1.一種打線結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包括：
框架，所述框架上設(shè)有至少一個(gè)焊點(diǎn)；
晶圓，所述晶圓設(shè)置在所述框架上，所述晶圓上設(shè)有金屬薄膜；以及
至少一個(gè)連接線，所述連接線設(shè)置于所述框架與所述晶圓之間，并構(gòu)成了所述焊點(diǎn)與所述金屬薄膜的電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的打線結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述晶圓的上表面向上順序設(shè)有鈦?zhàn)丫雍退鼋饘俦∧ぁ?/p>
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的打線結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述晶圓上設(shè)有晶圓金屬焊盤，所述晶圓金屬焊盤上方設(shè)有鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述晶圓的上表面并露出所述晶圓金屬焊盤，所述鈦?zhàn)丫釉O(shè)置在所述鈍化層上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的打線結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鈍化層與所述鈦?zhàn)丫又g設(shè)有緩沖層，所述緩沖層覆蓋所述鈍化層的上表面并露出所述晶圓金屬焊盤。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的打線結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述緩沖層為聚酰亞胺膠層。
6.根據(jù)權(quán)利要求3-5任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的打線結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鈍化層為氮化硅層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的打線結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述連接線為鍵合線。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的打線結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬薄膜為鋁金屬薄膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求8權(quán)利要求所述的打線結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鋁金屬薄膜的厚度是1μm以上。