本實用新型涉及發(fā)光二極管封裝件，更詳細而言，涉及一種在外殼上形成有反射面的發(fā)光二極管封裝件。

背景技術(shù)：

發(fā)光二極管作為把借助電子與空穴的復(fù)合而發(fā)生的光釋放到外部的無機半導(dǎo)體元件，最近正在顯示裝置、汽車燈、普通照明等多種領(lǐng)域中使用。這種發(fā)光二極管具有壽命長、耗電低、響應(yīng)速度快的優(yōu)點。因此，利用發(fā)光二極管的發(fā)光裝置在多樣的領(lǐng)域被用于光源。

以往的發(fā)光二極管封裝件在發(fā)光二極管芯片配置于引線框架上的狀態(tài)下，被外殼封裝。而且，外殼的內(nèi)側(cè)壁具有預(yù)定的角度，以便從發(fā)光二極管芯片發(fā)光的光能夠在封裝的外殼的內(nèi)側(cè)壁反射。

此時，發(fā)光二極管芯片與引線框架的電氣連接可以利用金屬線，為了對發(fā)光二極管芯片進行引線鍵合，在發(fā)光二極管芯片與外殼的內(nèi)側(cè)壁之間，需要形成既定以上的空間?？墒牵谕鈿さ拇笮〖榷ǖ臓顟B(tài)下，為了確保供發(fā)光二極管芯片貼裝的空間，外殼的內(nèi)側(cè)壁只能近于垂直地形成，因此，存在外殼的內(nèi)側(cè)壁無法更大地發(fā)揮作為反射面的作用的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

技術(shù)問題

本實用新型要解決的課題是提供一種能夠通過在外殼的內(nèi)側(cè)壁中的反射而提高發(fā)光效率的發(fā)光二極管封裝件。

技術(shù)方案

本實用新型提供一種發(fā)光二極管封裝件，包括：引線框架，其包括相互隔開的第1引線部件及第2引線部件；外殼，其支撐所述引線框架，包括使所述第1引線部件及第2引線部件中的任意一個以上的上面一部分露出的第1區(qū)域；及發(fā)光二極管芯片，其貼裝于所述外殼的第1區(qū)域；所述外殼還包括從所述外殼的外側(cè)向所述第1區(qū)域側(cè)傾斜地延伸的第1反射面和從所述第1反射面傾斜地延伸至在所述第1區(qū)域露出的第1引線部件及第2引線部件中的任意一個的上面的第2反射面，所述第2反射面的傾斜角度大于所述第1反射面的傾斜角度。

另一方面，本實用新型提供一種發(fā)光二極管封裝件，包括：引線框架，其包括相互隔開的第1引線部件及第2引線部件；外殼，其支撐所述引線框架，包括使所述第1引線部件及第2引線部件中的任意一個以上的上面一部分露出的第1區(qū)域；及發(fā)光二極管芯片，其貼裝于所述外殼的第1區(qū)域，所述外殼從所述外殼的外側(cè)向所述第1區(qū)域側(cè)傾斜地延伸，所述第1區(qū)域的面積為所述發(fā)光二極管封裝件的平面上面積的10％至30％。

技術(shù)效果

根據(jù)本實用新型，舒緩地形成發(fā)光二極管封裝件的外殼內(nèi)側(cè)壁的傾斜角度，因而能夠提高發(fā)光二極管封裝件的發(fā)光效率。

而且，如上所述，為了提高發(fā)光二極管封裝件的發(fā)光效率而舒緩地形成外殼內(nèi)側(cè)壁的傾斜角度，因而防止能夠貼裝發(fā)光二極管芯片的引線框架的露出區(qū)域大小減小，為此，外殼內(nèi)側(cè)壁包括第1反射面及第2反射面，使第2反射面的傾斜角度大于第1反射面的傾斜角度，從而能夠防止引線框架的露出區(qū)域的大小減小。

另外，加大作為反射面的外殼的內(nèi)側(cè)壁末端的傾斜角度，從而能夠使可貼裝發(fā)光二極管芯片的空間實現(xiàn)最大化。進一步地，使外殼內(nèi)側(cè)壁的末端角度為90以下，使得末端反射的光也釋放到外部，從而能夠提高發(fā)光二極管封裝件的發(fā)光效率。

而且，外殼的上部面具有預(yù)定的寬度，并凸出使得與反射面具有錯層，因而在向外殼的內(nèi)側(cè)填充密封材料并形成的過程中，能夠防止密封材料溢出到外殼的外部。

進一步地，使角側(cè)寬度更大于外殼上部面的側(cè)面?zhèn)葘挾?，即使在制作工序中發(fā)生外部沖擊，也能夠防止發(fā)生外殼破裂等問題。另外，可以形成得外殼上部面的角側(cè)的形狀具有曲線，反射面的形狀也具有曲線，使得能夠提高發(fā)光二極管芯片發(fā)光的光在角側(cè)的反射面進行反射的效率。

另外，第2區(qū)域在外殼上形成，使第2引線部件露出，使得在第1區(qū)域與第2區(qū)域之間，外殼凸出于上部而形成，因而發(fā)光二極管芯片釋放的光不直接到達齊納二極管，具有能夠使因齊納二極管導(dǎo)致的光損失實現(xiàn)最小化的效果。

另外，配置于第1區(qū)域與第2區(qū)域之間的隔壁的上面包括第1反射面、第2反射面及第2傾斜面，隨著第2傾斜面從第2反射面向第2區(qū)域側(cè)向下傾斜，使得把齊納二極管引線鍵合于第1區(qū)域的第1引線部件的工序容易，引線的長度變短，從而具有能夠減小因引線導(dǎo)致的光干擾的效果。

附圖說明

圖1是圖示本實用新型第1實施例的發(fā)光二極管封裝件的立體圖；

圖2是圖示本實用新型第1實施例的發(fā)光二極管封裝件的俯視圖；

圖3是沿圖2的截取線AA′截取的剖面圖；

圖4是圖示本實用新型第2實施例的發(fā)光二極管封裝件的立體圖；

圖5是圖示本實用新型第2實施例的發(fā)光二極管封裝件的俯視圖；

圖6是沿圖5的截取線AA′截取的剖面圖；

圖7是圖示本實用新型第2實施例的發(fā)光二極管封裝件中包括密封材料的情形的示例圖；

圖8是圖示本實用新型第3實施例的發(fā)光二極管封裝件的立體圖；

圖9是圖示本實用新型第3實施例的發(fā)光二極管封裝件的俯視圖；

圖10是沿圖2的截取線AA′截取的剖面圖；

圖11是圖示本實用新型第4實施例的發(fā)光二極管封裝件的剖面圖；

圖12是圖示本實用新型第5實施例的發(fā)光二極管封裝件的剖面圖；

圖13是圖示本實用新型第6實施例的發(fā)光二極管封裝件的剖面圖；

圖14是圖示本實用新型第7實施例的發(fā)光二極管封裝件的剖面圖。

附圖標記說明

100：發(fā)光二極管封裝件

110：發(fā)光二極管芯片 120：引線框架

122：第1引線部件 124：第2引線部件

130：外殼 132：第1反射面

134：第2反射面 136：槽

138：上端面 139：隔壁

139a：第1傾斜面 139b：第2傾斜面

139c：垂直面 140：齊納二極管

150：密封材料 h1、h2：第1區(qū)域、第2區(qū)域

具體實施方式

本實用新型一個實施例的發(fā)光二極管封裝件可以包括：引線框架，其包括相互隔開的第1引線部件及第2引線部件；外殼，其支撐所述引線框架，包括使所述第1引線部件及第2引線部件中的任意一個以上的上面一部分露出的第1區(qū)域；及發(fā)光二極管芯片，其貼裝于所述外殼的第1區(qū)域；所述外殼可以包括從所述外殼的外側(cè)向所述第1區(qū)域側(cè)傾斜地延伸的第1反射面和從所述第1反射面傾斜地延伸至在所述第1區(qū)域露出的第1引線部件及第2引線部件中的任意一個的上面的第2反射面，所述第2反射面的傾斜角度可以大于所述第1反射面的傾斜角度。

而且，所述第2反射面可以包括槽，其為了對所述發(fā)光二極管芯片進行引線鍵合，在所述第1區(qū)域使所述引線框架追加露出。

另外，所述外殼可以還包括第2區(qū)域，其為了對所述發(fā)光二極管芯片進行引線鍵合而使所述第1引線部件及第2引線部件中的另一個的上面一部分露出，可以還包括齊納二極管，其貼裝于所述第2區(qū)域。

另外，可以還包括齊納二極管，其貼裝于所述引線框架上并位于所述外殼內(nèi)。

而且，所述第1區(qū)域的面積可以為所述發(fā)光二極管封裝件的平面上面積的10％至30％。

其中，所述第2反射面的高度可以低于所述發(fā)光二極管芯片的高度。

所述發(fā)光二極管芯片可以包括：n型半導(dǎo)體層；p型半導(dǎo)體層；及介于所述n型半導(dǎo)體層及p型半導(dǎo)體層之間的活性層，所述第2反射面的高度可以低于所述活性層的高度。

另一方面，本實用新型一個實施例的發(fā)光二極管封裝件，其作為發(fā)光二極管封裝件，可以包括：引線框架，其包括相互隔開的第1引線部件及第2引線部件；外殼，其支撐所述引線框架，包括使所述第1引線部件及第2引線部件中的任意一個以上的上面一部分露出的第1區(qū)域；及發(fā)光二極管芯片，其貼裝于所述外殼的第1區(qū)域，所述外殼可以從所述外殼的外側(cè)向所述第1區(qū)域側(cè)傾斜地延伸，所述第1區(qū)域的面積可以為所述發(fā)光二極管封裝件的平面上面積的10％至30％。

其中，所述外殼可以包括從所述外殼的外側(cè)向所述第1區(qū)域側(cè)傾斜地延伸的第1反射面和從所述第1反射面傾斜地延伸至在所述第1區(qū)域露出的第1引線部件及第2引線部件中的任意一個的上面的第2反射面，所述第1反射面與第2反射面的傾斜角度可以互不相同。

此時，所述第2反射面的高度可以低于所述發(fā)光二極管芯片的高度。

而且，所述發(fā)光二極管芯片可以包括：n型半導(dǎo)體層；p型半導(dǎo)體層；及介于所述n型半導(dǎo)體層及p型半導(dǎo)體層之間的活性層，此時，所述第2反射面的高度可以低于所述活性層的高度。

下面參照附圖，對本實用新型的優(yōu)選實施例進行更具體說明。

圖1是圖示本實用新型第1實施例的發(fā)光二極管封裝件的立體圖，圖2是圖示本實用新型第1實施例的發(fā)光二極管封裝件的俯視圖，而且，圖3是沿圖2的截取線AA′截取的剖面圖。

如圖1及圖2所示，本實用新型第1實施例的發(fā)光二極管封裝件100包括發(fā)光二極管芯片110、引線框架120、外殼130及齊納二極管140。

發(fā)光二極管芯片110具備一個以上，配置于引線框架120上。另外，借助于外部供應(yīng)的電源，一個以上的發(fā)光二極管芯片110可以釋放光，從發(fā)光二極管芯片110釋放的光可以釋放到外部。這種發(fā)光二極管芯片110如圖3所示，包括n型半導(dǎo)體層116、活性層114及p型半導(dǎo)體層112。

n型半導(dǎo)體層116、活性層114及p型半導(dǎo)體層112可以分別包括III-V族系列的化合物半導(dǎo)體，作為一個示例，可以包括諸如(Al、Ga、In)N的氮化物半導(dǎo)體。在本實施例中，對在n型半導(dǎo)體層116上部形成有活性層114、在活性層114上部形成有p型半導(dǎo)體層112的情形進行說明，但根據(jù)需要，n型半導(dǎo)體層116和p型半導(dǎo)體層112的位置可以變更。

n型半導(dǎo)體層116可以包括n型不純物(例如，Si)，p型半導(dǎo)體層112可以包括p型不純物(例如，Mg)?；钚詫?14介于n型半導(dǎo)體層116與p型半導(dǎo)體層112之間，可以包括多量子阱結(jié)構(gòu)(MQW)。而且，就活性層114而言，其組成比可以調(diào)節(jié)，以便能夠釋放所需峰值波長的光。

在本實施例中，發(fā)光二極管芯片110可以包括電氣連接于p型半導(dǎo)體層112的p型電極和電氣連接于n型半導(dǎo)體層116的n型電極。雖然未特別地限定，但作為一個示例，n型電極可以通過貫通活性層114及p型半導(dǎo)體層112的過孔(via)等，電氣連接于n型半導(dǎo)體層116。

引線框架120包括第1引線部件122及第2引線部件124，第1引線部件122及第2引線部件124以相互隔開的狀態(tài)配置。引線框架120為平板形狀，上面及底面可以均平坦。而且，第1引線部件122具有比第2引線部件124更寬闊的面積，發(fā)光二極管芯片110貼裝于相對寬闊的第1引線部件122。引線框架120為了向發(fā)光二極管芯片110供應(yīng)電源而配備，發(fā)光二極管芯片110與第1引線部件122及第2引線部件124可以分別借助于引線鍵合而電氣連接。

在本實施例中，引線框架120如圖3所示，可以具有側(cè)面的上部比下部凸出的形狀。即，第1引線部件122及第2引線部件124可以分別在側(cè)面形成有錯層，在第1引線部件122及第2引線部件124的側(cè)面形成的錯層可以具有上部從側(cè)面凸出的形狀。因此，第1引線部件122及第2引線部件124與外殼130的接觸面積增大，從而可以提高結(jié)合力。

另外，隨著第1引線部件122及第2引線部件124的側(cè)面下部寬度小于側(cè)面上部，使得露出于發(fā)光二極管封裝件100下部的第1引線部件122及第2引線部件124的大小有可能減小。因此，在發(fā)光二極管封裝件100下部露出的第1引線部件122及第2引線部件124的隔開間隔加寬，當(dāng)外部裝置與發(fā)光二極管封裝件100電氣結(jié)合時，能夠使第1引線部件122及第2引線部件124電氣短路的情形最小化。

外殼130具有分別包圍第1引線部件122及第2引線部件124側(cè)部的形狀，以便支撐引線框架120。因此，第1引線部件122及第2引線部件124之間的隔開空間也被外殼130填補，第1引線部件122及第2引線部件124可以相互電氣分離。其中，外殼130不以覆蓋整個第1引線部件122及第2引線部件124的形狀形成，而是具有使第1引線部件122的上面一部分露出的形狀，根據(jù)外殼130的外形尺寸及形狀，決定發(fā)光二極管封裝件100的大小及形狀。

外殼130具有在上部使第1引線部件122一部分露出并完全包圍引線框架120側(cè)部的形狀，因而厚于引線框架120的厚度。另外，第1引線部件122越從露出區(qū)域向外側(cè)，外殼130的厚度有可能會越厚。即，如圖1及圖3所示，外殼130的上部面為了在內(nèi)側(cè)中央配置發(fā)光二極管芯片110而形成有供第1引線部件122露出的第1區(qū)域h1，具備越向外殼130的外側(cè)越向上傾斜的內(nèi)側(cè)面。

此時，外殼130的內(nèi)側(cè)面以向外側(cè)方向向上傾斜的傾斜面形成，傾斜面包括第1反射面132及第2反射面134。第1反射面132從外殼130的外側(cè)上端，向內(nèi)側(cè)方向向下傾斜地形成，占據(jù)外殼130的內(nèi)側(cè)面大部分。

其中，在如圖2所示的俯視圖中，第1區(qū)域h1的面積可以為發(fā)光二極管封裝件100的全體面積的10％至30％。于是，第1區(qū)域h1的面積形成得越是小于發(fā)光二極管封裝件100全體面積，第1反射面132在發(fā)光二極管封裝件100中所占的面積有可能會越大，而第1反射面132的面積越大，發(fā)光二極管封裝件100的發(fā)光效率會越提高。

此時，如果第1區(qū)域h1的面積大于發(fā)光二極管封裝件100的全體面積的30％，則發(fā)光二極管封裝件100的發(fā)光效率有可能會下降。另外，如果小于10％，則能夠貼裝于發(fā)光二極管封裝件100的發(fā)光二極管芯片110的大小受限，使得發(fā)光二極管封裝件100的利用性會下降，并且會使貼裝發(fā)光二極管芯片110、進行引線鍵合的空間減小，在工序過程中可能發(fā)生不良。因此，如上所述，第1區(qū)域h1的面積為發(fā)光二極管封裝件100全體面積的10％至30％會比較有利。

而且，如上所述，隨著發(fā)光二極管封裝件100的反射面132的面積加寬，第1區(qū)域h1的寬度相對減小，因此，在第1區(qū)域h1露出的第1引線部件122的面積減小。如此地，隨著第1引線部件122的面積減小，即使第1引線部件122變色，與以往相比，第1引線部件122變色的面積減小，使得根據(jù)第1引線部件122的變色的發(fā)光二極管封裝件100的發(fā)光效率會更好。

另外，如圖2所示，如果比較第1區(qū)域h1的寬度與第1反射面132的寬度，則在發(fā)光二極管封裝件100的平面上一個方向，相對于第1區(qū)域h1的寬度b1，第1反射面132的寬度b2可以約為33％至133％。即，在發(fā)光二極管封裝件100的大小既定的狀態(tài)下，第1區(qū)域h1的面積會因發(fā)光二極管芯片110的大小而異。因此，第1反射面132的面積也可以變化，但考慮到本實施例的發(fā)光二極管封裝件100的發(fā)光效率，可以如上所述決定第1區(qū)域h1的寬度b1與第1反射面132的寬度b2的關(guān)系。

在本實施例中，在外殼130的上端形成有預(yù)定的面，在第1反射面132與外殼130的上端面之間可以形成有錯層。即，外殼130的上端面可以比第1反射面132稍高地配置。隨著如此在第1反射面132與外殼130的上端面之間形成有錯層，當(dāng)以覆蓋發(fā)光二極管芯片110并覆蓋第1反射面132的方式形成有密封材料時，形成得可以防止密封材料越過外殼130上端面而溢出到外部。

而且，第1反射面132的內(nèi)側(cè)末端可以位于第1引線部件122上部，使得與在外殼130內(nèi)側(cè)露出的第1引線部件122的上面形成錯層。即，第1反射面132即使從外殼130的外側(cè)上端越向內(nèi)側(cè)越傾斜，也不延伸至在第1區(qū)域h1露出的第1引線部件122上面。

如此地，隨著第1反射面132不與在第1區(qū)域h1露出的第1引線部件122上面接觸，相比于第1反射面132與第1引線部件122的上面接觸的情形，第1反射面132可以具有相對舒緩的傾斜。

而且，第2反射面134從第1反射面132的內(nèi)側(cè)末端延伸，可以延伸得與在第1區(qū)域h1露出的第1引線部件122接觸。此時，第2反射面134與露出的第1引線部件122接觸的地點，可以與貼裝于露出的第1引線部件122的發(fā)光二極管芯片110隔開既定距離以上。

另外，在外殼130的內(nèi)側(cè)傾斜面，可以在第1區(qū)域h1形成的位置的一部分上形成有槽136。在第1區(qū)域h1形成的槽136使第1引線部件122的一部分追加露出，在借助于槽136而露出的第1引線部件122的位置，可以鍵合引線。在本實施例中，在圖中圖示了槽136在第1區(qū)域h1的側(cè)面中央形成的情形，但槽136可以在第1區(qū)域h1的角側(cè)或其它側(cè)面形成。

如此地，如果槽136配置于第1區(qū)域h1的側(cè)面中央，則電氣連接發(fā)光二極管芯片110與第1引線部件122的金屬線的長度縮短，能夠減小因金屬線導(dǎo)致的光干擾。另外，如果槽136在第1區(qū)域h1的角側(cè)形成，則可以以較小的大小形成槽136，隨著槽136的大小減小，第1反射面132的面積會增大，使得能夠提高發(fā)光二極管芯片110發(fā)光的光的反射率。

而且，在本實施例中，可以在第1反射面132形成有供第2引線部件124露出的第2區(qū)域h2。隨著形成第2區(qū)域h2，第2引線部件124的上面一部分露出，齊納二極管140可以貼裝于露出的第2引線部件124的上面。另外，在第2區(qū)域h2露出的第2引線部件124可以借助于引線鍵合而與發(fā)光二極管芯片110電氣連接。

齊納二極管140的配備是用于防止發(fā)光二極管芯片110因外部供應(yīng)電源而可能發(fā)生的靜電而受到損傷。在本實施例中，對齊納二極管140貼裝于第2區(qū)域h2的情形進行說明，但根據(jù)需要，齊納二極管140可以位于外殼130的內(nèi)部而不露出于外部。另外，齊納二極管140可以貼裝于第1引線部件122及第2引線部件124中任意一處。

此時，齊納二極管140在貼裝于第1引線部件122及第2引線部件124中的任意一個的狀態(tài)下，可以被外殼130封裝，并且以借助于構(gòu)成外殼130的樹脂等來以完全覆蓋的狀態(tài)進行封裝。如果齊納二極管140如此封裝于外殼130內(nèi)，則齊納二極管140不露出于外部，與齊納二極管140露出于外部的情形相比，第1反射面132的面積會增加，能夠提高發(fā)光二極管封裝件100的發(fā)光效率。

而且，參照圖3，對第1反射面132及第2反射面134進行更詳細說明。

如上面所述的說明，第1反射面132從在外殼130的外側(cè)上端面形成錯層的位置，向發(fā)光二極管封裝件100中央側(cè)向下傾斜地形成。而且，從第1反射面132的內(nèi)側(cè)末端至第1區(qū)域h1的第1引線部件122上面形成有第2反射面134。此時，如圖3所示，第1反射面132與第2反射面134具有互不相同的傾斜角度，第1反射面132的傾斜角度a可以小于第2反射面134的傾斜角度b(a＜b)。

如此地，隨著傾斜角度b相對較大的第2反射面134在第1反射面132的內(nèi)側(cè)末端形成，可以最大限定地確保第1區(qū)域h1的大小。此時，第2反射面134的傾斜角度b可以具有45度至90度的角度(45≤b≤90)。因此，與第1反射面132以相同傾斜角度a延伸并與第1引線部件122接觸的情形相比，隨著形成第2反射面134，第1區(qū)域h1的寬度可以相對加寬，因此，對貼裝于第1區(qū)域h1的發(fā)光二極管芯片110大小的自由度可以進一步加大。

此時，如果第2反射面134的傾斜角度小于45度，則能夠在第1區(qū)域h1貼裝發(fā)光二極管芯片110的空間相應(yīng)減小，難以確保用于發(fā)光二極管芯片110貼裝工序的空間和用于引線鍵合的空間。

另外，第1反射面132的內(nèi)側(cè)末端與第1引線部件122上面的距離，即，第2反射面134的高度d1可以小于發(fā)光二極管芯片110的厚度d3，更優(yōu)選地，可以小于第1引線部件122的上面至發(fā)光二極管芯片110的活性層114的距離d2(d1＜d2＜d3)。即，第1反射面132內(nèi)側(cè)末端位置的高度d1可以位于低于發(fā)光二極管芯片110的高度d3的位置，可以低于n型半導(dǎo)體層116的高度d2，以便從發(fā)光二極管芯片110發(fā)光的光可以在第1反射面132反射。其中，第2反射面的高度d1可以為50μm至300μm。

其中，由于發(fā)光二極管芯片110的活性層114發(fā)生光并釋放，因此，如果第2反射面134的內(nèi)側(cè)末端高度d1在高于活性層114位置d2的位置，那么從活性層114發(fā)光的光在第2反射面134反射的情形增多，因而發(fā)光二極管封裝件100的發(fā)光效率會下降。這是因為第2反射面134傾斜角度大于第1反射面132，因而第2反射面134的反射效率會比第1反射面132的反射效率下降。

圖4是圖示本實用新型第2實施例的發(fā)光二極管封裝件的立體圖，圖5是圖示本實用新型第2實施例的發(fā)光二極管封裝件的俯視圖。而且，圖6是沿圖2的截取線AA′截取的剖面圖，圖7是圖示本實用新型第2實施例的發(fā)光二極管封裝件中包括密封材料的情形的示例圖。

如果參照圖4及圖5，本實用新型第2實施例的發(fā)光二極管封裝件100包括發(fā)光二極管芯片110、引線框架120、外殼130及齊納二極管140。對本實用新型第2實施例的發(fā)光二極管封裝件進行說明，與第1實施例相同的說明省略。

在本實施例中，在外殼130的上端形成有預(yù)定的面，如圖5所示，在第1反射面132與外殼130的上端面138之間可以形成有錯層a1。即，外殼130的上端面138可以配置得稍高于第1反射面132。

在本實施例中，發(fā)光二極管封裝件100如圖7所示，可以還包括密封材料150。密封材料150可以以樹脂或硅形成，可以覆蓋發(fā)光二極管芯片110和第1反射面132及第2反射面134地形成。此時，密封材料150在制造過程中可以利用液態(tài)的密封材料150，可以在由液態(tài)密封材料150填充外殼130內(nèi)側(cè)的狀態(tài)下硬化形成。在外殼130的上端面138與第1反射面132之間形成有錯層a1，因而能夠防止在此過程中，液態(tài)的密封材料150在覆蓋發(fā)光二極管芯片110與第1反射面132及第2反射面134的過程中溢出到外殼130的外部。

即，在第1反射面132與外殼130的上端面138之間形成有錯層a1，因而如圖7所示，在覆蓋發(fā)光二極管芯片110的同時覆蓋第1反射面132地形成密封材料150時，能夠防止密封材料150越過外殼130上端面138而溢出到外部形成。

再次參照圖5，對外殼130的上端面138進行進一步說明。外殼130的上端面138在俯視圖上以環(huán)繞發(fā)光二極管封裝件100最外廓的方式形成，上端面138的內(nèi)廓線決定第1反射面132的外廓形狀。因此，如圖所示，上端面138的外廓線為矩形形狀，上端面138的內(nèi)廓線具有直線形狀的側(cè)面與曲線形狀的角側(cè)相互延伸的形狀。即，上端面138的內(nèi)廓線可以具有類似于橢圓形的形狀。

在本實施例中，外殼130的上端面138的寬度可以因位置而異。換句話說，在發(fā)光二極管封裝件100側(cè)面的上端面138寬度w1與在角側(cè)的上端面138寬度w2可以互不相同，角側(cè)的上端面138寬度w2可以大于側(cè)面的上端面138寬度w1。即，在上端面138的內(nèi)廓線具有直線形狀的位置，上端面138的寬度w1具有既定寬度，在內(nèi)廓線具有曲線形狀的位置，與上端面138外廓線的寬度w2越向角側(cè)，寬度可以越大。此時，外殼130的上端面138角側(cè)的最大寬度w2與側(cè)面寬度w1相比，可以為約3倍至7倍。

如此地，隨著外殼130的上端面138寬度以從側(cè)面越向角側(cè)越大的方式形成，在制造發(fā)光二極管封裝件100的工序中，諸如發(fā)光二極管封裝件100之間碰撞的情形，即使對發(fā)光二極管封裝件100施加外力，也能夠使發(fā)生諸如外殼130破裂等不良的情形實現(xiàn)最小化。

其中，如果外殼130的上端面138角側(cè)的最大寬度w2比側(cè)面寬度w1小3倍，那么，當(dāng)量產(chǎn)或運輸發(fā)光二極管封裝件100時，外殼130因相互碰撞或與其它裝備沖突而破損的危險高。另外，如果大于7倍，則角側(cè)的寬度w2過寬，因而反射面132的面積相對減小，因此，發(fā)光二極管封裝件100的發(fā)光效率會下降。

另外，在本實施例中，對發(fā)光二極管封裝件100具有四條邊的情形進行說明。此時，在本實施例中，從位于四條邊中至少兩條邊的上端面138側(cè)延伸的反射面132寬度，與相應(yīng)上端面138的寬度相比，可以為4倍至7倍。如此地，如果反射面132的寬度比相應(yīng)上端面138寬度小于4倍，那么，上端面138的寬度相對加寬，反射面132的寬度變小，使得反射效率下降。另外，如果大于7倍，則反射面132的寬度過大，難以充分確保作為貼裝發(fā)光二極管芯片110所需區(qū)域的第1區(qū)域h1的寬度，因此會使貼裝發(fā)光二極管芯片110并進行引線鍵合的工序性下降。

圖8是圖示本實用新型第3實施例的發(fā)光二極管封裝件的立體圖，圖9是圖示本實用新型第3實施例的發(fā)光二極管封裝件的俯視圖。而且，圖10是沿圖2的截取線AA′截取的剖面圖。

如果參照圖8及圖9，本實用新型第3實施例的發(fā)光二極管封裝件100包括發(fā)光二極管芯片110、引線框架120、外殼130及齊納二極管140。對本實用新型第3實施例的發(fā)光二極管封裝件進行說明，與第1實施例及第2實施例相同的說明省略。

在本實施例中，在第1反射面132可以形成有供第2引線部件124露出的第2區(qū)域h2。第2區(qū)域h2形成得使第2引線部件124的上面一部分露出，齊納二極管140可以貼裝于露出的第2引線部件124的上面。而且，在第2區(qū)域h2露出的第2引線部件124可以借助于引線鍵合而與發(fā)光二極管芯片110電氣連接。

如上所述，可以把位于第1區(qū)域h1與第2區(qū)域h2之間的外殼130定義為隔壁139。隔壁139配置于第1引線部件122及第2引線部件124之間，以便使第1引線部件122與第2引線部件124電氣絕緣，如圖8至圖10所示，具有比第1引線部件122及第2引線部件124更向上部凸出的形狀。隔壁139的上面具有向第1區(qū)域h1側(cè)傾斜的第2反射面134和在最上端從第2反射面134延伸的第1反射面132。而且，以第1反射面132為基準，可以在第2反射面134的相反側(cè)具有第2傾斜面139b。

其中，隔壁139的高度可以大于齊納二極管140的高度。因此，從發(fā)光二極管芯片110發(fā)光的光借助于隔壁139而可以不直接照射齊納二極管140。

第2傾斜面139b從第1反射面132朝向在第2區(qū)域h2露出的第2引線部件124傾斜地形成，第2傾斜面139b與第2引線部件124可以不接觸或接觸。即，第2傾斜面139b可以與第2反射面134傾斜的傾斜度相反。

如此地，隨著第2傾斜面139b形成，第2區(qū)域h2的上部空間可以加寬，因此，發(fā)光二極管芯片110與借助于第2區(qū)域h2而露出的第2引線部件124在借助于金屬線而鍵合時的自由度會增大。

引線鍵合以在引線鍵合的位置把金屬線從上部向下印來鍵合的方式實現(xiàn)，在此過程中，雖然第2區(qū)域h2的面積也會對工序有影響，但由于引線鍵合工序特性上的原因，第2區(qū)域h2的上部空間也會產(chǎn)生影響。即，隨著在第2區(qū)域h2形成第2傾斜面139b，用于引線鍵合的裝置可以從第2區(qū)域h2上部向第1區(qū)域h1側(cè)自由地移動。

另外，隨著在第2區(qū)域h2形成第2傾斜面139b，如圖1所示，在第1區(qū)域h1和第2區(qū)域h2分別鍵合的金屬線的長度可以縮短，能夠減小因金屬線導(dǎo)致的光干擾。

而且，如圖10所示，第2傾斜面139b可以具有兩個傾斜面，并不限定于此，可以具有一個傾斜面，可以具有更多傾斜面。另外，第2傾斜面139b在剖面上不以直線形成，而是可以以曲線形成。即，第2傾斜面139b可以以曲面形成。

在第2區(qū)域h2中，可以在與形成有第2傾斜面139b的相向的面形成有第1傾斜面139a。第1傾斜面139a是從位于第2區(qū)域h2外側(cè)方向的第1反射面132向第2引線部件124方向向下傾斜的面。如此地，隨著形成第1傾斜面139a，從發(fā)光二極管芯片110發(fā)光的光可以在第1傾斜面139a得到反射，反射到發(fā)光二極管封裝件100的上部并釋放。為此，第1傾斜面139a可以由反射面構(gòu)成。

進一步地，當(dāng)從第1傾斜面139a反射的光朝向第2傾斜面139b時，第2傾斜面139b也可以由反射面構(gòu)成，以便在第2傾斜面139b再次得到反射，從而被釋放到發(fā)光二極管封裝件100的上部。

此時，第1傾斜面139a及第2傾斜面139b分別與第1反射面132相比，傾斜角度可以相對更大。另外，根據(jù)需要，第1傾斜面及第2傾斜面可以分別包括兩個以上的傾斜面。如此地，隨著第1傾斜面及第2傾斜面分別包括兩個以上的傾斜面，可以更高效地反射從發(fā)光二極管芯片發(fā)光的光。

如上所述，隨著形成第1傾斜面139a和第2傾斜面139b，可以有利于確保用于在第2區(qū)域h2貼裝齊納二極管140的空間。

圖11是圖示本實用新型第4實施例的發(fā)光二極管封裝件的剖面圖。

如果參照圖11，本實用新型第4實施例的發(fā)光二極管封裝件100包括發(fā)光二極管芯片110、引線框架120、外殼130及齊納二極管140。對本實用新型第4實施例的發(fā)光二極管封裝件100進行說明，與第1實施例至第3實施例相同的說明省略。

在本實施例中，隔壁139具有比第1引線部件122及第2引線部件124更向上部凸出的形狀。而且，隔壁139的上面132a具有與第1引線部件122及第2引線部件124的上面132a平行的面。隔壁139的上面132a的一側(cè)與第3實施例中一樣，可以形成有第2反射面134，另一側(cè)可以形成有第2傾斜面139b。

圖12是圖示本實用新型第5實施例的發(fā)光二極管封裝件的剖面圖。

如果參照圖12，本實用新型第5實施例的發(fā)光二極管封裝件100包括發(fā)光二極管芯片110、引線框架120、外殼130及齊納二極管140。對本實用新型第5實施例的發(fā)光二極管封裝件100進行說明，與第1實施例至第3實施例相同的說明省略。

在本實施例中，隔壁139具有比第1引線部件122及第2引線部件124更向上部凸出的形狀。而且，隔壁139的上面具有向第1區(qū)域h1側(cè)傾斜的第2反射面134和在最上端從第2反射面134延伸的第1反射面132。而且，以第1反射面132為基準，在第2反射面134的相反側(cè)可以具有垂直面139c。此時，垂直面139c是沿垂直于第2引線部件124的方向形成的面。

在本實施例中，隨著隔壁139具有垂直面139c，由于位于最上端的第1反射面132的面積有可能加大，發(fā)光二極管芯片110發(fā)光的光能夠反射的面積增加，能夠提高發(fā)光二極管封裝件100的發(fā)光效率。

圖13是圖示本實用新型第6實施例的發(fā)光二極管封裝件的剖面圖。

如果參照圖13，本實用新型第6實施例的發(fā)光二極管封裝件100包括發(fā)光二極管芯片110、引線框架120、外殼130及齊納二極管140。對本實用新型第6實施例的發(fā)光二極管封裝件100進行說明，與第1實施例至第3實施例相同的說明省略。

在本實施例中，隔壁139具有比第1引線部件122及第2引線部件124更向上部凸出的形狀。而且，隔壁139的一側(cè)可以具有向第1區(qū)域h1側(cè)傾斜的第2反射面134，另一側(cè)可以在第2反射面134的相反側(cè)具有第2傾斜面139b。第2傾斜面139b向第2區(qū)域h2傾斜。因此，隔壁139的最上端可以借助于第2反射面134和第2傾斜面139b而具有尖銳的形狀。

由于這種隔壁139的形狀，第2傾斜面139b的角度與第3實施例相比可以具有相對舒緩的傾斜，因此，第2區(qū)域h2的上部空間可以加大，因此，對第2區(qū)域h2的引線鍵合的自由度可以加大。另外，第2傾斜面139b的傾斜舒緩，從第1傾斜面139a反射的光在第2傾斜面139b再得到反射并釋放到發(fā)光二極管封裝件100上部的情形相對升高，因而能夠提高發(fā)光二極管封裝件100的發(fā)光效率。

圖14是圖示本實用新型第7實施例的發(fā)光二極管封裝件的剖面圖。

如果參照圖14，本實用新型第7實施例的發(fā)光二極管封裝件100包括發(fā)光二極管芯片110、引線框架120、外殼130及齊納二極管140。對本實用新型第7實施例的發(fā)光二極管封裝件100進行說明，與第1實施例至第3實施例相同的說明省略。

在本實施例中，隔壁139具有比第1引線部件122及第2引線部件124更向上部凸出的形狀。而且，隔壁139的一側(cè)可以具有向第1區(qū)域h1側(cè)傾斜的第2反射面134，另一側(cè)可以在第2反射面134的相反側(cè)具有垂直面139c。垂直面139c是沿垂直于第2引線部件124的方向形成的面。因此，隔壁139的最上端可以借助于第2反射面134和垂直面139c而具有尖銳的形狀。

如此地，在本實施例中，隨著隔壁139具有第2反射面134和垂直面139c，在隔壁139形成的第2反射面134可以具有比從另外的第2反射面(從第1反射面132直接延伸的第2反射面134)更舒緩的傾斜。因此，從發(fā)光二極管芯片110發(fā)光的光從第2反射面134得到反射，使得能夠相對提高向發(fā)光二極管封裝件100上部釋放的發(fā)光效率。

如以上所作的說明，根據(jù)參照附圖的實施例，對本實用新型進行了具體說明，但所述實施例只是列舉本實用新型的優(yōu)選示例進行說明，因而不得理解為本實用新型只局限于所述實施例，本實用新型應(yīng)理解為本實用新型的技術(shù)方案及其等價概念。