:0.52。
[0091]實施例3
[0092]如圖2所示，本實施例也提供了一種白光半導體激光器陣列其與實施例2的不同之處在于:半導體激光芯片呈矩形狀排布，且屋脊結(jié)構(gòu)150包括陣列成矩形的多個矩形塊。
[0093]另外，本實施例中，紅光半導體激光芯片131、綠光半導體激光芯片132、以及藍光半導體激光芯片133相間排布。
[0094]實施例4
[0095]如圖3所示，本實施例提供了一種自發(fā)光激光勻光管，其包括通過連接支架連接為一體的勻光管本體和陣列激光器。
[0096]本實施例中的陣列激光器能夠采用實施例1中或?qū)嵤├?中的激光器陣列。本實施例中的連接支架整體構(gòu)造成管狀，且包括與勻光管本體連接的第一連接部和與陣列激光器連接的第二連接部，第一連接部構(gòu)造成與勻光管本體連接處外廓對應的槽狀，第二連接部構(gòu)造成與陣列激光器連接處外廓對應的槽狀。
[0097]實施例5
[0098]如圖4、圖5、圖6所示，本實施例提供了一種集成激光芯片，其包括構(gòu)造成框狀的殼體310。其中，殼體310下端開口處設有介質(zhì)基片320，殼體310上端開口處設有透明的輸出窗口 350;介質(zhì)基片320處布設有連接線路，介質(zhì)基片320上方陣列有與連接線路連接的且發(fā)光面正對輸出窗口350的半導體激光器芯片340;介質(zhì)基片320處還引出有引腳360，引腳360用于通過連接線路向半導體激光器芯片340供電。
[0099]本實施例中，介質(zhì)基片320上方設有用于支撐半導體激光器芯片340的支撐結(jié)構(gòu)330，支撐結(jié)構(gòu)330構(gòu)造成位于介質(zhì)基片320中心的直四棱柱狀，直四棱柱狀的側(cè)邊均布有多個半導體激光器芯片340。
[0100]本實施例中，殼體310上端開口處構(gòu)造有臺階槽，從而使得輸出窗口350能夠較佳地嵌入殼體310上端開口處。另外，輸出窗口 350的材料為平面玻璃材質(zhì)。
[0101]實施例6
[0102]本實施例中也提供了一種集成激光芯片，其與實施例5的不同之處在于:支撐結(jié)構(gòu)330采用實施例2中的多個環(huán)狀的屋脊結(jié)構(gòu)150，且半導體激光器芯片340的種類以及與多個環(huán)狀的屋脊結(jié)構(gòu)150連接方式均與實施例2相同。
[0103]另外，本實施例中，輸出窗口350的材料為高透光塑料材質(zhì)。
[0104]實施例7
[0105]本實施例中也提供了一種集成激光芯片，其與實施例6的不同之處在于:輸出窗口 350的材料為表面經(jīng)二元光學處理的玻璃材質(zhì)。
[0106]以上示意性地對本發(fā)明及其實施方式進行了描述，該描述沒有限制性，附圖中所示的也只是本發(fā)明的實施方式之一，實際的結(jié)構(gòu)并不局限于此。所以，如果本領域的普通技術人員受其啟示，在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造宗旨的情況下，不經(jīng)創(chuàng)造性地設計出與該技術方案相似的結(jié)構(gòu)方式及實施例，均應屬于本發(fā)明的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.圓對稱半導體激光器陣列，其特征在于:包括底座(110)，底座(110)上構(gòu)造有至少一 個環(huán)狀的屋脊結(jié)構(gòu)(150);任一屋脊結(jié)構(gòu)(150)的側(cè)面均中心對稱地設有半導體激光芯片。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圓對稱半導體激光器陣列，其特征在于:底座(110)內(nèi)部設有 溫度傳感器，溫度傳感器用于采集半導體激光芯片的工作溫度并對應產(chǎn)生溫度信號。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圓對稱半導體激光器陣列，其特征在于:底座(110)處設有電 氣接口(140)，電氣接口(140)包括用于向半導體激光芯片供電的供電接口，以及用于讀取 溫度信號的數(shù)據(jù)接口。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圓對稱半導體激光器陣列，其特征在于:底座(110)內(nèi)設有用 于固定屋脊結(jié)構(gòu)(150)的基板(120)，基板(120)內(nèi)側(cè)設有用于安置半導體激光芯片的電路 板。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的圓對稱半導體激光器陣列，其特征在于:半導體激光芯片與基 板(120)共晶焊接。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的圓對稱半導體激光器陣列，其特征在于:半導體激光芯片與電 路板金線連接。7.根據(jù)權(quán)利要求1?6中任一所述的圓對稱半導體激光器陣列，其特征在于:任意相鄰 半導體激光芯片間的間距為2?5mm。8.根據(jù)權(quán)利要求1?6中任一所述的圓對稱半導體激光器陣列，其特征在于:任一屋脊 結(jié)構(gòu)(150)均構(gòu)造成中心對稱的多邊形。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的圓對稱半導體激光器陣列，其特征在于:相應半導體激光芯片 設置于對應屋脊結(jié)構(gòu)(150)的外側(cè)。
【文檔編號】H01S5/40GK205724366SQ201620618574
【公開日】2016年11月23日
【申請日】2016年6月21日
【發(fā)明人】趙振宇
【申請人】北京為世聯(lián)合科技有限公司