本實(shí)用新型涉及一種新型C-Mount單發(fā)射腔半導(dǎo)體激光器，主要應(yīng)用于半導(dǎo)體激光器泵浦，夜視照明，激光測(cè)距等領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

C-Mount半導(dǎo)體激光器是工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體激光器封裝結(jié)構(gòu)，其特點(diǎn)是在熱沉上鍍上薄膜金屬焊料，直接焊接半導(dǎo)體芯片，然后金絲鍵合到負(fù)極引線。現(xiàn)有的C-Mount半導(dǎo)體激光器多為單引線結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體激光器，熱沉為正極，飄帶為負(fù)極，這樣產(chǎn)生的問題就是半導(dǎo)體激光器只能實(shí)現(xiàn)特定的功用，每當(dāng)對(duì)半導(dǎo)體激光器提出新的使用要求后都得進(jìn)行重新設(shè)計(jì)和改變，所以亟待發(fā)明一種新的半導(dǎo)體激光器結(jié)構(gòu)來解決上述產(chǎn)生的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的是提供一種新型C-Mount單發(fā)射腔半導(dǎo)體激光器，其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于制造，性能穩(wěn)定可靠，能滿足對(duì)C-Mount封裝半導(dǎo)體激光器的不同功用的需求。

本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：一種新型C-Mount單發(fā)射腔半導(dǎo)體激光器，其特征在于：主體頂面兩側(cè)為凸起的左側(cè)凸臺(tái)和右側(cè)凸臺(tái)，左側(cè)凸臺(tái)與左側(cè)電極之間以及右側(cè)凸臺(tái)與右側(cè)電極之間均留有實(shí)現(xiàn)絕緣的縫隙，主體中間平面上焊接有陶瓷襯底，陶瓷襯底表面覆蓋金屬層，金屬層分為左側(cè)金屬層、中心金屬層和右側(cè)金屬層三部分，每部分的金屬層之間相互絕緣，中心金屬層的方框區(qū)域覆有一層金錫焊料，焊料區(qū)中心位置焊接有半導(dǎo)體芯片，左側(cè)電極與左側(cè)金屬層金絲鍵合，左側(cè)金屬層與金屬層金絲鍵合，本體中心位置的半導(dǎo)體芯片上表面與右側(cè)金屬層金絲鍵合，右側(cè)電極與右側(cè)金屬層金絲鍵合。

所述的左側(cè)電極在與左側(cè)金屬層金絲鍵合的基礎(chǔ)上與左側(cè)凸臺(tái)金絲鍵合。

所述的右側(cè)電極在右側(cè)金屬層金絲鍵合的基礎(chǔ)上與右側(cè)凸臺(tái)金絲鍵合。

所述的主體中心位置的半導(dǎo)體芯片上表面可由與右側(cè)金屬層金絲鍵合，替換為與左側(cè)金屬層金絲鍵合，左側(cè)金屬層與襯底金屬層金絲鍵合替換為右側(cè)金屬層與襯底金屬層金絲鍵合。

本實(shí)用新型的積極效果是其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于制造，性能穩(wěn)定可靠，能滿足對(duì)C-Mount封裝半導(dǎo)體激光器的不同功用的需求。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)圖。

圖2為本實(shí)用新型的第二種結(jié)構(gòu)圖。

圖3為本實(shí)用新型的第三種結(jié)構(gòu)圖。

圖4為本實(shí)用新型的第四種結(jié)構(gòu)圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步說明：如圖1-4所示，一種新型C-Mount單發(fā)射腔半導(dǎo)體激光器，其特征在于：主體頂面兩側(cè)為凸起的左側(cè)凸臺(tái)2和右側(cè)凸臺(tái)6，左側(cè)凸臺(tái)2與左側(cè)電極1之間以及右側(cè)凸臺(tái)6與右側(cè)電極7之間均留有實(shí)現(xiàn)絕緣的縫隙，主體中間平面上焊接有陶瓷襯底，陶瓷襯底表面覆蓋金屬層，金屬層分為左側(cè)金屬層3、中心金屬層4和右側(cè)金屬層5三部分，每部分的金屬層之間相互絕緣，中心金屬層4的方框區(qū)域覆有一層金錫焊料，焊料區(qū)中心位置焊接有半導(dǎo)體芯片，左側(cè)電極1與左側(cè)金屬層3金絲鍵合，左側(cè)金屬層3與金屬層4金絲鍵合，本體中心位置的半導(dǎo)體芯片上表面與右側(cè)金屬層5金絲鍵合，右側(cè)電極7與右側(cè)金屬層5金絲鍵合。

所述的左側(cè)電極1在與左側(cè)金屬層3金絲鍵合的基礎(chǔ)上與左側(cè)凸臺(tái)2金絲鍵合。

所述的右側(cè)電極7在右側(cè)金屬層5金絲鍵合的基礎(chǔ)上與右側(cè)凸臺(tái)6金絲鍵合。

所述的主體中心位置的半導(dǎo)體芯片上表面可由與右側(cè)金屬層5金絲鍵合，替換為與左側(cè)金屬層3金絲鍵合，左側(cè)金屬層3與襯底金屬層4金絲鍵合替換為右側(cè)金屬層5與襯底金屬層4金絲鍵合。

可改變電極正負(fù)位置的C-Mount封裝半導(dǎo)體激光器包括熱沉、襯底和半導(dǎo)體芯片三部分，先在貼片機(jī)上把半導(dǎo)體芯片貼在襯底的覆焊料區(qū)域的中心，然后再用回流爐把貼好芯片的襯底焊在熱沉上，最后根據(jù)不同的需求將上述三部分進(jìn)行金絲鍵合，鍵合不同的位置就生產(chǎn)出不同的半導(dǎo)體激光器。

如圖1所示，若將主體表面的中心金屬層4與左側(cè)金屬層3，半導(dǎo)體芯片上表面與右側(cè)金屬層5進(jìn)行金絲鍵合，然后再將左側(cè)電極1和左側(cè)金屬層3，右側(cè)電極7和右側(cè)金屬層5分別進(jìn)行金絲鍵合，就可得到熱沉不帶電的左側(cè)正極右側(cè)負(fù)極的C-Mount封裝半導(dǎo)體激光器，如果需要熱沉帶正電則需要在圖1所示的半導(dǎo)體激光器的基礎(chǔ)上再把左側(cè)電極1與左側(cè)凸臺(tái)2進(jìn)行金絲鍵合即可，結(jié)構(gòu)示意圖如圖2所示。

若將主體表面的中心金屬層4與右側(cè)金屬層5，半導(dǎo)體芯片上表面與右側(cè)金屬層3進(jìn)行金絲鍵合，然后再將左側(cè)電極1和左側(cè)金屬層3，右側(cè)電極7和右側(cè)金屬層5分別進(jìn)行金絲鍵合，就可得到熱沉不帶電的右側(cè)正極左側(cè)負(fù)極的C-Mount封裝半導(dǎo)體激光器，該方案的結(jié)構(gòu)示意圖如圖3所示，如果需要熱沉帶正電則需要在圖3所示的半導(dǎo)體激光器的基礎(chǔ)上再把右側(cè)電極7與右側(cè)凸臺(tái)6進(jìn)行金絲鍵合即可，結(jié)構(gòu)示意圖如圖4所示。