1.一種自旋光電子器件，其特征在于：包括襯底層(1)，所述襯底層(1)采用藍(lán)寶石基GaN材料，在所述襯底層(1)上依次生長有P型緩沖層(2)、阻擋層(3)、第一勢壘層(4)、浸潤層(5)、量子點層(6)、間隔層(7)、量子阱層(8)、第二勢壘層(9)、n型接觸層(10)和電極層，所述n型接觸層(10)與所述電極層形成自旋閥注入結(jié)構(gòu)，所述電極層包括依次生長的鑭系稀土錳氧化物(11)、氘代MEH-PPV聚合物(12)、氟化鋰電子注入層(13)、惰性金屬保護(hù)層(14)、上電極材料層(15)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種自旋光電子器件，其特征在于：所述的間隔層(7)的厚度小于或等于18nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種自旋光電子器件，其特征在于：所述的惰性金屬保護(hù)層(14)的厚度為1-10nm。