本發(fā)明涉及一種預(yù)包封側(cè)邊可浸潤引線框架結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

汽車產(chǎn)品的QFN引線框架結(jié)構(gòu)，要求其側(cè)面可浸潤，如圖1所示，在引線框架的每顆的側(cè)面有小的凹坑，這種結(jié)構(gòu)在封裝完成以后的PCB上板時，焊錫會在側(cè)面露出來。

MIS封裝有著優(yōu)秀的可靠性，目前的MIS的預(yù)封裝基板的單顆結(jié)構(gòu)之間的互聯(lián)結(jié)構(gòu)（如圖2、圖3所示），在切割道上，外引腳面金屬銅面都是平的。所以切割以后，側(cè)面只是露出銅面， 沒有表面保護的銅面會很快氧化，無法實現(xiàn)側(cè)面可浸潤結(jié)構(gòu)。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對上述現(xiàn)有技術(shù)提供一種預(yù)包封側(cè)邊可浸潤引線框架結(jié)構(gòu)，它采用預(yù)包封的方法制備可浸潤引線框架結(jié)構(gòu)，具有優(yōu)越的繞線能力，同時可進行單顆測試，易于在封裝過程中快速測試性能，從而節(jié)省芯片浪費，大幅降低測試費用。

本發(fā)明解決上述問題所采用的技術(shù)方案為：一種預(yù)包封側(cè)邊可浸潤引線框架結(jié)構(gòu)，它包括引腳，所述引腳與引腳之間填充有預(yù)包封絕緣材料，所述引腳正面外側(cè)部位開設(shè)有凹槽。

所述引腳和凹槽的表面均設(shè)置有PPF層。

所述引腳背面設(shè)置有第一金屬層。

一種預(yù)包封側(cè)邊可浸潤引線框架結(jié)構(gòu)，它包括基島和引腳，所述基島與引腳之間以及引腳與引腳之間填充有預(yù)包封絕緣材料，所述所述引腳正面外側(cè)部位開設(shè)有凹槽。

所述基島、引腳和凹槽的表面均設(shè)置有PPF層。

所述基島和引腳的背面設(shè)置有第一金屬層。

所述預(yù)包封絕緣材料采用塑封料、ABF膜或絕緣膠。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點在于：

1、優(yōu)越的繞線能力。這是塑料預(yù)封裝方案的優(yōu)點，可以把焊線的焊盤繞到芯片附近，從而降低焊線難度，甚至完成QFN不可能的繞線；

2、可單顆測試。在表面PPF電鍍層之后，由于有塑料預(yù)封裝材料支撐，可以引入機械或激光切割的方法，把每單顆的電鍍線分離。這樣后續(xù)的封裝中可以每一顆獨立測試。這是QFN結(jié)構(gòu)所不可能完成的；

3、QFN結(jié)構(gòu)在切割道中必須有金屬連接，塑料預(yù)封裝結(jié)構(gòu)可以減少連接的金屬層厚度，以致于完全沒有金屬連接。切割道中較多的金屬塊會帶來切割刀的較快磨損，以及較大的分層的可靠性問題；

4、QFN因本身結(jié)構(gòu)的局限性使側(cè)面浸潤的面積有一定限制，且塑封時有溢料風(fēng)險，而預(yù)封裝側(cè)邊可浸潤的MIS引線框可有效地解決上述問題。

附圖說明

圖1現(xiàn)有的汽車產(chǎn)品的側(cè)面可浸潤引線框架的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為目前的MIS的預(yù)封裝基板的單顆結(jié)構(gòu)之間的互聯(lián)結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為目前的MIS的預(yù)封裝基板的外引腳面的切割示意圖。

圖4為本發(fā)明一種預(yù)包封側(cè)邊可浸潤引線框架結(jié)構(gòu)的示意圖。

圖5~圖12為本發(fā)明一種預(yù)包封側(cè)邊可浸潤引線框架結(jié)構(gòu)制造方法的各工序流程圖。

其中：

第一金屬層1

基島2

引腳3

預(yù)包封絕緣材料4

凹槽5

PPF層6。

具體實施方式

以下結(jié)合附圖實施例對本發(fā)明作進一步詳細描述。

如圖4所示，本實施例中的一種預(yù)包封側(cè)邊可浸潤引線框架結(jié)構(gòu)，它包括第一金屬層1，所述第一金屬層1正面設(shè)置有基島2和引腳3，所述第一金屬層1、基島2和引腳3外圍填充有預(yù)包封絕緣材料4，所述預(yù)包封絕緣材料4正面與基島2和引腳3正面齊平，所述預(yù)包封絕緣材料4背面與第一金屬層1背面齊平，所述引腳3正面外緣部位開設(shè)有凹槽5。

所述預(yù)包封絕緣材料4采用塑封料、ABF膜、絕緣膠等絕緣材料；

所述基島2、引腳3和凹槽5的表面均設(shè)置有PPF層6。

其制造方法如下：

步驟一、參見圖5，取一金屬基板；

步驟二、參見圖6，在金屬基板正面電鍍第一金屬層；

步驟三、參見圖7，在第一金屬層表面電鍍第二金屬層，從而形成基島和引腳；

步驟四、參見圖8，在金屬基板正面進行絕緣材料預(yù)包封；

步驟五、參見圖9，對預(yù)包封后的金屬基板進行表面研磨，使基島和引腳露出絕緣封料；

步驟六、參見圖10，對引腳正面進行半蝕刻，從而在引腳外側(cè)部位形成凹槽；

步驟七、參見圖11，對金屬基板背面進行全蝕刻開窗；

步驟八、參見圖12，基島、引腳和凹槽表面鍍上PPF層。

除上述實施例外，本發(fā)明還包括有其他實施方式，凡采用等同變換或者等效替換方式形成的技術(shù)方案，均應(yīng)落入本發(fā)明權(quán)利要求的保護范圍之內(nèi)。