本實用新型涉及一種LED芯片，具體涉及一種新型高效高壓LED芯片，屬于光電子發(fā)光器件技術領域。

背景技術：

目前，LED芯片的光提取效率已經(jīng)成為限制LED發(fā)光效率的主要因素?，F(xiàn)有提高芯片的光提取效率的技術途徑，都集中于改善芯片的正面的出光效率對LED芯片的側(cè)面發(fā)光出光效率并無改善。此外，LED芯片出光效率低的主要原因之一是外延材料的折射率遠大于空氣折射率，而傳統(tǒng)的高壓直流LED芯片的圖形往往采用矩形單元的布局，使有源區(qū)產(chǎn)生的光由于全內(nèi)反射不能從LED中有效的發(fā)射出去，導致LED的外量子效率很低

技術實現(xiàn)要素：

本實用新型提供了一種新型高效高壓LED芯片，提升了LED整體的出光效率，同時增大了LED芯片的電壓，對提高芯片的亮度和功率卓有成效。

為解決上述技術問題，本實用新型采用的技術方案是：

一種新型高效高壓LED芯片，包括藍寶石層、芯片單元、隔離槽、連接線、GaN緩沖層、N型GaN、量子阱發(fā)光層和P型GaN，其特征在于，還包括導光柱，所述的藍寶石層上依次設有GaN緩沖層、N型GaN、量子阱發(fā)光層和P型GaN，上述限制層上蝕刻隔離出多個獨立的呈陣列分布的芯片單元，各個芯片單元之間設有隔離槽，彼此之間由連接線進行串聯(lián)，每個芯片單元的邊緣刻有導光柱。

上述的位于中間的芯片單元為三角形，位于四周邊緣的為直角梯形。

上述的芯片單元的發(fā)光面積和電流密度相等。

上述的隔離槽的深度向下延伸至藍寶石層。

上述的導光柱的橫截面形狀為波浪形、三角形或半圓形。

上述的所有芯片單元分別為平行排列，通過連接線將所有芯片單元進行串聯(lián)。

本實用新型至少具有如下技術效果或優(yōu)點：

提升了LED整體的出光效率，同時增大了LED芯片的電壓，對提高芯片的亮度和功率卓有成效。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖；

圖1是本申請實施的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本申請實施的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1-圖2，1為藍寶石層，2為芯片單元，3為隔離槽，4為導光柱，5為連接線，6為GaN緩沖層，7為N型GaN，8為量子阱發(fā)光層，9為P型GaN。

具體實施方式

為了更好的理解上述技術方案，下面將結(jié)合說明書附圖以及具體的實施方式對上述技術方案進行詳細的說明。

實施例1

如圖1-圖2所示，一種新型高效高壓LED芯片，包括藍寶石層1、芯片單元2、隔離槽3、連接線5、GaN緩沖層6、N型GaN7、量子阱發(fā)光層8和P型GaN9，還包括導光柱4，所述的藍寶石層1上依次設有GaN緩沖層6、N型GaN7、量子阱發(fā)光層8和P型GaN9，上述限制層上蝕刻隔離出多個獨立的呈陣列分布的芯片單元2，各個芯片單元2之間設有隔離槽3，彼此之間由連接線5進行串聯(lián)，每個芯片單元2的邊緣刻有導光柱4。

其中在實際應用中，所述的位于中間的芯片單元2為三角形，位于四周邊緣的為直角梯形，更利于側(cè)壁出光，顯著提升了芯片單元2的出光效率。

其中在實際應用中，所述的芯片單元2的發(fā)光面積和電流密度相等，避免了不同芯片單元2之間電流密度不同導致的發(fā)光效率不同、產(chǎn)生熱量不同等問題。

其中在實際應用中，所述的隔離槽3的深度向下延伸至藍寶石層1。

其中在實際應用中，所述的導光柱4的橫截面形狀為波浪形、三角形或半圓形，能夠改變光束傳播至空氣時的入射角，從而避免全反射，同時能夠避免光束在芯片單元2內(nèi)部重復反射而造成的損耗。

其中在實際應用中，所述的所有芯片單元2分別為平行排列，通過連接線5將所有芯片單元2進行串聯(lián)，從而形成高壓直流LED。

以上所述，僅是本實用新型的較佳實施例而已，并非對本實用新型作任何形式上的限制，雖然本實用新型已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本實用新型，任何熟悉本專業(yè)的技術人員，在不脫離本實用新型技術方案范圍內(nèi)，當可利用上述揭示的技術內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本實用新型技術方案的內(nèi)容，依據(jù)本實用新型的技術實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實用新型技術方案的范圍內(nèi)。