本實用新型涉及發(fā)光二極管領域，具體涉及一種LED發(fā)光二極管封裝結構。

背景技術：

發(fā)光二極管越來越廣泛的應用于眾多的領域，如室內照明、室外照明、背光源等?，F有技術中，發(fā)光二極管封裝結構的支架具有三層結構，第一塑膠層、中間導通層、第二塑膠層，散熱需要另加機構，且具有發(fā)光面積不夠大、角度不夠大，需要另加散熱片，成本較高，LED支架通常采用黑色PPA材料射出成型，此方法能很好地提高色彩的對比度，但由于發(fā)光二極管支架的反光腔內部同樣為黑色，反光效果變差，嚴重降低了發(fā)光二極管封裝結構的亮度。

同時現有的發(fā)光二極管封裝結構中通常使用氮化鎵系藍綠光LED，但是成本和技術上，仍然存在一些需要解決的問題。如異質外延的晶體質量差，缺陷密度大和光出射效率低等。另外氮化鎵系材料折射率高于通常使用的襯底或芯片封裝材料，這導致器件的光提取比較困難。以上這些問題的存在，使發(fā)光二極管器件性能惡化，壽命縮短，發(fā)光效率降低，光提取效率低等，制約了發(fā)光二極管封裝結構的快速發(fā)展和應用。

技術實現要素：

本實用新型克服了現有技術的不足，提供一種LED發(fā)光二極管封裝結構，其具有散熱性能好、高亮度、且發(fā)光二極管的光提取效率高等優(yōu)點。

為達到上述目的，本實用新型采用的技術方案為：一種LED發(fā)光二極管封裝結構，其包括支架、LED芯片以及樹脂封裝層，其特征在于：所述支架包括兩個引腳和基座本體，所述基座本體設置有凹陷的腔體，所述腔體的體壁為光滑的聚光反射面板，所述腔體的底面為鏡面光反射面板，所述的底面具有與所述LED芯片單元相連接的導通部，所述導通部底部設置有散熱塊，所述散熱塊的上表面與導通部相接觸，下表面與流通空氣相接觸，所述LED芯片包括依次層疊的圖案化襯底、顆粒狀成核層、本征層、N型層、多量子阱有源層、P型層和摻鎂P型層以及透明導電層，所述芯片的本征氮化鎵層、N型層、多量子阱有源層、P型層和摻鎂P型層以及透明導電層均具有波浪狀的表面結構。

本實用新型一個較佳實施例中，所述散熱塊為銅塊。

本實用新型一個較佳實施例中，所述鏡面光反射面板為化學鍍銀平面鏡。

本實用新型一個較佳實施例中，所述顆粒狀成核層的表面連續(xù)。

本實用新型一個較佳實施例中，所述的成核層材料為Al_xIn_yGa_1‐x‐yN，其中0.3≤X≤0.7，0.2≤Y≤0.5。

本實用新型一個較佳實施例中，顆粒狀成核層的島狀顆粒直徑為300nm～400nm之間，高度為100nm～200nm之間，排列于所述圖形化襯底的突出形狀的周邊。

本實用新型一個較佳實施例中，所述樹脂封裝層為含有熒光粉的環(huán)氧樹脂層。

本實用新型一個較佳實施例中，所述本征層為本征氮化鎵層，所述N型層為N型GaN層，所述多量子阱有源層為InGaN/GaN多量子阱有源層，所述P型層為P型AlGaN層，所述摻鎂P型層為摻鎂P型GaN層。

本實用新型解決了背景技術中存在的缺陷，本實用新型的發(fā)光二極管封裝結構的支架的體壁設置有聚光反射面板，底面為光反射面板，且光反射面板為化學鍍銀平面鏡，使支架具有很高的反光率，可以保證發(fā)光二極管具有較高的亮度；所述散熱快為銅塊，加快了支架熱量的散發(fā)，可以使發(fā)光二極管工作更加穩(wěn)定，使用壽命更長，且與傳統(tǒng)的LED芯片相比，本實用新型的LED芯片的優(yōu)點是有效地提高半導體發(fā)光器件的發(fā)光效率和光提取效率，降低位錯密度，進而提高了器件的光電性能。

附圖說明

下面結合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。

圖1是本實用新型發(fā)光二極管封裝結構的俯視圖。

圖2是本實用新型發(fā)光二極管封裝結構的剖視圖。

圖3是本實用新型發(fā)光二極管封裝結構的LED芯片的剖視圖。

其中：1、導通部，2、引腳，3、聚光反射面板，4、光反射面板，5、散熱快，6、基座，7、LED芯片，8、樹脂封裝層，71、圖案化襯底，72、顆粒狀成核層，73、本征層，74、N型層，75、多量子阱有源層，76、復合層，77、透明導電層。

具體實施方式

現在結合附圖和實施例對本實用新型作進一步詳細的說明，這些附圖均為簡化的示意圖，僅以示意方式說明本實用新型的基本結構，因此其僅顯示與本實用新型有關的構成。

如圖1和2所示，一種LED發(fā)光二極管封裝結構，其包括支架、LED芯片7以及樹脂封裝層8，所述支架包括兩個引腳2和基座本體1，所述基座本體1設置有凹陷的腔體，所述腔體的體壁為光滑的聚光反射面板3，所述腔體的底面為鏡面光反射面板4，所述的底面具有與所述LED芯片7相連接的導通部1，所述導通部1底部設置有散熱塊5，所述散熱塊5的上表面與導通部1相接觸，下表面與流通空氣相接觸，所述散熱塊為銅塊，所述鏡面光反射面板為化學鍍銀平面鏡所述樹脂封裝層為含有熒光粉的環(huán)氧樹脂層，該發(fā)光二極管封裝結構的支架的引腳可與底座扣合在一起，方便了問題LED支架的更換，支架的體壁設置有聚光反射面板，底面為鏡面光反射面板，且鏡面光反射面板為化學鍍銀平面鏡，使支架具有很高的反光率，可以保證發(fā)光二極管具有較高的亮度；所述散熱快為銅塊，加快了支架熱量的散發(fā)，可以使發(fā)光二極管工作更加穩(wěn)定，使用壽命更長。

如圖3所示，所述LED芯片7包括依次層疊的圖案化襯底71、顆粒狀成核層72、本征層73、N型層74、多量子阱有源層75、復合層76以及透明導電層77，其中復合層76由P型層和摻鎂P型層共同構成，所述LED芯片的本征層73、N型層74、多量子阱有源層75、P型層和摻鎂P型層以及透明導電層77均具有波浪狀的表面結構，其中所述顆粒狀成核層的表面連續(xù)，所述的成核層材料為Al_xIn_yGa_1-x-yN，其中0.3≤X≤0.7，0.2≤Y≤0.5，顆粒狀成核層的島狀顆粒直徑為300nm～400nm之間，高度為100nm～200nm之間，排列于所述圖形化襯底的突出形狀的周邊，所述本征層73為本征氮化鎵層，所述N型層74為N型GaN層，所述多量子阱有源層75為InGaN/GaN多量子阱有源層，所述P型層為P型AlGaN層，所述摻鎂P型層為摻鎂P型GaN層，有效提高了LED芯片的發(fā)光效率和光提取效率，降低位錯密度，進而提高了器件的光電性能。

以上依據本實用新型的理想實施例為啟示，通過上述的說明內容，相關人員完全可以在不偏離本項實用新型技術思想的范圍內，進行多樣的變更以及修改。本項實用新型的技術性范圍并不局限于說明書上的內容，必須要根據權利要求范圍來確定技術性范圍。