本實(shí)用新型涉及電感技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種環(huán)形立繞電感。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有技術(shù)中環(huán)形金屬粉芯(如鐵硅鋁、鐵硅、鐵鎳、鐵鎳鉬)電感由于金屬粉芯成本高及高頻損耗大，造成電感成本高和損耗大。

現(xiàn)有技術(shù)中鐵氧體磁芯制作的電感，磁芯選用EE型、PQ型等非環(huán)形形狀，這類結(jié)構(gòu)導(dǎo)致沿整個(gè)磁路方向磁芯截面積不一樣及磁通密度不一樣，同時(shí)絕緣及安規(guī)要求都會(huì)造成電感成本較高及損耗較大，且對(duì)交直流電流抗飽和能力弱。

另外，現(xiàn)有技術(shù)中環(huán)形電感多數(shù)使用圓銅線手工繞制且為多層繞線，散熱效果一般，繞線寄生電容大，繞線人工成本高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

(一)解決的技術(shù)問(wèn)題

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型提供了一種環(huán)形立繞電感，解決了現(xiàn)有電感成本高、損耗大、且抗飽和能力弱的技術(shù)問(wèn)題。

(二)技術(shù)方案

為實(shí)現(xiàn)以上目的，本實(shí)用新型通過(guò)以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)：

一種環(huán)形立繞電感，所述環(huán)形立繞電感包括環(huán)形磁芯和繞組；所述環(huán)形磁芯包括導(dǎo)磁體和非導(dǎo)磁體；所述非導(dǎo)磁體的寬度為所述環(huán)形磁芯周長(zhǎng)的2％～8％；

所述繞組均勻立繞在所述導(dǎo)磁體上；所述繞組的引入端和引出端分別位于所述非導(dǎo)磁體的兩側(cè)。

進(jìn)一步的，所述繞組的引入端和引出端與所述非導(dǎo)磁體的距離a的取值為g/2～g；其中，g為所述非導(dǎo)磁體的寬度。

進(jìn)一步的，所述環(huán)形立繞電感還包括位于所述環(huán)形磁芯和繞組之間的絕緣層。

進(jìn)一步的，所述絕緣層包括里層的環(huán)氧樹脂涂層和外層的絕緣包裹層。

進(jìn)一步的，所述絕緣包裹層為絕緣膠帶包裹層、絕緣塑料外殼包裹層或絕緣薄膜包裹層。

進(jìn)一步的，所述繞組為扁銅線。

進(jìn)一步的，所述扁銅線的寬度小于等于所述非導(dǎo)磁體寬度的1/3。

進(jìn)一步的，所述導(dǎo)磁體為鐵氧體。

進(jìn)一步的，所述非導(dǎo)磁體的材料為FR4板材、GPO-3板材或PPS板材。

進(jìn)一步的，所述非導(dǎo)磁體的寬度為所述環(huán)形磁芯周長(zhǎng)的5％。

(三)有益效果

本實(shí)用新型提供了一種環(huán)形立繞電感。具備以下有益效果：

1、本實(shí)用新型采用扁銅線立繞，增大了散熱面積，降低溫升。

2、本實(shí)用新型的扁銅線立繞一層繞線并且起末端被隔開，繞線寄生電容低，電感諧振頻率高。

3、本實(shí)用新型采用環(huán)形磁芯，使得整個(gè)磁路截面積一致、磁通密度一致，無(wú)冗余磁芯部分，從而使得電感損耗低。

4、本實(shí)用新型的非導(dǎo)磁體，提高了電感的抗飽和能力；非導(dǎo)磁體處無(wú)銅線繞組，非導(dǎo)磁體處繞組渦流損耗近于零。

5、本實(shí)用新型的電感結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實(shí)施例的環(huán)形立繞電感結(jié)構(gòu)示意圖；

其中，1為導(dǎo)磁體；2為非導(dǎo)磁體；3為繞組。

具體實(shí)施方式

為使本實(shí)用新型實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

本實(shí)用新型實(shí)施例給出了一種環(huán)形立繞電感，如圖1所示，該環(huán)形立繞電感包括環(huán)形磁芯和繞組3。

環(huán)形磁芯包括導(dǎo)磁體1和非導(dǎo)磁體2。本實(shí)施例的導(dǎo)磁體1優(yōu)選為鐵氧體，由于鐵氧體高頻損耗低，且磁芯沿整個(gè)磁路截面積一致、磁通密度一致，無(wú)冗余磁芯部分，最終使電感損耗低。

本實(shí)施例的非導(dǎo)磁體2是將非導(dǎo)磁材料填充到環(huán)形磁芯上的氣隙中，與導(dǎo)磁體1形成一個(gè)閉合環(huán)形磁路。

當(dāng)氣隙寬度過(guò)窄時(shí)，容易造成帶氣隙磁環(huán)的有效磁導(dǎo)率過(guò)高，電感抗飽和能力差；當(dāng)氣隙寬度過(guò)寬時(shí)，容易造成帶氣隙磁環(huán)的有效磁導(dǎo)率過(guò)低，電感抗飽和能力雖好，但電感感值小。因此，本實(shí)施例中的非導(dǎo)磁體2的寬度為環(huán)形磁芯周長(zhǎng)的2％～8％，優(yōu)選為5％，這樣，既可以保證帶非導(dǎo)磁體2(或氣隙)磁環(huán)的有效磁導(dǎo)率，同時(shí)又有良好的電感抗飽和能力。非導(dǎo)磁材料優(yōu)選FR4板材、GPO-3板材或PPS板材。

本實(shí)施例中的繞組3均勻立繞在導(dǎo)磁體1上，非導(dǎo)磁體2無(wú)銅線繞組，以降低非導(dǎo)磁體2處的繞組渦流損耗。繞組3的引入端和引出端分別位于非導(dǎo)磁體2的兩側(cè)，且繞組3采用扁銅線立繞一層繞線，以降低繞線寄生電容，提高電感諧振頻率。繞組3的引入端和引出端與非導(dǎo)磁體2(或氣隙)的距離a的取值一般均為g/2～g，優(yōu)選為0.8g，g為非導(dǎo)磁體的寬度(或氣隙寬度)，即氣隙寬度≤導(dǎo)磁體1上未繞線寬度≤氣隙寬度*2，可進(jìn)一步降低繞組渦流損耗和提高電感抗飽和能力。

本實(shí)施例中的繞組3優(yōu)選為扁銅線，且扁銅線的寬度小于等于非導(dǎo)磁體2寬度的1/3，以方便立繞機(jī)器自動(dòng)繞線后的線圈穿入帶氣隙磁環(huán)中，以降低作業(yè)難度；而立繞機(jī)器自動(dòng)繞線，提高了繞線效率。

本實(shí)施例的環(huán)形立繞電感還包括位于環(huán)形磁芯和繞組3之間的絕緣層(圖中未顯示)。本實(shí)施例的絕緣層采用雙層絕緣層，即里層的環(huán)氧樹脂涂層和外層的絕緣膠帶包裹層，或里層的環(huán)氧樹脂涂層和外層的絕緣塑料外殼包裹層，或里層的環(huán)氧樹脂涂層和外層的絕緣薄膜包裹層，以提高其絕緣可靠性。

綜上所述，本實(shí)用新型實(shí)施例通過(guò)提供上述環(huán)形立繞電感。具備以下有益效果：

1、本實(shí)用新型采用扁銅線立繞，增大了散熱面積，降低溫升。

2、本實(shí)用新型的扁銅線立繞一層繞線并且起末端被隔開，繞線寄生電容低，電感諧振頻率高。

3、本實(shí)用新型采用環(huán)形磁芯，使得整個(gè)磁路截面積一致、磁通密度一致，無(wú)冗余磁芯部分，從而使得電感損耗低。

4、本實(shí)用新型的非導(dǎo)磁體，提高了電感的抗飽和能力；非導(dǎo)磁體處無(wú)銅線繞組，非導(dǎo)磁體處繞組渦流損耗近于零。

5、本實(shí)用新型的電感結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低。

需要說(shuō)明的是，在本文中，術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒(méi)有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒(méi)有更多限制的情況下，由語(yǔ)句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。

以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本實(shí)用新型各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。