本發(fā)明涉及LED封裝領(lǐng)域，尤其是一種LED封裝結(jié)構(gòu)及具有該LED封裝結(jié)構(gòu)的LED燈。

背景技術(shù)：

LED(Light Emitting Diode發(fā)光二極管)燈相比于傳統(tǒng)光源具有發(fā)光效率高、節(jié)能環(huán)保、壽命長等優(yōu)點，受到了越來越廣泛的應(yīng)用。目前，LED已廣泛應(yīng)用于顯示器背光、汽車照明及室內(nèi)外照明燈多個領(lǐng)域。

在現(xiàn)有技術(shù)中，LED封裝結(jié)構(gòu)所使用的密封及填充介質(zhì)一般為環(huán)氧樹脂、有機(jī)硅膠，或者是硅樹脂，其中，環(huán)氧樹脂具有較好的密封性能，適用于戶外、車外等對產(chǎn)品氣密性要求較高的設(shè)備中，但是其抗紫外線的能力較弱，在使用中容易出現(xiàn)黃變老化，且因其材質(zhì)的硬度較高，在LED封裝結(jié)構(gòu)經(jīng)過回流焊使用時容易由于高溫的原因發(fā)生膠裂，繼而產(chǎn)生很強(qiáng)的內(nèi)部應(yīng)力，造成LED的失效；有機(jī)硅膠由于材質(zhì)較軟，在高溫回流焊時產(chǎn)生的內(nèi)部應(yīng)力較小，可以有效地降低LED封裝結(jié)構(gòu)回流焊時的失效幾率，但是由于其材質(zhì)較軟，分子間隙大，從而導(dǎo)致產(chǎn)品的氣密性較低；硅樹脂雖然中和了環(huán)氧樹脂及有機(jī)硅膠的優(yōu)點，但是并不能同時解決氣密性、內(nèi)應(yīng)力對LED的影響，只是在上述兩個性能中進(jìn)行了折中處理，同樣不能滿足在多種環(huán)境中LED封裝結(jié)構(gòu)的需要。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種LED封裝結(jié)構(gòu)及具有該LED封裝結(jié)構(gòu)的LED燈，該LED封裝結(jié)構(gòu)能夠使LED產(chǎn)品在具有較好的氣密性的同時，減弱內(nèi)應(yīng)力對LED產(chǎn)品的影響。

本發(fā)明例提供一種LED封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、第一焊盤、第二焊盤、LED芯片、連接線、熒光粉及封裝層，所述第一焊盤及所述第二焊盤間隔地設(shè)置于所述基板的表面上，所述LED芯片設(shè)置于所述第一焊盤上，所述連接線的一端設(shè)置于所述第一焊盤上，另一端與所述LED芯片相連，所述熒光粉散布于所述封裝層內(nèi)，所述封裝層設(shè)置于所述基板上，并至少完全覆蓋于所述第一焊盤、所述第二焊盤、LED芯片及連接線上，所述封裝層為由燒結(jié)成型溫度低于550℃的低溫玻璃粉燒結(jié)成型的低溫玻璃封裝層。

進(jìn)一步地，所述基板為陶瓷或環(huán)氧樹脂基板。

進(jìn)一步地，所述基板上形成有朝向LED芯片一側(cè)的上表面及遠(yuǎn)離LED芯片一側(cè)的下表面，所述基板上還設(shè)置有貫穿上表面及下表面的第一連接柱及第二連接柱，所述第一連接柱位于所述基板上表面的一端與所述第一焊盤相連，所述第二連接柱位于所述基板上表面的一端與所述第二焊盤相連，所述第一連接柱及所述第二連接柱在基板的下表面上與電源相連。

進(jìn)一步地，所述LED封裝結(jié)構(gòu)還包括第三焊盤及第四焊盤，所述第三焊盤及第三焊盤設(shè)置于所述基板的下表面上，所述第三焊盤通過所述第一連接柱與所述第一焊盤相連，所述第四焊盤通過所述第二連接柱與所述第二焊盤相連，所述第三焊盤及所述第四焊盤與所述電源相連。

進(jìn)一步地，所述固晶膠從LED芯片的下表面及側(cè)面將LED芯片粘結(jié)于所述第一焊盤上。

進(jìn)一步地，所述固晶膠為銀粉與硅膠或環(huán)氧樹脂混合而成的固晶膠。

進(jìn)一步地，所述封裝層與所述基板接觸的一面及所述基板的上表面上設(shè)置有相互對應(yīng)的鋸齒狀的凸起及凹陷。

本發(fā)明還提供了一種LED燈，包括本發(fā)明提供的LED封裝結(jié)構(gòu)。

綜上所述，在本發(fā)明提供的LED封裝結(jié)構(gòu)中，封裝層直接由低溫玻璃粉燒結(jié)成型，能夠使LED產(chǎn)品在具有較好的氣密性的同時，減弱內(nèi)應(yīng)力對LED 產(chǎn)品的影響。進(jìn)一步地，通過在封裝層及基板上設(shè)置鋸齒狀的凸起及凹陷，能夠進(jìn)一步地增加LED封裝結(jié)構(gòu)的氣密性。

上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例提供的LED封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為圖1中LED封裝結(jié)構(gòu)的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為圖1中LED封裝結(jié)構(gòu)基板與封裝層連接處的結(jié)構(gòu)放大示意圖。

具體實施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明如下。

本發(fā)明的目的在于提供一種LED封裝結(jié)構(gòu)、封裝方法及具有該LED封裝結(jié)構(gòu)的LED燈，該LED封裝結(jié)構(gòu)能夠使LED產(chǎn)品在具有較好的氣密性的同時，減弱內(nèi)應(yīng)力對LED產(chǎn)品的影響。

圖1為本發(fā)明實施例提供的LED封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為圖1中LED封裝結(jié)構(gòu)的俯視結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1及圖2所示，在本發(fā)明提供的實施例中，LED封裝結(jié)構(gòu)包括基板10、第一焊盤21、第二焊盤22、LED芯片30、連接線40、熒光粉(圖未標(biāo)出)及封裝層50，第一焊盤21及第二焊盤22間隔地設(shè)置于基板10的表面上，LED芯片30設(shè)置于第一焊盤21上，連接線40的一端設(shè)置于第二焊盤22上，另一端與LED芯片30相連，封裝層50設(shè)置于基板10上，其至少完全覆蓋于第一焊盤21、第二焊盤22、LED芯片30及連接線40上，熒光粉散布于封裝層50內(nèi)，在本發(fā)明中，封裝層50為由燒結(jié)成型溫度低于550℃的低溫玻璃粉燒結(jié)成型的低溫玻璃封裝層，即該封裝層50直接由低溫玻璃粉燒結(jié)成型，并覆蓋于第一焊盤21及第二焊盤22上。

在本發(fā)明提供的LED封裝結(jié)構(gòu)中，封裝層50直接由低溫玻璃粉燒結(jié)成型，由于玻璃在高溫時具有較好地穩(wěn)定性，因此在成型過程中，封裝層50內(nèi)部的應(yīng)力較小，其次，玻璃是良好的耐紫外線照射的透光材料，其能有效地防止LED產(chǎn)品的黃變老化，最后，由于其由燒結(jié)成型溫度低于550℃的低溫玻璃粉燒結(jié)成型，因此，LED封裝結(jié)構(gòu)的成型溫度較低，不會對LED封裝結(jié)構(gòu)中的其它部件造成損害，因此，LED封裝結(jié)構(gòu)能夠使LED產(chǎn)品在具有較好的氣密性的同時，減弱內(nèi)應(yīng)力對LED產(chǎn)品的影響。

進(jìn)一步地，在發(fā)明中，基板10可以為陶瓷或者環(huán)氧樹脂基板，基板10上形成有朝向LED芯片30一側(cè)的上表面及遠(yuǎn)離LED芯片30一側(cè)的下表面，基板10上還設(shè)有貫穿基板10上表面及下表面的第一連接柱11及第二連接柱12，第一連接柱11位于基板10上表面的一端與第一焊盤21相連，第二連接柱12位于基板10下表面的一端與第二焊盤22相連，第一連接柱11及第二連接柱12在基板10的下表面上與電源相連，使LED芯片30形成完整回路，避免在基板10上表面的連接處與空氣接觸，進(jìn)一步增加LED封裝結(jié)構(gòu)的氣密性。在本實施例中，LED封裝結(jié)構(gòu)還包括第三焊盤23及第四焊盤24，第三焊盤23及第四焊盤24設(shè)置于基板10的下表面，并與第一連接柱11與第一焊盤21相連，第四焊盤24通過第二連接柱12與第二焊盤22相連，第三焊盤23與第四焊盤24與電源相連，使LED芯片30上形成一個完整的回路。

進(jìn)一步地，在本實施例中，LED芯片30通過固晶膠60固定于第一焊盤21上，優(yōu)選地，固晶膠60從LED芯片30與基板10接觸的一面及側(cè)面將LED芯片30粘結(jié)于第一焊盤21上，固晶膠60為銀粉與硅膠或環(huán)氧樹脂混合而成的固晶膠，具有良好的導(dǎo)電性能，能夠提高LED芯片30電連接的穩(wěn)定性。

圖3為圖1中LED封裝結(jié)構(gòu)基板10與封裝層50連接處的結(jié)構(gòu)放大示意圖，如圖3所示，在本發(fā)明的實施例中，封裝層50與基板10接觸的一面及基板10的上表面設(shè)有相互對應(yīng)的鋸齒狀的凸起及凹陷，即當(dāng)LED封裝結(jié)構(gòu)組裝完成時，封裝層50上的凸起伸入基板10的凹陷內(nèi)，基板10上的凸起也伸入封裝層50上的凹陷內(nèi)，該結(jié)構(gòu)能夠使封裝層50與基板10的結(jié)合更加的穩(wěn)定，同時也能夠進(jìn)一步地提高LED封裝結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性能。

綜上所述，在本發(fā)明提供的LED封裝結(jié)構(gòu)中，封裝層50直接由低溫玻璃粉燒結(jié)成型，能夠使LED產(chǎn)品在具有較好的氣密性的同時，減弱內(nèi)應(yīng)力對LED產(chǎn)品的影響。進(jìn)一步地，通過在封裝層50及基板10上設(shè)置鋸齒狀的凸起及凹陷，能夠進(jìn)一步地增加LED封裝結(jié)構(gòu)的氣密性。

本發(fā)明提供的LED封裝結(jié)構(gòu)通過如下的封裝方法進(jìn)行封裝，該封裝方法包括如下步驟：

將LED芯片30設(shè)置于第一焊盤21上，通過連接線40將LED芯片30與第二焊盤22相連；

將熒光粉混合于燒結(jié)成型溫度低于550℃的低溫玻璃粉中；

將混合入熒光粉的低溫玻璃粉燒結(jié)成型并設(shè)置于基板上。

進(jìn)一步地，在本發(fā)明中，燒結(jié)成型后的低溫玻璃可以直接燒結(jié)成型并通過模壓與基板10結(jié)合，也可以先燒結(jié)成型再貼合于基板10上。

本發(fā)明還提供了一種LED燈，包括本發(fā)明提供的LED封裝結(jié)構(gòu)，關(guān)于該LED燈的其他技術(shù)特征，請參見現(xiàn)有技術(shù)，在此不再贅述。

以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。