本實用新型的實施例涉及離子植入工具中的四極管透鏡領(lǐng)域。更確切地說，本實用新型尤其涉及用于離子植入機中的靜電透鏡的接地電極。

背景技術(shù)：

離子植入是用于將雜質(zhì)離子摻雜到例如半導體芯片等襯底中的過程。一般而言，離子束從離子源腔室朝向襯底引導。不同進料氣體被供應(yīng)到離子源腔室以獲得用于形成具有特定摻雜劑特性的離子束的等離子。舉例來說，從進料氣體PH₃、BF₃或AsH₃中，各種原子和分子離子形成在離子源內(nèi)，并且隨后經(jīng)歷加速和質(zhì)量選擇。所產(chǎn)生的離子植入到襯底中的深度是基于離子植入能量和離子的質(zhì)量。一種或多種類型的離子物質(zhì)可以不同劑量且在不同能級下植入在目標芯片或襯底中以獲得所希望的裝置特性。襯底中的精確的摻雜分布對于適當?shù)难b置操作是關(guān)鍵的。

離子植入機廣泛用于半導體制造中以在襯底中提供此類摻雜分布或者修改不同材料。在典型的離子植入機中，從離子源中產(chǎn)生的離子被引導通過一系列射束線組件，這些射束線組件可以包括一個或多個分析磁體以及多個電極。分析磁體選擇所希望的離子物質(zhì)、濾出污染物質(zhì)和具有不希望的能量的離子，并且在目標芯片處調(diào)節(jié)離子束質(zhì)量。適當?shù)爻尚蔚碾姌O(通常被稱作“透鏡”)用于修改沿著射束的行進的不同點處的離子束的能量和形狀。離子能量的顯著改變可以發(fā)生在此類透鏡中并且可以對離子束的形狀具有相當大的影響。離子束的形狀可以繼而影響目標襯底的最終摻雜分布的質(zhì)量。常規(guī)系統(tǒng)和方法可能無法提供隨著離子束被引導到目標襯底的離子束的偏轉(zhuǎn)和/或聚集的所希望的程度的控制。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型公開了用于離子植入機中的靜電透鏡的接地電極。接地電極具有第一表面和第二表面以及接地電極開口以用于接收穿過其中沿著z軸行進的離子束，第一表面和第二表面中的至少一個在y-z平面中是彎曲的。接地電極開口具有頂端、底端和中心部分，并且接地電極開口在頂端和底端處的寬度大于接地電極開口在中心部分處的寬度，并且接地電極開口在頂部處的寬度等于接地電極開口在底端處的寬度。接地電極開口具有沿著y軸測量的開口高度。接地電極的第一表面具有第一曲率半徑，并且接地電極的第二表面是實質(zhì)上平坦的。第一曲率半徑是從沿著負z軸的點測量的，其中負z軸是從接地電極的中心在離子束行進的相反方向上測量的。第一曲率半徑小于第二曲率半徑。

在本實用新型的一實施例中，在所述y-z平面中觀察的所述接地電極的所述第一表面是凹入的。

在本實用新型的一實施例中，所述第一曲率半徑在250毫米到310毫米的范圍內(nèi)。

靜電透鏡通過調(diào)節(jié)接地電極可以獲得多種不同射束形狀。

附圖說明

圖1是說明根據(jù)本實用新型的離子植入系統(tǒng)的示意圖；

圖2是根據(jù)本實用新型的示例性靜電透鏡的側(cè)視圖；

圖3是圖2的靜電透鏡的端視圖；

圖4A和圖4B是說明單獨操作模式的圖2的靜電透鏡的側(cè)視圖；

圖5-圖7相應(yīng)地是圖2的靜電透鏡的示例性端電極的等距視圖、正視圖和側(cè)視圖；

圖8-圖10相應(yīng)地是圖2的靜電透鏡的示例性第一抑制電極的等距視圖、正視圖和側(cè)視圖；

圖11-圖13相應(yīng)地是圖2的靜電透鏡的示例性第二抑制電極的等距視圖、正視圖和側(cè)視圖；

圖14-圖16相應(yīng)地是圖2的靜電透鏡的示例性接地電極的等距視圖、正視圖和側(cè)視圖；

圖17是圖2的靜電透鏡的鄰近電極之間的示例性非同心表面配置的示意圖；

圖18-圖24是與圖2的靜電透鏡相關(guān)聯(lián)的電場線的示例性圖。

具體實施方式

圖1描述根據(jù)本實用新型的各種實施例示出為離子植入機100的射束線離子植入機的框形式的俯視平面圖。離子植入機100包括離子源102，該離子源102被配置成產(chǎn)生離子束95。離子束95可以提供為點狀射束或帶狀射束，其具有射束寬度(沿著示出的笛卡爾坐標的X方向)大于射束高度(沿著Y方向)的截面。在本文中所使用的定則中，Z方向是指平行于離子束95的中心射線軌道的軸的方向。因此，Z方向的絕對方向以及X方向(垂直于Z方向)可在離子植入機100內(nèi)的不同點處改變，如圖所示。

離子源102可以包括離子腔室，其中供應(yīng)到離子腔室的進料氣體得到離子化。此氣體可以是以下項或可以包括或包含以下項：氫氣、氦氣、其它稀有氣體、氧氣、氮氣、砷、硼、磷、鋁、銦、銻、碳硼烷、烷烴、另一大分子化合物或其它p型或n型摻雜物。所產(chǎn)生的離子可以通過一系列提取電極(未示出)從離子腔室中提取以形成離子束95。在沖擊安置在襯底平臺114上的襯底116之前離子束95可行進通過分析儀磁體106、質(zhì)量解析縫隙108、減速透鏡109且通過準直器112。在一些實施例中襯底平臺114可以被配置成至少沿著Y方向掃描襯底116。

在圖1中所示的實例中，離子束95可以提供為由掃描儀110沿著X方向掃描的點狀射束，以便提供具有與襯底116的寬度W類似的寬度的經(jīng)掃描的離子束。在其它實施例中，離子束95可以提供為帶狀射束。在圖1的實例中，為了清楚起見，省略了對所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員而言顯而易見的可用于離子植入機100的操作的其它射束線組件。

離子植入機100進一步包括加速器/減速器118。如圖1中所示，加速器/減速器118可以安置在離子源102與分析儀磁體106之間的點A處。在其它實施例中，加速器/減速器118可以安置在離子植入機100內(nèi)的其它位置處，例如，點B或點C。加速器/減速器118可以耦合到驅(qū)動系統(tǒng)120，該驅(qū)動系統(tǒng)120可操作以調(diào)節(jié)加速器/減速器118內(nèi)的一個電極相對于其它電極的位置。這尤其允許離子束95中的射束電流在離子束95的給定離子能量下得到調(diào)節(jié)。

在各種實施例中，離子植入機100可以被配置成輸送用于“中間”能量離子植入的離子束，或?qū)?yīng)于用于單個帶電離子的60keV到300keV的植入能量范圍的60kV到300kV的電壓范圍。如下文所論述，加速器/減速器118的透鏡與端抑制電極電氣絕緣且獨立地驅(qū)動，因此允許離子植入機100的增大的射束電流操作范圍。

圖2是示例性靜電透鏡200(其可用作圖1中所示的透鏡109)的側(cè)視圖，該靜電透鏡200具有端電極202、第一抑制電極204和第二抑制電極206以及接地電極208。鄰近電極沿著z軸(即，沿著離子束95的行進方向)間隔開。因此，第一空間210可以形成于端電極202與第一抑制電極204之間，第二空間212可以形成于第一抑制電極204與第二抑制電極206之間，并且第三空間214可以形成于第二抑制電極206與接地電極208之間。如將描述，所公開的靜電透鏡200是四極管減速透鏡并且被設(shè)計成采用高且相對薄的略微地發(fā)散的輸入離子束95、對該離子束95進行減速，并且產(chǎn)生更加聚集的平行或會聚的輸出離子束。

電極中的每一個可以包括頂部部分202a、頂部部分204a、頂部部分206a、頂部部分208a、底部部分202b、底部部分204b、底部部分206b、底部部分208b和主體部分202c、主體部分204c、主體部分206c、主體部分208c。電極202、電極204、電極206、電極208中的每一個還包括開口202d、開口204d、開口206d、開口208d(圖3)，其限定每個電極的主體部分202c、主體部分204c、主體部分206c、主體部分208c內(nèi)的孔口，穿過孔口在x方向上具有寬度“W”以及在y方向上具有高度“H”的射束95在z方向上通過靜電透鏡。施加到電極202、電極204、電極206、電極208中的每一個的電壓可用于隨著射束95通過靜電透鏡200使射束成形。如稍后將更詳細地描述，電極202、電極204、電極206、電極208的形狀還可用于隨著射束95通過靜電透鏡200使射束成形。

電極202、電極204、電極206、電極208中的每一個的主體部分202c、主體部分204c、主體部分206c、主體部分208c可以包括相對的第一表面202e、第一表面204e、第一表面206e、第一表面208e和第二表面202f、第二表面204f、第二表面206f、第二表面208f，其中第一表面大體上面向迎面而來的離子束95。電極中的每一個的第一表面和第二表面中的一些可以是平坦的，而電極中的每一個的第一表面202e、第一表面204e、第一表面206e、第一表面208e和第二表面202f、第二表面204f、第二表面206f、第二表面208f中的一些可以是彎曲的。舉例來說，在一些實施例中，當從側(cè)面觀察時，電極中的每一個的第一表面202e、第一表面204e、第一表面206e、第一表面208e和第二表面202f、第二表面204f、第二表面206f、第二表面208f可以是凸出的、凹入的或平坦的。

在所說明的實施例中，如在y-z平面中觀察的(其中“y”軸是垂直的并且z軸沿著離子束95的行進方向)，端電極202的第一表面202e和第一抑制電極204的第一表面204e是凸出的，如在y-z平面中觀察的，第二抑制電極206的第一表面206e和接地電極208的第一表面208e是凹入的，如在y-z平面中觀察的，端電極202的第二表面202f和第一抑制電極204的第二表面204f是凹入的，如在y-z平面中觀察的，第二抑制電極206的第二表面206f是凸出的并且接地電極208的第二表面208f是平坦的。這引起端電極202在負z方向上是“凸出”的，第一抑制電極204在負和正z方向上是“凸出”的，并且第二抑制電極206在正z方向上是“凸出”的。由于接地電極208的第一表面208e是凹入的而第二表面208f是大體上平坦的，所以接地電極在正z方向上呈現(xiàn)為凹進的。將了解表面形狀的特定的所說明的布置僅是示例性的而非限制性的，并且可以使用曲率的其它組合。

如可見，鄰近電極的鄰近表面是大體上互補的(即，凹入表面定位成鄰近于相對的凸出表面)。這引起在從靜電透鏡200的側(cè)面觀察時介于中間的第一空間210、第二空間212和第三空間214是彎曲的(即，如先前限定的，它們在y-z平面中是彎曲的)。

圖3示出了靜電透鏡200的端視圖，示出了示例性離子束95的電極202、電極204、電極206、電極208具有高度“H”和寬度“W”的開口202d、開口204d、開口206d、開口208d。如可見，端電極202的開口202d具有沙漏形狀。因此，開口202d可具有沿著y軸測量的開口高度“OH”、如沿著x軸在開口的頂端216處測量的第一開口寬度“OW1”、沿著x軸在開口的中心部分218處測量的第二開口寬度“OW2”，以及沿著x軸在開口的底端220處測量的第三開口寬度“OW3”。第一開口寬度“OW1”和第三開口寬度“OW3”可以是相同的，而第二開口寬度“OW2”可以小于第一開口寬度和第三開口寬度。這種配置提供圖3中所示的所希望的沙漏形狀。如稍后將更詳細地描述，其它電極的開口204d、開口206d、開口208d可具有類似的沙漏配置，其具有如關(guān)于端電極的開口202d所描述的開口高度和開口寬度。在一些實施例中，開口202d、開口204d、開口206d、開口208d全部具有相同的形狀和尺寸，而在其它實施例中一些開口的形狀和/或尺寸不同于其它開口的那些。

靜電透鏡200可以是減速透鏡，其被配置成減速離子束95使得射束在所希望的植入能量下?lián)糁心繕斯ぷ髁慵?。電壓電勢可以選擇性地施加到端電極202、第一抑制電極204、第二抑制電極204和接地電極206中的每一個以隨著離子束95行進穿過靜電透鏡200而操控離子束95的離子能量。參考圖4A和圖4B，示出了靜電透鏡200的兩個操作模式。在這些圖中在質(zhì)量解析結(jié)構(gòu)222的情境中示出了靜電透鏡200，并且可以包括電極的示例性掃描儀組裝件223偏置以按所希望的方式掃描射束。

在圖4A中說明了單模式的操作。如將了解，單模式可以用于較高能量射束。在此模式中，質(zhì)量解析結(jié)構(gòu)220、端電極202、第二抑制電極206和接地電極保持在接地電勢下，而第一抑制電極204保持在負電勢下。此類布置可以提供較高能量離子束的聚集。在圖4B中說明了具有兩步減速的操作的“減速”模式。質(zhì)量解析結(jié)構(gòu)220和端電極202將保持在相同電勢“V_T”處。第一抑制電極204將保持在較低電勢“V_S1”處以抑制電子流，接地電極208將保持在接地電勢處，而第二抑制電極206將保持在中間電勢“V_S2”處。將了解這些模式僅是示例性的而非限制性的。實際上電極可以保持在多種電勢中的任何一種處以產(chǎn)生具有所希望的組的特性的離子束95。

參考圖5-圖7，將更詳細地描述端電極202。端電極202可具有如沿著y軸測量的透鏡高度“LH1”，以及如沿著x軸測量的透鏡寬度“LW1”。如先前描述，端電極202可具有頂部部分202a、底部部分202b、主體部分202c和開口202d。開口202d可具有沙漏形狀，其具有沿著y軸測量的開口高度“OHa”、如沿著x軸在開口的頂端216a處測量的第一開口寬度“OW1a”、沿著x軸在開口的中心部分218a處測量的第二開口寬度“OW2a”，以及沿著x軸在開口的底端220a處測量的第三開口寬度“OW3a”。第一開口寬度“OW1a”和第三開口寬度“OW3a”可以是相同的，而第二開口寬度“OW2a”可以小于第一開口寬度和第三開口寬度。

如先前描述，端電極202的第一表面202e和第二表面202f可以是彎曲的。因此，第一表面202e可具有第一曲率半徑“LR1a”，而第二表面202f可具有第二曲率半徑“LR1b”。兩個曲率半徑都可以從沿著正z軸的點測量(即，在離子束95行進的方向上靜電透鏡200的下游)。在所說明的實施例中，第一曲率半徑大于第二曲率半徑。

參考圖8-圖10，將更詳細地描述第一抑制電極204。第一抑制電極204可具有如沿著y軸測量的透鏡高度“LH2”，以及如沿著x軸測量的透鏡寬度“LW2”。如先前描述，第一抑制電極204可具有頂部部分204a、底部部分204b、主體部分204c和開口204d。開口204d可具有沙漏形狀，其具有沿著y軸測量的開口高度“OHb”、如沿著x軸在開口的頂端216b處測量的第一開口寬度“OW1b”、沿著x軸在開口的中心部分218b處測量的第二開口寬度“OW2b”，以及沿著x軸在開口的底端220b處測量的第三開口寬度“OW3b”。第一開口寬度“OW1b”和第三開口寬度“OW3b”可以是相同的，而第二開口寬度“OW2b”可以小于第一開口寬度和第三開口寬度。

如可見，第一抑制電極204的開口204d的大小可以不同于端電極202的開口202d的大小。舉例來說，在所說明的實施例中，第一抑制電極204的開口高度“OHb”小于端電極202的開口高度“OHa”，而第一抑制電極的開口寬度“OW1b”、開口寬度“OW2b”、開口寬度“OW3b”與端電極的開口寬度“OW1a”、開口寬度“OW2a”、開口寬度“OW3a”相比可以相應(yīng)地較大。

第一抑制電極204的第一表面204e和第二表面204f可以是彎曲的。因此，第一表面204e可具有第一曲率半徑“LR2a”，而第二表面204f可具有第二曲率半徑“LR2b”。第一曲率半徑“LR2a”可以從沿著正z軸的點測量(即，在離子束95行進的方向上靜電透鏡200的下游)，而第二曲率半徑“LR2b”可以從沿著負z軸的點測量(即，在離子束95行進的相反方向上靜電透鏡200的上游)。在所說明的實施例中，第一曲率半徑“LR2a”與第二曲率半徑“LR2b”相同。

參考圖11-圖13，將更詳細地描述第二抑制電極206。第二抑制電極206可具有如沿著y軸測量的透鏡高度“LH3”，以及如沿著x軸測量的透鏡寬度“LW3”。如先前描述，第二抑制電極206可具有頂部部分206a、底部部分206b、主體部分206c和開口206d。開口206d可具有沙漏形狀，其具有沿著y軸測量的開口高度“OHc”、如沿著x軸在開口的頂端216c處測量的第一開口寬度“OW1c”、沿著x軸在開口的中心部分218c處測量的第二開口寬度“OW2c”，以及沿著x軸在開口的底端220c處測量的第三開口寬度“OW3c”。第一開口寬度“OW1c”和第三開口寬度“OW3c”可以是相同的，而第二開口寬度“OW2c”可以小于第一開口寬度和第三開口寬度。

如可見，第二抑制電極204的開口206d的大小可以不同于第一抑制電極204的開口204d的大小。舉例來說，在所說明的實施例中，第一抑制電極204的開口高度“OHb”小于第二抑制電極206的開口高度“OHc”，而第一抑制電極的開口寬度“OW1b”、開口寬度“OW2b”、開口寬度“OW3b”與第二抑制電極的開口寬度“OW1c”、開口寬度“OW2c”、開口寬度“OW3c”相比可以相應(yīng)地較大。

如先前描述，第二抑制電極206的第一表面206e和第二表面206f可以是彎曲的。因此，第一表面206e可具有第一曲率半徑“LR3a”，而第二表面206f可具有第二曲率半徑“LR3b”。兩個曲率半徑都可以從沿著負z軸的點測量(即，在離子束95行進的相反方向上靜電透鏡200的上游)。在所說明的實施例中，第一曲率半徑“LR3a”小于第二曲率半徑“LR3b”。

參考圖14-圖16，將更詳細地描述接地電極208。接地電極208可具有如沿著y軸測量的透鏡高度“LH4”，以及如沿著x軸測量的透鏡寬度“LW4”。如先前描述，接地電極208可具有頂部部分208a、底部部分208b、主體部分208c和開口208d。開口208d可具有沙漏形狀，其具有沿著y軸測量的開口高度“OHd”、如沿著x軸在開口的頂端216d處測量的第一開口寬度“OW1d”、沿著x軸在開口的中心部分218d處測量的第二開口寬度“OW2d”，以及沿著x軸在開口的底端220d處測量的第三開口寬度“OW3d”。第一開口寬度“OW1d”和第三開口寬度“OW3d”可以是相同的，而第二開口寬度“OW2d”可以小于第一開口寬度和第三開口寬度。

如可見，接地電極208的開口208d的大小可以不同于第二抑制電極206的開口206d的大小。舉例來說，在所說明的實施例中，接地電極208的開口高度“OHd”小于第二抑制電極的開口高度“OHc”，而接地電極的開口寬度“OW1d”、開口寬度“OW2d”、開口寬度“OW3d”與第二抑制電極的開口寬度“OW1c”、開口寬度“OW2c”、開口寬度“OW3c”相比可以相應(yīng)地較大。

如先前描述，接地電極208的第一表面208e可以是彎曲的。因此，第一表面208e可具有如從沿著負z軸的點測量的(即，在離子束95行進的相反方向上靜電透鏡200的上游)第一曲率半徑“LR4a”。第二表面208f可以是平坦的(即，朝向垂直于沿著z軸的離子束95的行進方向)。

雖然已經(jīng)將鄰近電極的鄰近表面描述為大體上互補(即，凹入表面被定位成鄰近于凸出表面)，但是鄰近表面的曲率半徑可具有非同心曲率。因此，舉例來說，端電極202的第二表面202f的曲率半徑LR1b可以小于第一抑制電極204的第一表面202e的曲率半徑LR2a。因此，端電極202的第二表面202f與第一抑制電極204的第一表面202e之間的距離可以不同。圖17是此非同心曲率布置的示例性示意圖。如可見，在鄰近電極(在此實例中是端電極202和第一抑制電極204)的表面的曲率半徑不同的情況下，端電極202與第一抑制電極204之間的距離“D1”在電極的中心“C”處與在電極的上端“UE”和下端“LE”處在端電極與抑制電極之間的距離“D2”相比是不同的。在所說明的實施例中，端電極202和第一抑制電極204的相應(yīng)的曲率半徑使得距離D1大于距離D2。這意味著聚集在離子束95的頂部和底部處與聚集在離子束95的軸線中心上相比更強。在一些實施例中，電極可以各自保持在獨特電勢下，并且因此鄰近電極之間的電壓差將是恒定的。由于電場是距離的函數(shù)，所以改變鄰近電極之間的距離使得電場能夠按需要改變。將理解，電場中的變化可用于按需要維持離子束95的形狀。

在非限制性示例性實施例中，電極的曲率半徑可以在幾百毫米(mm)(例如，250到310mm)的范圍內(nèi)，電極高度可以是大約100mm，并且電極寬度可以從20mm到50mm。將了解，這些尺寸可以由離子束95的大小以及所希望的聚集的程度驅(qū)動。因此，這些尺寸并非限制性的并且電極可以適合于產(chǎn)生具有所希望的大小和聚集的離子束95。

雖然圖17僅示出了端電極202與第一抑制電極204的鄰近表面之間的曲率半徑的差異，但是將了解類似配置可以提供在靜電透鏡200的任何電極的任何鄰近表面之間。另外，雖然圖17示出了距離D1大于距離D2的配置，但是在所涵蓋的實施例中距離D2也可以大于距離D1。另外，將了解靜電透鏡200可以包括多種組合配置，例如，關(guān)于圖17中描述的一個。在一些實施例中，靜電透鏡200的全部的電極可并入鄰近電極之間的此類非同心曲率半徑。在其它實施例中，靜電透鏡200的少于全部的電極可并入鄰近電極之間的此類非同心曲率半徑。

如將了解，所公開的沙漏孔口形狀提供與圓形或矩形孔口可以實現(xiàn)的相比更緊密地匹配所希望的射束形狀的所希望的電場形狀。舉例來說，基本上矩形的孔口將引起等電勢的頂部和底部塌陷成圓形形狀并且將預(yù)期誘發(fā)離子束中的偏差。圖18示出了圍繞透鏡200中的沙漏形狀開口202d-208d的電場線的示例性圖。如可見，沙漏形狀可以抵消等電勢的“橢圓狀”，允許垂直和水平電場的更好的去耦合。場線沿著開口202d的側(cè)面相對較直，并且一般形狀更好的匹配將被放置通過靜電透鏡200的高和薄的離子束95。因此，較少偏差將在離子束95中形成。

如先前所提及，電極202-208的相應(yīng)的開口202d-208d的大小可以在高度和寬度上改變。通過改變開口的寬度和高度，并且還通過例如第二抑制電極206上的電壓，可以調(diào)節(jié)水平和垂直聚集的位置和量。在圖19中所示的曲線中，離子束95可以從20keV減速到2keV。與第一抑制電極204相關(guān)聯(lián)的電源上面具有22kV并且與第二抑制電極206相關(guān)聯(lián)的電源上面僅具有3kV。如可見，大部分等電勢在第一抑制電極204與第二抑制電極206之間封裝的非常緊密。在此說明中，等電勢間隔開500V。這引起第二抑制電極20的開口206d中的相當大的水平的聚焦，并且會聚射束離開靜電透鏡200，如圖20可見，圖20是使用圖19的設(shè)置的穿過靜電透鏡的所計算的射束軌道的曲線圖。

在圖21中，離子束95從20keV減速到2keV。與第一抑制電極204相關(guān)聯(lián)的電源上面具有22kV并且與第二抑制電極206相關(guān)聯(lián)的電源上面具有10kV。這引起等電勢在第一抑制電極204與第二抑制電極206之間以及在第二抑制電極與接地電極208之間相當均勻地間隔開。在此說明中，等電勢間隔開500V。進一步的結(jié)果是第二抑制電極206的開口206d中的較少水平的聚集。可以看到離子束95從靜電透鏡200中在很大程度上平行地出現(xiàn)，如在圖22中可見，圖22是使用圖21的設(shè)置的穿過靜電透鏡的所計算的射束軌道的曲線圖。

圖23是圖19的曲線圖的側(cè)視圖。如所提到，在這種情況下離子束95從20keV減速到2keV。與第一抑制電極204相關(guān)聯(lián)的電源上面具有22kV并且與第二抑制電極206相關(guān)聯(lián)的電源上面僅具有3kV。如圖所示，大部分等電勢在第一抑制電極204與第二抑制電極206之間非常緊密地封裝，這引起在第二抑制電極206的開口206d中的非常少的垂直集中。同樣，在此曲線圖中，等電勢間隔開500V。

圖24是圖21的曲線圖的側(cè)視圖。如所提到，在這種情況下離子束95從20keV減速到2keV。與第一抑制電極204相關(guān)聯(lián)的電源上面具有22kV并且與第二抑制電極206相關(guān)聯(lián)的電源上面具有10kV。如圖所示，等電勢在第一抑制電極204與第二抑制電極206之間以及在第二抑制電極與接地電極208之間相當均勻地間隔開，這引起第二抑制電極的開口206d中的較少水平聚集，但是大量的垂直聚集。同樣，在此曲線圖中，等電勢間隔開500V。

如將了解，圖18-圖24中所示的曲線圖僅僅是示例性的并且適用于電極形狀、開口大小和所施加的電勢的一個實施例。使用所公開的靜電透鏡200通過調(diào)節(jié)本文中描述的個體特征可以獲得多種不同射束形狀(包括聚集發(fā)生在何處以及發(fā)生多少聚集)。

雖然已經(jīng)參考某些實施例公開了本實用新型，但是所描述的實施例的眾多修改、更改和改變是可能的而不會不脫離本實用新型的領(lǐng)域和范圍。相應(yīng)地，希望本實用新型并不限于所描述的實施例，而是具有由所附權(quán)利要求及其等效物的語言所限定的全部范圍。