技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型涉及傳感技術(shù)領(lǐng)域，所述的霍爾元件，包括依次層疊設(shè)置的襯底、P型砷化銦層、N型砷化銦層。因?yàn)樯榛煂訛镹型摻雜，P型砷化銦層為過(guò)渡層，從而在兩者界面處形成一個(gè)空間電荷區(qū)，而霍爾元件中的金屬電極只接觸N型區(qū)域，因此，在霍爾元件工作過(guò)程中，P型砷化銦層是不參與導(dǎo)通的。從而，P型砷化銦層中的缺陷不會(huì)影響器件性能。而N型功能層直接生長(zhǎng)在P型砷化銦層上，缺陷密度大幅減小，從而材料的遷移率大幅增加，進(jìn)而使得霍爾元件靈敏度得到極大改善。

技術(shù)研發(fā)人員：胡雙元;黃勇;顏建;朱忻
受保護(hù)的技術(shù)使用者：蘇州矩陣光電有限公司
文檔號(hào)碼：201620924021
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.23
技術(shù)公布日：2017.06.30