1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：
重新分布結(jié)構(gòu)，其包括：
第一重新分布層，其包括：
第一介電層，其包括第一介電材料；以及
第一導(dǎo)電的線路；以及
第二重新分布層，其包括：
第二介電層，其包括不同于所述第一介電材料的第二介電材料；以及
第二導(dǎo)電的線路，其電耦接至所述第一導(dǎo)電的線路；
第一半導(dǎo)體晶粒，其附接至所述第一重新分布層；
第二半導(dǎo)體晶粒，其附接至所述第一重新分布層；以及
導(dǎo)電的互連結(jié)構(gòu)，其附接至所述第二重新分布層。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一重新分布層是在一晶圓制程中被形成，并且所述第二重新分布層是在一后晶圓的制程中被形成。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一介電材料是一種無(wú)機(jī)材料，并且所述第二介電材料是一種有機(jī)材料。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述重新分布結(jié)構(gòu)包括在所述第一介電層與所述第二介電層之間的氧化物層。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：
模制材料，其覆蓋所述重新分布結(jié)構(gòu)的至少一上表面以及所述第一及第二半導(dǎo)體晶粒的每一個(gè)的個(gè)別的橫向側(cè)表面；以及
導(dǎo)電的貫孔，其從所述重新分布結(jié)構(gòu)穿過(guò)所述模制材料而延伸到所述模制材料的一上表面。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括在所述模制材料的所述上表面上以及在所述第一及第二半導(dǎo)體晶粒之上的第三重新分布層，所述第三重新分布層電連接至所述導(dǎo)電的貫孔。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括附接至所述導(dǎo)電的互連結(jié)構(gòu)的封裝基板。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括電耦接至所述封裝基板的第三晶粒。
9.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：
重新分布結(jié)構(gòu)，其包括：
上方的重新分布層，其包括：
第一介電層，其包括第一介電材料；以及
第一導(dǎo)電的線路；以及
下方的重新分布層，其包括：
第二介電層，其包括第二介電材料；以及
第二導(dǎo)電的線路，其電耦接至所述第一導(dǎo)電的線路；
第一半導(dǎo)體晶粒，其附接至所述重新分布結(jié)構(gòu)的一上方側(cè)；
第二半導(dǎo)體晶粒，其附接至所述重新分布結(jié)構(gòu)的所述上方側(cè)；
第一模制材料，其覆蓋所述重新分布結(jié)構(gòu)的至少所述上方側(cè)以及所述第一及第二半導(dǎo)體晶粒的每一個(gè)的個(gè)別的橫向側(cè)；
基板，其包括附接至所述重新分布結(jié)構(gòu)的一下方側(cè)之上方的基板側(cè)；以及
第二模制材料，其至少覆蓋所述上方的基板側(cè)、所述第一模制材料的一橫向側(cè)、以及所述重新分布結(jié)構(gòu)的一橫向側(cè)。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一模制材料以及所述第二模制材料是不同的材料。
11.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一模制材料的外表面包括黏著強(qiáng)化的特點(diǎn)，其強(qiáng)化在所述第一模制材料與所述第二模制材料之間的黏著。
12.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：
所述第一模制材料包括第一模制頂表面；以及
所述第二模制材料包括與所述第一模制頂表面共平面的第二模制頂表面。
13.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：
第一底膠填充材料，其在所述重新分布結(jié)構(gòu)與所述第一半導(dǎo)體晶粒之間、以及在所述重新分布結(jié)構(gòu)與所述第二半導(dǎo)體晶粒之間；以及
第二底膠填充材料，其在所述基板與所述重新分布結(jié)構(gòu)之間，其中所述第一及第二底膠填充材料是不同的材料。
14.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：
第一底膠填充材料，其在所述重新分布結(jié)構(gòu)與所述第一半導(dǎo)體晶粒之間、以及在所述重新分布結(jié)構(gòu)與所述第二半導(dǎo)體晶粒之間；以及
第二底膠填充材料，其在所述基板與所述重新分布結(jié)構(gòu)之間，其中所述第二底膠填充材料直接接觸所述第一底膠填充材料。
15.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括一種底膠填充材料，其在所述重新分布結(jié)構(gòu)與所述第一半導(dǎo)體晶粒之間、以及在所述重新分布結(jié)構(gòu)與所述第二半導(dǎo)體晶粒之間，其中所述底膠填充材料包括與所述重新分布結(jié)構(gòu)的所述上方側(cè)成正交的橫向側(cè)。
16.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括一種底膠填充材料，其在所述重新分布結(jié)構(gòu)與所述第一半導(dǎo)體晶粒之間、以及在所述重新分布結(jié)構(gòu)與所述第二半導(dǎo)體晶粒之間，其中所述底膠填充材料包括與所述第一模制材料的所述橫向側(cè)以及所述重新分布結(jié)構(gòu)的所述橫向側(cè)共平面的橫向側(cè)。
17.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：
重新分布結(jié)構(gòu)，其包括：
上方的重新分布層，其包括：
第一介電層，其包括第一介電材料；以及
第一導(dǎo)電的線路；
下方的重新分布層，其包括：
第二介電層，其包括一第二介電材料；以及
第二導(dǎo)電的線路，其電耦接至所述第一導(dǎo)電的線路；以及
多個(gè)導(dǎo)電柱，其從所述下方的重新分布層延伸并且附接至所述第二導(dǎo)電的線路；
第一半導(dǎo)體晶粒，其附接至所述重新分布結(jié)構(gòu)的一上方側(cè)；以及
第二半導(dǎo)體晶粒，其附接至所述重新分布結(jié)構(gòu)的所述上方側(cè)。
18.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括附接至所述導(dǎo)電柱的基板。
19.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：
第一底膠填充材料，其在所述重新分布結(jié)構(gòu)與所述第一半導(dǎo)體晶粒之間、以及在所述重新分布結(jié)構(gòu)與所述第二半導(dǎo)體晶粒之間；以及
第二底膠填充材料，其在所述基板與所述重新分布結(jié)構(gòu)之間，其中所述第一及第二底膠填充材料是不同的材料。
20.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第二介電材料以及所述第一介電材料是不同的材料。