本實(shí)用新型屬于芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種PIP封裝結(jié)構(gòu)，PIP是Package In Package的簡寫，是整合封裝先進(jìn)理念的一種一體化封裝技術(shù)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的類似倒裝焊接封裝技術(shù)，是使用underfill(底部填充膠)對回流焊后的元器件進(jìn)行直接點(diǎn)膠填充，工藝較為復(fù)雜。這種工藝的缺點(diǎn)是：現(xiàn)有的倒裝焊接+underfill技術(shù)，點(diǎn)膠工藝制程很難對MCP下方的間隙很好的填充，從而造成空洞無法通過信耐性要求。導(dǎo)致原因是：under fill底部填充是直接在MCP下方點(diǎn)膠，點(diǎn)膠后膠水自溢到MCP下方植球間隙里，沒有外力輔助，膠水無法對MCP下的空隙進(jìn)行有效填充，并且需要確保不會在封裝過程以及后續(xù)回流焊中發(fā)生由于內(nèi)部應(yīng)力的集中或者由于MCP的內(nèi)部形變導(dǎo)致的MCP與基板接觸的問題，甚至發(fā)生錫球斷裂。另外由于此類封裝形式引入的已封裝的MCP多是其它封裝廠的產(chǎn)品，其原本內(nèi)部應(yīng)力狀態(tài)，以及封裝后的材料特性可能不能獲得，更增加了封裝設(shè)計(jì)的不確認(rèn)性。針對此款產(chǎn)品，在前期試制時(shí)已經(jīng)發(fā)現(xiàn)其MCP會在再次封裝時(shí)發(fā)生蹺曲。而且由于封裝成本的要求，不能使用高價(jià)但是填充性能更好的封裝樹脂。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本實(shí)用新型的目的是提供一種的PIP封裝結(jié)構(gòu)，可控制芯片與基板間的間隙大于200μm，從而可以使得樹脂得到充分填充，確保封裝質(zhì)量以及可靠性的要求，并且能夠采用價(jià)格較低的封裝樹脂很好的解決現(xiàn)有技術(shù)的問題，具有成本優(yōu)勢。
為實(shí)現(xiàn)上述實(shí)用新型目的，本實(shí)用新型采用了如下技術(shù)方案：
一種PIP封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：一基板，具有相對的一頂面和一底面，所述基板頂面上設(shè)置有引線焊盤；一芯片，設(shè)置于所述基板的頂面上方，所述芯片下表面焊接有錫球，用于連接所述引線焊盤；封裝結(jié)構(gòu)的封裝空間內(nèi)填充有絕緣樹脂。
進(jìn)一步的，所述芯片為封裝好的BGA芯片。
進(jìn)一步的，所述芯片和基板之間的間距大于200μm。
進(jìn)一步的，所述引線焊盤厚度為10±0μm，所述引線焊盤使用的錫膏型號為Qualitek 798LF。
進(jìn)一步的，所述錫球封裝后厚度為150±50μm，所述錫球的型號為SAC305。
進(jìn)一步的，所述基板厚度為130±30μm。
進(jìn)一步的，所述絕緣樹脂型號為G760L(max filler size 55um)。
有益效果：
本實(shí)用新型所述PIP封裝結(jié)構(gòu)相較于現(xiàn)有技術(shù)具有如下優(yōu)點(diǎn)：
(1)封裝結(jié)構(gòu)
本品把其它較小尺寸的已經(jīng)封裝好的BGA芯片，通過再次封裝的形式，用錫球與基板上板面的引線盤進(jìn)行焊接，通過基板線路設(shè)計(jì)以及最終需求的尺寸封裝形式，靈活的把現(xiàn)有的產(chǎn)品轉(zhuǎn)換成其它尺寸的新產(chǎn)品，零活滿足客戶電子產(chǎn)品中對于封裝器件尺寸的需求，并且很好的維持被封裝器件的的原功能。
(2)采取了封裝樹脂對器件中的所有空隙進(jìn)行有效填充：
本品使用常規(guī)BGA產(chǎn)品的封閉樹脂，而非特殊的mold underfill型樹脂使用來對封閉芯片下形成的窄空隙處進(jìn)行了有效填充，可以保持較好的成本優(yōu)勢。
(3)樹脂封裝工藝參數(shù)的試驗(yàn)與調(diào)整；
樹脂封裝工藝參數(shù)進(jìn)行了調(diào)整和優(yōu)化，工藝參數(shù)有注模開始前有提前5秒鐘使用真空泵進(jìn)行排氣，以確保注模中無氣體殘留。
(4)SMT網(wǎng)印工具的特殊設(shè)計(jì)
SMT鋼網(wǎng)進(jìn)行過特殊設(shè)計(jì)，精確控制好封裝器件內(nèi)原器件與基板焊接盤中的錫料，保證芯片與基板間的錫膏連接有足夠的機(jī)械強(qiáng)度。
(5)基板的Pad處綠漆的開口設(shè)計(jì)以及材料選擇。
基板的焊接盤的尺寸配合到SMT錫膏的量的控制來控制芯片與基板間的間隙大于200um，以便于塑封料的充分填充。
附圖說明
圖1為本實(shí)用新型所述PIP封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
其中，1、基板；2、錫球；3、芯片；4、絕緣樹脂；5、引線焊盤。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖及優(yōu)選實(shí)施例對本實(shí)用新型的技術(shù)方案作進(jìn)一步的說明。
實(shí)施例：
如圖1所示：本實(shí)施例所揭示的一種PIP封裝結(jié)構(gòu)，包括：一基板1，具有相對的一頂面和一底面，所述基板1頂面上設(shè)置有引線焊盤5；一芯片3，設(shè)置于所述基板1的頂面上方，所述芯片3下表面焊接有錫球2，用于連接所述引線焊盤5；封裝結(jié)構(gòu)的封裝空間內(nèi)填充有絕緣樹脂4。
進(jìn)一步的，所述芯片3為封裝好的BGA芯片。
進(jìn)一步的，所述芯片3和基板1之間的間距大于200μm。
進(jìn)一步的，所述引線焊盤5厚度為10±0μm，所述引線焊盤使用的錫膏型號為Qualitek 798LF。
進(jìn)一步的，所述錫球2封裝后厚度為150±50μm，所述錫球2的型號為SAC305。
進(jìn)一步的，所述基板1厚度為130±30μm。
進(jìn)一步的，所述絕緣樹脂型號為G760L(max filler size 55um)。
需要指出的是，以上所述者僅為用以解釋本實(shí)用新型之較佳實(shí)施例，并企圖據(jù)以對本實(shí)用新型作任何形式上之限制，是以，凡有在相同之實(shí)用型精神下所作有關(guān)本實(shí)用新型之任何修飾或變更，皆仍應(yīng)包括在本實(shí)用新型意圖保護(hù)之范疇。