本實(shí)用新型涉及電阻器領(lǐng)域，特別是指一種六端網(wǎng)絡(luò)型千瓦級(jí)射頻功率電阻器。

背景技術(shù)：

普通射頻功率電阻器制造,包含法蘭盤(pán)、基體、位于基體下表面的B面導(dǎo)電膜層、位于基體上表面的A面電極膜層、位于基體上表面并與A面電極膜層相搭接的電阻膜層、位于基體上表面并覆蓋整個(gè)電阻體起保護(hù)作用的的玻璃介質(zhì)膜層，以及位于整個(gè)電阻器最表層起保護(hù)電阻器完整性的陶瓷蓋板。

傳統(tǒng)射頻功率電阻器采用單一基體承載電阻體來(lái)吸收功率,吸收的功率以熱能的形勢(shì)通過(guò)基體和法蘭盤(pán)散發(fā)出去。隨著現(xiàn)代廣播通信技術(shù)對(duì)射頻功率電阻器功率要求的增大，電阻體需要越來(lái)越大的面積來(lái)吸收功率，但是當(dāng)功率達(dá)到千瓦級(jí)別時(shí)，單純的增加電阻體的面積并不能解決散熱的問(wèn)題，熱量會(huì)在基體中央集中產(chǎn)生熱聚集現(xiàn)象，從而使電阻體中央溫度急劇上升導(dǎo)致熱擊穿致使電阻器失效。并且如果單一基體的射頻功率電阻器要達(dá)到能夠吸收千瓦級(jí)功率的能力同時(shí)造成熱聚集現(xiàn)象，那么需要基體和電阻體的面積都要非常大，電阻體面積過(guò)大會(huì)帶入過(guò)大的寄生參數(shù)，而基體面積過(guò)大會(huì)因受熱不均而產(chǎn)生形變。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型提出一種六端網(wǎng)絡(luò)型千瓦級(jí)射頻功率電阻器，能夠使得射頻功率電阻的功率承受突破千瓦級(jí)別而不會(huì)因電阻器過(guò)熱產(chǎn)生熱擊穿；使得千瓦級(jí)射頻功率電阻器頻率特性達(dá)到1GHz(VSWR≤1.2)。

本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：一種六端網(wǎng)絡(luò)型千瓦級(jí)射頻功率電阻器，包括法蘭盤(pán)和基體，電阻器系統(tǒng)是由一級(jí)衰減系統(tǒng)、二級(jí)衰減系統(tǒng)和負(fù)載系統(tǒng)三個(gè)系統(tǒng)組成；其中一級(jí)衰減系統(tǒng)和二級(jí)衰減系統(tǒng)采用π形衰減結(jié)構(gòu)，均包括三個(gè)基體和各自的A面電極、B面電極及側(cè)面電極；

所述A面電極在基體的上表面，一級(jí)衰減系統(tǒng)和二級(jí)衰減系統(tǒng)的A面電極為衰減電極，負(fù)載系統(tǒng)的為負(fù)載電極，所述衰減電極由兩部分呈中心對(duì)稱(chēng)的電極組成，所述負(fù)載電極為反“匚”形結(jié)構(gòu)；所述B面電極在基體的下表面，側(cè)面電極在基體的側(cè)面并連接A面電極和B面電極；所述衰減系統(tǒng)中每組側(cè)面電極包含左右兩個(gè),所述負(fù)載系統(tǒng)中側(cè)面電極僅有一個(gè)；

電阻體位于A面電極之上并且與A面電極各搭接端穩(wěn)定搭接,還包括覆蓋在各電阻體上起保護(hù)作用的介質(zhì)保護(hù)層；金屬引線采用焊接工藝焊接于A面電極之上；封裝蓋板采用高溫粘接劑粘接在基體上表面；所述介質(zhì)保護(hù)層、金屬引線及封裝蓋板均為三個(gè)，且均一一對(duì)應(yīng)設(shè)置。

作為優(yōu)選，所述B面電極采用絲網(wǎng)漏印工藝印在基體的下表面。

作為優(yōu)選，所述法蘭盤(pán)為紫銅材料，并在表面鍍上便于焊接的銀層。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于：采用分級(jí)降額原理，使三個(gè)基體分別承受一定的功率，避免了功率集中在單一基體上而產(chǎn)生熱集中現(xiàn)象，使整個(gè)電阻器承受功率的能力大大增加。降低了電阻器整體分布參數(shù)，從而使得電阻器的頻率特性得到提高。一級(jí)衰減和二級(jí)衰減的衰減分貝呈階梯狀上升，功率分配也是呈階梯狀，并不是采用等分貝平均分配功率，避免了一級(jí)衰減在瞬間超大功率通過(guò)時(shí)承受過(guò)大的功率導(dǎo)致電阻器被瞬間燒壞，這樣就大大增加了電阻器的可靠性。填補(bǔ)了廣播通信領(lǐng)域千瓦級(jí)高頻功率電阻器的空白。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型的整體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型的基體及電極部分結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本實(shí)用新型電阻體部分的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1、法蘭盤(pán)；2、基體；3、B面電極；4、側(cè)面電極；5、A面電極；6、電阻體；7、介質(zhì)保護(hù)層；8、金屬引線；9、封裝蓋板。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

實(shí)施例：參見(jiàn)圖1、圖2和圖3，一種六端網(wǎng)絡(luò)型千瓦級(jí)射頻功率電阻器，包括法蘭盤(pán)1和基體2，電阻器系統(tǒng)是由一級(jí)衰減系統(tǒng)、二級(jí)衰減系統(tǒng)和負(fù)載系統(tǒng)三個(gè)系統(tǒng)組成；其中一級(jí)衰減系統(tǒng)和二級(jí)衰減系統(tǒng)采用π形衰減結(jié)構(gòu)，均包括三個(gè)基體2和各自的A面電極5、B面電極3及側(cè)面電極4；

所述A面電極5在基體2的上表面，一級(jí)衰減系統(tǒng)和二級(jí)衰減系統(tǒng)的A面電極5為衰減電極，負(fù)載系統(tǒng)的為負(fù)載電極，所述衰減電極由兩部分呈中心對(duì)稱(chēng)的電極組成，所述負(fù)載電極為反“匚”形結(jié)構(gòu)；所述B面電極3在基體2的下表面，側(cè)面電極4在基體2的側(cè)面并連接A面電極5和B面電極3；所述衰減系統(tǒng)中每組側(cè)面電極4包含左右兩個(gè),所述負(fù)載系統(tǒng)中側(cè)面電極4僅有一個(gè)；

電阻體6位于A面電極5之上并且與A面電極5各搭接端穩(wěn)定搭接,還包括覆蓋在各電阻體6上起保護(hù)作用的介質(zhì)保護(hù)層7；金屬引線8采用焊接工藝焊接于A面電極5之上；封裝蓋板9采用高溫粘接劑粘接在基體2上表面；所述介質(zhì)保護(hù)層7、金屬引線8及封裝蓋板9均為三個(gè)，且均一一對(duì)應(yīng)設(shè)置。

作為優(yōu)選，所述B面電極3采用絲網(wǎng)漏印工藝印在基體2的下表面。

作為優(yōu)選，所述法蘭盤(pán)1為紫銅材料，并在表面鍍上便于焊接的銀層。

如圖所示，本實(shí)用新型包括了法蘭盤(pán)1，基體2(包含三個(gè)基體21、22、23)，B面電極3(包含三個(gè)B面電極31、32、33)，側(cè)面電極4(包含3組側(cè)面電極41、42、43)，A面電極5(包含三個(gè)A面電極51、52、53)，電阻體6(包含五組電阻體,61、62、63、64為π型衰減結(jié)構(gòu)電阻體，65為負(fù)載電阻體6)，介質(zhì)保護(hù)層7(包含三個(gè)介質(zhì)保護(hù)層71、72、73)，金屬引線8(包含三個(gè)金屬引線81、82、83)，封裝蓋板9,(包含三個(gè)封裝蓋板91、92、93)。

法蘭盤(pán)1選用紫銅，并在表面鍍上銀層便于焊接；基體2采用導(dǎo)熱性能良好的氧化鈹陶瓷；B面電極3采用絲網(wǎng)漏印工藝印在基體2的下表面并覆蓋整個(gè)下表面來(lái)保證接地性能和散熱性能良好，A面電極5在基體2的上表面，側(cè)面電極4在基體2的側(cè)面起連接AB面電極的作用，電阻體6位于A面電極5之上并且與A面電極5各搭接端穩(wěn)定搭接；介質(zhì)保護(hù)層7覆蓋于電阻體6之上保護(hù)電阻體6在調(diào)阻過(guò)程中受到物理傷害并防止其遭到熱擊穿；金屬引線8中的81位采用焊接工藝焊接于A面電極5中的51之上；封裝蓋板9在基體2上表面，采用高溫粘接劑粘接，有效保護(hù)電阻器有效零件，保證了電阻器結(jié)構(gòu)的完整和性能的穩(wěn)定。

整個(gè)電阻器系統(tǒng)分為三部分組成,分別為一級(jí)衰減系統(tǒng)、二級(jí)衰減系統(tǒng)和的負(fù)載系統(tǒng)，對(duì)應(yīng)的厚膜系統(tǒng)分別承載于基體2中的21、22上和23上，系統(tǒng)之間采用金屬引線8中的82、83焊接連接。衰減系統(tǒng)包括了B面電極3中的31、32，側(cè)面電極4中的41、42，A面電極5中的51、52，電阻體6中的61、62、63、64(每個(gè)系統(tǒng)包括了兩種三個(gè)電阻體)和介質(zhì)保護(hù)層7的71、72。負(fù)載系統(tǒng)包括B面電極3中的33，側(cè)面電極4中的43，A面電極5中的53，電阻體6中的65和介質(zhì)保護(hù)層7中的73。其中B面電極3位于基體2下表面，A面電極5位于基體2上表面電極之間由側(cè)面電極4連接，電阻體6位于A面電極5上方，搭接于A面電極5的各連接端，最后由介質(zhì)保護(hù)層7覆蓋各系統(tǒng)上表面，只留下焊接區(qū)域。

以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。