本實(shí)用新型涉及貼片二極管生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種超薄貼片二極管。

背景技術(shù)：

貼片二極管又稱晶體二極管,簡(jiǎn)稱二極管(diode)，另外，還有早期的真空電子二極管;它是一種具有單向傳導(dǎo)電流的電子器件。在半導(dǎo)體二極管內(nèi)部有一個(gè)PN結(jié)兩個(gè)引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方向，具備單向電流的轉(zhuǎn)導(dǎo)性。一般來(lái)講，貼片晶體二極管是一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體燒結(jié)形成的p-n結(jié)界面。在其界面的兩側(cè)形成空間電荷層，構(gòu)成自建電場(chǎng)。當(dāng)外加電壓等于零時(shí)，由于p-n 結(jié)兩邊載流子的濃度差引起擴(kuò)散電流和由自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)，這也是常態(tài)下的二極管特性。

現(xiàn)有技術(shù)中，貼片二極管的加工是將兩根引線夾住芯片進(jìn)行焊接，然后通過玻封的形式，將芯片進(jìn)行封裝，使得本體外形多為圓柱形，占用空間體積較大，導(dǎo)致原材料浪費(fèi)嚴(yán)重，而且難以適應(yīng)客戶端小型化發(fā)展趨勢(shì)。隨著塑封二極管的出現(xiàn)，很大程度上降低了二極管的空間體積，而二極管中的引線以及芯片為上下層疊式設(shè)計(jì)，隨著科技的快速發(fā)展，貼片二極管的空間體積變得更為重要，越薄的貼片二極管越會(huì)得到市場(chǎng)及大眾廠家的歡迎。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于此，本實(shí)用新型提供一種超薄貼片二極管，在不改變?cè)匈N片二極管性能及封裝厚度的情況下，減少貼片二極管的空間體積。

為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：

一種超薄貼片二極管，包括芯片、引線一、封裝體和引線二，引線一和引線二分別焊接在芯片上下兩個(gè)表面，封裝體將芯片、引線一和引線二的焊接端密封包裹，引線一和引線二的自由端伸出封裝體外，所述芯片傾斜設(shè)置，引線一與引線二的焊接端分別呈傾斜的尖角狀，即引線一與引線二的焊接端一面平直、另一面傾斜，傾斜角度與芯片傾斜角度一致。

所述芯片傾斜角度為10°至40°。

所述引線一與引線二通過錫焊焊接在芯片的上下兩個(gè)表面。

所述芯片為O/J芯片或GPP芯片。

所述引線一的整體形狀為Z型。

本實(shí)用新型的有益效果是：芯片采用傾斜設(shè)計(jì)，兩引線的焊接端也采用傾斜的匹配方式，這樣的焊接方式會(huì)在厚度上吸收掉芯片本身的厚度，在芯片和引線的結(jié)構(gòu)以及封裝厚度不改變、焊接接觸面積不改變的情況下，減小貼片二極管的空間體積，同時(shí)貼片二極管的性能不受影響。

附圖說(shuō)明：

圖1為本實(shí)用新型總體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為原有貼片二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本實(shí)用新型與原有貼片二極管的對(duì)比圖；

具體實(shí)施方式：

依照以下的附圖詳細(xì)說(shuō)明關(guān)于本實(shí)用新型的示例性實(shí)施例。

圖中序號(hào)所代表的含義為：1-引線一，2-引線二，3-芯片，4-封裝體，5-錫焊。

以下結(jié)合具體情況說(shuō)明本實(shí)用新型的示例性實(shí)施例：

如圖1所示的一種超薄貼片二極管，包括芯片3、引線一1、封裝體4和引線二2，引線一1和引線二2分別焊接在芯片3上下兩個(gè)表面，封裝體4將芯片3、引線一1和引線二2的焊接端密封包裹，引線一1和引線二2的自由端伸出封裝體4外，所述芯片3傾斜設(shè)置，引線一1與引線二2的焊接端分別呈傾斜的尖角狀，即引線一1與引線二2的焊接端一面平直、另一面傾斜，傾斜角度與芯片3傾斜角度一致。

所述芯片3傾斜角度為10°至40°。

所述引線一1與引線二2通過錫焊5焊接在芯片3的上下兩個(gè)表面。

所述芯片3為O/J芯片或GPP芯片。O/J是OPEN JUNCTION的晶圓擴(kuò)散工藝，在晶圓擴(kuò)散后切片成晶粒，晶粒的邊緣是粗糙的，電性能不穩(wěn)定，需要用混合酸（洗掉邊緣，然后包以硅膠并封裝成型，可信賴性較差。GPP是Glassivation passivation parts的縮寫，是玻璃鈍化類器件的統(tǒng)稱，該產(chǎn)品就是在現(xiàn)有產(chǎn)品普通硅整流擴(kuò)散片的基礎(chǔ)上對(duì)擬分割的管芯P/N結(jié)面四周燒制一層玻璃，玻璃與單晶硅有很好的結(jié)合特性，使P/N結(jié)獲得最佳的保護(hù)，免受外界環(huán)境的侵?jǐn)_，提高器件的穩(wěn)定性，可信賴性極佳。

所述引線一1的整體形狀為Z型。

原有貼片二極管的結(jié)構(gòu)如圖2所示，引線一、芯片、引線二上下層疊焊接，焊接后整體厚度為兩個(gè)引線厚度、芯片厚度、兩層錫焊厚度之和，而本實(shí)用新型的焊接后的整體厚度僅為兩個(gè)引線厚度之和，如圖3所示，在不改變芯片、引線、封裝厚度的情況下進(jìn)行對(duì)比，虛線代表原有貼片二級(jí)管，實(shí)線代表本實(shí)用新型。

以上所述僅為本實(shí)用新型示意性的具體實(shí)施方式，并非用以限定本實(shí)用新型的范圍，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思和原則的前提下所做出的等同變化與修改，均應(yīng)屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。