技術(shù)特征：

1.一種碳化硅功率晶體管，其特征在于，包括自下而上依次設(shè)置的第二P型歐姆接觸電極(9)、P型SiC襯底(1)、N型SiC緩沖層(2)、N型SiC漂移層(3)和N型SiC電流增強層(4)，所述N型SiC電流增強層(4)上刻蝕形成有若干個臺階，相鄰臺階之間設(shè)有溝槽，所述臺階的頂端設(shè)置有N型SiC歐姆接觸層(5)，N型SiC歐姆接觸層(5)的上部設(shè)置有N型歐姆接觸電極(7)，所述溝槽內(nèi)設(shè)置有P型SiC歐姆接觸區(qū)(6)，P型SiC歐姆接觸區(qū)(6)與所述臺階側(cè)面、溝槽的底部和N型SiC歐姆接觸層(5)均接觸，位于溝槽底部的P型SiC歐姆接觸區(qū)(6)的上部設(shè)置有第一P型歐姆接觸電極(8)；

所述N型SiC緩沖層(2)的厚度為0.5～2.0μm，所述N型SiC漂移層(3)的厚度為材料中空穴擴散長度的0.4～0.9倍，所述N型SiC電流增強層(4)在溝槽底部的厚度為0.5～2μm，所述臺階高度為1.5～3.5μm，臺階寬度為的1.0～2.0倍，所述N型歐姆接觸層(5)的厚度為0.2～0.5μm，所述N型歐姆接觸電極(7)的形狀與N型SiC歐姆接觸層(5)相同，所述第二P型歐姆接觸電極(9)、N型歐姆接觸電極(7)和第一P型歐姆接觸電極(8)均包括依次沉積的Ni層和Pt層，所述第二P型歐姆接觸電極(9)的Ni層厚度為200nm～400nm，Pt層厚度為50nm～200nm；N型歐姆接觸電極(7)的Ni層厚度為200nm～400nm，Pt層厚度為50nm～200nm；第一P型歐姆接觸電極(8)的Ni層厚度為200nm～400nm，Pt層厚度為50nm～200nm。