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一種高亮度LED芯片的制作方法

文檔序號:11385107閱讀:281來源:國知局
一種高亮度LED芯片的制造方法與工藝

本實(shí)用新型涉及LED技術(shù)領(lǐng)域,尤其是一種高亮度的LED芯片。



背景技術(shù):

目前,LED芯片在照明或其他光源領(lǐng)域得到飛速的發(fā)展和應(yīng)用,但是目前LED芯片的每一個(gè)最終產(chǎn)品,均只包含一個(gè)LED芯片單元,在應(yīng)用中,當(dāng)需要更大的功率或更大的發(fā)光面時(shí),需要將數(shù)個(gè)LED芯片單元盡可能靠近的拼裝在一起,封裝工藝復(fù)雜,光的發(fā)散角較大,難以滿足某些高要求的場所的需求。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
為解決上述問題,本實(shí)用新型的目的是提供一種多個(gè)LED芯片一體成型的大發(fā)光面的高亮度LED芯片。 為達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:一種高亮度LED芯片,在同一塊基底上,分別將三個(gè)LED芯片單元并聯(lián),形成兩個(gè)并聯(lián)組,在將兩個(gè)串聯(lián)組,形成發(fā)光組。

該基底上分布多組發(fā)光組,發(fā)光組之間串聯(lián)。

優(yōu)選地,所述發(fā)光組之間的距離為0.1-0.2mm。

優(yōu)選的,所述基底包括藍(lán)寶石基底、硅基底、碳化硅基底、陶瓷底、銅基底、或銅鎢合金基底。

優(yōu)選的,所述基底為長方形、正方形、圓形或多邊形。

優(yōu)選的,所述每個(gè)LED芯片單元的陽極和陰極至少一種相互電絕緣。

采用本技術(shù)方案的有益效果是:采用在同一基底上一體生成至少兩個(gè)LED芯片單元,使得LED芯片單元之間的間隙達(dá)到最小化,省略了多個(gè)LED芯片單元拼裝的工序,降低了光的發(fā)散角。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖;

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中:1、第一LED放光單元;2、第二LED發(fā)光單元;3、第三LED發(fā)光單元;4、第四LED發(fā)光單元;5、第五LED發(fā)光單元;6、第六LED發(fā)光單元;7、第七LED發(fā)光單元;8、第八LED發(fā)光單元;9、第九LED發(fā)光單元;10、基板。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的技術(shù)方案做進(jìn)一步說明。

如圖1所示,現(xiàn)有技術(shù)在一塊基座10上將第二LED發(fā)光單元2與第三LED發(fā)光單元3并聯(lián),再與第一LED發(fā)光單元1串聯(lián),這樣在單元面積內(nèi),只有較少的LED發(fā)光單元,因此亮度較為一般。

如圖2隨時(shí),本實(shí)用新型通過在一塊基座10上,將第四LED發(fā)光單元4、第五LED發(fā)光單元5、第六LED發(fā)光單元6并聯(lián),再將第七LED發(fā)光單元7、第八LED發(fā)光單元8、第九LED發(fā)光單元9并聯(lián),最后將兩組并聯(lián)的串聯(lián)起來形成發(fā)光組,多個(gè)發(fā)光組之間再次進(jìn)行串聯(lián)。通過這樣的連接,可使單元面積內(nèi)的LED發(fā)光單元更多,從而提高產(chǎn)品亮度。

發(fā)光組與發(fā)光組之間的距離可設(shè)置在0.1-0.2mm。

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